专利名称：单晶炉上炉体的冷却结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及单晶硅拉制领域，特别是一种单晶炉上炉体的冷却结构。
背景技术：
单晶硅是具有基本完整的点阵结构的晶体，是一种良好的半导材料，用 于制造半导体器件、太阳能电池等。单晶硅是用高纯度的多晶硅在单晶炉内 拉制而成。硅片直径越大，技术要求越高，越有市炀前景，价值也就越高。 因此，对单晶硅拉制装置及拉制工艺的改进将对半导体工业产生深远的影 响。现有的单晶硅拉制装置为单晶炉，它是由炉底、下炉室、上炉室、炉盖、 翻板箱、副室六大部分组成。现有的单晶炉上炉体为采用单层的不锈钢材料 制成的，这样的单晶炉上炉体在拉制单晶的过程中温度过高，会将单晶炉上 炉体烧坏，縮短其使用寿命。 发明目的
本实用新型的目的是提供一种单晶炉上炉体的冷却结构，具有很好的冷 却系统，能够对上炉体起到冷却降温的保护作用。 实现本实用新型的技术方案如下
单晶炉上炉体的冷却结构，其包括炉体内层、炉体外层，用来连接炉盖的 上接口和用来连接下炉体的下接口，所述的炉体内层与炉体外层之间设置有水 夹层，在炉体外层设置有与水夹层相通的进水孔座和出水孔座。
本实用新型的有益效果是设置水夹层以后，在拉制单晶的过程中从进水孔 座充入水，水通过进水孔座进入水夹层，水从出水孔座流出，对单晶炉上炉体 进行冷却，降低其温度，对单晶炉上炉体起到保护的作用。
图1为本实用新型的剖面图中1为上接口， 2为出水孔座，3为进水空座，4为下接口， 5为炉 体内层，6为炉体外层，7为水夹层。
具体实施方式
单晶炉上炉体的冷却结构，其包括炉体内层5、炉体外层6，用来连接炉盖
的上接口 1和用来连接下炉体的下接口 4，所述的炉体内层5与炉体外层6之间
设置有水夹层7，在炉体外层6设置有与水夹层7相通的进水孔座3和出水孔座
2。进水孔座3设置于炉体外层6靠近下接口4的位置，出水孔座2设置于炉体
外层6靠近上接口1的位置。
在拉制单晶的过程中从进水孔座3充入水，水通过进水孔座3进入水夹层7， 水从出水孔座2流出，对单晶炉上炉体进行冷却，降低其温度，对单晶炉上炉 体起到保护的作用，延长单晶炉上炉体的寿命。
权利要求1、单晶炉上炉体的冷却结构，其包括炉体内层、炉体外层，用来连接炉盖的上接口和用来连接下炉体的下接口，其特征为所述的炉体内层与炉体外层之间设置有水夹层，在炉体外层设置有与水夹层相通的进水孔座和出水孔座。
2、 根据权利要求1所述的单晶炉上炉体的冷却结构，其特征在于所述 的进水孔座设置于炉体外层侧面靠近下接口的位置。
3、 根据权利要求1所述的单晶炉上炉体的冷却结构，其特征在于所述 的出水孔座设置于炉体外层侧面靠近上接口的位置。
专利摘要本实用新型公开了一种单晶炉上炉体的冷却结构，其包括炉体内层、炉体外层，用来连接炉盖的上接口和用来连接下炉体的下接口，其特征为所述的炉体内层与炉体外层之间设置有水夹层，在炉体外层设置有与水夹层相通的进水孔座和出水孔座。本实用新型的单晶炉上炉体结构具有使用寿命长的优点。
文档编号C30B15/00GK201395643SQ20092003969
公开日2010年2月3日 申请日期2009年4月20日 优先权日2009年4月20日
发明者潘国强, 潘燕萍 申请人:潘燕萍;潘国强