专利名称：有机发光显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种显示面板，更具体地讲，本发明涉及一种防止形成有缺 陷的存储电容器的有机发光显示面板及其制造方法。
背景技术：
有机发光显示器发射当电荷被注入到有机发光层中之后电子和空穴配对 时产生的光。有机发光显示器是可以以低电压进行驱动并具有低功耗的下一代装置。在有机发光显示器中，通过由栅极线提供的扫描脉沖和由数据线施加的 数据信号来导通开关晶体管。在一帧的时间内，来自开关晶体管的数据信号 被充入用来驱动驱动晶体管的存储电容器。这使得来自电源线的电流被提供 到有机发光二极管。连接到驱动晶体管的栅电极的存储电极与电源线叠置， 从而形成存储电容器。用于形成存储电极的掩模的未对准(misalignment)会导致有缺陷的存储 电容器。存储电极向正确位置的顶部、底部、左部或右部的偏离(shift)将 导致像素处的存储电容器的电容发生改变，从而引起亮度差。发明内容因此，本发明提供了一种有机发光显示面板以及该有机发光显示面板的 制造方法，在该有机发光显示面板中，电源线与存储电极的叠置面积保持不 变，因此在每个像素处设置的存储电容器的电容彼此相同。根据本发明的一方面，有机发光显示面板包括栅极线和数据线，形成 为在基底上彼此交叉；有机发光二极管，形成在由栅极线和数据线的交叉所 限定的像素区中；电源线，形成为与数据线平行并向有机发光二极管提供电流；开关晶体管，设置在栅极线与数据线的交叉处；驱动晶体管，连接到开 关晶体管和电源线，以控制由电源线提供的电流；存储电容器，按以下方式 组成，即存储电极与电源线叠置且在电源线与存储电极之间设置第 一栅极绝 缘层，其中，存储电容器包括形成在与存储电极叠置的电源线的侧面上的凹 槽部分，使得电源线与存储电极的叠置面积保持不变。 凹槽部分可形成在与数据线相邻的侧面上。凹槽部分的长度可至少等于或大于存储电极的顶部和底部之间的长度。 存储电极的宽度可大于存储电极与电源线的叠置区域的宽度。 有机发光显示面板还可包括辅助存储电极，辅助存储电才及从存储电极延 伸以与电源线叠置。辅助存储电极的宽度可小于或大于电源线的宽度。驱动晶体管可包括第一半导体图案，在基底上由多晶石圭形成；第一源 电极，形成在第一半导体图案上并连接到电源线；第一漏电^i,形成在第一 半导体图案上，以面向第一源电极，并连接到有机发光二极管；第二栅极绝 缘层，形成在第一源电极和第一漏电极上；第一栅电极，形成在第二栅极绝 缘层上，以与第一半导体图案叠置。第 一栅电极可电连接到存储电极。开关晶体管可包括第二栅电极，形成在第一相f极绝缘层上；第二栅极 绝缘层，形成在第二栅电极上；第二半导体图案，在基底上由非晶硅形成； 第二源电极和第二漏电极，形成在第二半导体图案上以彼此面对。有机发光显示面板还可包括将第 一栅电极连接到第二漏电极的桥电极。 根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光显示面板的制造方法，所 述方法包括在基底上形成栅极线和数据线，其中，栅极线和数据线彼此交 叉且在栅极线和数据线之间设置有栅极绝缘层；在由*3^及线和数据线的交叉 所限定的像素区中形成有机发光二极管；在栅极线与数据线的交叉处形成开 关晶体管；形成连接到开关晶体管的驱动晶体管；形成与数据线平行的电源 线；形成与电源线叠置的存储电极，其中，在电源线与存储电极之间设置有 栅极绝缘层，以形成存储电容器，且存储电极包括相对于电源线的侧面的突 出部分。形成与数据线平行的电源线的工艺还可包括，在存储电极与电源线的叠 置区域中、在与数据线相邻的侧面上形成凹槽部分。形成凹槽部分的工艺还可包括形成其长度至少等于或大于存储电极的顶 部与底部之间的长度的凹槽部分。形成存储电极的工艺还可包括形成辅助存储电极，其中，辅助存储电极 从存储电极延伸以与电源线叠置。形成辅助存储电极的工艺还可包括形成其宽度小于或大于电源线的宽度 的辅助存储电极。形成开关晶体管和驱动晶体管的工艺可包括在基底和第一栅极绝缘层 上以多晶硅形成第一半导体图案；在第一半导体图案上形成连接到电源线的 第一源电极，并形成面对第一源电极的第一漏电极；在第一源电极和第一漏 电极上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成第一才册电极以与第一 半导体图案叠置，且与第一栅电极同时形成第二栅电极；形成第三栅极绝缘 层、第二半导体图案、第二源电极和第二漏电极。
将参照附图参考本发明的特定示例性实施例来描述本发明的上述和其它 特征，在附图中图1是根据本发明第一实施例的有机发光显示面板的平面图；图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图；图3是图1的有机发光显示面板的存储电容器的平面图；图4是沿着图3的线n-ir截取的剖视图;图5A和图5B分别是向左和向右偏离的存储电极的平面图；图6是根据本发明第二实施例的有机发光显示面板的存储电容器的平面图；图7A和图7B分别是向顶部和向底部偏离的图6的存储电容器中的存储 电极的平面图；图8是根据本发明第三实施例的有机发光显示面板的存储电容器的平面图；图9是沿着图8的线m-rir截取的剖视图；图IOA和图]OB分别是向左和向右偏离的辅助存储电极和存储电极的平 面图；平面图和剖^L图。具体实》&方式图1是根据本发明第一实施例的有机发光显示面板的平面图，图2是沿着图i的线i-r截取的剖视图。参照图1和图2，根据本发明的有机发光显示面板包括4册极线20、数据 线40、有机发光二极管100和电源线70。每个像素区包括开关晶体管TFT2、 驱动晶体管TFT1和存储电容器Cst。栅极线20提供扫描脉冲，并连接到开 关晶体管丁FT2的第二栅电极21。数据线40提供数据信号，并连接到开关晶 体管TFT2的第二源电极41。电源线70形成为与数据线40平行，并与栅极 线20交叉且在电源线70与栅极线20之间设置有第一栅极绝缘层31。电源 线70向有机发光二极管IOO提供电流，并连接到驱动晶体管TFT1的第一源 电极71。马区动晶体管TFT1响应施加到驱动晶体管TFT1的第 一栅电极61的数据 信号，控制从电源线70提供到有机发光二极管IOO的电流，从而调节有机发 光二极管100的发光量。驱动晶体管TFT1包括第一栅电极61,连接到开 关晶体管TFT2的第二漏电极42;第一源电极71,连接到电源线70;第一漏 电极72,面对第一源电极71并连接到有机发光二极管100的阳极73;第一 半导体图案，在第一源电极71与第一漏电极72之间形成沟道部分。第一半导体图案包括第一半导体层62和第一欧姆接触层63，其中，第 一半导体层62与第一栅电极61叠置且在第一半导体层62与第一栅电极61 之间设置有第一栅极绝缘层31，第一欧姆接触层63形成在除了沟道部分之 外的第 一半导体层62上，以形成与第 一源电极71和第 一漏电4及72的欧姆接 触。第一半导体层62可由非晶硅或多晶硅形成。第一半导体层62可由多晶 硅形成，以鉴于驱动晶体管TFT1的特性来保障更长的寿命，其中，在有机 发光二极管100的发光期间电流不断流到驱动晶体管TFT1中。如果第一半 导体层62由多晶硅形成，那么驱动晶体管TFT1可具有如图2中所示的其中 第 一栅电极6 i形成在第 一半导体层62上的顶栅极结构。当栅极线20被提供有扫描脉冲时，开关晶体管TFT2导通，且施加到数 据线40的数据信号被提供到存储电容器Cst和驱动晶体管TFT1的第一栅电极61。为此，开关晶体管TFT2包括第二栅电极21,连4妻到一册极线20;第 二源电极41，连接到数据线40;第二漏电极42,面对第二源电极41并连接 到驱动晶体管TFT1的第一栅电极61和存储电容器Cst;第二半导体图案，第二半导体图案包括第二半导体层22，与第二栅电极21叠置且在第 二半导体层22与第二栅电极21之间设置有第二栅极绝缘层32;第二欧姆接 触层23，形成在除了沟道部分之外的第二半导体层22上，以形成与第二源 电极41和第二漏电极42的欧姆接触。第二半导体层22可由非晶硅或多晶硅形成。优选地，第二半导体层22 由非晶硅形成，因为开关晶体管TFT2需要良好的导通-截止特性，所以这 有利于导通-截止操作。第二漏电极42和第一柵电极61通过桥电极55彼此连4妻。第二漏电极 42通过第一接触孔51被暴露，第一栅电极61通过第二接触孔52被暴露。 因此，第二漏电极42和第一栅电极61通过经过第一4妾触孔51和第二接触孔 52的桥电极55进行连接。桥电极55可由与阳极73的材料相同的材料形成。钝化层33形成在在其上形成有驱动晶体管TFT1、开关晶体管TFT2和 存储电容器Cst的基底10上。钝化层33可包括不使薄膜晶体管的特性劣化 的诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等的无机绝缘层。有机发光二极管100包括阳极73，由透明的导电材冲牛形成；阴极80, 由不透明的导电材料形成，并面对阳极73;有机发光层90，设置在阳极73 与阴极80之间。有机发光层90根据施加到阳极73的电流量来发光，且有机发光层90的 光朝着阳极73进行透射。有机发光层90可由低分子有机发光材料或聚合物 有机发光材料形成。有机发光层90可由低分子材料形成。在本实施例中，有 机发光层90独立地形成在每个像素中。有机发光层90可形成为三层结构、 双层结构或单层结构，其中，在三层结构中，显示红色(R)、绿色(G)和 蓝色(B)的发射层顺序地进行堆叠；在双层结构中，具有补色关系的发射层 进行堆叠；单层结构由发射白光的发射层组成。此外，还可在有机发光层90的顶部和底部上设置空穴传输层、电子传输 层和电子注入层，以提高有机发光层90的发光效率和特性。还可设置有机平坦化层34,以补偿有机发光层90的阶高(step height )。有机平坦化层34包括第一接触孔51和第二接触孔52，其中，第一接触孔51 暴露开关晶体管TFT2的第二漏电极42的一部分，第二接触孔52暴露驱动 晶体管TFT1的第一栅电极61的一部分。第一接触孔51形成为穿过钝化层 33以及有机平坦化层34;第二接触孔52形成为穿过第二4册极绝缘层32、钝 化层33以及有机平坦化层34。此外，在有机平坦化层34上形成阻挡层(barrier layer) 35，以形成有机发光层90。如图2中所示，在有机平坦化层34上形成阻挡层35并暴露阳极73。阻 挡层35使得有机发光层90与阳极73接触。连接到驱动晶体管TFT]的第 一漏电极72的阳极73接收功率信号(power signal)并提供空穴。阳极73可由诸如氧化铟锡(ITO )、氧化铟锌(IZO )和 氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电材料形成，并通过像素接触孔53连接到第 一漏电极72。阴极80形成在有机发光层90上。阴极80提供电子，并将由有机发光层 90发射的光朝着阳极73进行反射。因此，阴极80由具有良好的电子传输能 力和反射性能的铝或铝合金形成。连接到驱动晶体管TFT1的第一栅电极61的存j诸电极65与电源线70叠 置，且在存储电极65与电源线70之间设置有第一栅极绝缘层31，从而形成 存储电容器Cst。此外，如图3中所示，在电源线70上形成凹槽部分(groove portion ) 75,从而存储电极65与电源线70的叠置面积保持不变。凹槽部分75形成在电源线70的侧面上，优选地，形成在与数据线40相 邻的侧面上。如图1中所示，凹槽部分75朝着电源线70的内部凹进。凹槽 部分75可朝着电源线70的内部凹进至少l|am至2(im。因此，电源线70的 与存储电极65进行叠置的区域的宽度被设置为小于电源线70的不与存储电 极65进行叠置的区域的宽度。图3是示出了根据本发明第一实施例的存储电容器的区域的平面图，图 4是沿着图3的线II-II喊取的剖视图。参照图3和图4，通过使电源线70与存储电极65叠置，且在电源线70 与存储电极65之间设置第一栅极绝缘层31,从而形成存储电容器Cst。由于 在存储电极65与电源线70的叠置区域中在电源线70上形成的凹槽部分75， 使得存储电极65的宽度被设置为大于电源线70的宽度。更具体地讲，存储电容器Cst形成为在存储电极65的右侧面与具有凹槽部分75的电源线70的右侧面之间具有预定的宽度W。宽度W可以为l|am 至2[im。因此，即使存储电极65向左或向右偏离，存储电容器Cst的电容也 与未偏离的先前状态的电容相同。将参照图5A和图5B进行更具体的描述。图5A是示出了存储电极向左偏离的情况下存储电极与电源线的叠置区 域的平面图，图5B是示出了存储电极向右偏离的情况下存储电极与电源线的 叠置区域的平面图。如图5A中所示，即使存储电极65向左偏离，形成为突出超过凹槽部分 75的侧面的存储电极65也与电源线70叠置。因此，存储电极65与电源线 70的叠置面积和如图3中所示的存储电极65未偏离的情况下存储电极65与 电源线70的叠置面积相同。此外，存储电极65连接到图1的驱动晶体管TFT1的第一栅电极61。因 此，如图5B中所示，即使存储电极65向右偏离，第一对册电极61也与电源线 70叠置，因此叠置面积与存储电极65未偏离的情况下存储电极65与电源线 70的叠置面积相同。图6是根据本发明第二实施例的有机发光显示面板的存储电容器的平面图。除了凹槽部分75的长度Ll大于图3的凹槽部分75的长度之外，图6 的存储电容器Cst与图3的存储电容器Cst相同。参照图6，凹槽部分75可形成为具有长度U，其中，长度L1大于存储 电极65的顶侧与底侧之间的长度L2。因此，即使存储电极65由于掩模未对 准而向顶部或向底部偏离，存储电极65与电源线70的叠置面积也可保持不变图7A是示出了存储电极向顶部偏离的情况下存储电极与电源线的叠置 区域的平面图，图7B是示出了存储电极向底部偏离的情况下存储电极与电源 线的叠置区域的平面图。如图7A和图7B中所示，即使存储电极65向顶部或向底部偏离，存储 电极与电源线70的叠置面积也保持不变。因此，由于形成在电源线70上的 凹槽部分75，即使存储电极65和电源线70中的至少一个在工艺偏差(process variation)内向顶部、底部、左部或右部偏离，形成在每个1象素处的存^^电容 器Cst的电容也保持不变。此外，不同时期制造的形成在有机发光显示面板 上的多个存储电容器中的每个可具有相同的电容。图8是根据本发明第三实施例的有机发光显示面板的存储电容器的平面图，图9是沿着图8的线m-nr截取的剖视图。由于除了连接到存储电极65并与电源线70叠置的辅助存储电极66被设置在存储电容器Cst上之外，根 据本发明第三实施例的存储电容器Cst所包括的元件与图3的存储电容器Cst 所包括的元件相同，所以将省略对其进行的描述。参照图8和图9，存储电容器Cst还可包括连接到存储电极65并与电源 线70叠置的辅助存储电极66。辅助存储电极66连接到存储电极65的顶侧和底侧中的至少 一侧。辅助 存储电极66的宽度等于或小于电源线70的宽度。辅助存储电极66可关于电 源线70的中心对称地形成。辅助存储电极66的侧面与电源线70的不完整的 侧面(short side)之间的宽度W应该为ljimi至2fim。因此，即使辅助存储 电极66在辅助存储电极66的形成过程中由于掩才莫未对准而向左或向右偏离 (分别如图IOA和图IOB中所示)，辅助存储电极66与电源线70的叠置面 积也保持不变，因此存储电容器的电容未发生变化。因此，即使存在掩模未 对准，在有机发光显示面板的每个像素处设置的存储电容器Cst的电容也彼 此相同，由此防止由于存储电容器Cst的电容的不同而导致的亮度劣化。图8中所示的辅助存储电极66的侧面与电源线70的不完整的侧面之间 的宽度W可与图3中所示的存储电极65的侧面与电源线70的侧面之间的宽 度W相同。例如，如果辅助存储电极66的宽度与电源线70的宽度相同，则 辅助存储电极66会由于掩模未对准而向左或向右偏离。此时，形成在每个像 素处或形成在每个有机发光显示面板上的存储电容器Cst的电容会由于辅助虽然前面的描述所涉及的辅助存储电极66的宽度比电源线70的宽度窄， 但是辅助存储电极66的宽度可大于电源线70的宽度。即，当辅助存储电极 66的宽度大于电源线70的宽度时，即使辅助存储电极66向左或向右偏离， 辅助存储电极66与电源线70的叠置面积也保持不变。在辅助存储电极66的 宽度大于电源线70的宽度的情况下，当辅助存储电极66向右偏离时，辅助 存储电极66所形成的宽度可以处于不与阳极73进行叠置的范围内。此外， 当辅助存储电极66向右偏离时，辅助存储电极66可形成为具有不与图1中 所示的相邻的数据线40进行叠置的尺寸。接下来，将参照图UA至图17B描述根据本发明的有机发光显示面板的制造方法。参照图IIA和图IIB，在基底IO上形成驱动晶体管TFT1的第一半导体 层62和第一欧姆接触层63。鉴于驱动晶体管TFT1的特性，第一半导体层62和第一欧姆接触层63 由多晶硅形成。下面将更详细地描述第一半导体层62和第一欧姆接触层63的形成过程。首先，在基底10的整个表面上将非晶硅和掺杂有杂质的非晶硅以均匀的 厚度进行沉积。接下来，利用热和磁场通过激光照射或固相晶化对非晶硅进 行晶化。接着，通过光刻和蚀刻工艺将被晶化的硅层图案化，以形成如图11B 中所示的第一半导体层62和第一欧姆接触层63。参照图12A至图12C，形成驱动晶体管TFT1的第一源电极71和第一漏 电极72。更具体地讲，通过賊射方法在基底10的整个表面上沉积导电金属，然后 通过光刻和蚀刻工艺进行图案化，由此形成第一源电极71和第一漏电极72。 通过蚀刻工艺，将未被第一源电极71和第一漏电极72覆盖而是被第一源电 极71和第一漏电极72暴露的第一欧姆接触层63去除，以形成仅由多晶硅形 成的沟道。电源线70的形成与第一源电极71的形成同时进行。在电源线70 与后来形成的存储电极叠置的区域上形成凹槽部分75。凹槽部分75形成在电源线70的侧面上。尤其是，凹槽部分75形成在电 源线70的与数据线40相邻的侧面上。因此，可以保障当存储电极形成时所 需的左余量和右余量。此外，如图12C中所示，凹槽部分75的长度L1大于存储电极的长度。 因此，可以通过将电源线70的凹槽部分75的长度L1设置为大于存储电极的偏离，存储电容器也具有相同的电容。接下来，在基底]0的整个表面上形成第一栅极绝缘层31。 通过诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的沉积方法，通过在基底10的整个表面上沉积诸如氧化硅(SiOj、氮化硅(SiNx)等的无机绝缘材料，来形成第一栅极绝缘层31。参照图13A至图13C，在第一栅极绝缘层31上形成栅极线20、第一和第二初开电极61和21以及存储电极65。具体地讲，通过賊射方法在基底10的整个表面上沉积导电金属，然后通 过光刻和蚀刻工艺进行图案化，从而形成栅极线20、第一和第二栅电极61 和21以及存储电极65。第二栅电极21连接到栅极线20。电源线70与存储 电极65叠置，且在电源线70与存储电极65之间设置有第一栅极绝缘层31 ， 从而形成存储电容器Cst。在存储电极65的形成过程中，还可形成辅助存储电极66，其中，辅助 存储电极66从存储电极65延伸以与电源线70叠置。如图13D和图13E中所示，辅助存储电极66形成为与电源线70叠置。 辅助存储电极66的宽度被设置为小于或大于电源线70的宽度。辅助存储电 极66关于电源线70的中心对称地形成，以具有左方向和右方向的4奄模未对 准余量。辅助存储电极66在其两侧具有与凹槽部分75的宽度相同的宽度W。 因此，即使存储电极65和辅助存储电极66由于纟奄模未对准而向左或向右偏 离，与电源线70的叠置面积也保持不变。此外，即使当辅助存储电极66的 宽度大于电源线70的宽度，辅助存储电极66也可具有与凹槽部分75的宽度 W—样宽的余量。辅助存储电极66的宽度被设置为小于或大于电源线70的宽度，使得辅 助存储电极66的侧面与电源线70的侧面之间的宽度W可以为1 pm至2pm。 在辅助存储电极66的宽度被设置为大于电源线70的宽度的情况下，即使辅 助存储电极66向左或向右偏离，辅助存储电极66也可形成为具有不与后来 形成的阳极73或相邻的数据线40叠置的尺寸。接下来，在包括第一和第二栅电极61和21的基底10的整个表面上沉积 第二栅极绝缘层32。由于通过与第一栅极绝缘层31的方法相同的方法来形 成第二栅极绝缘层32,所以将省略对其进行的描述。如图14A和图14B中所示，在包括第二栅极绝缘层32的基底IO上形成 第二半导体层22和第二欧姆接触层23。鉴于开关晶体管TFT2的特性，包括第二半导体层22和第二欧姆接触层 23的第二半导体图案由非晶硅形成。即，在第二栅极绝缘层32上顺序地沉 积非晶硅和掺杂有杂质的非晶硅，然后通过光刻和蚀刻工艺进行图案化，且 不经过晶化工艺，从而形成第二半导体层22和第二欧姆接触层23。接下来，如图15A和图15B中所示，在第二半导体图案上形成第二源电 极41和第二漏电极42。形成连接到第二源电极41的数据线40。由于形成第二源电极41、第二漏电极42以及数据线40的工艺与形成第一和第二栅电极 61和21的工艺基本相同，所以将省略对其进行的描述。接下来，如图16A和图16B中所示，形成钝化层33、有机平坦化层34、 桥电极55和阳极73。通过在基底10的整个表面上沉积诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx) 的无机绝缘层来形成钝化层33。然后，在钝化层33上形成有机平坦化层34。 通过旋转涂覆方法在钝化层33的整个表面上涂覆有机材料，并对所涂覆的有 机材料进行烘焙，从而形成有机平坦化层34。接下来，将有机平坦化层34 图案化，以形成第一和第二接触孔51和52以及像素接触孔53。第一接触孔 51形成为穿过有机平坦化层34和钝化层33，从而暴露第二漏电极42的一部 分。第二接触孔52形成为穿过有机平坦化层34、钝化层33和第二冲册极绝缘 层32,从而暴露第一栅电极61的一部分。像素接触孔53形成为顺序地穿过 有机平坦化层34、钝化层33以及第一和第二栅极绝缘层31和32,从而暴露 第一漏电极72的一部分。还可在有机平坦化层34的形成过程中形成滤色器95,如图16C中所示。在形成有机平坦化层34之前，在每个像素区处形成红色、绿色和蓝色的 滤色器95中的任意一种，然后，在滤色器95上形成有机平坦化层34。这里， 滤色器95可由显示颜色的有机材料形成。有机平坦化层34可包括滤色器。即，可以在每个像素区处形成有机平坦 化层34作为显示颜色的滤色器。接下来，由透明导电层形成桥电极55和阳极73。桥电极55和阳极73 的形成方式如下，通过溅射方法在形成有第一和第二接触孔51和52以及像 素接触孔53的有机平坦化层34上沉积透明导电材料(诸如氧化铟锡(ITO )、 氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)),并通过光刻和蚀刻工艺进行图案 化。桥电极55将第一栅电极61连接到第二漏电才及42。阳极73连4妾到驱动 晶体管TFT1的第一漏电极72。参照图17A和图17B,在包括桥电极55和阳极73的基底10上形成阻挡 层35 、有才几发光层90和阴极80。在包括桥电极55和阳极73的基底10的整个表面上沉积丙烯酸类树脂、 苯并环丁烯(BCB)和聚酰亚胺中的至少一种材料。接下来，通过光刻和蚀 刻工艺将阳极73暴露。因此，在形成阳极73的区域与未被蚀刻的其它区域之间形成阶高。接着，在阻挡层35中、在阳极73上形成有机发光层90，在 阻挡层35和有机发光层90上形成阴极80。如上所述，在考虑到工艺中的误差的情况下形成用于形成存储电容器的 电源线和存储电极。因此，即使在制造工艺的过程中会发生掩模未对准，也 可以在有机发光显示面板的每个像素区处形成具有相同的电容的存储电容 器。虽然已参照本发明的特定示例性实施例描述了本发明，但是本领域技术 人员应该理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物所限定的本发明的精神 或范围的情况下，可以对本发明作出多种修改和变化。
权利要求
1、一种有机发光显示面板，包括栅极线和数据线，形成为在基底上彼此交叉；有机发光二极管，形成在由栅极线和数据线的交叉所限定的像素区中；电源线，形成为与数据线平行，用于向有机发光二极管提供电流；开关晶体管，设置在栅极线与数据线的交叉处；驱动晶体管，连接到开关晶体管和电源线，以控制由电源线提供的电流；存储电容器，按以下方式组成，即，存储电极与电源线叠置且在电源线与存储电极之间设置第一栅极绝缘层，其中，存储电容器包括形成在与存储电极叠置的电源线的侧面上的凹槽部分，使得电源线与存储电极的叠置面积保持不变。
2、 如权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，凹槽部分形成在与数 据线相邻的侧面上。
3、 如权利要求2所述的有机发光显示面板，其中，凹槽部分的长度至少 等于或大于存储电极的顶部和底部之间的长度。
4、 如权利要求3所述的有机发光显示面板，其中，存储电极的宽度大于 存储电极与电源线的叠置区域的宽度。
5、 如权利要求2所述的有机发光显示面板，还包括辅助存储电极，辅助 存储电极从存储电极延伸以与电源线叠置。
6、 如权利要求5所述的有机发光显示面板，其中，辅助存储电极的宽度 小于或大于电源线的宽度。
7、 如权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，驱动晶体管包括 第一半导体图案，在基底上由多晶硅形成；第 一源电极，形成在第 一半导体图案上并连接到电源线； 第一漏电极，形成在第一半导体图案上，面向第一源电才及，并连接到有 机发光二极管；第二栅极绝缘层，形成在第 一源电极和第 一漏电才及上； 第一栅电极，形成在第二栅极绝缘层上，以与第一半导体图案叠置。
8、 如权利要求7所述的有机发光显示面板，其中，第一4册电极电连接到 存储电极。
9、 如权利要求1所述的有机发光显示面板，其中，开关晶体管包括 第二栅电极，形成在第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，形成在第二栅电极上； 第二半导体图案，在基底上由非晶硅形成；第二源电极和第二漏电极，形成在第二半导体图案上以;波此面对。
10、 如权利要求9所述的有机发光显示面板，还包括将第一栅电极连接 到第二漏电极的桥电极。
11、 一种有机发光显示面板的制造方法，所述方法包4舌 在基底上形成栅极线和数据线，其中，栅极线和数据线纟皮此交叉且在栅极线和数据线之间设置有栅极绝缘层；在由栅极线和数据线的交叉所限定的像素区中形成有才几发光二极管； 在栅极线与数据线的交叉处形成开关晶体管； 形成连接到开关晶体管的驱动晶体管； 形成与数据线平行的电源线；形成与电源线叠置的存储电极，其中，在电源线与存储电极之间设置有 栅极绝缘层，以形成存储电容器，且存储电极包括相对于电源线的侧面的突 出部分。
12、 如权利要求11所述的方法，其中，形成与数据线平行的电源线的工 艺还包括，在存储电极与电源线的叠置区域中、在与数据线相邻的侧面上形 成凹槽部分。
13、 如权利要求12所述的方法，其中，形成凹槽部分的工艺还包括形成
14、 如权利要求12所述的方法，其中，形成存储电极的工艺还包括形成 辅助存储电极，其中，辅助存储电极从存储电极延伸以与电源线叠置。
15、 如权利要求14所述的方法，其中，形成辅助存储电极的工艺还包括 形成其宽度小于或大于电源线的宽度的辅助存储电极。
16、 如权利要求11所述的方法，其中，形成开关晶体管和驱动晶体管的 工艺包括在基底和第一栅极绝缘层上以多晶硅形成第一半导体图案； 在第一半导体图案上形成连接到电源线的第一源电极，并形成面对第一 源电极的第一漏电极；在第 一源电极和第 一漏电极上形成第二栅极绝纟彖层； 在第二栅极绝缘层上形成第一栅电极以与第一半导体图案叠置，且与第 一栅电极同时形成第二栅电极；形成第三栅极绝缘层、第二半导体图案、第二源电极和第二漏电极。
全文摘要
本发明公开了一种有机发光显示面板及其制造方法。该有机发光显示面板具有存储电容器，所述存储电容器是这样组成的，即存储电极与电源线叠置且在电源线与存储电极之间设置第一栅极绝缘层，其中，所述存储电容器包括形成在与存储电极叠置的电源线的侧面上的凹槽部分，使得电源线与存储电极的叠置面积保持恒定。
文档编号H05B33/08GK101272644SQ200810082880
公开日2008年9月24日 申请日期2008年3月11日 优先权日2007年3月20日
发明者尹宁秀, 崔凡洛, 高俊哲 申请人:三星电子株式会社