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【专利摘要】本发明揭示了一种半导体设备，包括腔体、第一管道、第二管道以及干泵。所述第一管道设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔，所述第二管道的一端连接所述开孔，所述干泵连接所述第二管道的另一端。当所述干泵进行抽气时，气体从所述腔体流出，经过所述第一管道，从所述开孔流入所述第二管道，并进入所述干泵，从所述腔体出来的副产物粘附在所述第一管道的侧壁上，当所述副产物从所述第一管道的侧壁上脱落时，直接掉落致所述第一管道的另一端，而不会进入所述开孔，从而避免所述副产物进入所述干泵。
【专利说明】半导体设备【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，特别是涉及一种半导体设备。
【背景技术】
[0002]减压外延工艺是指外延工艺压力在20Torr~IOOTorr之间的工艺。通常,在进行外延反应的腔体内，采用SiH2ClJt为硅源，采用AsH3或B2H6作为掺杂源，压力的实现靠干泵和辅助泵的抽力实现。未反应完全的反应物及反应副产物通过干泵到尾气管道进行尾气处理。
[0003]目前，运行外延工艺的设备一般为应用材料公司的Centura平台，但是在该平台中，从腔体出来的副产物很容易粘附在腔体与干泵之间的管道上，随着副产物的增多，到一定时间，这些副产物会掉入干泵中，并附着在干泵上，导致干泵的负载过大而使干泵卡死。
[0004]因此，在现有技术中，干泵的使用寿命一般在15天~30天左右，导致更换干泵的频率非常之高。然而，工艺的中断也使正常的生产片子(wafer)报废，维修干泵的费用也是居高不下，设备利用率降低，维护费用高。
【发明内容】
[0005]现有技术的半导体设备存在干泵使用寿命短的问题，本发明提供的半导体设备能够提闻干栗的使用寿命 。
[0006]本发明提供一种半导体设备，包括:
[0007]腔体；
[0008]第一管道，设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔；
[0009]第二管道，所述第二管道的一端连接所述开孔；以及
[0010]干泵，连接所述第二管道的另一端。
[0011]可选的，所述半导体设备还包括一收集部，所述收集部可拆卸的安装在所述第一
管道的另一端。
[0012]可选的，所述收集部为两端开口的管道状，所述收集部的一端通过一第一密封圈和一第一卡套与所述第一管道的另一端密封连接，所述收集部的另一端通过一第二密封圈和一可拆卸闷盖进行密封。
[0013]可选的，所述第二管道包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分之间可拆卸密封连接，所述第一部分连接所述开孔，所述第二部分连接所述干泵。
[0014]可选的，所述第一部分的长度小于等于30cm。
[0015]可选的，所述第一部分通过一第三密封圈和一第二卡套与第二部分之间可拆卸密封连接。
[0016]可选的，所述开孔与所述第一管道的一端的距离大于所述开孔与所述第一管道的另一端的距离。[0017]可选的，所述开孔与所述第一管道的另一端的距离为50cm~80cm。
[0018]可选的，所述第一管道为直管型，并垂直于所述腔体设置。
[0019]可选的，所述第二管道相对于所述第一管道呈倾斜设置，所述第二管道向靠近所述第一管道的另一端的方向倾斜。
[0020]可选的，所述第一管道的长度为300cm~800cm。
[0021]可选的，所述第二管道的长度为50cm~200cm。
[0022]可选的，所述第二管道的管道直径小于等于所述第一管道的管道直径。
[0023]与现有技术相比，在本发明的半导体设备中，所述第一管道设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔，所述第二管道的一端连接所述开孔，所述干泵连接所述第二管道的另一端。当所述干泵进行抽气时，气体从所述腔体流出，经过所述第一管道，从所述开孔流入所述第二管道，并进入所述干泵，从所述腔体出来的副产物粘附在所述第一管道的侧壁上，当所述副产物从所述第一管道的侧壁上脱落时，直接掉落致所述第一管道的另一端，而不会进入所述开孔，从而避免所述副产物进入所述干泵。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1是本发 明一实施例的半导体设备的示意图。
【具体实施方式】
[0025]下面将结合示意图对本发明的半导体设备进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0026]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0027]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0028]本发明的核心思想在于，提供一种半导体设备，包括:腔体；第一管道，设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔；第二管道，所述第二管道的一端连接所述开孔；以及干泵，连接所述第二管道的另一端。当所述干泵进行抽气时，气体从所述腔体流出，经过所述第一管道，从所述开孔流入所述第二管道，并进入所述干泵，从所述腔体出来的副产物粘附在所述第一管道的侧壁上，当所述副产物从所述第一管道的侧壁上脱落时，直接掉落致所述第一管道的另一端，而不会进入所述开孔，从而避免所述副产物进入所述干泵。
[0029]以下结合图1具体说明本发明一实施例中的半导体设备。如图1所示，所述半导体设备100包括腔体101、第一管道102、第二管道103以及干泵104。其中，所述腔体101为进行半导体工艺的反应腔体，在本实施例中，所述腔体101为外延反应的腔体，在本发明的其它实施例中，所述腔体101还可以为刻蚀反应的腔体等，只要是需要进行压力控制的腔体，亦在本发明的思想范围之内。
[0030]所述第一管道102设置于所述腔体101的下方，所述第一管道102的一端102a连接所述腔体101，所述第一管道102的另一端102b密封，所述第一管道102的侧壁具有一开孔102c，从而可以使得从所述腔体101从来的气体流入所述开孔102c。所述开孔102c位于所述一端102a和另一端102b之间，有利于所述另一端102b出收集从腔体101中出来的
副产物。
[0031]较佳的，所述开孔102c与所述第一管道102的一端102a的距离LI大于所述开孔102c与所述第一管道102的另一端102b的距离L2，有利于使所述副产物附着在所述第一管道102上，避免所述副产物附着在所述第二管道103上。优选的，所述第一管道102的长度为300cm~800cm,例如400cm、500cm、600cm、700cm等等。优选的，所述开孔102c与所述第一管道102的另一端102b的距离L2为50cm~80cm,例如60cm、70cm等等。当所述第一管道102的长度和所述 开孔102c与所述第一管道102的另一端102b的距离L2并不限于上述公开的范围，具体可以根据需要进行设置。
[0032]在本实施例中，所述第一管道102为直管型，并垂直于所述腔体101设置，有利于所述副产物直接掉落到所述第一管道102的另一端102b。
[0033]较佳的，所述半导体设备100还包括一收集部110，所述收集部110可拆卸的安装在所述第一管道102的另一端102b，有利于对掉落的所述副产物进行清除。在本实施例中，所述收集部110为两端开口的管道状，所述收集部110的一端通过一第一卡套121和一第一密封圈(设置在所述第一密封圈121内，在图1中为具体示出)与所述第一管道102的另一端102b密封连接。所述第一卡套121用于将所述收集部110与所述第一管道102的另一端102b进行固定，所述第一密封圈用于将所述收集部110与所述第一管道102的另一端102b进行密封。
[0034]所述收集部110的另一端通过一可拆卸闷盖111和一第二密封圈(设置在所述可拆卸闷盖111内，在图1中为具体示出)进行密封。所述可拆卸闷盖111用于将所述收集部110的另一端进行密封，所述第二密封圈用于将所述收集部110与所述可拆卸闷盖111进行密封。当需对所述副产物进行清理时，将所述收集部Iio从所述第一管道102的另一端102b取下时，将所述第一卡套121打开，将所述收集部110从所述第一管道102的另一端102b取下，并将所述可拆卸闷盖111卸下，至今对所述收集部110和所述可拆卸闷盖111进行清理，可以方便地将所述副产物清理干净。
[0035]所述第二管道103的一端连接所述开孔102c，另一端连接所述干泵104，用于传输气体。在本实施例中，所述第二管道103相对于所述第一管道102呈倾斜设置，所述第二管道103向靠近所述第一管道102的另一端102b的方向倾斜。
[0036]较佳的，为了方便对所述第二管道103进行清洗，所述第二管道103包括第一部分103a和第二部分103b，所述第一部分103a和第二部分103b之间可拆卸密封连接，所述第一部分103a连接所述开孔102c，所述第二部分103b连接所述干泵102c。在本实施例中，所述第一部分103a通过一第二卡套122和一第三密封圈(设置在所述第二卡套122内，在图1中为具体示出)与第二部分103b之间可拆卸密封连接。
[0037]优选的,所述第一部分103a的长度小于等于30cm, 10cm、20cm等等,使得所述可拆卸部分靠近所述开孔102c，方便对靠近所述开孔102c的地方进行清洗。优选的，所述第二管道103的长度为50cm~200cm,例如100cm、150cm等等。
[0038]较佳的，所述第二管道103的管道直径小于等于所述第一管道102的管道直径，可以防止所述副产物从所述开口 102c进入所述第二管道103，从而进一步的避免所述副产物进入所述干泵104。其中，所述第二管道103的管道直径范围可以根据需要进行具体设置，所述第一管 道102的管道直径范围可以根据需要进行具体设置，在此不作赘述。
[0039]综上所述，在本发明的半导体设备中，所述第一管道设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔，所述第二管道的一端连接所述开孔，所述干泵连接所述第二管道的另一端。当所述干泵进行抽气时，气体从所述腔体流出，经过所述第一管道，从所述开孔流入所述第二管道，并进入所述干泵，从所述腔体出来的副产物粘附在所述第一管道的侧壁上，当所述副产物从所述第一管道的侧壁上脱落时，直接掉落致所述第一管道的另一端，而不会进入所述开孔，从而避免所述副产物进入所述干泵。
[0040]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括: 腔体； 第一管道，设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔； 第二管道，所述第二管道的一端连接所述开孔；以及 干泵，连接所述第二管道的另一端。
2.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括一收集部，所述收集部可拆卸的安装在所述第一管道的另一端。
3.如权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述收集部为两端开口的管道状，所述收集部的一端通过一第一密封圈和一第一卡套与所述第一管道的另一端密封连接，所述收集部的另一端通过一第二密封圈和一可拆卸闷盖进行密封。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的半导体设备，其特征在于，所述第二管道包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分之间可拆卸密封连接，所述第一部分连接所述开孔，所述第二部分连接所述干泵。
5.如权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述第一部分的长度小于等于30cm。
6.如权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述第一部分通过一第三密封圈和一第二卡套与第二部分 之间可拆卸密封连接。
7.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述开孔与所述第一管道的一端的距离大于所述开孔与所述第一管道的另一端的距离。
8.如权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述开孔与所述第一管道的另一端的距离为50cm~80cm。
9.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一管道为直管型，并垂直于所述腔体设置。
10.如权利要求9所述的半导体设备，其特征在于，所述第二管道相对于所述第一管道呈倾斜设置，所述第二管道向靠近所述第一管道的另一端的方向倾斜。
11.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一管道的长度为300cm~800cm。
12.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第二管道的长度为50cm~200cm。
13.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第二管道的管道直径小于等于所述第一管道的管道直径。
【文档编号】C30B25/14GK103966663SQ201410199497
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年5月12日 优先权日:2014年5月12日
【发明者】陆爱军, 邹毅, 王海红 申请人:上海先进半导体制造股份有限公司