一种igbt逆变式等离子弧电源的利记博彩app

文档序号:8129758阅读:555来源:国知局
专利名称:一种igbt逆变式等离子弧电源的利记博彩app
技术领域
本实用新型涉及环保设备和电力电子技术领域,具体是用于为焚烧处理
固体垃圾的高温等离子弧提供一种以高频IGBT逆变技术为核心的500KW 级节能高效电源及其数字化协同控制技术。
背景技术
随着电子产业技术水平日益快速的不断升级和社会对电子类消费产品需 求的不断更新和膨胀,电子产品等固体垃圾被废弃和淘汰的速度越来越快。 近年来,随着各类家用电器和电脑、手机等办公和通信设备日益普及,尤其 是这类高技术产品更新换代不断加速,在未来的几年内,我国的电子产品将 会进入一个前所未有的报废高峰期。
采用温度高达5000~8000QC的等离子弧取代传统的油燃烧、电热焚烧 电子等固体垃圾,不仅可以充分烧毁电子废弃物和有害化学元素,大大减少 对人类健康和环境安全造成极大的危害,同时还可以把电子垃圾中含有的铜、 汞、金等贵金属有效地进行熔炼、提取,因此,该种焚烧方法的可资源化程 度更高,再循环利用的经济价值和环境价值也更高。高温等离子弧焚烧电子 等固体垃圾的新技术,在国外愈来愈多的被采用,国内也开始引进和采用。 然而,由于电子等垃圾处理量的不断增加和提高处理效率的要求,等离子弧 不仅需要愈来愈大的功率,而且短路引弧和在电极距离子弧长调节过程造成 输出电流电压的较大跳动,甚至用示波器无法捕捉波形,且不同的电极结构 和小弧转大弧的引弧方式不同,其跳动情况也不同。此外,要求它每天工作 24小时,可靠性要求极高。为此,至今国内外大都数采用的大功率电源还是 停留在用传统的耗电耗材多、冲击电流大、控制调节性能较差的晶阐管式整 流电源。虽然也开始采用IGBT逆变式电源,但不仅功率较小,而且可靠性 和技术成熟性有待改进、发展和提高。此外,这种大功率节能电源技术还可 用于发电锅炉点火和助燃、城市煤的汽化和海水谈化等等。

实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种为高效焚烧处理电子等固体垃圾的、基
于高频IGBT逆变和模块式N + M冗余结构技术为核心的500KW级节能高 效电源装备及其数字化协同控制技术,简称焚烧处理固体垃圾的500KW级 等离子弧节能高效电源技术。由于功率转换频率从传统的50Hz提高到 20000Hz以及采用模块式和N + M冗余结构,从而使主变压器的材料及其耗 电成反比大大减少,效率髙达90%以上,节材60~70%,对网电冲击电流 很小,控制性能好、可靠性髙。在某个单元模块出故障时冗余结构中的储备 单元将被自动切换而投入,保证不停机而可以使检修正常运行。
为实现本实用新型的目的采用如下技术方案 一种IGBT逆变式等离子 弧电源,包括五个机箱和内置电路,所述内置电路置于机箱内,所述内置电 路包括操作主控制模块、程序协同控制模块、100KW级IGBT逆变式电源; 所述操作主控制模块分别与五个结构相同、相互并联的程序协同控制模块相 连接,每一个程序协同控制模块分别连接一组结构相同的100KW级IGBT 逆变式电源,五组100KW级IGBT逆变式电源分别与负载相连接。
更具体的,所述100KW级IGBT逆变式电源由一个程序协同控制模块 和四个结构相同、相互并联的25KW级IGBT逆变式单元电源连接组成; 所述每个25KW级IGBT逆变式单元电源,由IGBT逆变主电路和反馈闭环 恒流控制电路构成,所述IGBT逆变主电路由电磁兼容模块、输入整流滤波 模块、高频功率IGBT逆变全桥模块、高频功率主变压模块、高频整流滤波 模块、稳弧模块依次连接组成,其中,电磁兼容模块与三相交流输入电源相 连接,稳弧模块与负载相连接;所述反馈闭环恒流控制电路包括平均电流电 压检测模块、比较器、等离子弧电参数给定模块、单片机控制模块、PWM 脉宽调制模块和高频驱动模块,其中,平均电流电压检测模块一端与负载相 连接,另一端与比较器模块输入端相连接,比较器另一输入端连接等离子弧 电参数给定模块,比较器输出端与单片机控制模块相连接,单片机控制模块 与PWM脉宽调制模块相连接,PWM脉宽调制模块与高频驱动模块相连接, 高频驱动模块与高频功率IGBT逆变全桥模块相连接,单片机控制模块与程 序协同控制模块相连接。也就是说,所述程序协同控制模块包括两层的程序 协同控制模块,其中一层(五个)的程序协同控制模块,每个分别连接四个25KW级IGBT逆变式单元电源的单片机控制模块,组成100KW级的IGBT
逆变式电源的程序协同控制网络;另一层(五个)的程序协同控制模块,每个分别连接一组100KW级IGBT逆变式电源的程序协同控制模块,组成500KW级的IGBT逆变式电源的程序协同控制网络。
为了更好地实现本实用新型,所述每个25KW级IGBT逆变式单元电源还包括安全保护电路,所述安全保护电路包括网压检测模块、安全保护模块,所述网压检测模块一端与三相交流输入电源相连接,另一端与安全保护模块相连接,所述安全保护模块与PWM脉宽调制模块相连接。
所述单片机控制模块主要由单片微机PALCE22V10Q、反相器ULN2003A及其外围电路相互连接组成。
所述PWM脉宽调制模块主要由误差放大电路、PWM集成控制芯片SG3525及其外围电路相互连接组成。
所述高频驱动模块主要由两个高频脉冲变压器M1和M2、芯片2SK1417、 M74HC4049和CD4011及其外围电路相互连接组成。
所述高频功率IGBT逆变全桥模块由两个单元的IGBT及其外围电路组成。
本实用新型的设计原理为本实用新型采用20KHzlGBT逆变技术,IGBT单管耐压达1200V以上,额定电流150A。本设计采用了两个IGBT管串联模块,并由两个模块组成全桥式电路模块,不必并联增大功率能力,特别适合25KW级单元功率输出的所需场合,饱和压降比较低,有利于减少管子功率损耗。本实用新型由五组100KW (含四个25KW单元)主机电源电路相互并联组成,即由20个25KW单元主电路结构相同的模块并联工作,由分组分层程序协同控制和反馈闭环恒流、均流控制调节,输出500KW的电流、电压以及外端电参数显示。每个25KW单元主电路的三相交流输入电源经过电磁兼容(EMC)模块、输入整流滤波模块成为平滑直流电后进入高频功率IGBT逆变全桥模块,然后通过高频功率主变压模块,把520多伏的高频交流电压降为约250V,再经高频整流滤波模块、稳弧模块后成为平滑直流电后提供负载(等离子弧/体)用电。与此同时,反馈闭环恒流控制模块将平均电流电压检测模块检测到的等离子弧的电流信号与等离子弧电参数给定模块给定的参数进行比较,经过反馈闭环恒流控制模块的模糊控制算法运算,发给PWM脉宽调制模块一个信号,PWM脉宽调制模块根据反馈闭环恒流控制模块的算法产生两路PWM信号。这两路PWM信号通过高频驱动模块放大,去控制驱动高频功率IGBT逆变全桥模块的IGBT管开通和关断,从而得到20KHz高频高压交流电,高频高压交流电再经过功率主变压模块降压和高频整流平滑和输出端的稳弧模块,转换成符合等离子弧焚烧固体垃圾、电子垃圾工艺要求的大电流高电压的等离子弧电流,也就是反馈模糊闭环恒流控制过程。网压检测模块检测三相交流输入电压,把检测到的电压信号送给安全保护模块,如出现过压、欠压、超温的现象,安全保护模块将送给PWM脉宽调制模块一个信号,产生低电平通过高频驱动模块关断高频逆变模块的IGBT管,保护逆变主电路安全工作。相对于现有技术,本实用新型的主要优点和有益效果是.-1 、本实用新型采用先进的高频IGBT逆变和非晶态磁芯以及EMC电磁兼容技术,节能、效率高达90%以上,冲击电流很小,抗电磁干扰能力强、可靠性髙,节省制造材料60~70%,体积小,重量轻。
2、 本实用新型设计模块式N + M冗余结构和以25KW功率模块单元电源为基础和核心,通过反馈闭环恒流、均流和分组分层程序协同控制20个单元主电路结构相同的模块并联工作,实现高达500KW大功率输出,不仅使整机均流恒流输出,等离子弧的稳定性好,在等离子弧长较大变动范围内也有很好的适应性,工作可靠性高、而且机动灵活性好,即使出故障, 一般也只是某功率单元,自动切换冗余单元模块,不需停机检修仍然能工作,损失小,修复易。每组100KW的IGBT逆变式电源及其各自的程序协同控制电路也可独立运行使用、调节和显示电参数。
3、 本实用新型采用分组分层的程序协同控制技术,实现20个单元主电路单元模块分批软启动先后接入网电,避免整机同时接入网电而引起网电开关的跳闸;本实用新型设计了以较小的电流短路软启动引燃等离子弧,在等离子弧可靠引燃后,自动上升至所需的焚烧处理固体垃圾的正常电流,避免过大的短路引弧电流使电极烧损快和损坏功率电子器件。


图1是本实用新型IGBT逆变式等离子弧电源的内置电路结构方框图;图2是图1的其中一组100KW级IGBT逆变式电源的结构方框图;图3是图2的其中一组25KW级IGBT逆变式单元电源的IGBT逆变主
电路的电路原理图4是图3的IGBT逆变主电路中的高频功率IGBT全桥逆变模块的电
路原理图5是图3的IGBT逆变主电路中的电磁兼容模块和输入整流滤波模块的电路原理图6是图2的其中一组25KW级IGBT逆变式单元电源的反馈闭环恒流控制电路中的PWM脉宽调制模块的电路原理图7是图2的其中一组25KW级IGBT逆变式单元电源的反馈闭环恒流控制电路中的高频驱动模块的电路原理图8是图2的其中一组25KW级IGBT逆变式单元电源的安全保护电路模块的电路原理图9是图2的其中一组25KW级IGBT逆变式单元电源的反馈闭环恒流控制电路的具体连接示意图10是图2的程序协同控制模块的电路原理图11是图1的其中一组100KW级IGBT逆变式电源的组成结构示意图12是图1的IGBT逆变式等离子弧电源的组成结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1所示,本实用新型IGBT逆变式等离子弧电源包括五个机箱和内置电路,内置电路置于机箱内,内置电路包括操作主控制模块116、程序协同控制模块115、 100KW级IGBT逆变式电源117;操作主控制模块116分别与五个结构相同、相互并联的程序协同控制模块115相连接,每一个程序协同控制模块115分别连接一组结构相同的100KW级IGBT逆变式电源117,五组100KW级IGBT逆变式电源117分别与负载相连接。
图1中每组100KW级IGBT逆变式电源117的结构如图2所示,其由一个程序协同控制模块115和四个结构相同、相互并联的25KW级IGBT逆变式单元电源118连接组成;每个25KW级IGBT逆变式单元电源118,由IGBT逆变
主电路和反馈闭环恒流控制电路构成,所述IGBT逆变主电路由电磁兼容模块101、输入整流滤波模块102、高频功率IGBT逆变全桥模块103、高频功率主变压模块104、高频整流滤波模块105、稳弧模块106依次连接组成,其中,电磁兼容模块101与三相交流输入电源相连接,稳弧模块106与负载相连接;所述反馈闭环恒流控制电路包括平均电流电压检测模块112、比较器113、等离子弧电参数给定模块114、单片机控制模块111、 PWM脉宽调制模块107和高频驱动模块108,其中,平均电流电压检测模块112—端与负载(等离子弧/体)相连接,另一端与比较器113输入端相连接,比较器113另一输入端连接等离子弧电参数给定模块114,比较器113输出端与单片机控制模块111相连接,单片机控制模块111与PWM脉宽调制模块107相连接,PWM脉宽调制模块107与高频驱动模块108相连接,高频驱动模块108与高频功率IGBT逆变全桥模块103相连接,单片机控制模块111与程序协同控制模块115相连接,即在每组100KW级IGBT逆变式电源117中,四个25KW级IGBT逆变式单元电源的单片机控制模块111分别与程序协同控制模块115相连接。所述每个25KW级IGBT逆变式单元电源还包括安全保护电路,所述安全保护电路包括网压检测模块109、安全保护模块110,网压检测模块109—端与接入的三相交流输入电源连接,另一端与安全保护模块110连接,安全保护模块110与PWM脉宽调制模块107连接。网压检测模块109检测三相交流输入电源的电压,其采用常用的电压检测装置一一比较器芯片LM393。安全保护模块110为一常用的逻辑门芯片CD4073,实现欠相、过压、过流、超温等保护。等离子弧电参数给定模块114由1个电位器给定等离子弧电流参数。比较器113采用TL084比较器,对外环检测信号与等离子弧给定参数进行比较。平均电流电压检测模块112为电压电流传感器,与负载连接,分别实时采集实际的等离子弧电流和电压,送至反馈闭环控制电路以及显示电路。
如图3所示,在每个25KW级IGBT逆变式单元电源118的IGBT逆变主电路中,三相交流输入电源经过由C1、 C2、 C3和压敏电阻YR4、 YR5、 YR6等相互连接组成的电磁兼容(EMC)模块101,再连接入输入整流滤波模块102中的BR1,然后连接L1、 C5、 C6、 C7、 C8、 R3、 R4组成的滤波环节,
9再连接高频功率IGBT逆变全桥模块103中的逆变桥VT广VT4, C6~C10,输出接高频功率主变压模块104中的变压器T1的一次绕组,变压器T1二次绕组连接高频整流滤波模块105中的饱和RC吸收电路和高频全波整流电路D1 D6二极管组及滤波电抗器L2,其输出连接稳弧模块106中的R9、 C9、C10、 C17,然后输出平滑干净的直流电(最大值240V、 3000A),以上环节构成功率主电路。所述高频功率IGBT逆变全桥模块103包括两个两单元的IGBTVT广V丁4,平均电流电压检测模块112为传感器HALL,与负载连接。
图3中的IGBT逆变主电路中的高频功率IGBT全桥逆变模块103的电路原理图如图4所示,高频功率IGBT逆变全桥模块103中,为防止IGBT开通和关断时瞬间过大的电流、电压冲击,造成IGBT的损坏,在IGBT的C和E极之间并联RC吸收保护电路,包括C1卜C14、 R5 R8和压敏电阻YR3、 C10。
图3中的IGBT逆变主电路中的电磁兼容模块101和输入整流滤波模块102的电路原理图如图5所示,在输入整流滤波模块102中,D1 D6为快速二极管组用于输出整流,R1、 C15和R2、 C16分别组成上下两组对称的二极管的RC吸收回路,压敏电阻YR1、 YR2用于钳制快速二极管组的过高电压。
图2的其中一组25KW级IGBT逆变式单元电源118的反馈闭环恒流控制电路中的PWM脉宽调制模块和高频驱动模块的电路原理图如图6所示,PWM脉宽调制模块107和高频驱动模块108主要由PWM脉宽调制模块107中的误差放大电路、反相器芯片ULN2003A和PWM集成控制芯片SG3525以及高频驱动模块108中的两个脉冲变压器M1和M2、芯片2SK1417、M74HC4049和CD4011及辅助电路相互连接组成。PWM脉宽调制模块107产生两路波形互补的信号,分别进入两路高频驱动模块。高频驱动模块108将两路信号进行功率加强和通过两个脉冲变压器M1和M2进行电的隔离藕合,为高频功率IGBT逆变全桥模块103的逆变桥开关管VT广VT4输出两对PWM驱动信号。
图2的其中一组25KW级IGBT逆变式单元电源118的安全保护电路模块的电路原理图如图7所示,在安全保护模块110中,U12A、 U12B、 U13A、U13B分别接温控模块和过流、过压、欠相以及关断信号的信号线,传输信号给三个与门逻辑电路和反相器芯片ULN2003A,通过ULN2003A的16脚与PWM脉宽调制模块107中的集成控制芯片SG3525的10脚相接。本电路的输出端与集成控制芯片SG3525的引脚2相连,作为集成控制芯片SG3525的输入信号,在SG3525内部与误差信号比较,使集成控制芯片SG3525输出相应的两路PWM信号。该两路互补的PWM信号分别进入高频驱动模块108,作为逆变开关管VT广V丁4的驱动信号。如出现超温过热、过流、过压、欠相的任何一种现象,安全保护模块110将送给PWM脉宽调制模块一个信号,产生低电平通过高频驱动模块108,关断高频功率IGBT逆变全桥模块103的IGBT开关管,保护主电路安全工作。
图2的其中一组25KW级IGBT逆变式单元电源118的反馈闭环恒流控制电路的具体连接示意图如图8所示,单片机控制模块111主要由高性能单片微机PALCE22V10Q、反相器ULN2003A以及辅助电路相互连接组成。单片微机PALCE22V1 OQ作为闭环电流模糊控制的核心,采样电流与给定信号的偏差在内部进行模糊运算过程,输出信号作为PWM脉宽调制模块107中集成控制芯片SG3525的脚2输入信号,该信号与给定的电流比较,确定驱动信号的占空比大小,从而控制单元电源和整机功率电源的输出大小。
图2中的程序协同控制模块115的电路原理图如图9所示,在程序协同控制模块115中,为便于说明问题,以两组25KW级IGBT逆变式单元电源118并联为例做描述。图中的两个相互并联的25KW级IGBT逆变式单元电源118的单片机控制模块1",分别与图中的CN1、 CN2和CN3、 CN4端子连接。如用户提出要求和操作需要,CN8与等离子弧的电极升降机构的控制驱动电路相连,电极升降机构上的启动按钮按下则图中继电器RLY1开关吸合,使SHUTDOWN1端接地,从而触发两组25KW级IGBT逆变式单元电源118可以同时开通。两组25KW级IGBT逆变式单元电源118并联的电流、电压反馈显示信号则通过LM324的叠加和放大计算,送到100KW级IGBT逆变式电源117的机壳面板和操作主控制模块116的面板进行电流电压显示的端口IDSP。
上述电路中,图3中的平均电流电压检测模块112为传感器HALL,与比较器113连接、再与单片机控制模块111的单片微机PALCE22V10Q通过反相器ULN2003A相连接。单片机控制模块111输出端与PWM脉宽调制模块107的集成控制芯片SG3525的引脚2相连接,集成控制芯片SG3525的输出端11、 14脚分别与高频驱动模块108的两个驱动环节的5、 16管脚相连接,驱动环节的输出分别与高频逆变模块102的四个开关管的G、 E极相连接,上述环节构成反馈闭环恒流控制电路。逆变后的高频(20KHz)高压电经变压器T1降压后通过高频整流由快速二极管(D1~D3, D4 D6)并联构成的全波整流电路,再经输出电感L2滤波后输出。
本实用新型是这样工作的三相交流输入电源经过每组25KW级IGBT逆变式单元电源118中的电磁兼容(EMC)模块101、输入整流滤波模块102后成为平滑直流电后进入高频IGBT逆变全桥模块103,单片机控制模块1"将平均电流电压检测模块112检测到负载的电流信号与等离子弧电参数给定模块114给定的参数进行比较,经过单片机控制模块111的模糊控制算法运算,发给PWM脉宽调制模块107—个信号,PWM脉宽调制模块107根据单片机控制模块111设定的算法产生两路PWM信号。这两路PWM信号通过高频驱动模块108放大去控制高频IGBT逆变全桥模块103的IGBT管的开通和关断,从而得到20KHz高频高压交流电,高频高压交流电再经过高频功率主变压模块104转换成符合等离子弧焚烧处理固体垃圾工艺要求的电压、电流,再经过高频整流滤波模块105,得到更加平滑的焊接电流,也就是均值模糊闭环恒流控制过程。网压检测模块109检测三相交流输入电源的电压,把检测到的电压信号送给安全保护模块110,如出现过压、过流、超温、欠压的现象,安全保护模块110将送给PWM脉宽调制模块107—个信号,产生低电平通过高频驱动模块108关断高频IGBT逆变全桥模块103的IGBT开关管,从而保护主电路安全工作。
如图10所示,每组100KW级IGBT逆变式电源117由四个25KW级IGBT逆变式单元电源118组成,每个25KW级IGBT逆变式单元电源118中的单片机控制模块111都要分别接入程序协同控制模块115,即接入图10中的程序控制板,并由程序控制板连接单片机控制模块111、 PWM脉宽调制模块107、高频驱动模块108,协同控制四个25KW级IGBT逆变式单元电源118同步、均流、稳定输出。
由五组10OKW级的IGBT逆变式电源117并联组成500KW级IGBT逆变式电源,每个10OKW级IGBT逆变式电源117中的程序协同控制模块115需要再次连接程序协同控制模块115,即接入如图11中的程序控制板,再与操作主控制模块116连接,由操作主控制模块116实现500KW级IGBT逆变式电源的同步、均流、稳定输出。
本实用新型首次使用20路相互并联的主电路,由程序协同控制模块分
组分层控制20路主电路的输出,有效地提高了等离子弧电流均匀性、稳定
性、可靠性。
如上所述,即可较好地实现本实用新型。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式,但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制,任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种IGBT逆变式等离子弧电源,其特征是,包括五组机箱和内置电路,所述内置电路置于机箱内,所述内置电路包括操作主控制模块、程序协同控制模块、100KW级IGBT逆变式电源;所述操作主控制模块分别与五个结构相同、相互并联的程序协同控制模块相连接,每一个程序协同控制模块分别连接一组结构相同的100KW级IGBT逆变式电源,五组100KW级IGBT逆变式电源分别与负载相连接。
2. 根据权利要求1所述IGBT逆变式等离子弧电源,其特征是,所述100KW级IGBT逆变式电源由一个程序协同控制模块和四个结构相同、相互并联的25KW级IGBT逆变式单元电源连接组成;所述每个25KW级IGBT逆变式单元电源,由IGBT逆变主电路和反馈闭环恒流控制电路构成,所述IGBT逆变主电路由电磁兼容模块、输入整流滤波模块、高频功率IGBT逆变全桥模块、高频功率主变压模块、高频整流滤波模块、稳弧模块依次连接组成,其中,电磁兼容模块与三相交流输入电源相连接,稳弧模块与负载相连接;所述反馈闭环恒流控制电路包括平均电流电压检测模块、比较器、等离子弧电参数给定模块、单片机控制模块、PWM脉宽调制模块和高频驱动模块,其中,平均电流电压检测模块一端与负载相连接,另一端与比较器模块输入端相连接,比较器另一输入端连接等离子弧电参数给定模块,比较器输出端与单片机控制模块相连接,单片机控制模块与PWM脉宽调制模块相连接,PWM脉宽调制模块与高频驱动模块相连接,高频驱动模块与高频功率IGBT逆变全桥模块相连接,单片机控制模块与程序协同控制模块相连接。
3. 根据权利要求2所述IGBT逆变式等离子弧电源,其特征是,所述每个25KW级IGBT逆变式单元电源还包括安全保护电路,所述安全保护电路包括网压检测模块、安全保护模块,所述网压检测模块一端与三相交流输入电源相连接,另一端与安全保护模块相连接,所述安全保护模块与PWM脉宽调制模块相连接。
4. 根据权利要求2所述IGBT逆变式等离子弧电源,其特征是,所述单片机控制模块主要由单片微机PALCE22V10Q、反相器ULN2003A及其外围电路相互连接组成。
5. 根据权利要求2所述IGBT逆变式等离子弧电源,其特征是,所述PWM脉宽调制模块主要由误差放大电路、PWM集成控制芯片SG3525及其外围电路相互连接组成。
6. 根据权利要求2所述IGBT逆变式等离子弧电源,其特征是,所述高频驱动模块主要由两个高频脉冲变压器M1和M2、芯片2SK1417、 M74HC4049和CD4011及其外围电路相互连接组成。
7. 根据权利要求2所述IGBT逆变式等离子弧电源,其特征是,所述高频功率IGBT逆变全桥模块由两个单元的IGBT及其外围电路组成。
专利摘要本实用新型为一种IGBT逆变式等离子弧电源,包括五组机箱和内置电路,所述内置电路置于机箱内,所述内置电路包括操作主控制模块、程序协同控制模块、100KW级IGBT逆变式电源;所述操作主控制模块分别与五个结构相同、相互并联的程序协同控制模块相连接,每一个程序协同控制模块分别连接一组结构相同的100KW级IGBT逆变式电源,五组100KW级IGBT逆变式电源分别与负载相连接,其中每组100KW级IGBT逆变式电源由一个程序协同控制模块和四个结构相同、相互并联的25KW的IGBT逆变式单元电源连接组成。本实用新型采用高频IGBT逆变和模块式以及N+M冗余结构,效率高、可靠性高。
文档编号H05B7/148GK201303435SQ20082020274
公开日2009年9月2日 申请日期2008年10月31日 优先权日2008年10月31日
发明者刘晓光, 廖红武, 黄石生 申请人:华南理工大学
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