专利名称：一种pcb非沉铜孔除钯方法
技术领域：
本发明涉及PCB生产技术领域，具体涉及一种PCB非沉铜孔除钯方法。
背景技术：
在印刷线路板(PCB)制作领域，表面处理以化学沉镍金为主，由于在进行金属化孔(Plated through hole,简称PTH)孔化时,基材孔壁吸附了一层胶体钮,在一次全面镀铜后贴干膜时，相应的非沉铜孔(NPTH，孔壁不镀覆金属而用于机械安装或机械固定组件的孔)也都一起被干膜覆盖，于是在第二次镀铜和第二次蚀刻后，虽然各非导通孔内的铜已被全部蚀掉，但化铜前吸附在孔壁基材上的钯却不能被去除，在进行化学沉镍金时，导致非导通孔沉上镍金，破坏外观之余影响印刷线路板板的可靠性能。
发明内容
有鉴于此，本发明公开一种有效去除PCB非沉铜孔内的胶体钯的方法。本发明的目的通过以下技术方案实现:一种PCB非沉铜孔除钯方法，其特征在于:在完成金属化孔孔化工序后、进行化金工序前，向PCB喷淋除钯剂去除非沉铜孔壁的胶体钯；所述除钯剂由0.4-0.8mol/L的盐酸，50_80g/L的硫脲及余量的水组成。本发明选用包含盐酸及硫脲的除钯剂去除PTH孔化工序后非沉铜孔内残留的胶体钯，其除钯效果良好，避免了后续的化金工序中非沉铜孔被沉上镍金。硫脲能够有效地与胶体中的钯结合并使其溶解流出，在达到最高去除率前硫脲的浓度越高，其去除钯的效果越好。此外，增加除钯剂中硫脲的浓度也有利于缩短达到反应平衡的时间，保证除钯效率的同时缩减加工时间。达到 最高除钯速率后，增加硫脲浓度不会使效率上升，反而原料造成浪费。本发明中，除钯剂中盐酸浓度为0.4-0.8mol/L，一方面该浓度的盐酸能够为硫脲溶液萃取胶体钯提供一适宜的酸性环境，另一方面盐酸溶液能够有效地溶解残存在非沉铜孔内的胶体钯以及作为流动相将硫脲与钯的结合物冲出非沉铜孔。进一步的，所述喷淋除钯剂去除非沉铜孔壁的胶体钯是分别从PCB两侧喷淋除钯剂去除非沉铜孔内的胶体钯。本发明将除钯剂的喷淋方式设计为从PCB的两侧喷淋，即能使除钯剂分别从非沉铜孔的两端进入，有助于提高非沉铜孔内胶体钯的清除效果，防止非沉铜孔内的钯残留，同时缩短喷淋时间。更进一步的,所述除钮剂的喷淋压力为1.5-2.5kg/cm2。为使除钯剂能够深入非沉铜孔中清除孔内的胶体钯，本发明将除钯剂的喷淋压力设计为1.5-2.5kg/cm3。在此喷淋压力下，本发明所提供的除钯剂既能够迅速、彻底地清除非沉铜孔内的胶体钯，又能防止除钯剂的浪费，实现节能减排之目的。所述除钯剂的温度为15-35°c。所述使用除钯剂分别从PCB两侧喷淋其时长为6-10s。使用所述除钯剂从PCB两侧喷淋6-lOs，即能够有效地清除非沉铜孔内残留的胶体钯。本发明相对于现有技术，具有以下有益效果:
1.本发明对除钯剂中硫脲溶液、盐酸溶液的浓度及二者的比例进行了优化，该除钯剂对胶体钯具有良好的去除率及较短的反应平衡时间，特别有利于投入大规模的工业化生产中使用。2.本发明依据除钯剂的特性对除钯剂的温度、喷淋压力及喷淋时间进行进一步的设计，本发明公开的除钯方法能够清除非沉铜孔内99%以上残留的胶体钯，经处理的PCB板在后续的化金工序中非沉铜孔难以被沉上镍金，保证了 PCB成品的质量。
具体实施例方式为了便于本领域技术人员理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详细描述: 实施例1
本实施例提供一种PCB非沉铜孔除钯方法。
进行化金工序前，将待处理的PCB板水平安放在除钯机的传输带上，传输带上下均设有可喷淋除钯剂的除钯剂槽。传输带带动PCB移动，除钯剂则分别总PCB上下两侧向PCB喷淋除钯剂。上述除IE剂包由0.4mol/L的盐酸、55g/L的硫脲及余量的水组成。上述除钯剂的喷淋压力为2.5kg/cm2。上述传输带的传输速度为3.5m/min，除钯剂槽的有效喷淋长度为35cm。使用上述方法处理PCB板，能够在6s内清除非沉铜孔内99%的胶体钯，有效地预防了化金工序中非沉铜孔被沉镍金的现象发生。实施例2
本实施例提供一种PCB非沉铜孔除钯方法。在进行化金工序前，将待处理的PCB板水平安放在除钯机的传输带上，传输带上下均设有可喷淋除钯剂的除钯剂槽。传输带带动PCB移动，除钯剂则分别总PCB上下两侧向PCB喷淋除钯剂。上述除钮!剂由0.8mol/L的盐酸、70g/L的硫脲及余量的水组成。上述除钯剂的喷淋压力为2.0kg/cm2。上述传输带的传输速度为4m/min，除钯剂槽的有效喷淋长度为40cm。使用上述方法处理PCB板，能够在6s内清除非沉铜孔内99%的胶体钯，有效地预防了化金工序中非沉铜孔被沉镍金的现象发生。以上为本发明的其中具体实现方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。
权利要求
1.一种PCB非沉铜孔除钯方法，其特征在于:在完成金属化孔的孔化工序后、进行化金工序前，向PCB喷淋除钯剂去除非沉铜孔壁的胶体钯；所述除钯剂由0.4-0.8mol/L的盐酸，50-80g/L的硫脲及余量的水组成。
2.根据权利要求1所述的PCB非沉铜孔除钯方法，其特征在于:所述喷淋除钯剂去除非沉铜孔壁的胶体钯是分别从PCB两侧喷淋除钯剂去除非沉铜孔内的胶体钯。
3.根据权利要求2所述的PCB非沉铜孔除钯方法，其特征在于:所述除钯剂的喷淋压力为 1.5-2.5kg/cm2。
4.根据权利要求3所述的PCB非沉铜孔除钯方法，其特征在于:所述除钯剂的温度为15-35℃。
5.根据权利要求4所述 的PCB非沉铜孔除钯方法，其特征在于:所述使用除钯剂分别从PCB两侧喷淋其时长为6-lOs。
全文摘要
本发明公开一种PCB非沉铜孔除钯方法，其特征在于在完成金属化孔的孔化工序后、进行化金工序前，向PCB喷淋除钯剂去除非沉铜孔壁的胶体钯；所述除钯剂由0.4-0.8mol/L的盐酸，50-80g/L的硫脲及余量的水组成。本发明对除钯剂中硫脲溶液、盐酸溶液的浓度及二者的比例进行了优化，该除钯剂对胶体钯具有良好的去除率及较短的反应平衡时间，特别有利于投入大规模的工业化生产中使用。
文档编号H05K3/06GK103249254SQ201310138100
公开日2013年8月14日 申请日期2013年4月22日 优先权日2013年4月22日
发明者郭荣青, 刘师锋, 李玉超, 邓卫星 申请人:胜宏科技(惠州)股份有限公司