布线构造及其形成方法和印刷布线板的利记博彩app

专利名称：布线构造及其形成方法和印刷布线板的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及多层印刷布线板和部件内置印刷布线板等的布线构造。
背景技术：
作为半导体ic芯片等电子部件的高密度安装构造，已知有绝缘层和布线层交替地层叠而成的多层印刷基板、以及具有将电子部件埋入 其中的绝缘层的部件内置印刷基板。在具有这种构造的印刷布线板中， 作为将布线层连接于被配置在绝缘层的下部或内部的下部布线层、内置电子部件的电极、凸起(bump)等被布线体的方法，已知有一种在 绝缘层上形成被称为导通孔(via-hole)的连接孔，使被布线体露出， 然后在该导通孔的内部将被布线体与布线层连接的方法(参照专利文 献l、专利文献2)。然而，作为己知的布线的形成方法， 一般包括加成法(additive process),在布线图形(pattern)部分有选择地形成布线层；半加成法 (semi-additive process),在整个基板面上形成基底层之后，有选择地 除去或者掩模该基底层的布线图形部分以外的部分，利用以图形状残 留或者露出的基底层，在其上形成布线层；以及减成法(subtmctive process),在整个基板面上形成导体层之后，有选择地除去该导体层的 布线图形部分以外的部分，形成布线层。而且，即使对于在导通孔内 将被布线体和布线层连接的导通孔连接而言，也多采用这些布线形成 方法。例如，在专利文献l中公开了一种方法(减成法)，在多层印刷布 线板上，在包括导通孔的内壁的整个基板面上形成导体层，利用光刻 以及蚀刻有选择地除去该导体层的布线图形部分以外的部分，形成布 线图形。另外，在专利文献2中也公开了一种方法(半加成法)，在部件内置印刷布线板中，在包括导通孔的内壁的整个基板面上形成基底导电 层，然后，对该基底导电层的布线图形部分以外的部分进行掩模，通 过进行以露出的基底导电层作为基体的电镀，从而形成布线图形。专利文献l:日本国特开2006-100773号公报 专利文献2:日本国特开2005-64470号公报发明内容此外，发明者们对上述现有的布线图形(层)仔细地进行了研究，结果发现尽管下部布线层、电极以及凸起这些被布线体和布线层均 为同种金属，并在两者的界面处产生金属结合，但是两者的连接还是 不充分。于是，变得难以充分地维持具有相关的布线构造的布线板或 器件等的高可靠性。因此，本发明鉴于上述情况而被提出，目的在于提供一种能够充 分地提高被布线体和与其连接的布线图(层)的连接性的布线构造及 其制造方法，和具有该布线构造的印刷布线板。为了解决上述问题，发明者们对于布线层在导通孔内与被布线体 连接的布线构造进行深入研究，发现了下述情况，从而完成了本发明。 即，在目前的布线层中，进行制造工序和检查工序中的加热以及冷却 处理时，在布线层和被布线体之间的连接界面区域内，在布线体内部 施加有起作用使布线层从被布线体滑动(移动布线层)的应力，并且， 其内部应力的程度受到布线层的形状参数影响。艮P，本发明涉及的布线构造包括绝缘层，形成有连接孔；被布 线体，以至少一部分在连接孔的底部露出的方式而配置；以及布线层，在连接孔的内部与被布线体连接，在该布线层的上表面的至少一部分 上具有凹部，并且，以包括该凹部的边缘部的侧壁不与连接孔的内壁 接触的方式而被设置。这里，本发明的"绝缘层"是指由电绝缘材料形成的层，例如， 包括多层印刷布线板的层间绝缘层和部件内置印刷布线板的部件内置 层等。此外，"被布线体"是指以布线层进行布线的对象，换言之，是 指与布线连接的对象，例如，包括多层印刷布线板的下部布线层和部 件内置印刷布线板的内置电子部件的电极等。而且，"布线层"是指构成布线图形的层，该布线图形用于将被布线体和安装在印刷布线板上 的其它部件等电连接。而且，连接孔的"内壁"，在连接孔例如为杯状 (一端封闭的筒状)且能够明确地区分侧壁与底壁的情况下，表示侧 壁，在无法明确地区分侧壁与底壁的情况下，主要表示除了相当于底 部的部分以外的壁部。在如此构成的布线构造中，通过将布线层连接至在形成于绝缘层 上的连接孔的底部上露出的被布线体，从而形成布线构造，该布线层 在其上表面的至少一部分上具有凹部(例如，不是呈单纯的梯形状， 而是上表面形成为例如上表面凹陷成研钵状的截面形状)，而且，以包 括凹部的边缘部的侧壁，即，布线层的上端部的侧壁的至少一部分不 与连接孔的内部接触的方式而形成。这里，图16 (A)以及(B)分别是概略性地显示在布线层上表面 具有凹部的本发明涉及的布线构造、以及布线层的上表面平坦的布线构造的模式截面图。在图16 (A)所示的布线构造P中，图中未显示 的半导体装置被配置在树脂层16p中，该树脂层16p被设置在图中未 显示的基体上，在该半导体装置的凸起14p (被布线体)上形成有导通 孔19p。此外，在该导通孔19p的内部，上表面形成为凹状，并且，以 侧壁上部(包括上端部tp的侧壁)不与导通孔19p的内壁接触的方式 在两者之间形成有空隙的导通孔电极部23p(布线层)与凸起14p连接， 在其上部设置有树脂层17p。另一方面，图16 (B)所示的布线构造Q， 除了具有上表面平坦且整个侧壁与导通孔的内壁接触的导通孔电极部 23q以外，与布线构造P同样地形成。而且，在图16 (B)中，用"q" 表示其它部件的符号的附标。在对这些布线构造P、 Q施行制造工序和检查工序中的加热和冷却 处理的情况下，在导通孔电极部23p、 23q内，因其膨胀收缩，在以各 自的上端部tp、 tq为首的周边部以及内部施加有热应力，尤其是在导 通孔电极部23p、 23q和凸起14p、 14q之间的界面区域，由于两者的 热膨胀率以及热收縮率的差异，能够产生使导通孔电极部23p、 23q相 对于凸起14p、 14q移动的应力。这样的应力(热应变)的程度在导通 孔电极部23p、 23q的形成之前，在对被布线体即凸起14p、 14q施行 加热冷却处理的情况下，有变得显著的倾向。这时，在图16 (A)所示的本发明涉及的布线构造P中，包括凹 部的周边(边缘部)的上端部tp不与导通孔19p接触，并形成为截面 尖塔状，因而与导通孔电极部23p的内部相比，应力有更容易集中的 倾向，但是，由于在导通孔电极部23p的上表面形成有凹部并凹陷， 因而相关的应力被缓和，在凹部被所谓吸收。BP,导通孔电极部23p 的包括凹部边缘的上端部tp不与导通孔19p接触，并且在其上表面具 有凹部，因而，在导通孔电极部23p的内部产生的热应变在凹部内被 缓和，从而减小了在导通孔电极部23p和凸起14p的界面区域起作用 使导通孔电极部23p从凸起14p移动(剥离)的应力。与此相对的是，图16 (B)所示的布线构造Q中，由于导通孔电 极部23q的上表面平坦且整个侧壁与导通孔的内壁接触，因而，在导 通孔电极部23q产生的内部应力没有所谓的逃逸处，与布线构造P相 比，热应变的缓和作用小，因而难以减小在导通孔电极部23q和凸起 14q的界面区域起作用使导通孔电极部23q从凸起14q移动(剥离)的 应力。此外，布线构造Q中，由于整个侧壁与导通孔的内壁接触，因 而导通孔电极部23q的体积大于导通孔电极部23p，与导通孔电极部 23p相比，所产生的应力自身也大。结果，布线构造Q中，在凸起14q和导通孔电极部23q的接触界 面区域，由于在导通孔电极部23q从凸起14q错开的方向上持续地施 加有应力(stress),因而导通孔电极部23q和凸起14q的连接性可能降 低。而布线构造P中，通过减小这样的应力(stress),两者的连接性提 高，并且其能够随时间流逝而保持。但是，作用并不限于以上所述。而且，由于在布线层的上表面的至少一部分上具有凹部，因而， 与布线层的上表面平坦的情况相比，表面积增大。因此，在其上部被 树脂等的上部构造覆盖时，其上部构造和布线层之间的接触面积增大， 因而提高了两者的粘合性。此外，由于在布线层的上表面的至少一部 分上具有凹部，形成了洼陷，因而该凹部(洼陷)的边缘部以突入其 上层的树脂等的上部构造内的方式而被配置，并通过所谓的锚固效应 (anchor effect),进一步提高两者的粘合性(树脂等的固定力)。这些 通过以下所述可以很容易地被理解。图16 (A)所示的示例中，导通 孔电极部23p的上端部tp呈尖塔状，并以进入在其上形成的树脂层17p(如同打进锚)的方式而被配置。另外，优选布线层包括截面积从凹部的边缘部向着被布线体而增 大的部分。而且，本发明中，布线层的"截面积"是指平行于在连接 孔的开口端划定的面的平面的截面积。在该情况下，布线层形成为包 括其截面积(可以选用体积或截面宽度)例如逐渐增大的部分的形状， 并且底端向着连接孔的底部而扩大(例如为山状、梯形状、锥状，但 是，侧壁面可以是平滑面，也可以不是)，反过来说，形成为包括向着 连接孔的开口端而前端变细的部分的形状。如此，变得容易形成具有类似于上述图16 (A)所示的导通孔电 极部23p的尖塔状截面的上端部tp，并且，与在导通孔电极部23p的 上表面形成的凹部配合起来，提高了在导通孔电极部23p上施加的应 力的缓和作用。而且，优选布线层包括截面积从与被布线体连接的部位向着连接 孔的开口而增大的部分。作为相关构造的具体示例，可以列举出如下 的构造，即，例如，如上述图16 (A)所示的布线构造P那样，连接 孔即导通孔19p的直径从底部向着开口而逐渐增大，并以填充该导通 孔19p的底部的方式形成有布线层即导通孔电极部23p。如此地构成之 后，在导通孔电极部23p与被布线体即凸起14p的界面区域所施加的 应力沿着导通孔电极部23p的底部侧壁(即导通孔19的底部内壁)扩 散，导通孔电极部23p的内部应力被进一步缓和。但是，作用不限于 这些。而且，更优选布线层以形成连接孔的内壁的至少一部分与该布线 层不接触的空间区域的方式而被设置。作为相关的构造示例，可以列 举出如下的布线构造，即，例如，如上述图16 (A)所示，形成有连 接孔即导通孔19p的内壁和布线层即导通孔电极部23p不接触的界面 区域。在此，在所述现有的布线形成方法中，由于在图形转移(patterning) 布线层时可能发生位置偏离，因而为了允许该位置偏离并可靠地连接 布线层，倾向于采用将布线层从导通孔上部的外侧延出至绝缘层的表 面的布线构造。即，如图15 (A)以及(B)所示，在现有的导通孔连 接中，倾向于将在导通孔150上形成的布线层153的宽度w设计成大于导通孔150的开口直径r。在该情况下，相邻的布线层间的绝缘距离z，如图所示，是其在绝 缘层表面上延伸的部位间的最短距离，为了充分确保该绝缘距离z，导通孔间隔(导通孔间距)不得不扩大至某种程度。因此，实际上，印 刷布线板的高密度化受到限制，其基于伴随着导通孔的窄间距化的被 布线体的配置间隔的狭小化。此外，为了实现高密度安装，也可以考虑到使布线自身变细且使 布线图形窄间距化，并由此确保布线间隔(绝缘距离)，但是，在产生 被布线体和布线层的位置偏离的情况下，有可能无法可靠地连接两者， 这样的话，可能产生问题，即，不能确保足够的连接强度以至于断线， 或者连接电阻高到不合适的程度。与此相对的是，本发明涉及的布线构造中，如上所述，在连接孔 的内部形成有在其内壁侧不存在布线层的空隙，因而，即使在形成有 邻接的连接孔并在各自上设有上述构成的布线层的情况下，也能够在 连接孔间的距离上确保布线层间(布线图形的相互邻接的布线间)的 绝缘。此外，如果布线层形成为向着末端扩大，那么能够在被布线体 和布线层的连接部位(即，位于连接孔的底部的被布线体的露出面) 确保大的连接面积，因此，在布线层的图形转移中，即使布线层与被 布线体产生位置偏移，也充分地确保了两者的连接。而且，如果布线层包括截面积向着被布线体而增大的部分，并且 形成有连接孔的内壁和布线层不接触的空间区域(空隙)，换言之，从 连接孔的内壁的开口端向着底部侧布线层均不接触的区域，那么，在 连接孔的内部，减少了其空隙大小的布线层的体积。因此，实现了整 个布线构造的薄型化，进而由此减少了布线量，因而能够降低布线电 阻以及寄生电容。而且，由于在连接孔的内壁和布线层之间形成有空隙，所以，容易形成如上述图16 (A)所示的截面尖塔状的导通孔电极部23p的上 端部tp，进一步提高了施加在导通孔电极部23p上的应力的缓和作用。 此外，由于布线层的宽度可以为连接孔的尺寸大小以下的值，因而， 在能够以狭公差管理布线层的宽度的同时，更加减少了布线量，由此 进一步减少了整个布线构造的布线电阻以及寄生电容。而且，在制造布线构造时，由于至少在连接孔内的开口端部附近产生空隙，因而， 即使万一导电性异物等混入到布线层附近，也可以期待如下的效果， 即能够在该空隙内进行收集，并能够防止因异物而导致的布线层间的 短路。这里，布线层可以整个被容纳在连接孔的内部，或者，可以突出 至连接孔的外部，换言之，布线层可以以其至少一部分填充连接孔的 方式而被设置，可以其整体被设置在连接孔的内侧区域内，或者，布线层的上表面高度(level)可以被设置成低于或高于连接孔的开口端 (开放端)高度，无论在哪种情况下，可以被设置成上表面的至少一 部分呈凹状，且包括该凹部的边缘端的侧壁不与连接孔的内壁接触。 此外，优选布线层形成为向着底端扩大的形状，并且位于连接孔的开 口端的布线层的宽度(与开口端面平行的截面的最大宽度)小于连接 孔的开口径宽(连接孔的开口端的最大宽度)。而且，更加优选布线层以覆盖在连接孔的底部露出的被布线体的 露出面的整体的方式而被设置。这样的话，抑制了因杂质混入到布线 层和被布线体的界面内而导致的布线强度的下降和连接电阻的上升。而且，优选本发明涉及的印刷布线板被构成为，具备本发明的布 线构造，并连续地设置有该布线构造，该布线构造包括绝缘层，形 成有连接孔；被布线体，以至少一部分在连接孔的底部露出的方式而 被配置在绝缘层的下部或内部；以及布线层，在连接孔的内部与所述 被布线体连接，在该布线层的上表面的至少一部分上具有凹部，并且， 以包括凹部的边缘部的侧壁不与所述连接孔的内壁接触的方式而被设 置。此外，本发明涉及的布线构造的形成方法是用于有效地形成本发 明的布线构造的方法，包括绝缘层形成工序，在被布线体上形成绝 缘层；连接孔形成工序，在绝缘层上形成至少一个连接孔，使得所述 被布线体的至少一部分露出；以及布线层连接工序，在连接孔的内部 连接被布线体与布线层。其中，布线层连接工序中，以在布线层的上 表面的至少一部分上形成有凹部，并且，包括布线层的凹部的边缘部 的侧壁不与连接孔的内壁接触的方式而形成布线层。本发明的布线构造等包括布线层，该布线层在连接孔的内部与被布线体连接，在上表面的至少一部分上具有凹部，并且以包括凹部的 边缘部的侧壁不与连接孔的内壁接触的方式而被设置，因而，即使在 布线层上施加有热应力，也能够缓和其内部应力，充分地提高被布线 体和布线层的连接性，由此，能够提高具备该布线构造的布线板或器 件的可靠性。


图1 (A)以及(B)分别是具备本发明涉及的布线构造的优选的 一个实施方式的半导体内置基板的一个示例的主要部分的概略的平面 示意图以及截面示意图。的顺序的一个示例的工序示意图。 的顺序的一个示例的工序示意图。图2是制造半导体内置基板 图3是制造半导体内置基板 图4是制造半导体内置基板 图5是制造半导体内置基板 图6是制造半导体内置基板 图7是制造半导体内置基板 图8是制造半导体内置基板 图9是制造半导体内置基板的顺序的一个示例的工序示意图,的顺序的一个示例的工序示意图。 的顺序的一个示例的工序示意图。 的顺序的一个示例的工序示意图。 的顺序的一个示例的工序示意图。 的顺序的一个示例的工序示意图。 图IO是制造半导体内置基板1的顺序的一个示例的工序示意图。 图11是制造半导体内置基板1的顺序的一个示例的工序示意图。 图12 (A) (F)分别是表示本发明的布线构造的其它实施方式 的布线层的截面示意图。图13是形成本发明的布线构造的顺序的其它示例的工序示意图。 图14是半导体装置的概略构造的立体示意图。 图15 (A)以及(B)分别是现有的布线构造的一个示例的平面示 意图以及截面示意图。图16 (A)和(B)分别是概略地显示在布线层的上表面具有凹部 的本发明涉及的布线构造、以及布线层的上表面平坦的布线构造的模 式截面图。图17是显示按照与图2 图ll所示的顺序制造的布线构造的一个 示例的平面照片。图18A是显示图17中所示的布线构造的导通孔电极部23a或导通 孔电极部23b的周围的截面照片。图18B是显示图17中所示的布线构造的导通孔电极部23a或导通 孔电极部23b的周围的截面照片。图18C是显示图17中所示的布线构造的导通孔电极部23a或导通 孔电极部23b的周围的截面照片。图19A是对在布线层的上表面具有凹部的本发明涉及的布线构造 进行应力分析模拟的结果的截面示意图。图19B是对布线层的上表面平坦的布线构造进行应力分析模拟的 结果的截面示意图。符号说明1…半导体内置基板(印刷布线板)，11…内芯基板，12、 17…铜 箔，13…导电图形(被布线体)，14…半导体装置，14a…主面，14b… 背面，14p…凸起(被布线体)，14q…凸起，15…树脂板，16…树脂层、 热硬化性树脂板，17p、 17q…树脂层，18a、 18b…开口图形，19a、 19b、 19p…导通孔(连接孔)，20…基底导电层，21…导电层，22…导电图 形(布线层)，23a、 23b、 23p…导通孔电极部(布线层)，23q…导通 孔电极部，24a、 24b…抗蚀层，130a、 130b…连接孔，131…绝缘层， 132…掩模层，133a、 133b…布线层，150…导通孔，153…布线层，P、 Q…布线构造，ra、 rb…导通孔的上部开口径宽，ma、 mb…掩模层的开 口宽度，rl30a、 rl30b…连接孔的上部开口径宽，r，130a、 r，130b…露 出面的径宽，r…导通孔的上部开口径，tp、 tq…上端部，w…布线层的 宽度，z…绝缘距离。
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式详细地进行说明。并且，在附图中， 对于相同的要素标注相同的符号，省略重复的说明。此外，上下左右 等的位置关系只要没有特别地预先说明，就以图中所示的位置关系为 准。而且，附图的尺寸比例并不限于图示的比例。另外，以下的实施 方式只是用于说明本发明的示例，并不意味着本发明仅限于该实施方式。本发明能够在不脱离其主旨的情况下，进行各种的变形。图1 (A)是具备本发明的布线构造的优选的一个实施方式的半导 体内置基板的一个示例的主要部分的概略的平面示意图，图l (B)是图1 (A)的B-B截面图。半导体内置基板1 (印刷布线板)，在内芯(core)基板11的两 面上形成有导电图形13 (被布线体)，并且，在层叠于内芯基板11 上的树脂层16内配置有半导体装置14。在树脂层16设有导通孔19a、 1% (连接孔)，使得被配置在其下部/上部(内芯基板ll侧)以及内 部的导电图形13和半导体装置14的凸起14p (被布线体)从树脂层 16突出或暴露。而且，在导通孔19a、 19b的内部，凸起14p以及导电 图形13分别与导电图形22的导通孔电极部23a、 23b (同时与布线层) 连接。与前述的图16 (A)所示的布线构造P的导通孔电极部23p相同， 导通孔电极部23a、 23b在其截面中的上表面形成有凹部。如图l (A) 所示，这些凹部被设置在导通孔19a、 19b内的平面区域。此外，导通 孔电极部23a、 23b以包含上述凹部的周边(边缘部)的侧壁不与导通 孔19a、 19b的内部接触的方式而被设置，并且包含图示中的截面为梯 形的部分而成形，换言之，上半部分大致以截面积向着导电图形13以 及凸起Mp而增大的方式形成为底部扩大状，在其两侧，与导通孔19a、 19b的内壁的底部附近接触，且在其上部不接触，从而在导通孔19a、 1%的内壁与导通孔电极部23a、 23b之间形成有空间区域(空隙)。 而且，导通孔电极部23a、 23b的侧壁斜面端以与导通孔19a、 19b的 侧壁接触的方式形成。内芯基板11作为确保半导体内置基板1的整体机械强度的基底材 料而起作用，虽然没有被特别地限定，但是，例如能够使用树脂基板 等。作为树脂基板的材料，优选使用将热硬化性树脂或热可塑性树脂 等浸渗在由玻璃布、凯夫拉尔(kevlar)、芳族聚酰胺、液晶聚合物等 树脂布、氟化树脂的多孔板等构成的芯材之内而形成的材料，其厚度 优选为20pm 20(Him左右。另外，作为被实施激光加工的基板用途， 其目的为加工条件均一化，也可以使用LCP、 PPS、 PES、 PEEK、 PI 等没有芯材的板材料。这里，半导体装置14是裸芯片(bare chip)状态的半导体IC (die) 等的半导体部件。图14是半导体装置14的概略构造的立体示意图。 半导体装置14在其大致呈矩形板状的主面14a上具有多个接地电极 (图中未显示)以及接合于其上的凸起14p。并且，在图示中，仅显示 了在四角的凸起14p，省略了除此之外的凸起的显示。此外，虽然并没有被特别地限定，但是，半导体装置14的背面14b 通常被研磨，于是，半导体装置14的厚度t (从主面14a至背面14b 的距离)比通常的半导体装置薄，例如，优选为200pm以下，进一步 优选为10 100)im左右。另一方面，为了实现使半导体装置14的进一 步薄型化，优选对背面14b进行基于蚀刻、等离子体处理、激光照射、 喷射(blast)研磨、抛光研磨、化学处理等的粗糙化处理等。并且，优选在晶片的状态下对多个半导体装置14一并进行半导体 装置14的背面14b的研磨，然后，通过分割(dicing)，分离为单个 的半导体装置14。在进行研磨使其变薄前，通过分割，分离为单个的 半导体装置14的情况下，也能够在用树脂等覆盖半导体装置14的主 面14a的状态下研磨背面14b。凸起14p的种类并没有被特别地限制，可以列举出钉头凸起(stud bump)、板状凸起(plate b腿p)、电镀凸起(plated b飄p)、球状凸 起(ballbump)等各种凸起。在图示中，以板状凸起为例。在使用钉头凸起作为凸起14p的情况下，能够通过引线接合(wire bonding)形成银(Ag)或铜(Cu)、金(Au)，在使用板形凸起的 情况下，能够通过电镀、溅射或者蒸镀形成。另外，在使用电镀凸起 的情况下，能够通过电镀形成，在使用球状凸起的情况下，能够通过 在接地电极上载置焊球后使其熔融，或将乳酪焊剂(cream solder)印 刷在接地电极上之后使其熔融而形成。此外，也能够使用通过丝网印 刷导电性材料，然后使其硬化而形成的圆锥状、圆柱状等的凸起，或 者通过印刷纳米膏，然后加热使其烧结而形成的凸起。作为可以用于凸起14p的金属种类，并没有被特别地限定，例如， 可以列举出金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn)、 铬(Cr)、镍铬合金、焊料等，其中，优选使用铜。如果使用铜作为 凸起14p的材料，那么，例如与使用金的情况相比，可以获得更高的与接地电极结合的强度，提高半导体装置14的可靠性。另外，能够根据接地电极的间隔(间距)而适当地设定凸起]4p的尺寸形状，例如，在接地电极的间距约为100pm左右的情况下，可 将凸起14p的最大径宽设为10 90^im左右，高度设为2 100iam左右。 此外，在通过晶片的分割，切断分离为单个的半导体装置14之后，能 够利用引线接合器将凸起14p与各个接地电极接合。树脂层16是使导电图形13和半导体装置14与外部电绝缘的绝缘 层，所使用的材料，例如可以列举出乙烯基苄基(vinyl benzyl)树脂、 聚乙烯基苄基醚(polyvinyl benzyl ether)化合物树脂、双马来酰亚胺 三嗪(bismaleimide triazine)树脂(BT树脂)、聚苯醚(聚苯醚氧化 物)树脂(PPE、 PPO)、氰酸酯树脂、环氧+活性酯硬化树脂、聚苯 醚树脂(聚苯醚氧化物树脂)、硬化性聚烯烃树脂、苯并环丁烯 (benzocydobutene)树脂、聚酰亚胺树脂、芳香族聚酯树脂、芳香族 液晶聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚丙烯酸树脂、聚 醚醚酮树脂、氟化树脂、环氧树脂、酚醛树脂或苯并恶嗪(benzoxazine) 树脂的单体，或者是在这些树脂中添加石英、滑石、碳酸钙、碳酸镁、 氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸铝晶须、钛酸钾纤维、氧化铝、玻璃鳞片 (glass flakes)、玻璃纤维、氮化钽、氮化铝等而形成的材料，和在这 些树脂中添加包含镁、硅、钛、锌、钙、锶、锆、锡、钕、钐、铝、 铋、铅、镧、锂以及钽中的至少1种金属的金属氧化物粉末而形成的 材料、以及在这些树脂中混合玻璃纤维、芳香尼龙纤维(aramid fiber) 等树脂纤维而形成的材料，或者使这些树脂浸渗在玻璃布(glass doth)、 芳香尼龙纤维、无纺布等之内而形成的材料，从电特性、机械特性、 吸水性、回流(reflow)耐性等观点出发，能够适当地选择利用。此外， 树脂层16的厚度并无限定，通常为10 10(Vm左右。导通孔19a、 19b是为了将被布线体即导电图形13和半导体装置 14与导电图形22物理连接而设在树脂层16的连接孔，具有使导电图 形13和半导体装置14的凸起14p的至少一部分从树脂层16露出的位 置及深度。即，导电图形13以及凸起14p以其至少一部分露出导通孔 19a、 19b的底部的方式而设置。导通孔19a、 19b的形成方法并无限定，例如，能够使用激光加工、蚀刻加工、喷射加工等已知的方法。在采用激光加工的情况下，由于有沾污(smear)产生，因而优选在连接孔形成后进行除污处理。导通孔19a、 19b的形状，只要是在其内部能够物理地将导电图形 13以及凸起14p和导通孔电极部23a、 23b连接的尺寸形状即可，能够 考虑到其深度和作为目的的安装密度、连接稳定性等因素而适当地决 定，能够列举出开口端的直径为5 200pm左右的圆筒状、最大径为5 200|im左右的方筒状，是不是直筒无关紧要，在图示中，作为一个示 例，显示了倒棱锥状的形状。径宽从相关底部向着开口端部逐渐增大 的这种的导通孔19a、 1%，例如能够通过蚀刻加工或喷射加工等而形 成。另外，导电图形22是电连接被布线体即导电图形13和凸起14p 的布线层。该导电图形22的材料也没有被特别地限制， 一般能够使用 用于布线的金属等的导体，既可以与导电图形13和凸起14p的材料相 同，也可以不同，在形成导电图形22时包含蚀刻工序的情况下，可以 适当地选择使用不蚀刻导电图形13或凸起14p的材料的蚀刻剂(湿法 蚀刻时的蚀刻液、干法蚀刻时的蚀刻粒子等)。此外，导电图形22的厚度也没有被特别地限定，但是，如果过薄， 则连接稳定性下降，因而通常为5 701im左右。并且，如本实施方式 所述，如果导电图形22的厚度比导通孔19a、 19b的深度薄，那么， 在导通孔连接部，导电图形22 (导通孔电极部23a、 23b)被容纳在导 通孔19a、 19b的内部，布线高度降低，能够有利于薄型化，同时，能 够减少布线量，降低布线电阻和寄生电容，提高连接稳定性，因而优 选。接下来，参照附图，说明半导体内置基板1的制造方法的一个示 例。图2 图11是制造半导体内置基板1的顺序的一个示例的工序示 意图。首先，准备一块在内芯基板11的两面贴有铜箔12的两面均附有 铜箔的树脂基板(图2)。这里，铜箔12用于形成导电图形13，如果 使用为了用于印刷布线板而被制造出的电解铜箔(利用电解棒连续地 对在硫酸铜水溶液中溶解的铜离子进行电解，使其成为铜箔)或压延 铜箔，则能够极大地减少其厚度误差。另外，必要时，也可以使用刮模(sweeping)的方法等调整铜箔12的厚度。接着，通过光刻以及蚀刻，有选择地除去设在内芯基板ll的两面 的铜箔12，从而在内芯基板11上形成导电图形13 (图3)。此时，通 过完全地除去位于内芯基板11上的规定区域的铜箔12，确保了半导体 装置14的搭载区域。接下来，在所谓的面朝上(face-up)的状态下，在内芯基板ll上 的规定区域载置半导体装置14 (图4)。此时，优选使用粘合剂等暂 时将半导体装置14固定在内芯基板11上。然后，在载置着半导体装置14的内芯基板11的两面上粘合单面 附有铜箔的树脂板15 (图5)。本制造例中的单面附有铜箔的树脂板 15，通过在由B阶环氧树脂等形成的热硬化性树脂板16的一面上贴附 铜箔17而制成。准备这种单面附有铜箔的树脂板15，将该树脂面分别 粘合在内芯基板11的两面上之后，进行热压使单面附有铜箔的树脂板 15与内芯基板11一体化。由此，半导体装置14成为被内置在印刷布 线板内的状态，热硬化性树脂板16成为树脂层16(绝缘层形成工序)。接着，利用保形(conformal)加工有选择地除去设在树脂层16的 表面的铜箔17，从而形成用于形成导通孔19a、 19b的掩模图形(图6)。 如果采用光刻以及蚀刻来进行保形加工，则能够实现高精度的微细加 工，因而优选。另外，虽然并没有被特别地限定，但是，优选将掩模 图形的开口径宽设定为10 200pm左右，优选根据导通孔19a、 19b 的深度，增大开口径宽。由此，在半导体装置14的凸起14p的正上方 形成开口图形18a，在形成于内芯基板11的表面上的导电图形13的正 上方形成开口图形18b。然后，通过进行将被实施了保形加工的铜箔17作为掩模的喷砂处 理，形成导通孔19a、 19b (图7)。在喷砂处理中，通过投射非金属 粒或者金属粒等的喷射粒子来研磨被加工体，但是通过预先在开口图 形18a、 18b的正下方设置凸起14p和导电图形13等的金属层，可以 分别制作深度不同的导通孔。于是，在导通孔19a的形成中，由于凸 起14p作为阻止层而起作用，因而能够防止半导体装置14因喷射粒子 而受到损伤，另外，在导通孔19b的形成中，由于内层的导电图形13 作为阻挡层而起作用，因而能够抑制导通孔19b被挖得深度过深。这样，导通孔19a、 19b成为非贯通孔，从而形成凸起14p或导电图形13 分别在导通孔19a、 19b的底部露出的构造(连接孔形成工序)。接着，在包括导通孔19a、 19b的内壁面的导通孔19a、 1%内的 露出面的几乎整个表面上形成薄膜即基底导电层20 (图8)。作为基 底导电层20的形成方法，优选使用非电解镀(化学镀)法，也可以使 用溅射法、蒸镀法等。基底导电层20，起着作为在其后进行的电解(电) 镀的基底金属(或者晶种层)的作用，其厚度可以非常薄，例如可以 在数十nm至数pm的范围内适当地进行选择。接下来，通过电解镀法 使导体金属从基底导电层20生长(图9)。由此，在导通孔19a、 19b 的内壁面形成包含基底导电层20的导电层21。这时，通过适当调整电 镀中使用的电镀浴的组成、电流密度、电解时间、搅拌方法以及速度、 和添加剂的种类这些电镀条件，在位于导通孔19a、 19b内的中心部的 导电层21上形成凹陷(洼陷)。其后，通过光刻在导电层21的成为导电图形22的区域上形成抗 蚀层24a、 24b (图10)。这里，为了以不接触导通孔19a、 19b的内 壁的方式形成导电图形22的导通孔电极部23a、 23b，以导通孔19a、 19b内的抗蚀层24a、 24b的宽度小于导通孔的上部开口径宽ra、 rb的 方式形成这些抗蚀层24a、 24b。接着，以抗蚀层24a、 24b作为蚀刻掩模，进行蚀刻，有选择地除 去除布线图形部分以外的导电层21，形成导电图形22 (导通孔电极部 23a、 23b)(图11:布线层连接工序)。此时，由于掩模附近的导电 层21的蚀刻速度(蚀刻速率)比除此以外的部分小，因而，作为所形 成的布线层的导通孔电极部23a、 23b的上部成为底部扩大的形状。然后，通过使用剥离液除去导电图形22上的抗蚀层24a、 24b，得 到如图1所示的构成的半导体内置基板1。这里，图17是显示按照上述图2 图11所示的顺序制造的布线构 造的一个示例的平面照片(相当于图1 (A)所示平面图的照片)，图 18A 18C是显示图17中所示的布线构造的导通孔电极部23a或导通 孔电极部23b部的周围的截面照片(相当于图1 (B)所示的截面图中 的导通孔电极部23a或导通孔电极部23b部的周围的照片)。而且，图 18A 18C为了强调导通孔电极部和与其连接的凸起的轮廓形状，显示了对实际拍摄的图像调节了对比度之后的照片。这些照片所示的导通孔电极部23a、 23b具有其整个上表面凹陷的形状，此外，如果微观地观察，那么可以确认其表面上形成有微小的突起状的凹凸。 根据包括如此构成的本发明涉及的布线构造的半导体内置基板1，在对导通孔电极部23a、 23b实施制造工序和检查工序中的加热冷却处 理时，在导通孔电极部23a、 23b内，由于其膨胀收縮，在内部施加有 热应力，尤其是在导通孔电极部23a、 23b和凸起14p与导电图形13 之间的接触界面区域内，因在两者产生的热膨胀率和热收缩率的不同 而产生了使导通孔电极部23a、 23b相对于凸起14p和导电图13移动 的应力。这时，由于在导通孔电极部23a、 23b的上表面形成有凹部，并且 上部侧壁形成为倾斜面，包括各凹部的周边的上端部不与导通孔19a、 19b的内壁接触，因而，与图16 (A)所示的导通孔电极部23p相同， 在内部产生的热应变能够被缓和，在其凹部被所谓吸收，并且，与图 16 (B)所示的上表面平坦的导通孔电极部23q相比，能够显著地减少 在导通孔电极部23a、 23b和凸起14p以及导电图形13的界面区域起 作用使导通孔电极部23a、 23b从凸起14p和导电图形13移动(剥离) 的应力的程度。此外，由于导通孔电极部23a、 23b包括截面积从上表面凹部的周 边(边缘部)向着凸起14p和导电图形13而增大的部分，并且上部侧 壁形成为倾斜面，因而容易形成截面尖塔状的上端部，与上表面凹部 配合起来，更容易获得施加在导通孔电极部23a、 23b处的应力缓和的 作用。而且，由于导通孔19a、 19b的直径从底壁向着上部开口而逐渐增 大，并且，导通孔电极部23a、 23b包括截面积从与凸起14p以及导电 图形13连接部位(导通孔19a、 1%的底壁，即突凸起14p以及导电 图形13的露出面)向着导通孔19a、 19b的上部开口而增大的部分， 因而，施加在导通孔电极部23a、 23b和凸起14p以及导电图形13的 界面区域的应力能够容易地沿着导通孔电极部23a、 23b的底部侧壁 (即，导通孔19a、 19b的底部内壁)扩散，并更进一步缓和导通孔电 极部23a、 23b的内部应力。这里，图19A以及图19B分别是对于在布线层(相当于导通孔电 极部23a、 23b)的上表面具有凹部的本发明涉及的布线构造，以及布 线层的上表面平坦的布线构造(分别相当于图16 (A)以及(B)所示 的构造。但是，包括凹部的边缘部的侧壁均不与导通孔接触。)的一个 示例，进行应力分析模拟的结果的截面示意图，以灰度色标的等高线 (实际的输出结果用彩色表示)形象地显示了在将该布线构造从25°C 加热至IO(TC时所产生的最大主应力。在两幅图中，四边形方框包围显示的数值表示布线层和被布线体 的界面区域的布线层侧(图中以黑色圆圈突出地显示的部位)的应力 的计算值，其绝对值越大，其内部应力的值也就越大。从这些结果可 以确认，如图19A所示的包括在上表面具有凹部的布线层的布线构造 中，与在上表面没有凹部的如图19B所示的布线构造相比，充分地减 少了作用于布线层和被布线体之间的接触界面区域的内部应力。而且， 对于形状与图16 (B)所示的在与导通孔的内壁之间没有形成空隙的 导通孔电极部23q相同的配线层，进行与图19A和图19B中的内容相 同的应力分析模拟后发现，其内部应力的值有比图19B所示的布线层 的情况大的倾向。因此，半导体内置基板l中，能够减小在导电图形13和导通孔电 极部23a之间、以及凸起14和导通孔电极部23b之间的接触界面区域 起作用使导通孔电极部23a、 23b分别相对于导电图形13和凸起14p 移动的应力，由此能够提高两者的连接性，同时，能够随时间流逝而 保持其充分的连接状态。而且，由于在导通孔电极部23a、 23b的上表面的至少一部分上形 成有凹部，因而与其上表面平坦的情况相比，表面积增大。因此，当 导通孔电极部23a、 23b的上部层叠有树脂等(阻焊层等)的上部构造 时，其上部构造和导通孔电极部23a、 23b的接触面积增大，能够提高 两者的连接性。而且，由于在导通孔电极部23a、 23b的上部的至少一 部分具有凹部，因而形成了这些凹部的边缘部突入到其上层的树脂等 的上部构造内的构造，由于所谓的锚固效应(anchor effect),可以进一 步提高两者的连接性(树脂等的固定力)。在导通孔19a、 19b的内部，由于导通孔电极部23a、 23b分别为包含其截面积向着导电图形13以及凸起14p而逐渐增大的部分的形状，并且，形成导通孔19a、 19b的内壁与导通孔电极部23a、 23b不 接触的空间区域，因而，邻接的导通孔19a、 19b以及导通孔19a、 19b 之间的绝缘因它们之间的距离而得到确保。所以，不仅能够可靠地维 持邻接的导通孔19a、 19b以及导通孔19a、 19b之间的绝缘，还能够 可靠地连接导电图形13以及凸起14p和导通孔电极部23a、23b。由此， 能够实现基于导通孔19a、 19b的间距狭小化的半导体内置基板1的高 密度安装。另外，通过将导通孔电极部23a、 23b形成为底部扩大的形状，从 而能够在导电图形13以及凸起14p与导通孔电极部23a、 23b的连接 部位(导通孔19a、 19b的底部的导电图形13以及凸起14p的露出面) 确保较大的连接面积，因而在导通孔电极部23a、 23b的图形转移中， 即使导通孔电极部23a、 23b与导电图形13以及凸起14p发生位置偏 移，也能够充分地确保两者的连接。所以，能够保证导通孔电极部23a、 23b与导电图形13以及凸起14p的足够的连接强度，由此，能够抑制 断线或连接电阻的上升，能够提高产品的可靠性以及生产性。而且，由于导通孔电极部23a、 23b以包括其截面积向着导电图形 13以及凸起14p而增大的部分的方式而形成，并且，形成导通孔19a、 19b的内部与导通孔电极部23a、 23b不接触的空间区域(空隙)，因 而，该空隙部分的布线层体积縮小，从而能够实现整个布线构造的薄 型化。另外，由于照这样布线量减少，因而能够降低布线电阻以及寄 生电容。此外，由于在导通孔电极部23a、 23b的内壁与导电图形13以及 凸起14p之间形成有空隙，因而能够使导通孔电极部23a、 23b的宽度 为导通孔19a、 19b的尺寸以下的值，由此，不仅能够以窄公差的方式 管理导通孔19a、 19b的宽度，同时，能够更加减少布线量，进一步降 低整个布线构造的布线电阻以及寄生电容。另外，在制造布线构造时， 由于至少在导通孔19a、 19b内的开口端部附近产生空隙，因而，即使 万一导电性异物等混入到导通孔电极部23a、 23b的附近，也能够在该 空隙内将其捕获，从而也能够防止因异物而导致的导通孔电极部23a、 23b之间的短路。另外，由于在导通孔电极部23a、 23b的内壁与导电图形13以及 凸起14p之间形成有空隙，因而，通过积层(build-up)工艺等在绝缘 层16上层叠的其它层叠材料或阻焊层等与绝缘层16之间的密合性因 锚固效应而得到提高。而且，由于导通孔电极部23a、 23b在上表面具 有凹部，因而其凹部(洼陷)的边缘部(上端部)被配置成突入到能 够在其上层形成的树脂等的上部结构内，这也通过锚固效应，进一步 提高两者的连接性(树脂等的固定力)。这里，形成相关形状的导通孔电极部23a的其它示例如图12 (A) (F)所示。图12 (A) (E)是导通孔电极部23a在上表面具有凹 部，并且在其宽度方向的截面两侧不与连接孔的内壁接触，从而形成 空隙的状态的截面示意图，图12(F)是导通孔23a在上表面具有凹部， 并且，仅在其宽度方向的截面一侧不与连接孔的内壁接触，从而形成 空隙的状态的截面示意图。另外，由于导通孔电极部23a、 23b以覆盖导通孔19a、 19b底部 的导电图形13以及凸起14p的露出面的几乎整个表面的方式而设置， 因而能够有效地防止在形成导通孔电极部23a、 23b时所使用的蚀刻液 或其它的杂质侵入到导通孔电极部23a、 23b与导电图形13以及凸起 14p的连接界面，并能够充分地确保布线强度，所以，能够提高导通孔 连接部的电连接的可靠性，并能够降低连接电阻。另外，在图12 (B)所示的状态中，由于导通孔19a、 19b的内壁 的底部附近在其整个周边与导通孔电极部23a、 23b接触，因而更加可 靠地覆盖导电图形13以及凸起14p的整个露出面。此外，不仅是导电 图形13以及凸起14p，导通孔19a、 19b的侧壁也被导通孔电极部23a、 23b覆盖，因而在发生来自上方的水分等的侵入时，能够防止导体的腐 蚀。关于这一点，目前认为，如果连接孔的开口端部未被布线层完全 覆盖，那么，电连接的可靠性下降，连接部的电阻增大。为了防止这 些情况，有一种倾向是釆用使布线层宽度比连接孔的口径大的图形设 计，从而即使在形成布线层时发生与连接孔的位置偏移，也能够完全 覆盖连接孔的开口端部。但是，根据发明者们的发现可知，对导通孔连接部中的电连接的可靠性或电阻产生影响的并不是连接孔的开口端部的覆盖率，而是连 接孔的底壁的被布线体的露出面的覆盖率。为了用布线层覆盖被布线体的整个露出面，例如，在如上述的制 造例所示采用减成法形成布线层的情况下，只要在通过蚀刻有选择地 除去布线图形部分以外的导电层21时(图ll)，调整蚀刻处理条件，并在导电层21的除去到达导电图形13以及凸起14p之前停止蚀刻即可。另外，为了使被布线体的整个露出面被布线层覆盖，即使在布线 层的形成位置产生偏移，也只要考虑到假定的位置偏移，适当地设定 蚀刻量等蚀刻处理条件即可。此外，在通过如后述的图13所示的加成法形成布线的情况下，在 布线图形以外的部分形成掩模层132时(图13 (B))，只要使掩模 层132的开口宽度ma、 mb大于被布线体的露出面的径宽r，13。a， r，130b (导通孔的底壁的径宽)即可。而且，为了使被布线体的整个露出面 被布线层覆盖，即使在布线层的形成位置产生偏移，也只须设定掩模 层132的开口宽度ma、 mb大于被布线体的露出面的径宽 r，130a， r，130b即可，以留有余地，包括假定的位置偏移部分。接着，作为形成本发明涉及的布线构造的其它示例，参照附图， 对使用加成法(在布线图形部分有选择地形成布线层的方法)的布线层的形成方法的一个示例进行说明。图13 (A) (D)是形成本发明 的布线构造的顺序的其它示例的工序示意图。首先，准备具有绝缘层131的多层印刷布线板，该绝缘层形成有 连接孔130a、 130b，使被布线体即内部布线层的上表面的一部分露出 (图13 (A))。接着，在布线图形以外的部分形成由光刻胶构成的掩模层132 (图 13 (B))。此时，为了使布线层的两个侧面不接触连接孔的上部内壁， 使掩模层132的开口宽度ma、 mb小于连接孔130a、 130b的上部开口 径宽r，a、 r13。b。然后，进行非电解镀，形成在上表面具有凹部的布线 层133a、 133b (图13 (C))之后，通过使用剥离液除去布线图形上 的掩模层132，形成布线层133a、 133b，该布线层133a、 133b以在连 接孔的两个内壁之间形成有包括连接孔的开口端的空隙的方式而被设 置(图13 (D):布线层连接工序)。在具有如此得到的布线构造的半导体内置基板中，能够获得与图1 所示的半导体内置基板1所起的作用相同的作用效果。另外，如上所述，本发明并不限于上述实施方式，能够在不改变 其要旨的范围之内进行各种变形。例如，本发明的布线构造可以为，导通孔电极部23a、 23b的整个上表面不形成为凹状，只要在上表面的一部分形成有凹部即可，凹部截面也可以左右不对称。而且，导通孔电极部23a、 23b上表面的凹部的形状不限于截面研钵状，也可以是矩 形或倒梯形等。而且，如图18A 18C所示，可以在导通孔电极部23a、 23b的上表面形成微小的突起状凹凸，在该情况下，由于微小突起的锚 固效应，进一步提高了与上层的粘结性，因而优选。此外，导通孔电 极部23a、 23b可以比导通孔19a、 1%的开口高度更加向外突出。此外，不限于布线层为最上层的单层的构造，也可以适用于通过 在多层印刷布线板的制造中采用的公知的积层工艺而获得的多层构 造。在该情况下，在图1的导通孔19a、 19b和导通孔电极部23a、 23b 之间形成的空隙，可以被在其上部形成的绝缘层填充。此外，被布线 体不限于导电图形13和半导体装置的凸起14p，例如，电阻器、电容器等的电子部件的电极等以布线层施行布线的对象均被包括在本发明 的被布线体之内。而且，在本发明的布线构造中，布线层连接的被布线体与其它的 部件等的位置关系并不限于位于同一树脂层16内的其它平面上的情 况，不仅可以位于同一层内的同一平面或者其它平面上，还可以位于 其它层内，无论哪一种方式均可。另外，布线层即导电图形22可以仅在布线层的宽度方向的单侧不 与导通孔19a、 19b的内壁接触，g卩，可以仅在其单侧形成有空隙，从 确保绝缘的观点出发，优选在布线层的宽度方向的两侧不与连接孔的 内壁接触。此外，导通孔电极部23a、 23b的截面形状并不限于如图所示的六 角形，作为整体，也可以是截面积向着被布线体而增大的底部扩大状， 也可以在导通孔19a、 19b的内壁与导通孔电极部23a、 23b的侧壁之 间不形成包括导通孔19a、 19b的开口端的间隙。此外，导通孔电极部 23a、 23b的上表面，作为整体可以不与基板面平行，例如可以倾斜。页而且，导通孔电极部23a、 23b的侧壁上部的倾斜面可以不在整个凹部的周边上形成，可以针对凹部的周边的至少一部分而设置。上述的制造例中，在布线层的形成工序中，调节抗蚀层24a、 24b 的宽度，以在连接孔即导通孔19a、 19b的内壁上部形成有空隙的方式 形成布线层，但是， 一旦形成布线层之后，也能够通过激光照射对布 线层与连接孔的内壁的接触部分实施基于修整(trimming)等的后续工 序的处理，从简化工序的观点出发，优选不另外设置后续工序，直接 形成不与连接孔内壁的至少一部分接触的布线层。另外，上述的制造 例中，作为形成布线层的方法，说明了使用减成法以及加成法的方法， 但是也可以使用半加成法等。而且，在形成导通孔电极部23a、 23b时， 通过电解镀或无电解镀等暂时形成上表面平坦的膜之后，可以在上表 面的一部分上施行蚀刻等，形成凹部。工业实用性如上所述，根据本发明涉及的布线结构及其形成方法和印刷布线 板，可以充分的提高被布线体和与其连接的布线层的连接性，由此， 提高包括其布线构造的布线板或器件的可靠性，因而能够广泛且有效 地被应用于内置半导体装置等的有源器件及/或电阻、电容等的无源器 件的仪器、装置、系统、各种器件等，尤其是要求小型化以及高性能 化的设备。
权利要求
1.一种布线构造，其特征在于，包括绝缘层，形成有连接孔；被布线体，以至少一部分在所述连接孔的底部露出的方式而配置；以及布线层，在所述连接孔的内部与所述被布线体连接，在该布线层的上表面的至少一部分上具有凹部，并且，以包括该凹部的边缘部的侧壁不与所述连接孔的内壁接触的方式而被设置。
2. 根据权利要求1所述的布线构造，其特征在于，所述布线层， 包括截面积从所述凹部的边缘部向着所述被布线体而增大的部分。
3. 根据权利要求1或2所述的布线构造，其特征在于，所述布线 层，包括截面积从与所述被布线体连接的部位向着所述连接孔的开口 而增大的部分。
4. 根据权利要求1至3中的任意一项所述的布线构造，其特征在 于，所述布线层，以形成所述连接孔的内壁的至少一部分与该布线层 不接触的空间区域的方式而被设置。
5. 根据权利要求1至4中的任意一项所述的布线构造，其特征在 于，所述布线层的上端部的宽度小于所述连接孔的开口径宽。
6. 根据权利要求1至5中的任意一项所述的布线构造，其特征在 于，所述布线层，以覆盖在所述连接孔的底部露出的所述被布线体的 露出面的全体的方式而被设置。
7. —种印刷布线板，其特征在于，连续地设置有布线构造，所述 布线构造包括绝缘层，形成有连接孔；被布线体，以至少一部分在 所述连接孔的底部露出的方式而被配置在所述绝缘层的下部或内部； 以及布线层，在所述连接孔的内部与所述被布线体连接，在该布线层的上表面的至少一部分上具有凹部，并且，以包括该凹部的边缘部的 侧壁不与所述连接孔的内壁接触的方式而被设置。
8. —种布线构造的形成方法，其特征在于，包括 绝缘层形成工序，在被布线体上形成绝缘层；连接孔形成工序，在所述绝缘层上形成至少一个连接孔，使得所述被布线体的至少一部分露出；以及布线层连接工序，在所述连接孔的内部连接所述被布线体与布线 层，其中，所述布线层连接工序中，以在所述布线层的上表面的至少一部分 上形成有凹部，并且，包括该布线层的该凹部的边缘部的侧壁不与所 述连接孔的内壁接触的方式而形成该布线层。
全文摘要
本发明提供了一种能够充分提高被布线体和与其连接的布线图形(层)的连接性的布线构造。半导体内置基板(1)在内芯基板(11)的两面上形成有导电图形(13)，并且，在层叠于内芯基板(11)上的树脂层(16)内配置有半导体装置(14)。在树脂层(16)上设有导电图形(13)和半导体装置(14)的凸起(14p)，在其上部形成有导通孔(19a、19b)。此外，在导通孔(19a、19b)的内部，导通孔电极部(23a、23b)连接于导电图形(13)和半导体装置(14)的凸起(14p)。导通孔电极部(23a、23b)在上表面具有凹部，并以包括其凹部的边缘部的侧壁不与导通孔(19a、19b)的内部接触的方式而被设置。
文档编号H05K1/11GK101257004SQ20081008283
公开日2008年9月3日 申请日期2008年2月28日 优先权日2007年2月28日
发明者川畑贤一, 长瀬健司 申请人:Tdk株式会社