专利名称：用于制造高质量半导体单晶锭的装置及使用该装置的方法
技术领域：
本发明涉及 一 种用于制造半导体单晶锭的装置以及使用该装 置的方法，更具体地，涉及一种用于制造在通过提拉法(下文中简
称cz)方法制造半导体单晶锭过程中提供在径向上大而一致的固
液分界面温度梯度的装置，以及〗吏用该装置的方法。
背景技术：
CZ ( Czochralski)方法广泛应用于制造半导体单晶锭，以及从 石英坩埚的硅熔化物中生成半导体单晶锭。CZ方法使用安装在石 英坩埚侧壁周围的加热器来加热石圭熔化物，因此，在^圭熔化物中产 生了自然对流。并且，CZ方法通过控制单晶或石英坩埚的^走转速 率来制造没有空白或自空隙(self-interstitial)中产生的生成过禾呈缺 陷的高质量硅单晶，因而由于控制旋转速率还在硅中产生了被迫的 对流。7>知的是，自然和#:迫对流可以通过水平》兹场来控制。
一种用于将水平磁场施加至硅熔化物的方法被称作HMCZ(水 平f兹场提^立法)方法。典型的HMCZ方法形成石兹场，以使MGP (最 大高斯面)位于硅熔化物表面旁。MGP是磁场垂直分量基本为"0" 而水平方向的》兹通密度变为最大的面。7jC平》兹场具有》兹场垂直分量 在硅单晶锭中轴处为"o"的特性。使用了水平磁场的HMCZ方法 可以抑制硅熔化物的垂直对流，并提供了容易生成硅单晶的优越 性。
5同时，以多种方式^吏用石圭晶片中的空隙氧(interstitial oxygen ) 来制造高集成度的半导体器件。例如，空隙氧提升了硅晶片的机械 强度，以使硅晶片不受在器件的制造过程中产生的热应力的影响， 并引起了 一些小在夹陷(micro-defect)，所述在夹陷用作吸取位(gettering site),用于移除器件制作过程中的金属杂质。
典型的HMCZ方法具有容易生成单晶4定的优点，但会引起锭 的轴向和径向上空隙氧集中的改变，乂人而导致4定的生产率减少。这 是因为,圭熔化物表面的高温区域和低温区域的位置由于硅熔化物 的不均匀对流分布而改变，导致并未统一地保持固液分界面的氧集 中分布。这里，高温区域是具有相对高温的硅的表面区域，而低温 区域是具有相对低温的硅的表面区域。
为解决上述问题，韩国特许(Laid-open )专利公开第2001-34851 号才皮露了一种用于制造硅单晶的方法，将水平》兹场施加至石圭熔化 物，以使水平磁场的垂直/水平分量比率在固液分界面中部为0.3至 0.5 ，从而在固液分界面处持久地保持具有统一氧集中的低温区域或 高温区域，以提升单晶轴向和径向上的氧集中的一致性。
然而，由于在生成石圭单晶过程中通过旋转单晶和石英坩埚来产 生非线性被迫对流，故很难仅通过控制水平磁场的垂直/水平分量比 率来固定整个单晶生成过程中石圭熔化物表面上的高温区域和4氐温 区域的位置。即，简单地控制水平石兹场的垂直/水平分量比率并不能 够从根本上避免混淆高温区域和低温区域，或者改变高温区域和低 温区i或的^f立置。
此外，韩国特许(Laid-open)专利公开第2001-34851号还指 出了一种用于减小硅单晶轴向和径向上氧集中的偏离的方法，但没 有提到快速生成没有生成过程中晶体缺陷的高质量硅单晶的方法。
发明内容
本发明设计用来解决上述问题。因此，本发明的目的是提供一 种控制水平磁场分布和强度以制造高质量半导体单晶的装置，以及 一种使用该装置的方法。
本发明的另 一 目的是提供一种控制水平磁场分布和强度以将 从加热器流至固液分界面的热量最大化的装置，以及使用该装置的 方法，从而增大了固液分界面中部的温度梯度，以提升无缺陷单晶
的牵々立速度(pulling speed )。
本发明的又一 目的是提供一种控制水平磁场的分布和强度以 扩展无缺陷牵拉速度处理边界的装置。
为实现本发明的上述目的，本发明提供了一种用于制造半导体 单晶锭的装置，包括石英坩埚，用于容纳半导体熔化物；加热器， 安装在石英坩埚的侧壁周围；单晶牵拉装置，用于从容纳在石英坩 埚中的半导体溶化物中牵拉出单晶；以及磁场施加装置，用于在基 于熔化物表面的熔化等级(ML )的ML-100mm至ML-350mm位置 处形成最大高斯面(MGP)，并将3000至5500高斯的强》兹场施加 至MGP和石英坩埚的侧壁之间的交叉处，以及将1500至3000高 斯的弱》兹场施加至固液分界面下方。
为实现本发明的上述目的，本发明提供了一种用于制造半导体 单晶锭的方法，半导体单晶锭通过提拉法处理而将半导体单晶从容 纳于石英坩埚的半导体熔化物中牵4立出来，所述方法包括以下步 艰朵通过在基于熔化物表面的熔化等级(ML)的ML-100mm至 ML-350mm位置处形成最大高斯面(MGP )，并将3000至5500高 斯的强》兹场施加至MGP和石英蚶埚的侧壁之间的交叉处，以及将
71500至3000高斯的弱/磁场施加至固液分界面下方，而在生成半导 体单晶锭的过程中将水平磁场施加至半导体熔化物。
》兹场施加装置包括至少一个线圈对，安装在石英坩埚的相对两 侧。施力。至石兹场施力o装置的每个线圈的电流方向由电》兹定^聿确定， 以符合上述i兹场形成条件。
可以通过控制^ 兹场施加装置的每个线圏的半径、位置或形状、 或者施加至每个线圈的电流的方向和大小来形成7jc平》兹场。
MGP交叉与石英坩埚的侧壁区域近似一致，该坩埚通过从加 热器发出的热量而#:加热至最高温度。因此，在MGP交叉处形成 强》兹场的情况下，i殳置在固液分界面下方的热通量增加。并且，在 固液分界面下方形成弱石兹场的情况下，有加热器纟是供的热通量有效 地传输至固液分界面，以增加固液分界面的温度梯度，具体地，增 加固液分界面中部的温度梯度。
通过结合附图对下文进4亍详细i兌明来更为描述地本发明，然 而，本文提出的描述仅是以示出为目的的优选实例，并非为了限制 本发明的范围。
图1是示意性地示出了用于制造根据本发明的实施例的半导体 单晶锭(single crystal ingot)的装置的截面图。
图2a和2b是示出了》兹场施加装置线圈布置结构的4见图。
图3是示出了根据比较实例1和比较实例2而形成的水平磁场 的分布禾口方向的—见图。图4是示出了根据实例1而形成的水平,兹场的分布和方向的祸L图。
图5是示出了根据实例3而形成的水平磁场的分布和方向的视图。
图6是示出了根据通过根据比较实例1生成的锭的垂直抽样检 -验而获耳又的、根据单位面积的牵^立速度和无缺陷牵4^速度的改变的 缺陷分布的视图。
图7是示出了根据通过根据比较实例2生成的锭的垂直抽样检 验而获取的、根据单位面积的牵拉速度和无缺陷牵拉速度的改变的 缺陷分布的视图。
具体实施例方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。在描述之 前，应理解，说明书以及所附权利要求中使用的术语不能理解为局 限于 一般的以及词典式的意思，而应当根据对应于本发明的技术方 案的意思和相X念来理解，本发明的4支术方案基于发明人^皮允i午确定 适于最佳解释的术语的原则。因此，本文提出的描述仅是以示出为 目的的优选实例，不限于本发明的范围，所以应理解，在不悖离本 发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进4亍其他的等效替换和 修改。
图1是示意性地示出了用于制造才艮据本发明的实施例的半导体 单晶锭的装置的截面图。
参照图1,该装置包括石英坩埚(quartz crucible) 10，用于 容纳高温熔化的半导体熔化物(M);坩埚外壳20,围绕在石英坩
9埚IO的外围，用于支持相同形状的石英坩埚10;坩埚《走转装置30， 安装在坩埚外壳20下方，用于^:转坩埚外壳20和石英坩埚；加热 器40,与坩埚外壳20的侧壁相隔预定距离，用于对石英坩埚进行 加热；隔离装置50，安装在加热器40周围，用于防止从加热器40 发出的热量的外泄；单晶牵拉装置60，用于使用晶种(seed crystal) 从容纳在石英坩埚10的半导体溶化物(M)中牵拉出单晶锭；以及 热量屏蔽装置70，与由单晶牵拉装置60牵拉的单晶锭外围相隔预 定距离，用于屏蔽从单晶锭发出的热量。
上述组件是用于通过CZ方法制造半导体单晶的公知设备的典 型组件，因而将略去对每个组件的详细描述。半导体溶化物(M) 可以通过溶化多晶硅来获取硅溶化物，然而，本发明并不限于特定 种类的半导体溶4匕物。因此，本发明可以应用在由CZ方法生成的 公知的任意 一种半导体单晶。
用于制造^f艮据本发明的半导体单晶的装置还包括用于施加水 平磁场的磁场施加装置80。这里，水平磁场是穿过单晶锭中轴的磁 场的垂直分量基本为"0"的》兹场。
图1中，水平,兹场的分布和方向由线和箭头来表示。/磁场线的 密度越高，》兹场强度越大。并且，水平》兹场具有最大高斯面 (Maximum Gauss Plane ) ( MGP )。 MGP是个平面，即，具有基本 为"0"的磁场垂直分量以及水平方向上最大磁场线密度的点的集 合。
》兹场施加装置80具有2n个线圏(n是大于O的整数)，这些线 圈相对于石英坩埚10对称布置。线圈近似为环形，而线圈平面的 正常方向净皮安排为垂直于隔离装置50的外壁。例如，如图2a所示， f兹场施加装置80可以具有两个线圈，它们围绕石英坩埚IO彼此对 称布置。如图2b所示，》兹场施加装置80可以四个线圈，它们围绕石英坩埚l(X皮此只于称布置。施加至图2a和图2b中每个线圏的电 流方向如此确定，即，线圏中心处,兹场形成在箭头方向上。在图2a 和2b中，电^u方向由才示i己"x，，和"〇，，表示。标^己"x，， ^f戈表 ，充入面内的电济u方向，而木1H己"〇"4戈表乂人面内；充出的电力t方向。
优选地，》兹场施加装置80在生成半导体单晶的固液分界面下 方形成弱z磁场，并在MGP和石英坩埚10侧壁之间的交叉 (intersection)处(下文中称作"MGP交叉")。这里，弱^磁场直接 形成在固液分界面下方。以及，弱石兹场是具有强度约为1500至3000 高斯的f兹场，而强^兹场是具有强度约为3000至5500高斯的》兹场。 选择磁场强度条件，旨在增加固液分界面中部的温度梯度。这里， 除非另作说明，温度梯度均指单晶方向上固液分界面的垂直温度梯 度。同时，根据在固液分界面中心测得的熔化物表面高度的ML (熔 化等级(Melt Level) )， MGP ^尤选;也位于ML-100mm至ML-350mm。 选择MGP的位置条件，旨在将从加热器40提供至固液分界面的热 通量增加至最大范围。MGP的位置与石英坩埚10的侧壁区域基本 一致，其中，由于从加热器40发出的热引起了最大温度增加的发 生。在由加热器40加热的石英坩埚10的侧壁附近的高温石圭夂容4b物 区域中，强i兹场抑制了自然对流，而高温石圭、溶化物的流动沿水平》兹 力线l是升，从而热量有效地从固液分界面下方传输。在固液分界面 下方传输的热量可以垂直于固液分界面而在弱》兹场区域有效传输。
可以通过控制每个线圈的位置、施加至每个线圏的电流方向或 /人每个线圏产生的f兹场强度来形成水平》兹场。伊C选地，通过控制每 个线圏的半径，弱》兹场和强/f兹场可以分别形成在固液分界面下方和 MGP交叉处。即，随着线圏半径的减小，MGP交叉的^f兹场会变强， 而固液分界面下方的》兹场会变弱。进一步作为选择地，通过 文变环 形线圈的形状，弱》兹场和强》兹场可以分别形成在固液分界面下方和 MGP交叉处。例如，当通过减小线圏上部(而非线圏下部)的曲
ii率而改变线圏形a犬时，MGP交叉的,兹场会变强，而固、液分界面下 方的》兹场会变弱。更进一步作为选择地，通过屏蔽^^线圏上部产生 的石兹场，弱》兹场和强i兹场可以分别形成在固液分界面下方和MGP 交叉处。对本领域才支术人员显而易见的是，用于形成i兹场的上述这 些方法可以组合或单独4吏用。
当水平磁场施加至根据本发明的半导体熔化物时，从加热器40 流向固液分界面的热通量增加。因为强z磁场形成在MGP交叉处， 半导体熔化物(M)的对流在具有最高温度的石英坩埚10区域中^皮 抑制，故在固液分界面下方传输的热量会增加。并且，因为弱^磁场 形成在固液分界面下方，故以热通量形式/人加热器l命出的热量有效 的传输至固液分界面。因此，固液分界面的温度梯度，具体i兌是固 液分界面中部的温度梯度增加，因而提升了无缺陷单晶的牵拉速 度。
同时，4艮据关于半导体单晶生成的Voronkov理论，用于生成 无缺陷半导体单晶锭的牵拉速度的处理边界(processing margin )与 固液分界面的温度梯度在径向上的偏差是密切相关的。即，随着固 液分界面的中部和固液分界面的边》彖部分之间的温度梯度偏差的 减小，牵^立速度的处理边界会增加。本发明可以通过〗吏用水平^兹场 来增加难以控制的固液分界面中部的温度梯度，因而通过控制熔化 间隙(melt-gap)(其为热量屏蔽装置70和半导体熔化物(M)之 间的间隙)，以减小固液分界面温度4弟度在径向方向上的偏差，因 而容易扩展牵拉速度的处理边界。
下文中，将描述用于使用根据本发明的政治制造硅单晶锭的方法。
首先，根据制造硅单晶锭所需的条件将多晶硅充入石英坩埚 10。然后，操作加热器40将多晶硅熔化。多晶硅熔化后，石英坩埚IO通过坩埚S走转装置30而在预定方向上凝:转。经过预定时间后， 建立了硅熔化物(M)的对流，之后，控制单晶牵拉装置60将晶种 浸入硅熔化物(M)，并在緩慢旋转晶种的同时拔起晶种。这样就生 成了硅单晶锭。在生成初期，控制晶种的牵拉速度以使单晶的直径 增加至需要的直径，从而形成了4t的侧肩(shoulder )。在形成侧肩 后，在保持锭的主体直径的同时，以无缺陷牵拉速度生成锭的主体。 在形成主体后，牵拉速度增加，从而锭的下端在緩慢减小锭的直径 的同时从硅熔化物(M)中出来。因而，完成了锭的生成。
在生成4定期间，水平》兹场通过f兹场施加装置80而^皮施加至石圭 熔化物(M)。水平》兹场在固液分界面下方形成弱》兹场，并在MGP 交叉处形成强磁场。施加根据上述条件的水平磁场会增加从加热器 40到固液分界面的热通量，因而增加了固液分界面的温度梯度，具 体说是增加了固液分界面中部的温度梯度。并且，当施加水平》兹场 的同时，控制热量屏蔽装置70和石圭熔化物(M)以增加固液分界面 的边缘部分的温度梯度，从而移除固液分界面的中部和固液分界面 的边缘部分之间的温度梯度偏差。根据本发明施加水平磁场并控制 熔化间隙，从而增加固液分界面整个区域上的固液分界面的温度梯 度，以提升无缺陷牵拉速度，并减小固液分界面中部和边缘部分之 间的温度梯度的偏差，以扩展无缺陷牵拉速度的处理边界。
<实-3全实例>
下文中，将通过实-验实例更为详细地描述本发明。应理解，给 出这些实例是用来帮助理解本发明，而本发明并不限制在这些实-睑 实例的条件。
比寿交实例1通过优化热区(hot zone )并将熔4b间隙i殳置在50mm来生成 硅单晶锭，以便在改变牵拉速度的同时，获取上限牵拉速度和下限 牵拉速度之间的无缺陷牵拉速度边界。牵4立速度/人生成初期至末期 逐渐减小。在锭的生成期间，施加水平磁场，以在固液分界面下方 形成3300高斯的f兹场，并在MGP交叉处形成4000高其斤的》兹场。 通过图2a中所示布置两个线圏来形成水平万兹场。图3示出了才艮据 比较实例1形成的》兹场的分布和方向。通过图3可以得到，具有高 》兹场强度的强-磁场形成在固液分界面下方以及MGP交叉处。
在生成4t之后，在轴向上切割该4t，并通过垂直^由一羊;险查进^亍 评估。图6示出了从垂直抽样检验而获取的、根据单位面积的牵拉 速度和无缺陷牵拉速度的改变的缺陷分布。图6中，void (空白点) 是由空白引起的晶体缺陷，OiSF (氧化引起的堆叠缺陷)是由热氧 化产生堆叠缺陷的区i或，而LDP (大4立一睹凹陷(Large Dislocation Pit))是有空隙块产生的晶体缺陷。参照图6，可以得到，锭的中部 和边纟彖部分的每个无在夬陷牵4i速度为0.47mm/min，而无缺陷牵4立速 度的处理边界为0.02mm/min。
比專支实例2
除了熔化间隙被设置为40mm，以与比较实例1相同的条件生 成石圭单晶4t，并进行垂直抽样4企查。图7示出了从垂直抽样才企验而 获取的、根据单位面积的牵拉速度和无缺陷牵拉速度的改变的缺陷 分布。参照图7,可以得到，锭的中部的无缺陷牵拉速度是 0.49mm/min, 4t的边《彖部分的无在夹陷牵4立速度是0.52mm/min，而 并未获取无缺陷牵拉速度的处理边界。
实例1
14用于比较实例的线圈半径减小至70%，而熔化间隙被设置为 40mm。图4示出了由用于实例1中的线圈形成的7JC平^兹场的分布 和方向。可以得到，随着线圏半径的减小，具有高磁场强度的强磁 场形成在临近线圈的MGP交叉处，而具有^f氐》兹场强度的弱i兹场形 成在远离线圏的固态分界面下方。形成在固液分界面下方的i兹场具 有2300高斯的大小，而形成在MGP处的^兹场具有3700高斯的大 小。根据按照实例1制造的硅单晶锭的垂直抽样检查的结果(未示 出)，可以得到，4定的中部和边缘部分的每个无缺陷牵拉速度为 0.53mm/min,而无在夹陷牵4立速度的处理边界为0.025mm/min。
实例2
通过如图2a所示布置两线圈来形成7JC平》兹场，其中每个线圈 均具有平坦的上部，而熔化间隙祐 没置为38mm。图5示出了冲艮据 实例2形成的7jc平》兹场的》兹场分布和方向。^兹场线密度在线圈中4由 处禾口线圈下部增力口，因而在MGP交叉处形成强^兹场。相反i也，固 液分界面下方的磁场线密度减小，因而在固液分界面下方形成弱磁 场。施力o7Jc平,兹场，2400高其斤的弱/5"兹场形成在固液分界面下方而 3250高斯的强磁场形成在MGP交叉处。才艮据按照实例2制造的硅 单晶锭的垂直抽样检查的结果(未示出)，可以得到，锭的中部和 边纟彖部分的每个无缺陷牵4立速度为0.545mm/min，而无缺陷牵^立速 度的处理边界为0.025mm/min。
实例3
通过如图2b所示布置四个线圏来形成 K平》兹场，且炫4匕间隙 ^皮i殳置为与实例1相同等级。施加水平》兹场，2500高斯的弱石兹场形 成在固液分界面下方，而3500高斯的强》兹场形成在MGP交叉处。 根据按照实例3制造的硅单晶锭的垂直抽样检查的结果(未示出)， 可以得到，4定的中部的无缺陷牵4立速度为0.535mm/min, 4定的边緯_
15部分的无缺陷牵拉速度为0.530mm/min，而无缺陷牵4i速度的处理 边界为0.023mm/min。
下表中示出了从比较实例1和比较实例2以及实例1至实例3 中获得的测量结果。
熔化间隙 (mm)磁场强度 (相对强/中/弱)中部 V* (mm/min.)边缘部分 V* (mm/min.)△ V mm/min.)
固液分界面MGP交叉坩埚底部比较实例l50强强强0.470.470.02
比專交实例240强强强0.490.52未得出
实例l40弱强中0.530.530.025
实例238弱强强0.5450.5450.025
实例340弱强弱0.5350,5300.023
表1
参照表1,可以得到，通过cz方法的单晶生成过程中，施加 水平磁场以在固液分界面下方形成弱磁场，并在MGP交叉处形成 强万兹场，因而增加了无缺陷单晶的牵4立速度并扩展了无缺陷牵4立速 度的处理边界。
根据本发明的一个方面，本发明将从加热器发出的热量有效地 传输至生成单晶的固液分界面下方的区域中，从而提升了无缺陷单 晶的牵拉速度。因此，本发明可以提升无缺陷单晶锭的生产率。
才艮据本发明的另一方面，本发明4是升了固液分界面的温度梯 度，而与此同时，控制能够用于控制单晶边缘部分温度梯度的熔化 间隙，从而扩展了无缺陷牵拉速度的处理边界。
才艮据本发明的又一方面，本发明将从加热器发出的热量有效地 传输至生成单晶的固液分界面下方的区域中，从而减小了加热器的 加热能耗，使操作加热器所需的能量减少。
16以上，参照附图和特定实例详细描述了本发明的优选实施例。
具体的描述和特定实例，因此在不悖离本发明的精神和范围的前提 下，多种改变和修改对于本领域技术人员来说都是显而易见的。
权利要求
1. 一种用于制造半导体单晶锭的装置，包括石英坩埚，用于容纳半导体熔化物；加热器，安装在所述石英坩埚的侧壁周围；单晶牵拉装置，用于从容纳在所述石英坩埚中的所述半导体熔化物中牵拉出单晶；以及磁场施加装置，用于在基于所述熔化物表面的熔化等级(ML)的ML-100mm至ML-350mm位置处形成最大高斯面(MGP)，并将3000至5500高斯的强磁场施加至所述MGP和所述石英坩埚的侧壁之间的交叉处，以及将1500至3000高斯的弱磁场施加至固液分界面下方。
2. 根据权利要求1所述的用于制造半导体单晶锭的装置，其中，所述磁场施加装置包括线圈对，相对地安装在所 述石英坩埚周围的两侧。
3. 根据权利要求1所述的用于制造半导体单晶锭的装置，其中，所述》兹场施加装置包括多个线圏对，相对地安装 在所述石英坩埚周围的多侧。
4. 根据权利要求2或3所述的用于制造半导体单晶锭的装置，其中，所述线圏对中的每个线圏均为具有平坦上部的环形。
5. 根据权利要求2或3所述的用于制造半导体单晶锭的装置，其中，通过控制所述线圏对中的每个线圈的尺寸或位置、 或者施加至所述线圈的电流的方向和大小，来形成所述水平f兹 场。
6. 根据权利要求1所述的用于制造半导体单晶锭的装置，其中，所述MGP的交叉处与由所述加热器发出的热量加 热至最高温度的所述石英坩埚的4立置相一致。
7. —种用于制造半导体单晶锭的方法，所述半导体单晶锭通过提 拉法处理而将半导体单晶从容纳于石英坩竭的半导体熔化物 中牵才立出来，所述方法包4舌以下步骤通过在基于所述熔化物表面的熔化等级(ML)的 ML-100mm至ML-350mm位置处形成最大高斯面(MGP)， 并将3000至5500高斯的强^兹场施加至MGP和所述石英坩埚 的侧壁之间的交叉处，以及将1500至3000高斯的弱^兹场施加 至固液分界面下方，而在生成所述半导体单晶锭的过程中将水 平》兹场施加至所述半导体炫〗匕物。
8. 根据权利要求7所述的用于制造半导体单晶锭的方法，其中，所述方法进一步包括在正在生成的半导体单晶 4t周围配置热量屏蔽装置，以屏蔽所述固液分界面的边缘部分 发出的热量，并控制所述热量屏蔽装置和所述半导体熔化物之 间的间隙，以控制所述固液分界面的边缘部分的温度梯度。
9. 根据权利要求8所述的用于制造半导体单晶锭的方法，其中，将所述固液分界面的边缘部分的温度梯度控制在 与所述固液分界面的中部相同的等级。
10. 根据权利要求7所述的用于制造半导体单晶锭的方法，其中，通过将线圈对相对i也布置在所述石英坩埚周围的 多侧而形成所述水平石兹场，以及其中，通过控制所述线圏对的每个线圏的尺寸、位置或 形状、或施加至所述线圏的方向和大小来形成所述水平》兹场。
全文摘要
本发明涉及一种用于制造高质量半导体单晶锭的装置以及使用该装置的方法。本发明的装置包括石英坩埚；加热器，安装在石英坩埚的侧壁周围；单晶牵拉装置，用于从容纳在石英坩埚中的半导体溶化物中牵拉出单晶；以及磁场施加装置，用于在基于熔化物表面的熔化等级(ML)的ML-100mm至ML-350mm位置处形成最大高斯面(MGP)，并将3000至5500高斯的强磁场施加至MGP和石英坩埚的侧壁之间的交叉处，以及将1500至3000高斯的弱磁场施加至固液分界面下方。
文档编号C30B15/00GK101498032SQ20091000525
公开日2009年8月5日 申请日期2009年1月21日 优先权日2008年1月21日
发明者姜钟珉, 李洪雨, 洪宁皓, 赵铉鼎, 金大渊 申请人:韩国矽得荣株式会社