专利名称：：布线电路基板的利记博彩app
技术领域：
：本发明涉及布线电路基板，具体涉及可作为带电路的悬挂基板使用的布线电路基板。
背景技术：
：以往，已知在不锈钢形成的金属支承基板上依次形成了树脂构成的绝缘层和铜构成的导体图案的带电路的悬挂基板，搭载磁头后被用于硬盘驱动器等。该带电路的悬挂基板中，由于金属支承基板由不锈钢形成，所以导体图案中传输损失变大。因此，为使传输损失减少，提出了在悬挂基板上形成由铜或以铜为主成分的铜合金构成的下部导体，在该下部导体上依次形成绝缘层、记录侧导体和再生侧导体的技术方案(例如，参照日本专利特开2005-11387号公报)。
发明内容但是，通常带电路的悬挂基板中，在磁头搭载部支承磁头使磁头相对于硬盘驱动器的磁盘维持规定的角度。更具体而言，在带电路的悬挂基板中，磁头搭载部沿与长边方向正交的宽度方向弯折，根据该弯折角度，磁头相对于磁盘维持规定的角度。但是，日本专利特开2005-11387号公报记载的带电路的悬挂基板中，由于形成了下部导体，所以一旦弯折的磁头搭载部易复原，因此磁头搭载部的角度的维持变得困难。本发明的目的是提供利用简易的层结构可使导体图案的传输损失减少且弯折后的形状保持性良好的布线电路基板。本发明的布线电路基板的特征在于，具备金属支承基板，形成于所述金属支承基板上的金属箔，形成于所述金属箔表面的由锡或锡合金构成的第l保护层，在所述金属支承基板上形成的用于被覆所述第1保护层的第1绝缘层，形成于所述绝缘层上的导体图案，以及形成于所述导体图案表面的由锡或锡合金构成的第2保护层。较好的是本发明的布线电路基板中，所述金属箔及所述导体图案由铜形成，所述第l保护层及所述第2保护层由锡向铜扩散而形成的锡铜合金构成。较好的是本发明的布线电路基板中，所述第l保护层及所述第2保护层的厚度为0.05um以上。较好的是本发明的布线电路基板中，具备介于所述金属支承基板和所述金属箔之间的第2绝缘层。此外，较好的是本发明的布线电路基板作为带电路的悬挂基板使用。本发明的布线电路基板通过在金属支承基板和导体图案间存在金属箔的简易层结构可使传输损失减少，同时通过由锡或锡合金形成第1保护层和第2保护层，可提高弯折后的形状保持性。因此，弯折后可切实地维持电子零部件的形态。另外，通过在绝缘层和金属箔间存在第l保护层，可切实地防止金属箔的金属向绝缘层转移的离子迁移现象的发生。图1表示作为本发明的布线电路基板的实施方式之一的带电路的悬挂基板的俯视图。图2表示沿图1所示的带电路的悬挂基板中的弯折部的剖视图。图3为图2所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制造工序图，(a)表示准备金属支承基板的工序，(b)表示在金属支承基板上形成金属箔的工序，(c)表示在金属箔的表面形成第1锡层的工序，(d)表示形成基底绝缘层和第1保护层的工序。图4接续图3为图2所示的带电路的悬挂基板的制造方法的制造工序图，(e)表示在基底绝缘层上形成导体图案的工序，(f)表示在导体图案的表面形成第2锡层的工序，(g)表示形成基底绝缘层和第2保护层的工序。图5为图1所示的带电路的悬挂基板被搭载于硬盘驱动器的状态的说明图，它是沿带电路的悬挂基板的长边方向的剖视图。图6表示沿作为本发明的布线电路基板的另一实施方式的带电路的悬挂基板中的弯折部的剖视图。图7表示实施例1及比较例3的蠕变变形的图。图8表示实施例1及比较例3的应变松弛的图。具体实施例方式图1是作为本发明的布线电路基板的实施方式之一的带电路的悬挂基板的俯视图。图2是沿图l所示的带电路的悬挂基板中的后述的弯折部的剖视图。图5为图1所示的带电路的悬挂基板被搭载于硬盘驱动器的状态的说明图，它是沿带电路的悬挂基板的长边方向的剖视图。图1中，为了明确地表示导体图案6与金属支承基板2的相对位置，省略了后述的金属箔3、第1保护层4、基底绝缘层5、第2保护层7及被覆绝缘层8。图1及图5中，该带电路的悬挂基板1是被搭载于硬盘驱动器、安装磁头21且支承该磁头21使其与磁盘22对向的基板，形成有将磁头21和未图示的读写基板(外部电路)电连接的导体图案6。导体图案6—体连续地具备磁头侧连接端子部IOA、外部侧连接端子部IOB、用于连接这些磁头侧连接端子部IOA和外部侧连接端子部10B的多条配线9。各配线9沿金属支承基板2的长边方向设置多条(例如，4条)，在与金属支承基板2的长边方向正交的方向(以下，简称为宽度方向)互相隔着间隔并列配置。各配线9是用于读取磁盘22的数据的读取配线或用于向磁盘22写入数据的写入配线，读取信号被输入读取配线，写入信号被输入写入配线。磁头侧连接端子部10A被配置于金属支承基板2的长边方向的一端部(以下称为前端部)，以较宽的连接盘的形式并列配置多个使它们与各配线9的前端部分别连接。该磁头侧连接端子部10A与磁头21的端子部(未图示)连接。外部侧连接端子部10B被配置于金属支承基板2的长边方向的另一端部(以下称为后端部)，以较宽的连接盘的形式并列配置多个使它们与各配线9的后端部分别连接。该外部侧连接端子部10B与读写基板的端子部(未图示)连接。此外，在金属支承基板2的前端部设置了用于安装磁头21的万向接头部18。在万向接头部18中，在长边方向夹着磁头侧连接端子部10A的切缺部23被开口。如图1的虚线所示，万向接头18中，包含切缺部23、比切缺部23略大的区域成为安装磁头21的的安装区域17。此外，如图l的虚线所示，该带电路的悬挂基板1的前端侧中，被配置于万向接头部18的后侧、沿宽度方向的直线部成为弯折部19。弯折部19的位置根据磁头21的大小等适当选择，弯折部19和金属支承基板2的前端缘之间的长度Ll例如被设定为57mm。该带电路的悬挂基板1如图2所示，具备金属支承基板2，形成于金属支承基板2上的第1金属薄膜11，形成于第1金属薄膜11上的金属箔3，形成于金属箔3的表面的第1保护层4，在金属支承基板2上形成的用于被覆第1保护层4的作为第1绝缘层的基底绝缘层5。此外，带电路的悬挂基板1具备形成于基底绝缘层5上的第2金属薄膜12、形成于第2金属薄膜12上的导体图案6、形成于导体图案6的表面的第2保护层7、形成于基底绝缘层5上的用于被覆第2保护层7的被覆绝缘层8。金属支承基板2由与带电路的悬挂基板1的外形形状对应的平板状的金属箔或金属薄板形成。作为形成金属支承基板2的金属，例如可使用不锈钢、42合金等，优选使用不锈钢。金属支承基板2的厚度例如为1530um,较好为2025ym。在金属支承基板2的表面，以图案形成第l金属薄膜ll，使其与形成金属箔3的部分在厚度方向对向。更具体来讲，第l金属薄膜ll跨越在宽度方向互相隔着间隔配置的多条配线9中的宽度方向的最外两侧的配线9之间与这些配线9在厚度方向对向形成，且其宽度小于金属支承基板2。此外，该第l金属薄膜ll介于金属箔3和金属支承基板2之间。作为形成第l金属薄膜ll的金属，例如可使用铜、铬、金、银、铂、镍、钛、硅、锰、锆及它们的合金或它们的氧化物等。优选使用铜、铬、镍及它们的合金。此外，第l金属薄膜ll也可由多层形成。第l金属薄膜ll的厚度例如为0.01lum，较好为O.010.1Um。金属箔3在第1金属薄膜11的表面以图案形成，使其至少与形成导体图案6的部分在厚度方向对向。更具体而言，金属箔3形成于第1金属薄膜11的整个面。作为形成金属箔3的金属，例如可使用铜、镍、金、焊锡或它们的合金等金属，优选使用铜。金属箔3的厚度例如为25um，较好为24um。在金属箔3的表面形成用于被覆金属箔3的第1保护层4。更具体而言，第l保护层4形成于金属箔3的上表面、宽度方向两侧面及长边方向两侧面和第l金属薄膜ll的宽度方向两侧面及长边方向两侧面，浸蚀并被覆上述各面。此外，该第1保护层4介于金属箔3及第1金属薄膜11和基底绝缘层5之间。作为形成第1保护层4的金属，可采用锡、锡合金，优选使用锡合金。另外，金属箔3由铜形成时，第1保护层4最好由锡铜合金形成。第l保护层4的厚度例如为0.05iim以上，较好为O.2um以上，通常为1.0um以下，较好为0.5um以下。第l保护层4的厚度如果在上述范围外，则有时弯折后的形状保持性下降。在金属支承基板2上形成覆盖第1保护层4的基底绝缘层5。作为形成基底绝缘层5的绝缘体，例如可釆用聚酰亚胺、聚醚腈、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成树脂。其中，优选使用感光性合成树脂，更优选使用感光性聚酰亚胺。基底绝缘层5的厚度例如为l10ym，较好为l5]im。第2金属薄膜12在基底绝缘层5的表面以图案形成，使其与形成导体图案6的部分对向。此外，该第2金属薄膜12介于导体图案6和基底绝缘层5之间。作为形成第2金属薄膜12的金属，可采用与上述第l金属薄膜ll同样的金属。优选采用铜、铬、镍及它们的合金。此外，第2金属薄膜12也可由多层形成。第2金属薄膜12的厚度例如为0.01lym，优选为O.010.1um。导体图案6在基底绝缘层5上的第2金属薄膜12的表面以由配线9及设置于各配线9的长边方向两端部的磁头侧连接端子部10A和外部侧连接端子部10B构成的配线电路图形成。作为形成导体图案6的导体，例如可使用铜、镍、金、焊锡或它们的合金等金属。其中，优选使用铜。此外，导体图案6的厚度例如为520um，较好为715um。各配线9的宽度例如为15100um，较好为2050um。在导体图案6的表面形成用于被覆导体图案6的第2保护层7。更具体而言，第2保护层7形成于导体图案6的各配线9的上表面(端子部10的上表面除外)及宽度方向两侧面、第2金属薄膜12的宽度方向两侧面，浸蚀并被覆上述各面。此外，该第2保护层7介于导体图案6及第2金属薄膜12和被覆绝缘层8之间。作为形成第2保护层7的金属，可采用锡、锡合金，优选使用锡合金。另外，导体图案6由铜形成时，第2保护层7最好由锡铜合金形成。第2保护层7的厚度例如为0.05um以上，较好为0.2um以上，通常为1.0ym以下，较好为0.5um以下。第2保护层7的厚度如果在上述范围外，则有时弯折后的形状保持性下降。第2保护层7的厚度可通过T0F-SIMS测定。在基底绝缘层5上形成被覆第2保护层7的被覆绝缘层8。更具体而言，被覆绝缘层8在宽度方向形成于基底绝缘层5的整个面。作为形成被覆绝缘层8的绝缘体，可采用与上述基底绝缘层5同样的绝缘体。优选采用感光性合成树脂，更优选使用感光性聚酰亚胺。被覆绝缘层8的厚度例如为210um，优选为36um。被覆绝缘层8虽然在图2中未图示但被开口，使导体图案6的端子部10露出。以下，参照图3及图4，对该带电路的悬挂基板的制造方法进行说明。首先，该方法如图3(a)所示，准备金属支承基板2。接着，该方法如图3(b)所示，在金属支承基板2上形成第1金属薄膜11及金属箔3。第1金属薄膜11及金属箔3通过例如加成法(additivemethod)、减成法(subtractivemethod)等公知的布图形成法形成。较好是通过加成法形成。艮P，加成法中，首先在金属支承基板2的整个面形成第1金属薄膜11(种膜)。第l金属薄膜ll可通过电解镀或非电解镀等形成。然后，在第l金属薄膜ll的表面设置干膜抗蚀剂，将其曝光及显影，形成与上述图案相反的图案的未图示的镀覆保护层。然后，通过镀覆在从镀覆保护层露出的第1金属薄膜11的表面以上述图案形成金属箔3。接着，通过蚀刻等除去镀覆保护层和形成有镀覆保护层的部分的第l金属薄膜ll。镀覆优选采用电解镀，更好的是采用电解镀铜。以下，该方法如图3(c)所示，在金属箔3的表面形成第1锡层13。形成第1锡层13时，例如采用镀锡，优选釆用非电解镀锡。该非电解镀锡中，金属箔3由铜形成时，通过铜和锡的置换，金属箔3的表面被蚀刻，更具体而言，形成第1锡层13使金属箔3的上表面和侧面被浸蚀。第l锡层13的厚度例如为0.05ura以上，较好为0.2"m以上，通常为1.0um以下，较好为0.5um以下。第1锡层13的厚度如果在上述范围外，则有时无法将第1保护层4的厚度设定在上述范围内。接着，该方法如图3(d)所示，在形成基底绝缘层5的同时形成第1保护层4。基底绝缘层5的形成如下所述。例如，涂布形成基底绝缘层5的绝缘体的清漆，如合成树脂的清漆，将其干燥，根据需要固化。具体而言，涂布感光性合成树脂的清漆，优选感光性聚酰胺酸树脂的清漆，将其干燥后曝光及显影，再固化，藉此以上述图案形成基底绝缘层5。利用上述涂布了清漆的制造过程中的带电路的悬挂基板l的干燥时的加热或固化时的加热来形成第1保护层4。该加热条件是，干燥时的加热温度例如设定为6025(TC，较好是80200°C，加热时间例如设定为60300分钟，较好是120300分钟，固化时的加热例如为减压下，温度例如设定为30045CTC，较好为35040(TC，加热时间例如设定为60300分钟，较好为120300分钟。此外，例如在大气等含氧气氛中或者在氮等惰性气体的气氛中，较好是在惰性气体气氛中进行加热。这样，锡扩散至金属箔3的金属的同时金属箔3的金属也扩散至锡，藉此形成第1保护层4。较好的是金属箔3由铜形成时，通过锡被扩散至铜的同时铜被扩散至锡，由锡铜合金形成第1保护层4。该锡的扩散中，在金属箔3的上表面形成的第1锡层13的锡向下侧扩散，同时形成于金属箔3的宽度方向两侧面及长边方向两侧面的第1锡层13的锡向宽度方向内侧及长边方向内侧扩散，藉此由锡合金形成的第1保护层4以厚度大于加热前的第1锡层13的状态形成。通过该锡的扩散，第1锡层13的锡被置换为锡合金，第1锡层13实质上消失。由锡合金形成的第1保护层4中，锡浓度即锡扩散的原子比例由加热前的第1锡层13及加热后的第1保护层4的厚度算出，相对于锡合金，例如为160原子%，较好为2030原子％。由锡合金形成的第1保护层4中，锡在厚度方向、宽度方向及长边方向呈现分布地扩散，最表层的锡浓度最高，锡浓度从该最表层向厚度方向下侧、宽度方向内侧及长边方向内侧逐步下降。接着，该方法如图(e)所示，在基底绝缘层5上以上述配线电路图形成第2金属薄膜12及导体图案6。导体图案6通过例如加成法、减成法等布图形成法形成。较好是通过加成法形成。艮口，加成法中，首先在基底绝缘层5的整个面形成第2金属薄膜12(种膜)。第2金属薄膜12可通过电解镀或非电解镀等形成。然后，在第2金属薄膜12的表面设置干膜抗蚀剂，将其曝光及显影，形成与上述配线电路图相反的图案的未图示的镀覆保护层。然后，通过镀覆在从镀覆保护层露出的第2金属薄膜12的表面以配线电路图形成导体图案6。接着，通过蚀刻除去镀覆保护层和形成有镀覆保护层的部分的第2金属薄膜12。镀覆优选采用电解镀，更好的是釆用电解镀铜。以下，该方法如图4(f)所示，在导体图案6的表面形成第2锡层14。形成第2锡层14时，采用与上述第1锡层13的形成同样的方法。第2锡层14的厚度例如为0.05ym以上，较好为O.2um以上，通常为1.0ym以下，较好为O.5yra以下。第2锡层14的厚度如果在上述范围外，则有时无法将第2保护层7的厚度设定在上述范围内。接着，该方法如图4(g)所示，在形成被覆绝缘层8的同时形成第2保护层7。被覆绝缘层8的形成如下所述。例如，涂布形成被覆绝缘层8的绝缘体的清漆，如合成树脂的清漆，将其干燥，根据需要固化。具体而言，涂布感光性合成树脂，优选感光性聚酰胺酸树脂的清漆，将其干燥后曝光及显影，再固化，藉此以上述图案形成被覆绝缘层8。利用上述涂布了清漆的制造过程中的带电路的悬挂基板l的干燥时的加热或固化时的加热来形成第2保护层7。该加热条件是，干燥时的加热温度例如设定为6025(TC，较好是80200。C，加热时间例如设定为60300分钟，较好是120300分钟，固化时的加热例如为减压下，温度例如设定为30045(TC，较好为35040(TC，加热时间例如设定为60300分钟，较好为120300分钟。此外，例如在大气等含氧气氛中或者在氮等惰性气体的气氛中，较好是在惰性气体气氛中进行加热。这样，锡扩散至导体图案6的导体的同时导体图案6的导体也扩散至锡，藉此形成第2保护层7。较好的是导体图案6由铜形成时，通过锡被扩散至铜的同时铜被扩散至锡，由锡铜合金形成第2保护层7。该锡的扩散中，在导体图案6的上表面形成的第2锡层14的锡向下侧扩散，同时形成于导体图案6的宽度方向两侧面的第2锡层14的锡向宽度方向内侧扩散，藉此由锡合金形成的第2保护层7以厚度大于加热前的第2锡层14的状态形成。通过该锡的扩散，第2锡层14的锡被置换为锡合金，第2锡层14实质上消失。由锡合金形成的第2保护层7中，锡浓度即锡扩散的原子比例相对于锡合金例如为160原子％，较好为2030原子％。由锡合金形成的第2保护层7中，锡在厚度方向和宽度方向呈现分布地扩散，最表层的锡浓度最高，锡浓度从该最表层向厚度方向下侧及宽度方向内侧逐步下降。接着，该方法是通过蚀刻除去形成于导体图案6的端子部10的上表面的第2保护层7。然后，如图1所示，通过蚀刻或穿孔等将切缺部23开口，将金属支承基板2加工成所希望的形状，获得带电路的悬挂基板l。以下，对在以上获得的带电路的悬挂基板1上安装磁头21，再被搭载于硬盘驱动器为止的情况进行说明。首先如图5所示，将所得的带电路的悬挂基板1的万向接头部18弯折。具体而言，沿图1所示的带电路的悬挂基板1的弯折部19弯折万向接头部18。g卩，万向接头部18的弯折中，将万向接头部18弯折，使弯折部19中的金属支承基板2侧隆起。然后，将带电路的悬挂基板l安装于承载臂(loadbeam)30。承载臂30是用于支承带电路的悬挂基板l的构件，在承载臂上进行安装时，将带电路的悬挂基板1中的万向接头部18以外的部分贴附于承载臂30。磁头21可在上述弯折后安装于安装区域17(参照图1)也可在上述弯折后安装于安装区域17。磁头21的安装时，磁头侧连接端子部10A(参照图1)和磁头21的端子部电连接。此外，在磁头侧连接端子部10A的连接的同时，外部侧连接端子部10B与读写基板的端子部(未图示)电连接。接着，将该带电路的悬挂基板搭载于硬盘驱动器。对硬盘驱动器的搭载中，磁头21与对于磁头21相对旋转的磁盘22隔着微小间隔(例如，510nm)对向配置。藉此，磁头21读取磁盘22的数据，将数据写入磁盘22。该带电路的悬挂基板1利用使金属箔3介于金属支承基板2和导体图案6之间的简易层结构，可降低导体图案6的传输损失，g卩，可实现磁头21及读写基板之间的读取信号和写入信号的传输损失的减少。而且，由于第1保护层4和第2保护层7由锡或锡合金形成，因此可维持弯折部19的弯折角度，可将一旦弯折后的万向接头部18的形态维持一定。因此，磁头21可实现从磁盘22的数据的稳定的读取以及对磁盘22的数据的稳定的写入。此外，通过使第1保护层4介于基底绝缘层5和金属箔3之间，可切实地防止金属箔3的金属向基底绝缘层5转移的离子迁移现象的发生。通过使第2保护层7介于被覆绝缘层8和导体图案6之间，可切实地防止导体图案6的导体向被覆绝缘层8转移的离子迁移现象的发生。上述图3(d)所示的制造方法中，对第1锡层13的所有的锡都被置换为锡合金、第1锡层13消失的情况进行了说明，但也可以是例如第1锡层13的锡的一部分不被置换为锡合金，作为纯粹的锡残存于第1保护层4的最表层。上述图4(g)所示的制造方法中，对第2锡层14的所有的锡都被置换为锡合金、第2锡层14消失的情况进行了说明，但也可以是例如第2锡层14的锡的一部分不被置换为锡合金，作为纯粹的锡残存于第2保护层7的最表层。上述图3(d)所示的制造方法的说明中，利用基底绝缘层5的形成时的干燥或固化的加热形成第1保护层4。但是，虽未图示例如也可以是将以上述图案成形的合成树脂预先形成膜，将该膜贴附于含第1锡层13的金属支承基板2上形成基底绝缘层5，然后，通过加热带电路的悬挂基板l，使锡向金属箔3的金属扩散，由锡合金形成第1保护层4。较好的是利用干燥或固化的加热，由锡合金形成第1保护层4。藉此，可同时实施基底绝缘层5的形成中的干燥或固化和第1保护层4的形成中的锡对金属箔3的金属的扩散，能够使制造工序变得简单。此外，上述图4(g)所示的制造方法的说明中，利用被覆绝缘层8的形成中的干燥或固化的加热，形成第2保护层7。但是，虽未图示例如也可以是将以上述图案成形的合成树脂预先形成膜，将该膜贴附于含第2锡层14的基底绝缘层5上形成被覆绝缘层8，然后，通过加热带电路的悬挂基板l，使锡向导体图案6的导体扩散，由锡合金形成第2保护层7。较好的是利用干燥或固化的加热，由锡合金形成第2保护层7。藉此，可同时实施被覆绝缘层8的形成中的干燥或固化和第2保护层7的形成中的锡对导体图案6的导体的扩散，能够使制造工序变得简单。此外。上述说明中，如图3(d)及图4(g)所示，通过基底绝缘层5及被覆绝缘层8的形成中的2次加热，分别形成了第1保护层4及第2保护层7，虽然未图示例如也可以通过被覆绝缘层8的1次加热，同时形成第1保护层4及第2保护层7。通过1次加热，同时形成第1保护层4及第2保护层7时，例如将合成树脂膜贴附于含第l锡层13的金属支承基板2上形成基底绝缘层5(参照图3(d))。然后，在基底绝缘层5上形成第2金属薄膜12及导体图案6(参照图4(e))，接着，在导体图案6的表面形成第2锡层14(参照图4(f))，再涂布合成树脂的清漆，将其干燥后曝光及显影，根据需要固化。利用该干燥或固化的加热，同时形成第l保护层4及第2保护层7(参照图(g))。即，利用被覆绝缘层8的形成中的加热，同时实施锡对金属箔3的扩散和锡对导体图案6的扩散。上述说明中，使第1金属薄膜11介于金属箔3和金属支承基板2之间，虽然未图示但也可以不设置第l金属薄膜ll，在金属支承基板2上直接形成金属箔3。这种情况下，通过减成法形成金属箔3。减成法中，在金属支承基板2的整个表面介以公知的粘合剂层层叠导体层，然后，在导体层的表面以与上述图案同样的图案形成抗蚀膜。接着，蚀刻从抗蚀膜露出的导体层后除去抗蚀膜。较好的是使第1金属薄膜11介于金属箔3和金属支承基板2之间。藉此，可实现金属箔3和金属支承基板2的密合性的提高。此外，上述说明中，使第2金属薄膜12介于导体图案6和基底绝缘层5之间，虽然未图示但也可以不设置第2金属薄膜12，在基底绝缘层5上直接形成导体图案6。这种情况下，导体图案6通过与上述同样的减成法形成。较好的是使第2金属薄膜12介于导体图案6和基底绝缘层5之间。藉此，可实现导体图案6和基底绝缘层5的密合性的提高。上述说明中，第1金属薄膜11直接形成于金属支承基板2上，但也可以如图6所示，使作为第2基底绝缘层的下部基底绝缘层20介于第1金属薄膜11和金属支承基板2之间。在金属支承基板2的表面，下部基底绝缘层20以至少与金属薄膜11在厚度方向对向且其宽度方向两端部从金属薄膜ll露出的状态形成。作为形成下部基底绝缘层20的绝缘体，可采用与上述基底绝缘层5同样的绝缘体。此外，下部基底绝缘层20的厚度例如为0.510um，较好为24um。该带电路的悬挂基板l的制造时，首先如图3(a)所示，准备金属支承基板2，然后虽然未图示，但按照与基底绝缘层5的形成同样的方法以上述图案形成下部基底绝缘层20。然后，参照图3(b)，在下部基底绝缘层20上形成第1金属薄膜11及金属箔3，再参照图3(c)，在金属箔3的表面形成第1锡层13。然后，参照图3(d)，在形成基底绝缘层5的同时形成第1保护层4，再参照图4(e)，在基底绝缘层5上以上述配线电路图形成第2金属薄膜12及导体图案6。接着，如图4(f)所示，在导体图案6的表面形成第2锡层14，然后在形成被覆绝缘层8的同时形成第2保护层7。这样，通过使下部基底绝缘层20介于第1金属薄膜11和金属支承基板2之间，可实现第1金属薄膜11和金属支承基板2的密合力的提高。以下示出实施例及比较例，对本发明进行更具体的说明，但本发明并不限定于任何的实施例及比较例。实施例l首先，准备厚25ym的由不锈钢形成的金属支承基板(参照图3(a))，然后，在金属支承基板的整个表面通过溅射依次形成厚50nm的铬薄膜及厚100nm的铜薄膜，藉此形成第l金属薄膜。接着，在该第l金属薄膜ll的上表面形成与金属箔的图案相反的图案的镀覆保护层后，通过电解镀铜形成厚3um的铜箔(参照图3(b))。然后，在铜箔的上表面、宽度方向两侧面及长边方向两侧面通过非电解镀锡形成厚O.4um的第l锡层(参照图3(c))。然后，在含第l锡层的金属支承基板的整个上表面涂布感光性聚酰胺酸的清漆，于9(TC加热15分钟使其干燥。曝光及显影后减压下于37(TC加热120分钟，使其固化(酰亚胺化)的同时由锡向铜扩散而得的锡铜合金形成第l保护层(参照图3(d))。第l保护层的厚度为lum。第1保护层的厚度通过T0F-SIMS测定。然后，通过溅射依次在基底绝缘层的整个上表面形成厚50nm的铬薄膜和厚100nm的铜薄膜，藉此形成第2金属薄膜。接着，在该第2金属薄膜的上表面形成与导体图案相反图案的镀覆保护层，再通过电解镀铜由铜形成厚10um的导体图案(参照图4(e))。接着，通过非电解镀锡，在导体图案的上表面及宽度方向两侧面形成厚0.4ym的第2锡层(参照图4(f))。然后，在含第2锡层的基底绝缘层的整个上表面涂布感光性聚酰胺酸树脂的清漆，于9(TC加热15分钟使其干燥。接着，曝光及显影后减压下于37(TC加热120分钟，使其固化(酰亚胺化)的同时由锡向铜扩散而得的锡铜合金形成第2保护层(参照图4(g))。第2保护层的厚度为1nm。第2保护层的厚度通过T0F-SIMS测定。接着，通过蚀刻除去端子部的上表面的第2保护层，再切削切缺部，藉此获得带电路的悬挂基板(参照图1)。实施例2除了将第l锡层(参照图3(c))的厚度改为0.3um、将第2锡层(参照图4(f))的厚度改为0.3ura以外，与实施例l同样操作，获得带电路的悬挂基板。第l保护层的厚度为0.8nra，第2保护层的厚度为0.8um。实施例3除了使下部基底绝缘层介于金属薄膜及金属支承基板之间以外，与实施例l同样操作，获得带电路的悬挂基板(参照图6)。艮P，在金属支承基板的整个面涂布感光性聚酰胺酸树脂的清漆，于9(TC加热15分钟使其干燥，曝光及显影后减压下于37(TC加热120分钟，使其固化(酰亚胺化)，藉此形成厚3wm的下部基底绝缘层。然后，在含下部基底绝缘层的金属支承基板的整个面通过溅射依次形成厚50nm的铬薄膜及厚100nm的铜薄膜，藉此形成第l金属薄膜。比较例l除了未形成第2锡层以外，与实施例l同样操作，获得带电路的悬挂基板。即，不形成第2保护层，直接在导体图案的表面形成被覆绝缘层。比较例2除了未形成第l锡层以外，与实施例l同样操作，获得带电路的悬挂基板。即，不形成第l保护层，直接在金属箔的表面形成基底绝缘层。比较例3除了未形成第1锡层及第2锡层以外，与实施例l同样操作，获得带电路的悬挂基板。即，不形成第1保护层及第2保护层，直接在金属箔的表面形成基底绝缘层，直接在导体图案的表面形成被覆绝缘层。(评价)l)传输效率测定各实施例及比较例获得的带电路的悬挂基板的输出信号强度(Pout)和输入信号强度(Pin)，按照下式(l)求出输出信号强度和输入信号强度的比值，评价传输效率。其结果示于表l。传输效率(％)=P0Ut/Pirr"(1)表1<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>2)形状保持性对于实施例1及比较例3获得的带电路的悬挂基板，用Fichersc叩eNH2000(万能试验机，菲希尔(Ficher)公司制)测定沿弯折部将万向接头部弯折的蠕变变形和应变松弛。蠕变变形的结果示于图7，应变松弛的结果示于图8。从图7及图8可知，形成第1保护层及第2保护层的实施例1与未形成第1保护层及第2保护层的比较例3相比，蠕变变形和应变松弛的变化量小。因此，实施例1的弯曲后的形状保持性比比较例3要高。上述说明作为本发明示例的实施方式被提供，它们只是单纯的示例，并不是限定性的解释。对于本
技术领域：
的从业人员显而易见的本发明的变形例也包括在后述的权利要求的范围内。权利要求1.布线电路基板，其特征在于，具备金属支承基板，形成于所述金属支承基板上的金属箔，形成于所述金属箔表面的由锡或锡合金构成的第1保护层，在所述金属支承基板上形成的用于被覆所述第1保护层的第1绝缘层，形成于所述绝缘层上的导体图案，以及形成于所述导体图案表面的由锡或锡合金构成的第2保护层。2.如权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，所述金属箔及所述导体图案由铜形成，所述第l保护层及所述第2保护层由锡向铜扩散而形成的锡铜合金构成。3.如权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，所述第1保护层及所述第2保护层的厚度为0.05um以上。4.如权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，具备介于所述金属支承基板和所述金属箔之间的第2绝缘层。5.如权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，所述基板作为带电路的悬挂基板使用。全文摘要本发明的布线电路基板的特征在于，具备金属支承基板，形成于金属支承基板上的金属箔，形成于金属箔表面的由锡或锡合金构成的第1保护层，在金属支承基板上形成的用于被覆第1保护层的第1绝缘层，形成于绝缘层上的导体图案，以及形成于导体图案表面的由锡或锡合金构成的第2保护层。文档编号H05K1/02GK101351077SQ20081013399公开日2009年1月21日申请日期2008年7月17日优先权日2007年7月18日发明者V·塔维普斯皮波恩,中村和哉,龟井胜利申请人:日东电工株式会社