一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法
【专利摘要】本发明涉及一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法，包括：1.先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10-30分钟，再放入乙醇溶液中浸泡2-5分钟，然后取出放入超声波清水洗5-10分钟；2.取出后置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上，温度100-150℃，持续10-40分钟；3.冷却后取出放置于真空干燥器中待用。该方法简单易行，通过溶液的浸泡作用于磷化铟表面，清洁效果显著。
【专利说明】一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法
【技术领域】
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[0001]本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法。
【背景技术】
[0002]磷化铟(InP)晶体是重要的化合物半导体材料，与砷化镓(GaAs)相比，其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，因此磷化铟晶片通常用于新型微电子、光电子元器件制造。在军事上应用于电子对抗、电子战、精确制导、预警探测、卫星通讯、雷达领域。在民事上应用于是无线通讯、光通讯、光信息处理、工业自动控制、医疗器械、激光技术、电子计算机、电子通信、电视广播、红外线科技以及更为先进的微波传导，激光开关，医疗诊断和治疗，及航天事业，生物及数据处理及许多其它领域。
[0003]美国贝尔实验室的Monberg等人在1980年代中期首先将VGF-垂直温度梯度结晶生长法(温梯法)技术应用于II1-V化合物半导体单晶的生长。该方法因为生长速度较慢，生长过程能保证InP单晶的化学配比，温度梯度很小，晶体所受应力较小，可以生长出位错密度非常低的单晶材料。
[0004]采用多温场加热控温技术，使得加热炉形成适合晶体生长的温度梯度，从而使得熔化在竖立坩埚中磷化铟多晶材料由经置于坩埚底部子晶，缓慢地由下向上结晶放大成所需要的晶体尺寸，因而过程中需要加入磷化铟多晶碎料。但在空气中，磷化铟(InP)材料表面容易被氧化、又有碳等的沾污，这些直接影响由它制作的器件的寿命和其他特性。
【发明内容】
[0005]根据以上情况，本发明的目的在于提供一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法，可去除磷化铟(InP)材料表面的氧、碳沾污，保证InP单晶的生成质量。
[0006]为实现上述目的，本方法包括:
[0007]I)先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10-30分钟，再放入乙醇溶液中浸泡2-5分钟，然后取出放入超声波清水洗5-10分钟；
[0008]2)取出后置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至KT5Pa数量级及以上，温度100-150°C，持续10-40分钟；
[0009]3)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
[0010]本发明的优点在于:该方法简单易行，通过溶液的浸泡作用于磷化铟表面，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。
【具体实施方式】
[0011]下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
[0012]将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡15分钟，再放入乙醇溶液中浸泡5分钟，然后取出放入超声波清水洗5分钟；将预处理好的磷化铟生长的多晶碎料置入真空烘烤炉，依次用机械泵、分子涡轮泵将烘烤炉真空度抽至10-5Pa，温度150°C，持续30分钟。冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
[0013] 本方法操作步骤简便，可达到较好的对磷化铟生长的多晶碎料表面清洁的目的。
【权利要求】
1.一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法，其特征在于: 1)先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10-30分钟，再放入乙醇溶液中浸泡2-5分钟，然后取出放入超声波清水洗5-10分钟； 2)取出后置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10_5Pa数量级及以上，温度100°C _150°C，持续10-40分钟； 3)冷却后取出 放置于真空干燥器中待用。
【文档编号】C30B11/00GK104047056SQ201310079863
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年3月12日 优先权日:2013年3月12日
【发明者】关活明 申请人:台山市华兴光电科技有限公司