专利名称：无镍电镀金制作工艺的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种柔性印制电路板的处理工艺，特别是一种柔性印制电路板的表面电镀金的处理工艺。
背景技术：
由于电子元件封装朝着高密度、小体积化趋势发展，集成电路IC芯片封装领域更是如此，要求IC封装柔性与刚挠一体化基板(IC封装基板)面积更小、更薄。IC封装基板提供了芯片与刚挠一体化基板之间不同线路的过渡；提供了对搭载在该基板上芯片的保护、支撑、散热通道；同时要求引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，采用无镍镀金工艺，减少电磁干扰，提高信号传输的稳定性。
目前柔性印制电路板FPC(Flexible Printed Circuit board)行业的主流表面处理工艺是化学沉镍金或镀镍金，虽然镀镍金有较好的防护性能，镀镍打底可防止铜金的电位迁移，并可提高镀层的耐磨性能。但镍的存在使电子信号损耗加大，IC封装基板越来越多的要求无镍镀金工艺，以满足IC封装产品信号传输要求。
目前我国生产的IC封装柔性与刚挠一体化基板的技术含量低，无法突破重点技术瓶颈，高端IC产品所采用的柔性基板或刚挠一体化基板绝大部分靠进口，柔性基板或刚挠一体化基板的制备工艺技术被国外的生产商所垄断。此类产品新的工艺技术研发成功， 将打破国外在该领域的产品垄断和技术封锁，对提高我国电子信息产业的竞争力具有重要的现实意义。发明内容
本发明的目的是提供一种无镍电镀金制作工艺，要解决的技术问题是提供良好导电性能、散热性能以及电子信号损耗小的IC封装柔性及刚挠一体化基板。
本发明采用以下技术方案一种无镍电镀金制作工艺，包括以下步骤一、第一次微蚀，将IC封装基板放入微蚀槽内，微蚀液的成份是和APS，用工业纯净水稀释H2SO4 浓度是15-35ml/L, APS含量40_80g/L，工作温度20_25°C，时间10-30S ；二、喷砂，对IC封装基板的双面焊盘进行喷砂处理，使用100-150nm金刚砂磨料，喷砂压力设为0. 5-2Kg/ cm2，速度l-3m/min ；三、除油，将IC封装基板放入除油槽中，采用的碱性除油液体积配比为C15H13N0250%、(NH4) 3N5%, H2045%，在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为 10-20ml/L，浸泡时间Ι-aiiin ；四、第二次微蚀，将IC封装基板放入微蚀槽中，微蚀液的成份是H2SO4和APS，用工业纯净水稀释H2SO4浓度是15-35ml/L，APS含量40_80g/L，工作温度 20-25°C，时间10-30S ；五、酸浸，将IC封装基板放入酸洗槽内，酸浸液的成份是NH2SO3H，在工业纯净水中的含量是0. 5-2g/L，酸浸15-30S ；六、镀金，将IC封装基板放入浓度为5 10g/L的KAu(CN)4镀液中，钛网为阳极，IC封装基板为阴极，镀金的电流密度为1.2-1.8A/ dm2，时间 5-15min。
本发明的第一次微蚀，H2SO4浓度是25ml/L，APS含量60g/L，工作温度22°C。
本发明的第一次微蚀后，用压力0. 5Kg/cm2的自来水冲洗5-15S。
本发明在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为15ml/L。
本发明除油后，然后用工业纯净水清洗5-15S。
本发明的第二次微蚀，H2SO4浓度是25ml/L，APS含量60g/L，工作温度22°C。
本发明的第二次微蚀后，用工业纯净水清洗5-15S。
本发明的酸浸，铵基磺酸NH2SO3H含量是lg/L。
本发明的酸浸后，用工业纯净水清洗5-15S。
本发明的镀金，在阳极附近设置电流释放托板，采用稳流器稳定镀金电流；镀金后用工业纯净水清洗5-15S。
本发明与现有技术相比，采用微蚀、喷砂、除油、微蚀、酸浸和镀金加工流程，提供了一种IC封装柔性与刚挠一体化基板表面无镍镀金的电镀方法，用本发明的工艺制作的 IC封装基板表面均勻、细腻、金面无缺陷、结合力良好，适用于各种IC封装基板的最后表面处理，有效减少重金属对环境的污染，解决了 IC封装基板无镍镀金的问题，主要应用于通讯电子、计算机应用、人工智能系统、航天科技、军工及医疗器械等高端电子领域。
图1是现有技术的有镍镀金工艺流程图。
图2是本发明的工艺流程图。
图3是镀金缸电流释放托板示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
如图1所示，现有技术的有镍镀金流程为除油、微蚀、酸洗、镀镍、镀金。由于在镀金前镀镍，不仅镍层使电子信号损耗加大，而且工艺复杂、污染环境，成本高。
如图2所示，本发明的无镍电镀金制作工艺，将IC封装基板依次进行微蚀、喷砂、 除油、微蚀、酸浸和镀金加工流程的处理，IC封装基板外形尺寸为长250X宽250-100mm。 具体包括以下步骤
一、第一次微蚀，将250X250mm IC封装基板放入微蚀槽内进行第一次微蚀，微蚀液的成份是H2SO4和APS，用EW-III级工业纯净水稀释H2SO4浓度是15_35ml/L，优选25ml/ L，APS含量40-80g/L，优选60g/L，工作温度20-25 °C，优选22 °C，时间10-30S。然后中压水洗，用压力0. 5Kg/cm2的自来水冲洗5-15S。
二、喷砂，对IC封装基板的双面焊盘进行喷砂处理，使用100-150nm金刚砂磨料， 喷砂压力设为0. 5-Ig/cm2，速度l-3m/min。
三、除油，将IC封装基板放入除油槽中除油，采用的碱性除油液体积配比为 C15H13N0250%, (NH4)3N5%, H2045%,在碱性除油液中加入EW-III级工业纯净水稀释后的浓度为10-20ml/L，优选15ml/L，浸泡时间l-anin。然后用EW-III级工业纯净水清洗5-15S。 清洗可以采用现有技术清洗。
四、第二次微蚀，将IC封装基板放入微蚀槽中进行第二次微蚀，微蚀液的成份是 H2SO4和APS，用EW-III级工业纯净水稀释H2SO4浓度是15_35ml/L，优选25ml/L，APS含量40-80g/L，优选60g/L，工作温度20-25°C，优选22°C，时间10-30S。然后用Eff-III级工业纯净水清洗5-15S。
五、酸浸，将IC封装基板放入酸洗槽内酸浸，酸浸液的成份是铵基磺酸NH2SO3H,其在EW-III级工业纯净水中的含量是0. 5-2g/L，优选值lg/L，在常温(25°C )下酸浸，时间 15-30S。然后用EW-III级工业纯净水清洗5-15S。
六、镀金，如图3所示，将IC封装基板放入浓度为5 10g/L的氰化金钾KAu(CN)4 镀液中，钛网1为阳极，IC封装基板2为阴极，由于阴阳极在电流流过时形成高低电流区域，阴阳极的高低电流区的金厚度相差5u"，在阳极附近设置5-lOcm间距的电流释放托板3进行高低电流转换，使高低电流密度均勻释放，电流均勻分布，并采用稳流器稳定镀金电流。镀金的电流密度为1. 2-1. 8A/dm2，温度为36-43°C，镀液pH值控制在3. 8-4. 2，时间 5-15min。然后EW-III级用工业纯净水清洗5-15S。
本发明的工艺中，铜与镀金层的结合力差，第一次微蚀与喷砂处理的作用主要是用于增加基铜表面粗糙度，喷砂使铜表面获得一定的清洁度和均勻的粗糙度，使铜表面的机械性能得到改善，并提高铜面的抗疲劳性，增加其与镀金层之间的附着力，延长金层的耐久性。
由于高电流冲击后甩金，镀金缸中的高低电流差，镀金后容易出现甩金现象。喷砂后，基铜表面处于清洁状态，经过第二次微蚀与酸浸，使铜表面分子保持足够的活性，使金与铜面的结合力增强。
本发明方法制备的IC封装基板，用以下方法测试
镀层外观在自然光下观察色泽及亮度。结果表明镀金层的色泽与镀层的厚度关系不大，均为金黄色。而镀金层的亮度与基材的光洁度密切相关，基材光洁度越高，镀金层越光亮。
厚度测定=X-Gry测厚仪对镀金层的厚度进行了测量，实施例1_10测量结果基本一致，测得的结果偏差小于10%。
结合力试验用3M胶带600#贴密镀金层，与表面保持垂直急拉3次，无金附着在胶带上，判定为良品。
耐蚀性中性盐雾腐蚀试验，试验箱箱温度35 °C，压力箱温度45 °C，5%浓度的 NaCl溶液，喷雾与循环时间48小时，表面无锈点，判定为良品。
实施例1-10的工艺参数请见表1，测试结果请见表2。本发明方法制作的IC封装基板表面处理均勻、细腻、金面无缺陷、结合力良好，与有镍镀金外观一致，同时无镍镀金具有良好导电性能、散热性能以及电子信号损耗小，完全满足IC封装产品信号传输的要求， 有效解决了 IC封装基板无镍镀金的技术问题，工艺简单，成本低。
表1实施例1-10的工艺参数
权利要求
1.一种无镍电镀金制作工艺，包括以下步骤一、第一次微蚀，将IC封装基板放入微蚀槽内，微蚀液的成份是和APS，用工业纯净水稀释浓度是15-35ml/L，APS含量40-80g/L，工作温度20-25°C，时间10-30S ；二、喷砂，对IC封装基板的双面焊盘进行喷砂处理，使用100-150nm金刚砂磨料，喷砂压力设为0. 5-Ig/cm2，速度l-3m/min ；三、除油， 将IC封装基板放入除油槽中，采用的碱性除油液体积配比为C15H13N0250%、(NH4)3N5%, H2045%，在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为10-20ml/L，浸泡时间Hmin ； 四、第二次微蚀，将IC封装基板放入微蚀槽中，微蚀液的成份是和APS，用工业纯净水稀释浓度是15-35ml/L，APS含量40-80g/L，工作温度20-25°C，时间10-30S ；五、酸浸， 将IC封装基板放入酸洗槽内，酸浸液的成份是NH2SO3H,在工业纯净水中的含量是0. 5-2g/ L，酸浸15-30S ；六、镀金，将IC封装基板放入浓度为5 10g/L的KAu (CN)4镀液中，钛网为阳极，IC封装基板为阴极，镀金的电流密度为1. 2-1. 8A/dm2，时间5-15min。
2.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述第一次微蚀，H2SO4* 度是25ml/L，APS含量60g/L，工作温度22°C。
3.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述第一次微蚀后，用压力0. 5Kg/cm2的自来水冲洗5-15S。
4.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为15ml/L。
5.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述除油后，然后用工业纯净水清洗5-15S。
6.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述第二次微蚀，H2SO4* 度是25ml/L，APS含量60g/L，工作温度22°C。
7.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述第二次微蚀后，用工业纯净水清洗5-15S。
8.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述酸浸，铵基磺酸 NH2SO3H 含量是 lg/L。
9.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述酸浸后，用工业纯净水清洗5-15S。
10.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺，其特征在于所述镀金，在阳极附近设置电流释放托板，采用稳流器稳定镀金电流；镀金后用工业纯净水清洗5-15S。
全文摘要
本发明公开了一种无镍电镀金制作工艺，要解决的技术问题是提供良好导电性能、散热性能以及电子信号损耗小的IC封装柔性及刚挠一体化基板。本发明的无镍电镀金制作工艺包括以下步骤，第一次微蚀，喷砂，除油，第二次微蚀，酸浸，镀金。本发明与现有技术相比，用本发明的工艺制作的IC封装基板表面均匀、细腻、金面无缺陷、结合力良好，适用于各种IC封装基板的最后表面处理，有效减少重金属对环境的污染，解决了IC封装基板无镍镀金的问题，主要应用于通讯电子、计算机应用、人工智能系统、航天科技、军工及医疗器械等高端电子领域。
文档编号H05K3/18GK102560580SQ20121005982
公开日2012年7月11日 申请日期2012年3月8日 优先权日2012年3月8日
发明者牛勇 申请人:深圳市中兴新宇软电路有限公司