制造板级电磁干扰（emi）屏蔽的框架的折叠方法
【专利摘要】这里公开了制造用于电磁（EMI）屏蔽设备的框架的方法。示例性方法一般地包括形成框架，该框架至少具有第一框架部分、第二框架部分和公共侧壁，该公共侧壁至少包括由第一和第二框架部分共享且连接第一和第二框架部分的部分。第二框架部分被从布置在第一框架部分的所占区域内的状态重定位到处于第一框架部分的所占区域之外。另一示例性实施方式包括具有第一和第二框架部分的框架。第二框架部分的尺寸足以嵌合在由第一框架部分限定的内部区域内。第一和第二框架部分至少共享公共侧壁的具有将第二框架部分连接到第一框架部分的可弯曲的枢轴部分的部分。
【专利说明】制造板级电磁干扰(EMI)屏蔽的框架的折叠方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是2011年I月31日提交的美国专利申请号13/017967的PCT国际申请并且要求其优先权。通过引用将上述申请的整个公开并入这里。
【技术领域】
[0003]本公开一般地涉及适合于屏蔽印刷电路板上的组件的电磁干扰(EMI) /射频干扰(RFI)的屏蔽。
【背景技术】
[0004]本章节提供了与本公开相关的背景信息，其不必是现有技术。
[0005]电子设备常常在电子设备的一部分中生成会辐射到电子设备的另一部分并且与其发生干扰的电磁信号。该电磁干扰(EMI)能够引起重要信号的劣化或完全损失，从而使得电子设备效率低下或不能工作。为了减少EMI的不利影响，在电子电路的两部分之间插入导电(并且有时导磁)材料以吸收和/或反射EMI能量。该屏蔽部可以采取墙或完全包围的形式并且可以布置在电子电路的生成电磁信号的部分周围和/或可以布置在电子电路的容易受到电磁信号影响的部分周围。例如，印刷电路板(PCB)的电子电路或组件常常利用屏蔽部来包围以将EMI局限在其源之内，并且隔绝与EMI源相邻的其它器件。
[0006]如这里使用的，术语电磁干扰(EMI)应被视为通常包括并且表示电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)发射，并且术语“电磁”应被视为通常包括并且表示来自外部源和内部源的电磁和射频。因此，术语屏蔽(如这里使用的)通常包括并且表示EMI屏蔽和RFI屏蔽，例如从而防止(或至少减少)EMI和RFI进入或离开其中布置有电子设备的外壳或其它包围体。
【发明内容】
[0007]本部分提供公开的一般性概括，并且不是其全部范围或全部特征的完全公开。
[0008]这里公开了用于EMI屏蔽设备的框架和制造这样的框架的方法的示例性实施方式。本公开的其它方面涉及一种EMI屏蔽设备，其包括这样的框架以及可附接到该框架的盖或盖子，其中，EMI屏蔽设备可以用于为基板上的一个或多个组件提供电磁干扰(EMI)屏蔽。本公开的进一步的方面涉及提供EMI屏蔽的方法。
[0009]在示例实施方式中，方法一般地包括:形成框架，该框架至少具有第一框架部分、第二框架部分和公共侧壁，该公共侧壁的至少一部分由第一和第二框架部分共享并且连接第一和第二框架部分。第二框架部分被从布置在第一框架部分的所占区域(footprint)内的状态重定位到第一框架部分的所占区域之外。
[0010]另一示例性实施方式包括为基板上的一个或多个组件提供电磁干扰(EMI)屏蔽的方法。在该示例中，该方法一般地包括形成材料件，该材料件具有第一框架部分、初始位于第一框架部分的所占区域内的第二框架部分以及由第一和第二框架部分共享的并且连接第一和第二框架部分的公共侧壁部分。第二框架部分被重定位到第一框架部分的所占区域之外。该方法还包括将至少一个盖附接到第一和第二框架部分中的至少一个。
[0011]另一示例性实施方式包括用于EMI屏蔽设备的框架，该EMI屏蔽设备为基板上的一个或多个组件提供EMI屏蔽。在该示例性实施方式中，框架一般地包括第一和第二框架部分。第一框架部分具有至少部分地围绕第一框架部分的内部区域的多个侧壁。第二框架部分的尺寸足以嵌合在由第一框架部分限定的内部区域内。第二框架部分具有多个侧壁。第一和第二框架部分至少共享公共侧壁的具有将第二框架部分连接到第一框架部分的可弯曲的枢轴部分的一部分，
[0012]根据这里提供的描述，应用性的其它方面将变得明显。本
【发明内容】
中的描述和具体示例仅是示出性的并且不意在限制本公开的范围。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]这里描述的附图仅用于示出所选择的实施方式并且不是所有可能的实施形式，并且不意在限制本公开的范围。
[0014]图1是由扁平材料制造的具有第一和第二框架部分的传统框架的透视图；
[0015]图2是图1中所示的传统框架的一部分的放大图；
[0016]图3是用于形成图1中所示的传统框架的扁平材料的轮廓的平面图；
[0017]图4是根据本公开的示例性实施方式的用于EMI屏蔽的框架的透视图；
[0018]图5示出了根据本公开的示例性实施方式的用于形成用于EMI屏蔽的框架的方法;
[0019]图6是可以用于形成图5中所示的框架的扁平材料的轮廓的透视图；
[0020]图7是根据图5中所示的方法形成的具有公共侧壁的框架的透视图；
[0021]图8是图7中所示的框架的一部分的放大图；
[0022]图9是根据本公开的另一示例性实施方式的具有用于套筒式折叠到框架的轮廓的扁平材料的透视图；
[0023]图10是从具有图9中所示的轮廓的扁平材料制成的框架的透视图；
[0024]图11是图10中所示的框架的另一透视图；
[0025]图12是根据图5中所示的方法形成的另一示例性框架的透视图；
[0026]图13是图12中所示的框架的上平面视图；
[0027]图14是图12中所示的框架的左立面图；
[0028]图15是图12中所示的框架的右立面图；
[0029]图16是图12中所示的框架的后立面图；
[0030]图17是图12中所示的框架的前立面图；
[0031]图18是根据本公开的另一示例性实施方式的用于形成另一框架的扁平材料的轮廓的透视图；
[0032]图19是由具有图18中所示的轮廓的扁平材料制成的框架的透视图；
[0033]图20是根据本公开的示例性实施方式的EMI屏蔽设备的框架和盖的分解透视图；
[0034]图21是盖附接到框架的图20中所示的EMI屏蔽设备的切开视图；以及[0035]图22是根据本公开的另一示例性实施方式的EMI屏蔽设备的框架和两个盖的分解透视图。
[0036]在附图中，对应的附图标记表示对应的部分。
【具体实施方式】
[0037]现在将参考附图更完全地描述示例性实施方式。
[0038]图1至图3是制造用于EMI屏蔽设备的框架的传统方法的代表图。更具体地，图3示出了可以形成(例如，折叠、弯曲等等)以制造图1和图2中所示的传统框架12的扁平材料10。在该传统方法中，材料10包括用于第一框架部分14和第二框架部分16的轮廓，其中，第二框架部分16完全地布置在由第一框架部分12限定的所占区域、内部区域或周界之外。
[0039]在了解了用于制造框架的传统方法具有相对较低的材料利用率之后，本发明的发明人开发并且在这里公开了新的制造框架的方法，其增加了材料利用率(例如，最多达75%等等)并且降低了生成的废弃材料的量。因此，本发明人的方法允许减少制造框架所需的材料的量及其相关成本。通过使用第一框架部分的内区域或所占区域之内的材料(其在传统的制造框架的方法中通常被废弃)用于一个或多个其它框架部分。例如，发明人在一个示例性实施方式中已经对于57.3毫米X30mmX 1.5mm框架能够实现45.8%的材料节省。
[0040]根据本公开的一个方面，方法的各实施方式用于制造用于提供一个或多个组件的EMI屏蔽的电磁(EMI)屏蔽设备的框架。该方法包括形成框架，该框架至少具有第一框架部分以及初始布置在第一框架部分的所占区域内的至少第二框架部分，公共侧壁的至少一部分由第一框架部分与第二框架部分共享并且连接第一框架部分和第二框架部分。在各种方法实施方式中，第二框架部分被从其在第一框架部分的所占区域内的初始位置重定位到第一框架部分的所占区域外的第二位置。在示例性实施方式中，形成框架的方法可以包括将公共侧壁形成为具有可弯曲的枢轴部分，该可弯曲的枢轴部分将第二框架部分连接到第一框架部分，其中，枢轴部分能够弯曲以允许第二框架部分重定位在第一框架部分的所占区域外。
[0041]根据本公开的另一方面，提供了用于提供基板上的一个或多个组件的EMI屏蔽的电磁(EMI)屏蔽设备的框架的各种实施方式。例如，框架的示例性实施方式包括第一框架部分和第二框架部分。第一框架部分具有多个侧壁，该多个侧壁至少部分地围绕第一框架部分的内部区域。第二框架部分的尺寸足以嵌合在第一框架部分的内区域内。第二框架部分也具有多个侧壁。第一和第二框架部分共享公共侧壁的具有连接第一和第二框架部分的可弯曲枢轴部分的至少一部分。下面描述框架的示例性实施方式及其相关方法。
[0042]现在参考附图，图4示出了用于实施本公开的一个或多个方面的电磁(BO)屏蔽设备的框架400的示例性实施方式。如图4中所示，框架400包括第一框架部分410，其具有至少部分地围绕第一框架部分的内部区域420的多个侧壁412、414和416。
[0043]框架400进一步包括第二框架部分430，其尺寸足以嵌合在第一框架部分410的内部区域420内。第二框架部分430也具有多个侧壁432、434和436，其具有高度h，该高度h可以与侧壁412、414和416的高度H相同或不同。
[0044]第一和第二框架部分410、430共享具有连接第一和第二框架部分410、430的至少一个可弯曲的枢轴部分428的公共侧壁418的至少一部分。可弯曲的枢轴部分428允许第二框架部分430从初始的处于第一框架部分410的内部区域420内的第一位置重定位到最终的位于第一框架部分410的所占区域之外的第二位置。枢轴部分428在大致直的构造与弯曲的构造之间弯曲，并且可以根据下面描述的方法来形成。
[0045]图5至图8示出了利用级进冲压技术制造用于电磁(EMI)屏蔽设备的框架500的方法的示例性实施方式。如图5中所示，该方法一般地包括在往复冲压机中的级进冲压模的操作台562处的多个操作对进给或送入的金属材料502的带的级进冲压而形成框架500。形成框架500的方法通常包括在单个材料件502中冲压用于框架500的部分轮廓，该框架500包括限定第一框架部分510和第二框架部分530的多个外围壁。利用冲压机的每次冲压，该方法反复地冲压用于第一框架部分510和第二框架部分530的部分轮廓，如位置564至574处所示。框架的轮廓在之后的模操作台576至582中进一步形成。级进模的最终操作台584进行切割操作，其将完成的框架500与承载的金属材料502的幅材分离。
[0046]参考图6,不出了第一框架部分510和第二框架部分530的轮廓以进一步不出用于形成框架500的上述方法。用于形成框架500的方法包括形成第一框架部分510，其具有用于至少部分地围绕第一框架部分510的内部区域520的多个侧壁512、514和516。因此，内部区域520由用于多个侧壁512、514和516的轮廓至少部分地限定。用于形成框架500的方法进一步包括形成第二框架部分530，其具有布置在第一框架部分510的内部区域520的所占区域。如这里使用，所占区域被限定为给定框架部分的形状和/或轮廓所占据的空间。形成框架500的方法包括形成第二框架部分530 (或其轮廓)，其具有多个侧壁532、534和536以及内部区域540。
[0047]形成方法包括形成公共侧壁518的至少一部分，该至少一部分由第一框架部分510和第二框架部分530共享并且连接第一框架部分510和第二框架部分530。公共侧壁518的该部分允许第二框架部分530重定位到第一框架部分510的所占区域(或内部区域520)之外。具体地，形成框架500的方法优选地包括形成公共侧壁518，其包括将第二框架部分530连接到第一框架部分510的可弯曲的枢轴部分528。枢轴部分528能够弯曲以允许第二框架部分530重定位到第一框架部分510的所占区域之外(在下面描述)。
[0048]往回参考图5，形成框架500的方法可以包括冲压包括可弯曲的枢轴部分528的公共侧壁518的轮廓。可弯曲的枢轴部分528能够在其中第二框架部分530布置在第一框架部分510的所占区域内(位置574处)的大致直的构造与其中第二框架部分530重定位到第一框架部分510的所占区域之外(位置580处)的弯曲构造之间弯曲。应注意的是，形成方法可以包括通过以递进步骤折叠、弯曲而移动、通过旋转而形成等等，其中，第二框架部分530被弯曲到第二框架部分530弯曲到第一弯曲构造(在位置580至584处示出)之前的中间位置(位置576至578处)。因此，用于形成框架500的方法包括在折叠之前在布置在第一框架部分510的所占区域内的第一初始位置中形成第二框架部分530，并且然后通过将第二框架部分530从初始第一位置(574处)折叠、旋转、利用旋转来形成等等到第一框架部分510的所占区域之外的第二位置(580处)来移动第二框架部分530。
[0049]参考图7和图8,该不例形成方法包括将轮廓相对于第一框架部分510的上表面504以大约90度的角度弯曲以形成公共侧壁518。该方法进一步包括相对于公共侧壁518以大约90度形成或弯曲可弯曲的枢轴部分528。因此，可弯曲的枢轴部分528被从大致直的构造(如图6中所示)弯曲到图7和图8中所示的弯曲构造，从而第二框架部分530被相对于第一框架部分从初始位置旋转大约180度(如图5中的位置574至580所示)。可弯曲的枢轴部分538的该弯曲使得第一框架部分510和第二框架部分530以共面的方式大致对齐。
[0050]往回参考图5，该方法进一步包括弯曲或折叠第二框架部分530的轮廓的至少一部分522以形成侧壁532、534和536 (图7中示出)。第二框架部分530的侧壁532、534和536形成为相对于第二框架部分530的上表面504成大约90度的角度。
[0051]形成框架500的方法因此包括在套筒式折叠处理中以大致向外约180度的角度形成或折叠框架轮廓的第二框架部分530，从而形成布置在第一框架部分510的所占区域之外的第二框架部分530。形成方法包括形成框架轮廓以形成大致垂直于框架500的上表面504的折叠侧壁512、514、516、532和536。该方法进一步包括进行冲压以移除将框架500连接到金属材料502的承载幅材的剩余材料。
[0052]参考图9至图11，该方法的示例性实施方式可以进一步包括形成其所占区域布置在第二框架部分530的第二内部区域540内的第三框架部分550以及第二公共侧壁538，其至少一部分由第二框架部分530和第三框架部分550共享并且连接第二框架部分530和第三框架部分550。该示例方法可以进一步包括形成第四框架部分560，其具有布置在第三框架部分550的内部区域552内的所占区域，并且还形成第三公共侧壁558，其至少一部分由第三框架部分550与第四框架部分560共享并且连接第三框架部分550与第四框架部分560。在这样的示例性实施方式中，第四框架部分560被移动到第三框架部分550的所占区域之外。
[0053]如图10和图11中所示，也可以形成第五框架部分561并且将其移动到第四框架部分560的所占区域之外。以该方式，形成框架的方法可以包括用于将内部框架部分移动到第一框架部分510、第二框架部分530、第三框架部分550等等的所占区域之外的套筒式折叠处理。应注意的是，第二框架部分530的侧壁可以具有高度h，该高度h可以与第一框架部分510的侧壁的高度H相同或不同。
[0054]在本公开的另一方面中，提供了用于BO屏蔽设备的框架的各种实施方式。参考图12至图17,不出了用于实施本公开的一个或多个方面的电磁(EMI)屏蔽设备的框架600的不例性实施方式。用于电磁(EMI)屏蔽设备的框架600包括第一框架部分610,其具有至少部分地围绕第一框架部分610的内部区域620的多个侧壁612、614和616。内部区域620至少部分地由多个侧壁612、614和616限定。
[0055]框架600包括第二框架部分630，其尺寸足以嵌合在由第一框架部分610限定的内部区域620内。在该示例中，第二框架部分630具有尺寸足以嵌合在第一框架部分610的内部区域620内的所占区域。第二框架部分630具有多个侧壁632、634和636。第一和第二框架部分610、630共享具有将第二框架部分630连接到第一框架部分610的可弯曲枢轴部分628的公共侧壁618的至少一部分。
[0056]进一步参考图12，可弯曲的枢轴部分628能够在大致直的构造与弯曲构造之间弯曲。第二框架部分630的尺寸足以在可弯曲的枢轴部分628处于大致直的构造时嵌合在内部区域620内。当可弯曲的枢轴部分628处于弯曲构造(如图12中所示)时，第二框架部分630被布置在第一框架部分610的所占区域之外。并且，第一框架部分610和第二框架部分630以共面方式大致对齐。第一框架部分610的多个侧壁包括至少部分地围绕由第一框架部分610部分地包围的大致矩形内部区域620的至少三个侧壁部分612、614和616。第二框架部分630的多个侧壁包括部分地围绕第二矩形区域640的至少三个侧壁部分632、634和636。侧壁部分612、614、616、632、634和636形成为相对于框架600的上表面604成大约90度的角。替选实施方式可以包括具有不同数目的侧壁(例如，多于三个等等)和/或不同形状(例如，非矩形等等)的框架部分。
[0057]参考图18和图19，示出了用于电磁(EMI)屏蔽设备的框架700的另一示例性实施方式。如图18中所示，存在第一框架部分710，其具有用于至少部分地围绕第一框架部分710的内部区域720的多个侧壁的轮廓。内部区域720的至少一部分至少部分地由多个侧壁(例如，图19中所示的壁714和716等等)的轮廓限定。在该示例性实施方式中，第一框架部分710进一步包括至少部分地由从上表面704延伸的幅材(web) 724和一个或多个侧壁(例如，壁712和714等等)限定的第二内部区域722。
[0058]框架700包括第二框架部分730，其尺寸足以嵌合在由第一框架部分710限定的内部区域720内。在该示例中，第二框架部分730的所占区域的尺寸足以嵌合在第一框架部分710的内部区域720内。第二框架部分730具有多个侧壁732、734和736。
[0059]第一和第二框架部分710、730共享具有将第二框架部分730连接到第一框架部分710的可弯曲的枢轴部分728的公共侧壁718的至少一部分。第二框架部分730的侧壁732,734和736具有高度h，其可以与第一框架部分710的侧壁712、714和716的高度H不同(或相同)。图18中所示的框架700的轮廓进一步包括从第一框架部分710延伸的第三框架部分750，其轮廓形成为提供第三框架部分750的多个侧壁752、754和756。
[0060]在本公开的另一方面中，提供了与为基板上的一个或多个组件提供电磁干扰(EMI)屏蔽相关的方法。参考图20至图22，为一个或多个组件提供电磁干扰(EMI)屏蔽的示例性方法包括形成框架800，其具有第一框架部分810和布置在第一框架部分810的所占区域内的第二框架部分830。公共侧壁818由第一和第二框架部分810、830共享并且连接第一和第二框架部分810、830。第二框架部分830移动到第一框架部分810的所占区域之外。
[0061]该用于提供电磁干扰(EMI)屏蔽的示例方法进一步包括将至少一个盖890附接到框架800。当至少一个盖890附接到框架800时，盖890、第一框架部分810和第二框架部分830协作地限定从共享的公共侧壁818延伸并且位于其相对侧上的第一和第二 EMI屏蔽隔间844、846。公共侧壁818可以形成为包括可弯曲的枢轴部分828。
[0062]如图21中所示，该用于提供电磁干扰(EMI)屏蔽的示例方法可以进一步包括相对于基板894 (例如，印刷电路板等等)定位框架800和附接的盖890。例如，框架800可以机械地附接(例如，焊接等等)到基板894。因此，EMI屏蔽设备可以因此为基板894上的处于EMI屏蔽隔间844、846内的一个或多个电气组件896提供EMI屏蔽。
[0063]盖890能够可移除地附接到框架800。如图20和21中所示，框架的侧壁812、814、816、832、834和836中的一个或多个包括用于容纳盖90的对应的向内延伸的凹陷888的一个或多个开口 886。在该特定实施方式中，框架的侧壁812、814、816、832、834和836中的一个或多个包括至少两个圆形开口 886。替选实施方式可以在框架侧壁中包括多于两个或少于两个的开口 886 (并且在一些情况下，没有开口)，并且/或者包括没有完全穿过侧壁的开口。此外，框架的每个侧壁不需要包括与框架800的其它侧壁相同数目的开口 886。
[0064]盖890包括从盖890的顶部向下延伸的边缘部分889。边缘部分889包括被构造为接合地容纳在框架的侧壁中的开口 886中的棘爪、凸起、凹陷等等888。在该实施方式中，盖890能够在盖的边缘部分中的每个上具有多于两个或少于两个的凹陷888(并且，在一些情况下没有凹陷)，并且每个盖边缘部分889不需要包括与盖的其它边缘部分889相同数目的凹陷888。随着凹陷888在框架的对应侧壁上滑动以接合开口 886时，盖的边缘部分889可以向外弯曲和/或框架的侧壁812、814、816、832、834和836可以向内弯曲。以该示例性方式，盖890能够因此借助于凹陷888接合在框架的侧壁812、814、816、832、834和836中的开口 886内而可释放地固定到框架800。即，相应地，提供了具有盖890的EMI屏蔽设备，该盖890可以容易地从框架800移除，例如从而允许接触盖890下面的组件。盖890可以随后重新附接到框架800，或者可以将新的盖组装到框架800。因此，本公开的各种实施方式能够通过提供能够在需要或想要进行维修工作时容易地打开的屏蔽部件而有助于避免与焊接的屏蔽部件相关的进入问题。
[0065]图22示出了 EMI屏蔽设备的替选示例性实施方式，其中，两个盖890、892附接到框架800。在这样的实施方式中，用于提供电磁干扰(EMI)屏蔽的方法可以包括将第一盖890附接到第一框架部分810，从而第一盖890和第一框架部分892协作地至少限定第一EMI屏蔽隔间844。第二盖892可以附接到第二框架部分830，从而第二盖892和第二框架部分830协作地至少限定第二 EMI屏蔽隔间846。第一 EMI屏蔽隔间844可以利用布置在两个EMI屏蔽隔间844、846之间的共享的公共侧壁818而与第二 EMI屏蔽隔间846分离。如图21中所示并且如上面所描述的，附接有盖890、892的框架800可以进一步与电气组件896和基板894 (例如，印刷电路板等等)组合地使用。例如，附接有盖890、892的框架800可以机械地附接到基板894。
[0066]继续参考图22，框架的侧壁812、814、816、832、834和836中的一个或多个包括用于容纳能够可移除地附接到框架800的第一盖890和第二盖892的对应的凹陷888的一个或多个开口 886。第一盖890和第二盖892包括从盖的顶部向下延伸的边缘部分889。边缘部分889包括被构造为接合地容纳在框架的侧壁中的开口 886中的棘爪、突起或凹陷888。在该示例性实施方式中，第一盖890和第二盖892能够在每个边缘部分889上具有多于两个或少于两个的凹陷888(并且，在一些情况下，没有凹陷)，并且每个边缘部分889不需要包括与其它边缘部分889相同数目的凹陷888。当凹陷888在框架的侧壁上滑动以接合开口886时，第一和第二盖890、892的边缘部分889可以向外弯曲和/或框架的侧壁812、814、816、832、834和836可以向内弯曲。以该示例性方式，第一盖890和第二盖892可以因此借助于凹陷888接合在开口 886内而可释放地固定到框架800。
[0067]现在将提供可以根据本公开制造用于EMI屏蔽设备的框架的示例性材料。示例性材料包括冷轧钢、镍银合金、铜镍合金、不锈钢、镀锡的冷轧钢、镀锡的铜合金、碳钢、黄铜、铜、铝、铜铍合金、磷青铜、钢、其合金、或者任何适当的导电材料和/或磁性材料。在一个示例性实施方式中，用于EMI屏蔽设备的框架由厚度大约为20毫米的镍银合金板形成。这里提到的材料和尺寸仅用于示例性说明的目的，因为用于EMI屏蔽设备的框架可以根据例如具体应用(例如，将被屏蔽的部件、在整个装置内的空间因素、EMI屏蔽和散热要求以及其它因素)而由不同的材料构成和/或具有不同尺寸。[0068]数字尺度和数值在这里被提到仅用于示例性说明的目的。提到的具体尺度和数值不限制本公开的范围。
[0069]诸如“内部”、“外部”、“在下方”、“在下面”、“下面”、“在上面”、“上面”等这样的空
间相对术语可以在这里用于方便说明，从而描述如在图中所例示的一个元件或部件相对于另外的元件或部件的关系。除了在图中所描绘的取向之外，空间相对术语还可以用来涵盖处于使用或操作中的装置的不同的取向。例如，如果在图中的装置被翻转，则描述为“在其它元件或部件下面”或者“在其它元件或部件下方”的元件将取向为“在其它元件或部件上面”。因此，示例性术语“在下面”可以涵盖“在上面”和“在下面”两种取向。装置可以不同地取向(转动90度或者处于其它取向)，并且这里使用的空间相对描述符相应地进行理解。
[0070]这里使用的术语是仅用于描述具体示例性的实施方式的目的并且不是限制性的。如在这里使用的，单数形式(“a”或“an”)和所述(“the”)可以包括复数形式，除非明确指出不能。术语“包括”、“包含”和“具有”是包含性的并且因此确定列举特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但是不排除一个或更多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合的存在或添加。这里描述的方法步骤、处理和操作不应理解为必须按照讨论或例示的特定顺序执行，除非特别确定了执行的顺序。还应该理解的是，可以采用另外的或可选的步骤。
[0071]当元件或层被称为“在另一个元件或层上”、“与另一个元件或层接合”、“连接到另一个元件或层”、“耦接到另一个元件或层”时，它可以直接地在另一个元件或层上、直接地与另一个元件或层接合、直接地连接到或耦接到另一个元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件或层被称为“直接地在另一个元件或层上”、“直接地与另一个元件或层接合”、“直接地连接到另一个元件或层”、“直接地耦接到另一个元件或层”时，不存在中间元件或中间层。用来描述元件之间的关系的其它词语应该以相同的方式来理解(例如，
“在......之间”与“直接地在......之间”，“与......相邻”与“直接地与......相邻”
等)。如在这里所使用的，术语“和/或”包括相关联的列举项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。
[0072]虽然这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分。这里使用的诸如“第一”、“第二”这样的术语以及其它数值术语不暗示顺序或次序，除非文中清楚地指明。因此，在没有脱离示例性实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。
[0073]提供示例性的实施方式，从而该公开将是全面的，并且充分地向本领域技术人员表达本发明的范围。提出了大量的具体内容，诸如具体部件、装置和方法的示例，从而提供了对本公开的实施方式的全面理解。对于本领域技术人员而言，明显的是，具体内容不是必须采用的，示例性的实施方式可以以很多不同的形式来具体体现，并且也不应该理解为限制本公开的范围。在一些实施方式中，没有详细地描述公知处理、公知装置结构和公知技术。
[0074]这里关于给定参数的具体值和具体数值范围的公开不排除其它值和数值范围可以用于这里公开的一个或更多个示例。而且，设想的是，这里陈述的关于具体参数的任何两个具体值可以限定可适用于该给定参数的数值范围的端点。关于给定参数的第一值和第二值的公开可以被理解为公开了在该第一值和该第二值之间的任何值都可以用于该给定参数。相似地，设想的是，关于参数的两个或更多个数值范围(无论所述范围是嵌套的、重叠的或截然不同的)的公开包含可利用公开的范围的端点要求保护的数值范围的所有组合。
[0075]为了示例说明和描述的目的，已经提供了实施方式的前面的描述。该描述并不是详尽的或者要限制本发明。【具体实施方式】的各个元件或特征一般不限制为那一具体的实施方式，但是，当合适时，各个元件或特征是可互换的，并且可以在选择的实施方式中使用，即使没有具体地示出或描述。它们可以以很多方式变化。如此的变化不应被认为脱离本发明，并且所有这些变型都包括在本发明的范围中。
【权利要求】
1.一种制造用于电磁(EMI)屏蔽设备的框架的方法，该电磁(EMI)屏蔽设备用于为基板上的一个或多个组件提供EMI屏蔽,所述方法包括: 形成框架，所述框架至少具有第一框架部分、第二框架部分和公共侧壁，所述公共侧壁至少包括由所述第一框架部分和所述第二框架部分共享并且连接所述第一框架部分和所述第二框架部分的部分，其中，所述第二框架部分被从布置在所述第一框架部分的所占区域内的状态重定位到所述第一框架部分的所占区域之外。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成框架的步骤包括: 将所述第二框架部分形成为具有布置在所述第一框架部分的所占区域内的第一初始位置；以及 然后将所述第二框架部分从所述第一框架部分的所占区域内的所述第一初始位置折叠、弯曲或通过旋转而形成到其中所述第二框架部分处于所述第一框架部分的所占区域之外的第二位置。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成框架的步骤包括将所述第一框架部分形成为包括多个侧壁，所述多个侧壁限定所占区域并且至少部分地围绕所述第一框架部分的内部区域，所述第二 框架部分在所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占区域之外之前初始布置在所述内部区域中。
4.根据权利要求3所述的方法，其中: 所述内部区域至少部分地由所述第一框架部分的所述多个侧壁限定；并且/或者形成框架的步骤包括将所述第二框架部分形成为具有布置在所述第一框架部分的所述内部区域内的所占区域。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，形成框架的步骤包括将所述公共侧壁形成为具有可弯曲的枢轴部分，所述可弯曲的枢轴部分将所述第二框架部分连接到所述第一框架部分，所述可弯曲的枢轴部分能够弯曲以允许所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占区域之外。
6.根据权利要求5所述的方法，其中: 所述可弯曲的枢轴部分能够在其中所述第二框架部分被布置在所述第一框架部分的所占区域内的大致直的构造与其中所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占区域之外的弯曲构造之间弯曲；并且/或者 形成框架的步骤包括弯曲所述可弯曲的枢轴部分并且将所述第二框架部分相对于所述第一框架部分旋转大约180度，使得所述第一框架部分和所述第二框架部分以共面的方式大致对齐。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中: 形成框架的步骤包括将所述公共侧壁的至少一部分相对于所述第一框架部分和所述第二框架部分的上表面折叠大约90度，使得所述第一框架部分和所述第二框架部分利用将所述第二框架部分连接到所述第一框架部分的可弯曲的枢轴部分共享所述公共侧壁；并且/或者 形成框架的步骤包括在单个材料件中冲压用于所述第一框架部分和所述第二框架部分的轮廓，并且然后将所冲压的材料件折叠。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，形成框架的步骤包括形成第三框架部分，所述第三框架部分具有布置在所述第二框架部分的内部区域内的所占区域，并且第二公共侧壁的至少一部分由所述第二框架部分和所述第三框架部分共享并且连接所述第二框架部分和所述第三框架部分，其中，所述第三框架部分被重定位使得所述第三框架部分的所占区域位于所述第二框架部分的所述内部区域之外。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成框架的步骤包括套筒式折叠处理，所述套筒式折叠处理用于将内部框架部分重定位到至少所述第一框架部分的所占区域之外。
10.一种与为基板上的一个或多个组件提供电磁干扰(EMI)屏蔽相关的方法,所述方法包括: 形成材料件，所述材料件具有第一框架部分和初始布置在所述第一框架部分的所占区域内的第二框架部分，并且公共侧壁部分由所述第一框架部分和所述第二框架部分共享并且连接所述第一框架部分和所述第二框架部分，其中，所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占区域之外；以及 将至少一个盖附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分中的至少一个。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，将至少一个盖附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分中的至少一个的步骤包括将盖附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分，使得所述盖和所述第一框架部分和所述第二框架部分协作地限定从共享的公共侧壁部分延伸的第一 EMI屏蔽隔间和第二 EMI屏蔽隔间。
12.根据权利要求1 0或11所述的方法，所述方法进一步包括相对于基板定位所述第一框架部分和所述第二框架部分以及附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分的盖以为所述基板上的一个或多个组件提供EMI屏蔽。
13.根据权利要求10、11或12所述的方法，其中，将至少一个盖附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分中的至少一个的步骤包括: 将第一盖附接到所述第一框架部分，使得所述第一盖、所述第一框架部分和共享的公共侧壁部分协作地限定至少第一 EMI屏蔽隔间；以及 将第二盖附接到第二框架部分，使得所述第二盖、所述第二框架部分和共享的公共侧壁部分协作地限定至少第二 EMI屏蔽隔间。
14.一种用于电磁(EMI)屏蔽设备的框架,所述电磁(EMI)屏蔽设备用于为基板上的一个或多个组件提供EMI屏蔽,所述框架包括: 第一框架部分，所述第一框架部分具有多个侧壁，所述多个侧壁至少部分地围绕所述第一框架部分的内部区域； 第二框架部分，所述第二框架部分的尺寸足以嵌合在由所述第一框架部分限定的所述内部区域内，所述第二框架部分具有多个侧壁， 其中，所述第一框架部分和所述第二框架部分至少共享公共侧壁的具有将所述第二框架部分连接到所述第一框架部分的可弯曲的枢轴部分的部分。
15.根据权利要求14所述的框架，其中，所述第二框架部分具有尺寸足以嵌合在所述第一框架的所述内部区域内的所占区域。
16.根据权利要求14或15所述的框架，其中: 所述可弯曲的枢轴部分能够在大致直的构造与弯曲构造之间弯曲； 所述第二框架部分的尺寸足以在所述可弯曲的枢轴部分处于所述大致直的构造中时嵌合在所述内部区域内；并且 当所述可弯曲的枢轴部分处于所述弯曲构造中时，所述第二框架部分被布置在所述第一框架部分的所占区域之外，使得所述第一框架部分和所述第二框架部分以共面方式大致对齐。
17.根据权利要求14、15或16所述的框架，其中: 所述第一框架部分的所述多个侧壁包括至少部分地围绕由所述第一框架部分部分地包围的大致矩形的内部区域的至少三个侧壁部分； 所述第二框架部分的所述多个侧壁包括至少三个侧壁部分；并且 所述第二框架部分的尺寸足以嵌合在所述第一框架部分的所述大致矩形的内部区域内。
18.—种EMI屏蔽设备，所述EMI屏蔽设备包括权利要求14、15、16或17所述的框架以及至少一个盖，所述至少一个盖附接到所述框架，使得所述盖与所述框架协作地限定至少一个EMI屏蔽隔间。
19.一种EMI屏蔽设备，所述EMI屏蔽设备包括权利要求14、15、16或17所述的框架，并且所述EMI屏蔽设备进一步包括: 第一盖，所述第一盖附接到所述第一框架部分，使得所述第一盖与所述第一框架部分协作地限定至少第一 EMI屏蔽隔间；以及 第二盖，所述第二盖附接到所述第二框架部分，使得所述第二盖与所述第二框架部分协作地限定至少第二 EMI屏蔽隔间，所述第二 EMI屏蔽隔间由共享的公共侧壁部分与所述第一 EMI屏蔽隔间分离。
20.一种电气装置，所述电气装置包括印刷电路板和权利要求14、15、16、17、18或19所述的框架，其中，所述框架机械地附接到所述印刷电路板。
【文档编号】H05K9/00GK103444277SQ201180066511
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2011年12月17日 优先权日:2011年1月31日
【发明者】伊戈尔·维诺库尔, G·R·英格利史, Z·M·科鲁斯 申请人:莱尔德技术股份有限公司