用于发光二极管控制集成电路的保护电路的利记博彩app
【专利摘要】本发明提供一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路。保护电路包含分压电路以及降压电路。分压电路耦接于发光二极管集合的端点，用以根据端点的端点电压产生分压电压。降压电路耦接于分压电路，用以降低分压电路的分压电压。
【专利说明】用于发光二极管控制集成电路的保护电路
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路。更具体地说，本发明的保护电路是用于先进制作工艺的多通道发光二极管控制集成电路。
【背景技术】
[0002]已知技术中，在片上系统(3781:6111 011 (^丨？)的集成度不断地提升的情况下，大部分的多通道发光二极管的控制集成电路(匕仏取'社乂 011-01111:)已可直接集成于一般的片上系统制作工艺中。
[0003]然而，当采用先进制作工艺制作片上系统时(例如40纳米制作工艺、28纳米制作工艺等),将导致使用片上系统的装置所能承受的电压限制相对提升。因此，在装置的发光二极管集合进行调暗((11皿1118 0^)或发光二极管集合的部份发光二极管发生故障，导致传送至控制集成电路的电压瞬间提升时，其所提升的电压将超出利用先进制作工艺制作的片上系统所能承受的范围，据此，已知的多通道发光二极管的控制集成电路并无法直接集成到利用先进制作工艺制作的片上系统中。
[0004]鉴于此，如何正确地将多通道发光二极管的控制集成电路集成到利用先进制作工艺制作的片上系统中，使其得以正常运作，是业界急需努力的目标。
【发明内容】
[0005]为解决上述问题，本发明提供了一种发光二极管控制集成电路的保护电路，其主要是通过降低输入至控制集成电路的电压的方式保护控制集成电路。
[0006]为完成上述目的，本发明提供一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路。保护电路包含分压电路以及降压电路。分压电路耦接于发光二极管集合的端点，用以根据端点的端点电压产生分压电压。降压电路耦接于分压电路，用以降低分压电路的分压电压。
[0007]通过上述所公开的技术特征，本发明的保护电路可根据发光二极管的电压变化，进一步地降低输入至控制集成电路的电压，以达到保护控制集成电路的目的。在参考附图以及随后描述的实施方式后，本领域普通技术人员便可了解本发明的其它目的，以及本发明的技术手段及实施方式。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是本发明的第一实施例的保护电路的示意图；
[0009]图2是本发明的第二实施例的保护电路的示意图；
[0010]图3是本发明的第三实施例的保护电路的示意图；以及
[0011]图4是本发明的第四实施例的保护电路的示意图；
【具体实施方式】
[0012]以下将通过实施例来解释本
【发明内容】
。然而，本发明的实施例并非用以限制本发明需在如实施例所述的任何环境、应用或方式才能实施。因此，关于实施例的说明仅为阐释本发明的目的，而非用以直接限制本发明。需说明，以下实施例及图示中，与本发明非直接相关的组件已省略而未示出。
[0013]参考图1，其为本发明第一实施例的保护电路1的示意图。保护电路1用于发光二极管控制集成电路2，包含设于发光二极管控制集成电路2外的分压电路11以及设于发光二极管控制集成电路2内的降压电路15。须特别说明，图示部分已知的发光二极管装置电路9中，本领域技术人员应可轻易地得知组件名称及功能(如肖特基二极管、电容、电阻、电感、比较器及晶体管等已知组件)，并可理解其组成电路的功能。然由于其并非本发明主要的技术特征，因此不多赘述。本发明主要组件间的联结关系将于下文中进行进一步阐述。
[0014]具体而言，本发明第一实施例主要是可在发光二极管集合3进行调暗叩0打)节能时，主动针对输入至发光二极管控制集成电路2的电压进行降压。详细来说，分压电路11耦接于发光二极管集合3的端点31，并用以根据端点31的端点电压V八产生分压电压乂021。此时，当发光二极管集合3运作正常时，发光二极管控制集成电路2可承受输入的正常分压电压丁。
[0015]然而，当发光二极管集合3进行调暗节能时，将导致分压电压7021瞬间提升。据此，耦接于分压电路11的降压电路15便可主动地降低分压电路15的分压电压7021，使得输入至发光二极管集成电路2的分压电压7021不会超出发光二极管控制集成电路2所能承受的电压值，以保护输入至发光二极管控制集成电路2的引脚不会受到损坏。如此一来，保护电路1可通过主动调降输入至发光二极管控制集成电路2的电压，以在集成电路集成到先进制作工艺制作的片上系统时，达到保护发光二极管控制集成电路2的目的。
[0016]参考图2，其为本发明第一实施例的保护电路1’的示意图。其中，须特别说明，第二实施例中与先前实施例的电路架构相似，因此符号相同的组件功能也相同，在此不再赘述。而第二实施例与先前实施例的差异在于，保护电路1’进一步包含设于发光二极管控制集成电路2内的检测电路13。
[0017]具体而言，本发明第二实施例主要是通过检测电路13，判断输入至发光二极管控制集成电路2的电压是否异常提升，若是，则降低输入电压以保护发光二极管控制集成电路2。同样地，分压电路11耦接于发光二极管集合3的端点31，并用以根据端点31的端点电压#产生分压电压7021。此时，当发光二极管集合3运作正常时，发光二极管控制集成电路2可承受输入的正常分压电压702丁。
[0018]然而，当发光二极管集合3中有发光二极管发生故障，导致分压电压7021瞬间提升时，耦接于分压电路11的检测电路13将可以根据瞬间提升的分压电压7021产生检测信号130，并将检测信号130传送至降压电路15。换言之，当检测电路13判断分压电压乂02丁大于标准电压(即发光二极管控制集成电路2集成于先进制作工艺制作的片上系统后所能承受的电压)时，便将检测信号130传送至降压电路15。
[0019]随即，耦接于分压电路11以及检测电路13的降压电路15，将可根据检测信号130降低分压电路15的分压电压7021，使得输入至发光二极管集成电路2的分压电压7021'不会超出发光二极管控制集成电路2所能承受的电压值，以保护7021输入至发光二极管控制集成电路2的引脚不会受到损坏。如此一来，保护电路1可通过检测发光二极管异常引发的电压变化，进一步地降低输入至发光二极管控制集成电路2的电压，以在集成电路集成到先进制作工艺制作的片上系统时，达到保护发光二极管控制集成电路2的目的。
[0020]参考图3，其为本发明第三实施例的保护电路1’’的示意图。其中，须特别说明，第三实施例中与先前实施例的电路架构相似，因此符号相同的组件功能也相同，在此不再赘述。而第三实施例主要是详述:(1)分压电路以及降压电路的可能实施方式；以及(2)利用控制电路控制发光二极管集合传输至分压电路的电流。
[0021]具体而言，分压电路11进一步包含第一电阻町以及第二电阻以。其中，第一电阻尺1具有第一端点1*1以及第二端点1*2，第二电组以具有第三端点1*3以及第四端点1*4。如图所示，第一端点4耦接至发光二极管集合3，第二端点1*2耦接至第三端点1*3、检测电路13以及降压电路15，第四端点1*4耦接至共同接点0011。如此一来，分压电路11将可根据端点电压1产生分压电压丁。
[0022]此外，降压电路15进一步包含开关组件151。如图所示，开关组件151耦接于分压电路11、检测电路13以及共同接点0012。而当检测信号130传送至降压电路15的开关组件151时，开关组件15将据以导通分压电路11至共同接点(1)12,如此一来，将可降低分压电路11的分压电压7021。须特别强调，开关组件151可为晶体管，然并非用以限制开关组件的实施方式。
[0023]另一方面，保护电路1’’进一步包含控制电路17，耦接于发光二极管集合3的端点31，用以控制通过发光二极管3的电流。更详细地说，控制电路17包含设于发光二极管控制集成电路2外的第一开关组件171、反馈电阻8?以及设于发光二极管控制集成电路2内的运算放大器175。反馈电阻8?包含第一端点以以及第二端点4，运算放大器175包含第一接收端化1、第二接收端化2以及输出端0此。同样地，第一开关组件171可为晶体管，然并非用以限制开关组件的实施方式。
[0024]如图所示，第一开关组件171耦接于发光二极管集合3的端点31、反馈电阻8?的第一端点以及运算放大器175的输出端0111:，运算放大器175的第一接收端1=1 I禹接于反馈电阻0?的第一端点以，运算放大器的第二接收端1112 I禹接于参考电压端点1*6？，反馈电阻8?的第二端点耦接于共同接点0011。如此一来，将可通过控制电路17控制通过发光二极管3的电流。
[0025]而同样地，当发光二极管集合3进行调暗或发光二极管集合3中有发光二极管发生故障时，需要保证在控制电路17中，输入至发光二极管控制集成电路2的电压低于发光二极管控制集成电路2所能承受的电压值，因此，控制电路17进一步可包含设于发光二极管控制集成电路2内的第二开关组件173，用以降低控制电路17中输入至发光二极管控制集成电路2的电压。
[0026]具体而言，第二开关组件173耦接于运算放大器175的输出端0此、检测电路13以及共同接点0013，当检测电路13判断V八值过高时(可通过7021、1？1以及以得到V八值)，检测电路13的检测信号130同样传送至第二开关组件173，据此，开关组件173便根据检测信号130导通运算放大器175的输出端0机至共同接点(1)13,如此一来，将可确保控制电路17中，输入至发光二极管控制集成电路3的电压以及低于发光二极管控制集成电路3所能承受的电压值，以保护以及输入至发光二极管控制集成电路2的引脚不会受到损坏。
[0027]参考图4，其为本发明第四实施例的保护电路的示意图，主要是用以示出本发明的保护电路如何应用于多信道发光二极管集合。如图所示，各发光二极管集合都具有一组相对应的保护电路，而每组保护电路都可通过分压电路、检测电路、降压电路以及控制电路，完成降低输入至发光二极管控制集成电路的过高电压，以确保发光二极管装置整体电路正常运作。须特别说明，如图所示，第四实施例的多组保护电路可共享同一检测电路。然由于此种检测电路设置方式为已知技术，因此不再赘述。
[0028]综上所述，本发明的保护电路可主动针对输入至发光二极管控制集成电路的电压进行降压，或通过检测发光二极管异常引发的电压变化，进一步地降低输入至控制集成电路的电压，以在集成电路集成到先进制作工艺制作的片上系统时，达到保护发光二极管控制集成电路的目的。
【权利要求】
1.一种用于发光二极管控制集成电路的保护电路，包含: 分压电路，耦接于发光二极管集合的端点，用以根据所述端点的端点电压产生分压电压；以及 降压电路，耦接于所述分压电路，用以降低所述分压电路的所述分压电压； 其中，所述分压电路设置于所述发光二极管控制集成电路外，所述降压电路设置于所述发光二极管控制集成电路内。
2.根据权利要求1所述的保护电路，进一步包含: 检测电路，耦接于所述分压电路以及所述降压电路，用以根据所述分压电压产生检测信号; 其中，所述降压电路进一步用以根据所述检测信号，降低所述分压电路的所述分压电压，所述检测电路设置于所述发光二极管控制集成电路内。
3.根据权利要求2所述的保护电路，其中，所述检测电路是用以在判断所述分压电压大于标准电压后，产生所述检测信号。
4.根据权利要求2所述的保护电路，其中，所述分压电路进一步包含: 第一电阻，具有第一端点以及第二端点； 第二电阻，具有第三端点以及第四端点； 其中，所述第一电阻的所述第一端点耦接至所述发光二极管集合，所述第一电阻的所述第二端点耦接至所述第二电阻的所述第三端点、所述检测电路以及所述降压电路，所述第二电阻的所述第四端点耦接至共同接点。
5.根据权利要求2所述的保护电路，其中，所述降压电路进一步包含: 开关元件，耦接于所述分压电路、所述检测电路以及共同接点，用以根据所述检测信号导通所述分压电路至所述共同接点，以降低所述分压电路的所述分压电压。
6.根据权利要求5所述的保护电路，其中，所述开关元件为晶体管。
7.根据权利要求2所述的保护电路，进一步包含: 控制电路，耦接于所述发光二极管集合的所述端点，用以控制通过所述发光二极管集合的电流。
8.根据权利要求7所述的保护电路，其中，所述控制电路进一步包含: 第一开关元件； 反馈电阻，包含第一端点以及第二端点； 运算放大器，包含第一接收端、第二接收端以及输出端； 其中，所述第一开关元件耦接于所述发光二极管集合的所述端点、所述反馈电阻的所述第一端点以及所述运算放大器的所述输出端，所述运算放大器的所述第一接收端耦接于所述反馈电阻的所述第一端点，所述运算放大器的所述第二接收端耦接于参考电压端点，所述反馈电阻的所述第二端点耦接于第一共同接点。
9.根据权利要求8所述的保护电路，进一步包含: 第二开关元件，耦接于所述运算放大器的所述输出端、所述检测电路以及第二共同接点，用以根据所述检测信号导通所述运算放大器的所述输出端至所述第二共同接点。
10.根据权利要求9所述的保护电路，其中，所述第一开关元件以及所述反馈电阻设置于所述发光二极管控制集成电路外，所述运算放大器以及所述第二开关元件设置于所述发光二极管控制集成电路内。
11.根据权利要求8所述的保护电路，其中，所述第一开关元件为晶体管。
【文档编号】H05B37/02GK104427680SQ201310369627
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月22日 优先权日:2013年8月22日
【发明者】邓欢, 杜全平 申请人:瑞昱半导体股份有限公司