专利名称：硅芯炉高频线圈的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及高频线圈，确切地说是应用于区熔法生产硅芯及其它 晶体材料的高频线圈。
背景技术：
随着光伏产业迅速发展，作为主要原料的多晶硅生产也得到迅速发 展；硅芯是多晶硅生产过程中生长多晶的载体。硅芯是在惰性气氛下，以 高频感应加热，采用区熔法生长。
目前普通的高频线圈单匝平板线圈，外径70mm左右，内径29mm
左右。其缺点主要有1)加热时间比较长约需30-60分钟，造成能耗高
生产效率低下；2)结晶界面附近的纵向温度梯度不一，造成棒料中心熔
不透外圆区熔温度过高溶液向下流走，使固-液界面不平坦，区熔液界面
上热平衡不易保持+衡；3)晶体缺陷密度大，在生长过程中极易断棱。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型旨在提供一种加热时间短、 生产率高且使用寿命长的硅芯炉高频线圈。 本实用新型采用的技术方案是-
一种硅芯炉高频线圈，该线圈在紫铜圆盘的周围环绕有铜管，并在铜 管进、出口之间设有断开缝，所述紫铜圆盘的内孔直径为22-25mm，外圆直 径为65-68mm，径向厚度为5-6ram。所述紫铜圆盘的上面设有凹微型斜面。
所述紫铜圆盘的下面设有凹微型圆弧槽。
所述紫铜圆盘表面包裹一层硅。
本实用新型高频线圈加热时间仅10分钟，大大提高了生产效率和能
量利用率，延长了高频线圈使用寿命，此外，还能大大降低人工及生产成 本。
图1是本实用新型硅芯炉高频线圈的结构示意图； 图2是图1的A-A视图。
附图标记说明如下
1 —一紫铜圆盘 2——铜管
3——断开缝 4——凹微型斜面
5——凹微型圃弧槽具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的说明。 如图1所示，该线圈在紫铜圆盘1的周围环绕有铜管2，并在铜管进、出 口之间设有断开缝3，根据交流电圆环效应，增大线圈径向厚度与线圈直径 之比，将紫铜圆盘的内孔直径设置为为22-25ram，外圆直径设置为为 65-68mm，径向厚度设置为为5-6mm，使电磁场与熔体间的耦合距离变小，
增强了高频感应加热线圈与多晶硅间的电磁耦合性，使棒料中心熔透；硅 棒料区熔直径为18-22mm，与线圈间隙取2. 5-5mm。如图2所示，紫铜圆盘的上面设有凹微型斜面4，减小了熔区长度，从 而使重力减小，使磁悬浮力增大，有利于熔区的稳定；在紫铜圆盘的下面 设有凹微型圆弧槽5，使磁力线在硅芯熔区周围均匀分布，从而使硅芯生长 粗细均匀、表面光滑，使电磁场与熔区的耦合效率提高，电磁场的能量作 用范围减小，从而使静态热场具有较大的纵向温度梯度，其结果既增加了 结晶驱动力，又可避免结晶界面附近的熔体因局部过冷而异常结晶；对线 圈表面进行喷砂打磨使其表面牢固包裹一层硅，以提高其表面对挥发物的 附着力，避免破坏单晶的正常生长。
本实用新型不局限于上述最佳实施方式，任何人在本发明的启示下都 可得出其他各种形式的产品。但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是 与本实用新型相同或相近似的技术方案，均在其保护范围之内。
权利要求1、一种硅芯炉高频线圈，该线圈在紫铜圆盘的周围环绕有铜管，并在铜管进、出口之间设有断开缝，其特征在于，所述紫铜圆盘的内孔直径为22-25mm，外圆直径为65-68mm，径向厚度为5-6mm。
2、 根据权利要求l所述的硅芯炉高频线圈，其特征在于，所述紫铜圆 盘的上面设有凹微型斜面。
3、 根据权利要求l所述的硅芯炉高频线圈，其特征在于，所述紫铜圆 盘的下面设有凹微型圆弧槽。
4、 根据权利要求l所述的硅芯炉高频线圈，其特征在于，所述紫铜圆 盘表面包裹一层提高附着力的硅。
专利摘要本实用新型公开了一种硅芯炉高频线圈，其紫铜圆盘的周围环绕有铜管，并在铜管进、出口之间设有断开缝，紫铜圆盘的内孔直径为22-25mm，外圆直径为65-68mm，径向厚度为5-6mm，紫铜圆盘的上面设有凹微型斜面，紫铜圆盘的下面设有凹微型圆弧槽。该高频线圈加热时间仅10分钟，大大提高了生产效率和能量利用率，延长了高频线圈使用寿命，此外，还能大大降低人工及生产成本。
文档编号C30B13/20GK201422182SQ20092014975
公开日2010年3月10日 申请日期2009年6月16日 优先权日2009年6月16日
发明者王清华 申请人:重庆大全新能源有限公司