专利名称：一种开单晶1*0参考面的方法
技术领域：
本发明涉及一种开单晶IlO参考面的方法。
背景技术：
目前，针对100型单晶棒，在外圆滚磨机上开ITo参考面的工艺步骤是①夹紧晶棒，调整同心度并磨好外圆；②对晶棒进行垂直参考面定向；③以刻度 盘为基准，将其参考面方向旋转90°，使其转对磨头；④进行对晶棒开参考面。采用上述方 法，因机械设备的精度误差、刻度盘偏差、操作人员的视觉误差等原因，磨出的参考面偏差 一般在1.5° 2°之间，这种偏差过大，不能满足当前市场上对参考面偏离度要求比较高 的客户需求。
发明内容
本发明的目的是提供能提高精度，减少偏差的一种开单晶ITo参考面的方法。本发明采取的技术方案是一种开单晶1 0参考面的方法，其特征在于把单晶棒 放到研磨机上，夹紧晶棒，调整同心度后滚外圆到标准直径；然后，利用开ι ο参考面与定 向的110面成90°的空间角的特征，根据单晶棒任意的一个110面进行定向，之后，直接进 行开iio参考面。采用本发明方法，因单晶棒定向后就不需要进行旋转，这样可以消除机械精度与 操作人员的视角影响，以及刻度盘偏差精度的影响，从而大大提高开1 0参考面的精度，同 时，还减少的操作工序，有利于提高劳动效率。
具体实施例方式下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。1、把晶向为100的单晶棒放到研磨机上，夹紧单晶棒。2、调整好同心度后滚外圆到标准直径；3、利用开ITo参考面与定向的110面成90°的空间角的特征，对晶棒任意的一个 110面进行定向；4、直接进行开1 1 0参考面。
采用上述方法，因减少了机械设备的精度误差、刻度盘偏差、操作人员的视觉误差 等三个因素的影响，可以使ITo参考面的精度达到<0.2°的技术标准，能满足目前所有客 户的要求。同时，无需认真仔细的校对刻度盘并细致操作，有利于降低劳动强度，提高劳动 效率。
权利要求
1. 一种开单晶IlO参考面的方法，其特征在于把单晶棒放到研磨机上，夹紧晶棒，调 整同心度后滚外圆到标准直径；然后，利用开IlO参考面与定向的110面成90°的空间角 的特征，根据单晶棒任意的一个110面进行定向，之后，直接进行开Ilo参考面。
全文摘要
本发明涉及一种开单晶参考面的方法，该方法是先把单晶棒放到研磨机上，夹紧晶棒，调整同心度后滚外圆到标准直径；然后，利用开参考面与定向的110面成90°的空间角的特征，根据单晶棒任意的一个110面进行定向，之后，直接进行开参考面。采用本发明方法，因单晶棒定向后就不需要进行旋转，这样可以消除机械精度与操作人员的视角影响，以及刻度盘偏差精度的影响，从而大大提高开参考面的精度，同时，还减少的操作工序，有利于提高劳动效率。
文档编号C30B33/00GK101994157SQ201010129748
公开日2011年3月30日 申请日期2010年3月22日 优先权日2010年3月22日
发明者余新明, 牛小群 申请人:浙江星宇电子科技有限公司