分散式静电夹盘的冷却的利记博彩app

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【专利摘要】本发明的实施例包括在等离子体处理过程中用以冷却支撑工件的基座的设备、系统和方法。基座的实施例包括：底座，该工件是将被配置于该底座上方；数个喷嘴，用以从供应充气增压部供应流体来撞击于该底座的表面上；以及数个返回管道，用以将供应的流体送回到返回充气增压部。将由该数个喷嘴供应的流体可以在该数个喷嘴和该底座之间的空间内被喷射成一或更多个淹没于周围流体中的射流，或被喷射成从周围流体浮现的喷雾，以撞击于该底座的该表面上。
【专利说明】分散式静电夹盘的冷却
[0001] 相关申请案的交叉引用
[0002] 本专利申请主张于2012年4月23日提出申请的美国临时专利申请案第 61/637, 213 号、标题为「分散式静电夹盘的冷却（DISTRIBUTED ELECTRO-STATIC CHUCK COOLING)」以及主张于2012年8月22日提出申请的美国临时专利申请案第61/692, 190号、 标题为「分散式静电夹盘的冷却（DISTRIBUTED ELECTRO-STATIC CHUCK COOLING)」的优先 权权益，为了所有的目的将该申请案的整体内容以引用方式全部并入本文中。

【技术领域】
[0003] 本发明的实施例是关于微电子制造工业，而且本发明更特定言之是关于在等离子 体处理过程中用于支撑工件的温控基座。

【背景技术】
[0004] 等离子体处理设备（诸如设计来进行微电子装置及类似者的等离子体蚀刻的设 备）中的功率密度随着制造技术的进步而增加。举例来说，5至10千瓦的功率现正使用于 300毫米（mm)的基板。随着功率密度增加，支撑工件的基座的增强冷却对于在处理过程中 均匀地控制工件温度是有益的。现存在等离子体处理过程中的冷却方法仅能实现某种程度 的工件冷却，这对于某些处理环境是不足的。一种这样的方法是使流体循环通过静电夹盘 底部的通道，以便流体流经该通道，并从而平行地行进到夹盘的表面。由于处理过程中冷却 的不足而在工件上出现的热不均匀性并无法用其他硬件和工艺调整来充分补偿，而且可能 会影响晶片上的性能。

【专利附图】

【附图说明】
[0005] 作为范例而非限制的方式说明附图中的本发明的实施例，其中：
[0006] 图1为依据本发明的一实施例的包括基座的等离子体蚀刻系统的示意图，该基座 在等离子体处理过程中用以支撑工件；
[0007] 图2a图示依据一实施例的图1的基座中采用的冷却底座组件的立体分解图；
[0008] 图2b图示依据一实施例的图2a的冷却底座组件中采用的分配板的立体图；
[0009] 图2c图示依据一实施例的图2b的分配板的顶表面的平面图；
[0010] 图2d图示依据一实施例的图2b的分配板的底表面的平面图；
[0011] 图2e图示依据一实施例的图2a的冷却底座组件中采用的充气增压部板的顶侧和 底侧的立体图；
[0012] 图2f图示依据一实施例的图2e的充气增压部板的顶表面的平面图；
[0013] 图2g图示依据一实施例的图2e的充气增压部板的底表面的平面图；
[0014] 图2h图示依据一实施例的图2a的冷却底座组件中采用的下盖的顶侧和底侧的立 体图；
[0015] 图2i图示依据一实施例的图2h的下盖的顶表面的平面图；
[0016] 图2j图示依据一实施例的图2h的下盖的底表面的平面图；
[0017] 图3a图示依据一实施例的图1的基座组件中采用的冷却底座组件的立体剖面图， 并图示冷却底座组件中的供应流动路径；
[0018] 图3b图示依据一实施例的图1的基座组件中采用的冷却底座组件的立体剖面图， 并且图示该冷却底座组件中的返回流动路径；
[0019] 图3c图示依据一实施例的图1的基座组件中采用的冷却底座组件的立体剖面图， 并且图示供应流动路径和返回流动路径；以及
[0020] 图4图示依据一实施例的经由例如图2a中的冷却底座组件冷却工件的方法的流 程图。

【具体实施方式】
[0021] 以下的说明描述在等离子体处理过程中用以冷却支撑工件的基座的设备、系统和 方法的实施例。工件可以是任何等离子体处理中采用的工件。举例来说，工件可以是半导体 晶片。基座可以包括任何用于支撑工件的组件。例如，基座可以支撑夹持工件的夹盘。支 撑工件可以包括结合其他支撑手段来完全或部分支撑工件，而且可以包括直接或间接的支 撑。例如，基座可以结合静电夹持手段来支撑工件。
[0022] 在一个实施例中，基座包括冷却底座组件，以实现整个基座表面的均匀冷却，并因 此冷却位于基座上的工件。依据一个实施例，冷却底座组件产生冷却流体的数个射流或喷 雾，以非平行地撞击到冷却底座的表面上。
[0023] 在一个实施例中，本文所述的冷却底座组件能够经由等离子体处理上下文中的喷 雾及/或射流冷却来均匀地冷却基座。依据一个实施例，利用喷雾及/或射流冷却的冷却 底座组件由于本文所述特征的协同作用而能够大量地传热，该特征包括以下中之一或更多 者：放置板材和元件、产生射流及/或喷雾的喷嘴直径、喷嘴的深度（即喷嘴的顶表面与冷 却底座的表面相距的距离）、及/或射流及/或喷雾的图案。这种冷却底座组件使得可以为 产生大量热的处理条件移除热（例如热传速率为10000瓦或更多）。
[0024] 在下面的描述中阐述多个细节。然而，对于本【技术领域】的技术人员而言，显而易见 地，在没有这些具体细节下也可以实施本发明。在某些情况下，众所周知的方法和装置以方 块图的形式图示而不详述，以避免模糊本发明。贯穿本说明书，提及「一实施例」意指结合该 实施例所描述的特定特征、结构、功能或特性是被包括在本发明的至少一实施例中。因此， 贯穿本说明书在各处出现的措词「在一实施例中」并不一定指称本发明相同的实施例。此 夕卜，可以在一或更多个实施例中以任何适当的方式组合本文所述的该特定特征、结构、功能 或特性。例如，在第一实施例的上下文中描述的特征可与第二实施例中描述的特征结合，只 要该两个实施例不是相互排斥的。
[0025] 本文中可以使用术语「耦接」和「连接」以及它们的衍生词来描述元件之间的结构 关系。应当了解的是，这些术语并非意图作为彼此的同义词。相反的，在特定实施例中，可 以使用「连接」来表示两个或更多个元件为直接实体地或电气地彼此接触。可以使用「耦 接」来表示两个或更多个元件为直接或间接（之间具有其他的中间元件）实体地或电气地 彼此接触及/或该两个或更多个元件共同操作或彼此交互作用（例如在因果关系中）。术 语「流体耦接」和「流体连接」是指元件的结构关系，其允许流体从其中一个元件通行到另 一个元件。因此，「流体耦接」的第一和第二元件是以将第一元件与第二元件流体连接的方 式耦接在一起，使得第一元件中的流体可被转移到第二元件，反之亦然，视元件之间的压降 方向而定。
[0026] 图1为依据本发明的一实施例的包括基座组件142的等离子体蚀刻系统100的示 意图。等离子体蚀刻系统1〇〇可以是本【技术领域】中已知的任何类型高性能蚀刻腔室，例如 但不限于美国加州的应用材料公司（Applied Materials of CA, USA)所制造的Enabler?、 MxP?、MxP+?、Super-E?、DPS II AdvantEdge?G3或E-MAX? 腔室。其他商业上可用的蚀 刻腔室也类似地可以使用本文所述的基座组件。虽然在等离子体蚀刻系统100的上下文中 描述示例性的实施例，但本文所述的基座组件也可适用于其他处理系统，用来进行将热负 载放置于由该基座支撑的工件上的任何等离子体制造工艺（例如等离子体沉积系统等）。
[0027] 参照图1，等离子体蚀刻系统100包括通常接地的真空腔室105。工件110经由 开口 115被载入并被夹持于基座组件142。工件110可以是任何传统上使用于等离子体处 理技艺者（例如半导体晶片或其他等离子体处理中采用的工件），并且本发明在此方面并 无限制。工件110是设置于介电材料143的顶表面上，介电材料143是设置于冷却底座组 件210上方。从气源129经由质量流量控制器149供应工艺（源）气体到腔室105的内部 (例如经由气体喷洒头）。腔室105经由连接到高容量真空泵堆迭155的排气阀151排空。
[0028] 当施加等离子体功率到腔室105时，等离子体是形成于工件110上方的处理区域 中。将等离子体偏压功率125耦接到基座组件142,以激发等离子体。等离子体偏压功率 125通常具有在约2兆赫（MHz)到60MHz之间的低频，并且可以例如在13. 56MHz的频带中。 在该示例性实施例中，等离子体蚀刻系统100包括操作于约2MHz频带的第二等离子体偏压 功率126,第二等离子体偏压功率126与等离子体偏压功率125连接到相同的RF匹配127， 并经由功率管道128耦接到下电极。等离子体电源130经由匹配（未图示）耦接到等离子 体产生元件135,以提供高频电源来电感式或电容式激发等离子体。等离子体电源130可 以具有比等离子体偏压功率125更高的频率，诸如在100和180MHz之间，而且可以例如在 162MHz频带中。
[0029] 温度控制器175是执行温度控制算法，并且可以是软件或硬件或软件和硬件的组 合中的任一者。温度控制器175还可以包含系统控制器170的兀件或模块，系统控制器170 负责经由中央处理单元（CPU) 172、存储器173及输入/输出（I/O)接口 174管理系统100。 温度控制器175输出影响在基座组件142与热源及/或等离子体腔室105外部的散热器之 间的热传速率的控制信号。在该示例性实施例中，温度控制器175被耦接到第一热交换器 (HTX)或冷却器177和第二热交换器或冷却器178,使得温度控制器175可以获得HTX/冷却 器177、178的温度设定点以及该基座组件的温度176,并且控制热传流体通过基座组件142 中的流体管道141及/或145的流动速率。温度控制器175可以控制热交换器/冷却器和 基座组件中的流体管道之间的一或更多个阀185 (或其他的流量控制装置），以独立地控制 热传流体到数个流体管道141U45的流动速率。因此，在该示例性实施例中，采用两个热传 流体回路。其他的实施例可以包括一或更多个热传回路。也可以使用任何本【技术领域】中已 知的热传流体。该热传流体可以包含任何适合提供适当热传到基板或提供来自基板的适当 热传的流体。举例来说，该热传流体可以是气体，例如氦气（He)、氧气（0 2)或类似者。然而， 在该示例性实施例中，该热传流体是液体，例如但不限于Galden?、Fluorinert?或乙二醇 /水。
[0030] 图2a图示依据一实施例的包含冷却底座组件210的组件的立体分解图，冷却底座 组件210用于基座组件142。
[0031] 依据图示的实施例，工件被放置在介电材料143的顶表面上，介电材料143是位于 冷却底座组件210上方。介电材料143可以是本【技术领域】中任何已知的介电材料。举例来 说，在一个实施例中，介电材料143为能够将静电荷保持在顶表面附近的陶瓷（例如氮化铝 (A1N))，以在处理过程中静电夹持工件。一般来说，介电材料143可以作为本【技术领域】中已 知的任何静电夹盘（ESC)操作，例如（但不限于）Johnson-Raybeck(JR)夹盘。在一个示例 性实施例中，介电材料143包含陶瓷定位盘，该陶瓷定位盘具有至少一内嵌于陶瓷的电极 (例如网状或网格），以在该电极带电时在陶瓷表面与位于该陶瓷表面上的工件之间诱发 静电电位。
[0032] 如图2a中所图示，冷却底座组件210包括底座200、分配板212、充气增压部板213 以及下盖215。每个底座200、分配板212、充气增压部板213以及下盖215具有顶表面A和 底表面B。除了氦分配槽203之外，底座200具有大体平滑的顶表面，氦供应环204是坐落 于氦分配槽203中。氦供应环204可用以经由夹盘供应氦到工件的表面，以产生用于与工 件热传导的压力。底座200进一步包括过孔，该过孔可容纳各种升举销、传感器探针（例如 光纤温度探针、IV探针等）以及DC电极及/或电阻式加热器电源线。底座200的功能是 作为介电材料143和分配板212之间的热传导机械流体阻障。底座200具有底表面，该底 表面可被曝露于热传流体。由于热传流体是由底座200容纳，且没有流体流到底座200的 顶表面，故可将底座视为冷却底座组件210的上盖。下盖215可被视为冷却组件的下方盖 体。如图示，下盖215包含供应开口 226以及返回开口 227,流体是经由供应开口 226供应， 并且流体是经由返回开口 227返回。
[0033] 在该示例性实施例中，每个分配板212和底座200是单独的材料板，为了热膨胀系 数（CTE)匹配之故，较佳为相同的材料（例如铝）。可以以多个步骤制造冷却底座组件210， 且在制造过程中主要部件/元件由一或更多个工艺（包括永久性黏结、焊接、紧固、压装或 经由螺钉等的可拆卸附接）结合，以制作一个完整的冷却底座组件。在一个实施例中，用于 形成真空的部件可以被热焊接，以防止真空泄漏。在一个实施例中，电阻式加热器可以被嵌 入介电材料143、底座200、分配板212、充气增压部板213或下盖215中的至少一者中。
[0034] 该冷却底座组件210包括数个喷嘴211，以从供应充气增压部供应流体来非平行 地撞击到底座200的表面上。在示例性实施例中，数个喷嘴211供应大致上与底座200的 底表面垂直的流体。数个喷嘴211是由分配板212所提供，分配板212是位于充气增压部 板213和底座200之间。将由数个喷嘴211供应的热传流体是处于受控制的温度下（例如 由HTX/冷却器177、178中的一或更多者所供应）。在一个这样的实施例中，本文所述的热 传流体的分配将底座200保持在底座200的区域各处高度均匀的温度下。特别的是，本文 所述的实施例提供比平行于底座底表面的流体流动更大的均匀性。在底座200的区域各处 保持高度均匀的温度能够在介电材料143的区域各处保持均匀的温度，并因而在工件进行 处理时将工件的区域各处保持均匀的温度。
[0035] 在一个实施例中，将由数个喷嘴211供应的流体在介于数个喷嘴211和底座200 之间的空间中是被喷射成一或多个淹没于周围流体中的射流。举例来说，在分配板212和 底座200之间的区域可以包含流体，并且在该区域中该数个喷嘴211可以喷射另外的流体 成为穿过流体的射流。在另一个实施例中，将由该数个喷嘴211供应的流体在介于数个喷 嘴211和底座200之间的空间中是被喷射成从任何周围流体浮现的喷雾，以非平行地撞击 于底座200的表面上。例如，分配板212和底座200之间的区域可以含有零或极少的流体， 并且数个喷嘴211可以喷射流体成为喷雾，以非平行地撞击到底座200的表面上。
[0036] 依据一个实施例中，使用喷雾或射流来撞击于底座200上产生高的冷却速率。喷 雾或射流撞击到底座200上在被喷雾或射流撞击的区域中产生较高的热传系数。举例来 说，在一个实施例中，其中喷雾或射流非平行地撞击于底座200的表面上，其热传系数为流 体流动与通道墙平行的通道冷却设计的热传系数的双倍；流体流动与通道墙平行的设计会 在流体内产生边界层，该边界层是不利于传热的。可以调整喷雾或射流的图案、数量、宽度 及/或定位，以实现较低或较高的冷却速率，而且可以调整喷雾或射流的图案、数量、宽度 及/或定位，以实现底座200表面上的均匀冷却。在一个实施例中，冷却底座组件210包括 5-200个喷嘴，视所需的冷却速率而定。在一个这样的实施例中，冷却底座组件210包括少 于100个喷嘴。其他的喷嘴数目也可以实现均匀的冷却。
[0037] 依据一个实施例，数个喷嘴211的顶表面是与底座200的表面间隔一段距离，以 利良好的冷却和流体返回。举例来说，缝隙可以存在于数个喷嘴211中的每一个的顶表面 与底座200之间，且间隙耦接底座200与分配板212。在一个实施例中，该数个喷嘴中的至 少一者是与该底座表面间隔一段距离，而其他的喷嘴则未与该底座表面间隔一段距离。在 又另一个实施例中，数个喷嘴211的顶表面部分和底座200是与形成在喷嘴侧壁中的释放 (例如凹口或排气孔）接触。调整数个喷嘴211与底座200的距离可以产生不同的冷却速 率。在一个实施例中，数个喷嘴211中的每一个与底座200之间的缝隙为每个喷嘴内径的 倍数（例如约为数个喷嘴211中的每个的直径的1倍、2倍或3倍）。
[0038] 依据一个实施例，该数个喷嘴211中的每一个足够大的，以使该数个喷嘴211以特 定黏度的流体的喷雾或射流的方式输送大量的冷却剂。举例来说，该数个喷嘴的内径尺寸 适合喷射所需传导性的喷雾或射流，以实现冷却速率。在一个实施例中，该数个喷嘴具有数 个不同的内径。在另一个实施例中，该数个喷嘴中的每个具有相同的内径。举例来说，该数 个喷嘴中的每一个可以具有〇. l-o. 2英寸的内径。在另一个实施例中，每个喷嘴的内径可 以大于或小于〇. 1-0. 2英寸，以喷射所需传导性的喷雾或射流，而实现其他的冷却速率。在 本发明采用液体（例如Galden?)的实施例中，该数个喷嘴211能够输送每分钟6加仑、每 分钟8加仑或更多的流体。
[0039] 在实施例中，冷却底座组件还包括数个返回管道，以使供应的流体返回到返回充 气增压部。在图2a的实施例中，返回管道214是在分配板212中。该返回管道214让流体 通过而到达充气增压部板213的底侧。在一个实施例中，数个喷嘴211、数个返回管道214以 及充气增压部的配置和尺寸在使冷却流体排出而没有过度的压降时能够有高的冷却速率。 举例来说，冷却底座组件210在其低压充气增压部和高压充气增压部各处可以具有10? 20PSI的压降。
[0040] 在一个实施例中，数个返回管道214的总传导是大于数个喷嘴211的总传导，以 使冷却底座组件210能够以比供应流体更快的速率去除流体，从而确保喷雾或射流提供良 好的流动。举例来说，可以通过将数个返回管道214中的每一个的直径制作得比数个喷嘴 211中的每个的直径更大、通过提供比供应喷嘴数量更多的返回管道或是通过上述的组合， 来实现返回管道214的较大总传导。
[0041] 图2b-2j图示依据本发明的实施例的图2a的冷却底座组件的元件的立体图和平 面图。图2b-2d图示具有数个喷嘴211和数个返回管道214的分配板212的实施例。图2b 图示数个喷嘴211中的一个喷嘴211的内径223及一个返回管道的内径224。图2e-2g图 示具有入口 220的充气增压部板213的实施例，以使流体绕道通过充气增压部板213到达 供应充气增压部。图2h-2j图示具有供应开口 226和返回开口 227的下盖215的实施例。
[0042] 图3a图示依据一实施例的图1的基座组件中采用的冷却底座组件的立体剖面图， 并图示冷却底座组件中的供应流动路径。冷却底座组件310包括底座300和下盖315,底座 300和下盖315形成上盖体和下盖体。在底座300和下盖315之间的是供应充气增压部317 和返回充气增压部318。分配板312是设置于供应充气增压部317上方，并且供应充气增压 部317是设置于返回充气增压部318上方并以充气增压部板313与返回充气增压部318分 隔。入口 320使流体穿过返回充气增压部318和充气增压部板313而到达供应充气增压部 317。 热传流体的供应流动路径316为示例性的供应路径，并且通过入口 320到达供应充气 增压部317,再从供应充气增压部317通过数个喷嘴311，而撞击于底座300的表面上。在 图3a的示例性实施例中，缝隙322存在于数个喷嘴311中的至少一者的顶表面与底座300 之间。在一个这样的实施例中，间隙耦接底座300与分配板312。如图示，数个喷嘴311中 的一个具有内径323,以喷射具有实现冷却速率所需传导性的喷雾或射流。供应充气增压 部317是处于比返回充气增压部318更高的压力下，以使流体能够经由绕过供应充气增压 部317的返回管道314回到返回充气增压部318。
[0043] 图3b图示依据一实施例的图1的基座组件中采用的冷却底座组件的立体剖面图， 并且图示该冷却底座组件中的返回流动路径。流体返回路径321为示例性的返回路径，并 说明由数个喷嘴311所供应的流体在分配板312和底座300之间的空间内行进，并经由数 个穿过供应充气增压部317的返回管道314到达返回充气增压部318。从返回充气增压部 318, 返回的流体经由出口 319被送到热交换器。在一个实施例中，流体之后被热交换器冷 却或加热，并经由入口 320再循环回来。
[0044] 图3c图示依据一实施例的图1的基座组件中采用的冷却底座组件310的立体剖 面图，并且图示示例性的供应路径316和示例性的返回流动路径321。
[0045] 图4图示依据一实施例的经由例如图2a中的冷却底座组件冷却工件的方法400 的流程图。虽然以特定的顺序或次序图示，但除非另有具体指明，否则动作的顺序可以被修 改。因此，应当了解图示的实施方式只是作为范例，并且可以以不同的顺序进行图示的方 法，而且某些动作可以同时进行。此外，在本发明的各种实施例中可以省略一或更多个动 作；因此，不是每个实施方式中都需要所有的动作。
[0046] 依据方法400,工件被载入等离子体蚀刻腔室中进行处理，402。工件是由依据本文 所述任何实施例的基座支撑（例如包括图2a的底座冷却组件210的基座）。在载入工件之 后，开始工件的处理，404。在工件的处理过程中，供应热传流体来非平行地撞击到基座的底 座的表面上（例如由喷嘴喷射的流体，该喷嘴例如图2a中的数个喷嘴211)。在供应流体之 后，流体经由数个返回管道回到返回充气增压部（例如经由图2a的数个返回管道214到达 充气增压部218)，406。
[0047] 应当了解的是，以上描述意图为说明性的，而非限制性的。对于本【技术领域】中具有 通常知识者而言，在阅读和了解以上描述之后，许多其他的实施例将是显而易见的。虽然已 经参照特定的示例性实施例描述了本发明，但将理解的是，本发明并不限于所描述的实施 例，而且可以在所附权利要求的精神和范围内实施修改和变动。因此，本发明的范围应参照 所附权利要求以及这些权利要求的等同物的全部范围来决定。
【权利要求】
1. 一种在等离子体处理过程中支撑工件的基座，该基座包含： 底座，该工件是将被配置于该底座上方； 数个喷嘴，用以从供应充气增压部供应流体来非平行地撞击于该底座的表面上；以及 数个返回管道，用以将供应的流体送回到返回充气增压部。
2. 如权利要求1所述的基座，其中该数个喷嘴是在介于该数个喷嘴和该底座之间的空 间内将该流体喷射成一或更多个淹没于周围流体中的射流，以非平行地撞击于该底座的该 表面上。
3. 如权利要求1所述的基座，其中该数个喷嘴是在介于该数个喷嘴和该底座之间的空 间内将该流体喷射成从周围流体浮现的喷雾，以非平行地撞击于该底座的该表面上。
4. 如权利要求1所述的基座，其中该数个喷嘴中的每一个的顶表面是与该底座的该表 面间隔一距离。
5. 如权利要求1所述的基座，其中该流体为液体。
6. 如权利要求1所述的基座，其中： 该底座是设置于分配板上方，该分配板包含该数个喷嘴和该数个返回管道； 该分配板是设置于该供应充气增压部上方；以及 该供应充气增压部是设置于该返回充气增压部上方并以充气增压部板与该返回充气 增压部分隔。
7. 如权利要求6所述的基座，进一步包含入口管道，该入口管道延伸穿过该返回充气 增压部，以供应该流体至该供应充气增压部。
8. 如权利要求7所述的基座，其中该入口管道为该分配板的一部分。
9. 如权利要求1所述的基座，其中该数个返回管道的总传导大于该数个喷嘴的总传 导。
10. 如权利要求9所述的基座，其中该数个返回管道中的至少一者的内径大于该数个 喷嘴中的至少一者的内径。
11. 一种等离子体蚀刻系统，包含： 真空腔室； 喷洒头，来源气体是经由该喷洒头被供应至该真空腔室； 权利要求1的该基座；以及 射频产生器，耦接至该真空腔室、该喷洒头或该基座中的至少一者。
12. 如权利要求11所述的等离子体蚀刻系统，其中该数个喷嘴是在介于该数个喷嘴和 该底座之间的空间内将该流体喷射成一或更多个淹没于周围流体中的射流，以非平行地撞 击于该底座的该表面上。
13. 如权利要求11所述的等离子体蚀刻系统，其中该数个喷嘴是在介于该数个喷嘴和 该底座之间的空间内将该流体喷射成从周围流体浮现的喷雾，以非平行地撞击于该底座的 该表面上。
14. 如权利要求11所述的等离子体蚀刻系统，其中该数个喷嘴中的每一个的顶表面是 与该底座的该表面间隔一距离。
15. 如权利要求11所述的等离子体蚀刻系统，其中： 该底座是设置于分配板上方，该分配板包含该数个喷嘴和该数个返回管道； 该分配板是设置于该供应充气增压部上方； 该供应充气增压部是设置于该返回充气增压部上方并以充气增压部板与该返回充气 增压部分隔； 入口管道，该入口管道穿过该返回充气增压部而供应该流体至该供应充气增压部；以 及 热传流体回路，经由入口管道穿过该返回充气增压部将该供应充气增压部流体耦接 至一热交换器的高压侧，并且经由该数个返回管道将该返回流体耦接至该热交换器的低压 侧。
【文档编号】H05H1/34GK104221476SQ201380018935
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2013年4月17日 优先权日:2012年4月23日
【发明者】F·斯李维亚, R·福韦尔, H·塔瓦索里 申请人:应用材料公司