用于有机电致发光发光部的驱动方法

专利名称：用于有机电致发光发光部的驱动方法
技术领域：
本发明涉及一种用于有才几电致发光发光部的驱动方法。
技术背景在有4几电致发光装置(下文简称为有冲几EL元件)用作发光元 件的有机电致发光显示装置(下文简称为有机EL显示装置)中， 有机EL元件的亮度4皮流过有机EL元件的电流值所控制。因而， 类似于液晶显示装置，在有机EL显示装置中，单纯矩阵方法和有 源矩阵方法是广为所知的驱动方法。尽管与单纯矩阵方法相比，有 源矩阵方法具有结构复杂的缺点，但是有源矩阵方法具有多种优点 可以〗吏图4象的亮度增加。作为用于驱动组成有才几EL元件的有才几电致发光发光部(下文 中简称为发光部)的电路，例如，由五个晶体管和一个电容器构成 的驱动电^各(下文中称为5Tr/lC驱动电^各)-故广为所知并在第 2006-215213号日本专利^^开中有所4皮露。参考附图2，示出了所述 的现有5Tr/lC马区动电路。5Tr/lC驱动电路包括图像信号写晶体管TSie、驱动晶体管Torv、发光控制晶体管TELC、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管tnd2这五个晶体管、以及一个 电容器部d。这里，驱动晶体管T^的另一个源极/漏极区构成第二节点ND2,而驱动晶体管Torv的栅电极构成第一节点NDlQ应注意，下文中爿寻详细描述晶体管和电容器部。例如，晶体管由n沟道型薄膜晶体管(TFT)单独组成，以及 发光部ELP设置在用于覆盖驱动电路的层间绝缘层等上。发光部 ELP的阴极电极连接至驱动晶体管T^的另一个源极/漏极区。另一 方面，例如，向发光部ELP的阳极电极施加0伏特的电压Vcat。参 考符号Ca表示发光部ELP的寄生电容。图4图解示出了驱动的时序图，并且在图6A~图6D和图7A~ 图7E示出了构成图2所示的驱动电路的晶体管的导通/截止状态等。 参考附图4 ，在[周期-TP(5;h]中执行用于执行阀值电压消除处理的预 处理。具体地，如图6B所示，如果第一节点初始化晶体管Tnd!和第二节点初始化晶体管丁nd2被置为导通状态，那么第一节点ND,的电位变为例如O伏特的V。fs。另一方面，第二节点ND2的电位变 为例如-10伏特的Vss。从而，驱动晶体管TDw的栅电极和驱动晶体 管TDrv的另一个源极/漏极区之间的电位差变得比驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth高，并且驱动晶体管TDrv被置为导通状态。然后，如图4所示，在[周期-TP(5)2]和[周期-TP(5)3]的周期中执 行阀值电压消除处理。具体地，如图6D所示，当第一节点初始化 晶体管tnd,维持导通状态时，发光控制晶体管T—c被置为导通状态。因此，第二节点ND2的电位向驱动晶体管Torv的阀值电压Vth与第一节点ND!的电位的差值电位变化。换句话说，浮接状态 (floatingstate)的第二节点ND2的电位升高。然后，当驱动晶体管 TDrv的栅电极和另一个源极/漏极区之间的电位差达到阀值电压Vth 时，驱动晶体管Torv进入截止状态。在该状态下，第二节点ND2的电^f立约为V0fs-Vth。此后，在[周期-TP(5)3]中，当第一节点初始化晶体管TND!维持导通状态时，发光控制晶体管TEL—c被置为截止状态。然后，在[周期-TP(5)4]中，第一节点初始4匕晶体管Tnd^皮置 为截止;j犬态。接下来，如图4所示，在[周期-TP(5)s]中执行用于驱动晶体管 Torv的写处理。具体地，如图7C所示，当第一节点初始化晶体管TND1、第二节点初始化晶体管TND2和发光控制晶体管TE^c维持截止状态时，数据线DTL的电位被设为对应于图像信号的电压，即 用于控制发光部ELP的亮度的图像信号(驱动信号或亮度信号)电 压Vsig,然后，扫描线SCL被置为高电平状态，从而图像信号写晶 体管Tsig被置为导通状态。因此，第一节点ND!的电位增大至图像 信号电压VSig。基于第一节点ND,的电位的变化量而得到的电荷被 分布在电容器部C卜发光部ELP的寄生电容CEL、以及栅电极和驱 动晶体管TDrv的源极区之间的寄生电容上。因此，如果第一节点 ND!的电位变化，那么第二节点ND2的电位也变化。然而，第二节 点ND2的电位的变化随发光部ELP的寄生电容CEL的电容值的增加 而减小。通常，发光部ELP的寄生电容CEL的电容值比电容器部 d的电容值和驱动晶体管Torv的寄生电容值高。因此，如果第二节点ND2的电位几乎不变化，那么驱动晶体管T。rv的栅电极和另一个源极/漏极区之间的电位差Vgs由以下表达式(A)得出Vgs - VSig - (V0fs - Vth) …(A)接下来，例如，如图4所示，在[周期-TP(5)6]中执行基于诸如驱动晶体管T^的迁移率H的量级特性来提高驱动晶体管Torv的另一个源极/漏极区中或在第二节点ND2处的电位的迁移率校正处理。 具体地，如图7D所示，当驱动晶体管T^维持导通状态时，发光 控制晶体管TEL c被置为导通状态，然后，在经过预定时间周期t0后，图像信号写晶体管Tsig被置为截止状态。因此，在驱动晶体管 Torv的迁移率(i的值高的情况下，增加量AV或驱动晶体管T^的另 一个源极/漏极区中的电位的电位校正值变高，但是，在驱动晶体管 T^的迁移率p的值低的情况下，增加量AV或驱动晶体管Torv的另 一个源极/漏极区中的电位的电位校正值变低。这里，驱动晶体管 TDrv的栅电极和另 一个源极/漏极区间的电位差Vgs从表达式(A ) 寿争变为下述的另一表达式(B)。应注意注意，可以4是前确定子贞定时 间周期，即[周期-TP(5)6]中用于执行迁移率才交正处理的整个时间周 期t()，作为与有机EL显示装置的设计一致的设计值。<formula>formula see original document page 10</formula>通过上述才喿作，完成了阀值电压消除处理、写处理和迁移率才交 正处理。此后，在[周期-TP(5)7]中，图像信号写晶体管T化被置为 截止状态，而第一节点ND"即驱动晶体管Torv的栅电极，如图7E所示被置为浮接状态。另一方面，发光控制晶体管TEL一c维持导通状态，而发光控制晶体管TEL—c的一个源才及/漏极区处于连4妄至例如 20伏特的电压Vec的电流供给部的连4妄状态，用于控制发光部ELP的发光。因此，第二节点的电位ND2增加，并且当驱动晶体管Torv的栅电极和第一节点ND,的电位增加时，出现了类似于自举电路 (bootstrap circuit)中的现象。因此，驱动晶体管TDrv的栅电极和 另一个源极/漏极区之间的电位差Vgs维持从表达式(B)得到的值 相等的数值。另夕卜，由于流过发光部ELP的电流为从驱动晶体管 TDrv的漏才及区流向源才及区的漏4及电流Ids,所以该电流可以用表达式(C)来表示。发光部根据与漏极电流Ids的值对应的亮度发光。 <formula>formula see original document page 10</formula>下文中，将详细描述以上概述的5Tr/lC驱动电路的驱动等。 顺便，参考附图3，有机EL显示装置包括
(1 )扫描电3各101;
(2)图像信号输出电路102;
(3 )以二维矩阵i殳置的共N x M个有才几EL元件10,在二维 矩阵中，N个有机EL元件10以第一方向排列，而M个有机EL元 件10以第二方向4非列，更具体i也为垂直于第一方向的方向，并且 每个元件包括有才几电致发光发光部ELP和用于驱动有才几电致发光 发光部ELP的驱动电路；
(4) M条扫描线SCL，连4妄至扫描电if各101并沿第一方向延
伸；
(5 ) N条数据线DTL，连接至图像信号输出电路102并沿第 二方向延伸；以及
(6)电流供纟会部100。
应注意，图3中为描述方便而示出了 3 x3个有机EL元件10,
-f旦它们4又为实例。
每个有才几EL元件10包括上文所述的5Tr/lC驱动电路和发光 部ELP。通过向连接至发光控制晶体管控制电路103的发光控制晶
体管控制线CLELC施加电压来限定发光控制晶体管Telc的操作。
在上述的阀值电压消除处理中，为了将发光控制晶体管TEL—c置为 导通状态，在[周期-TP(5)2]中，发光控制晶体管控制电路103操作 以向发光控制晶体管控制线CLEL c施加例如30伏特的预定电压。另夕卜，在[周期-TP(5)3]中，为了将发光控制晶体管TE^置为截止状 态，向发光控制晶体管控制线CLE^c施加另一个例如-10伏特的预 定电压。此外，在[周期-TP(5)6]中和之后，为了将发光控制晶体管 TELc置为导通状态，向发光控制晶体管控制线CL仏—c施力。30伏特 的预定电压。从而，参考附图20如下所述，发光控制晶体管控制 电路103的信号的波形AF。主要为具有-10伏特和30伏特两个值的 矩形波形。发明内容通常，沿配线线路传播的信号波形是变形的，并且由于收到分 布电容等的影响，在信号的上升和下降沿处会变得緩和。变形程度 随着待传输的信号的路径长度的增加而增大。例如，如果注意发光 控制晶体管控制电路103,那么最接近发光控制晶体管控制电路103 的有机EL元件10和被置为最远离发光控制晶体管控制电路103的 另 一个有机EL元件10是互不相同的。最接近发光控制晶体管控制 电路103的有机EL元件10,即，排列在左端的有机EL元件10。 被置为最远离发光控制晶体管控制电路103的另一个有机EL元件 10,即，图3所示配置在有才几EL显示装置中的右端的有才几EL元 件IO。具体地，它们的不同在于信号传输沿的路径长度不同，或换 句话说，从每个有机EL元件10到发光控制晶体管控制电路103的 发光控制晶体管控制线CLElj—c部分的长度。图19图解示出了在第 一行有机EL元件10、发光控制晶体管控制电路103和发光控制晶 体管控制线CLEL—c之间的关系。在图19的实例中，有机EL元件l(h的路径长度最小，而有机 EL元件10N的路径长度最大。因此，发光控制晶体管控制电路103 的信号的波形AFo以相对大的变形状态向排列在右端的有机EL元 件10N传输。图19中图解示出了上述[周期-TP(5)2]-[周期-TP(5)7] 的周期中沿有机EL显示装置的发光控制晶体管控制线CLEL c传播的信号的波形AFQ、 AF,和AFN。发光控制晶体管控制电i 各103的 信号的波形AFo为具有两个值的矩形波形，这两个值包括用于将发 光控制晶体管TEL—c置为导通状态的诸如30伏特的电压、和用于将 发光控制晶体管T^一c置为截止状态的诸如-10伏特的电压。将波形 AFo施加于发光控制晶体管TEL—c的栅电极。如图19所示，从初始 波形AF。几乎没有衰减的波形AF^皮传输至有才几EL元件l(h，并且 还被施加给有机EL元件l(h的发光控制晶体管TELC的4册电极。另 一方面，基本上为梯形变形的波形AFN被传输至有机EL元件10N， 并且还被施加给有机EL元件ION的发光控制晶体管Tu的栅电 极。图20示出了图19所示的波形AF0、 AFi和AFN、和在图4的 上部所示波形的比4交时序图。
此处，研究了在发光控制晶体管TEL—c和驱动晶体管Torv之间， 更具体地，在执行上述阀值电压消除处理的[周期-TP(5)2]中、之前 和之后，将上述波形AF,施加给发光控制晶体管tel一c的栅电极， 而将波形AFN施加给发光控制晶体管TEL—c的栅电极时，在下文所 述的源极/漏极区A,和A2之间的节点发生的电位变化的差异。图 21A和图21B示出了在上述[周期-TP(5)2] [周期-TP(5)3]的周期中 的驱动电路的操作。发光控制晶体管te^c的栅电极和源极/漏极区 A,之间的寄生电容用Ca,来表示，驱动晶体管TDrv的栅电极和源极
/漏极区八2之间的寄生电容用Ca2来表示。
如上所述，在[周期-TP(5)2]的初始时间点，驱动晶体管T^处 于导通状态。然后，由于发光控制晶体管T^一c被置为导通状态， 处于浮接状态的第二节点ND2的电位升高。因此，当驱动晶体管 TDrv的栅电极和另一个源极/漏极区之间的电位差达到阀值电压Vth 时，驱动晶体管Tor^皮置为截止状态。爿t人而，如图21A左侧所示， 驱动晶体管Tj^在波形AF,和波形AFN的上升和下降沿处于截止状 态。因此，在波形AFi和波形AFn的下降沿，如果发光控制晶体管丁EL一C处于导通状态，那么源极/漏极区A,和A2不处于浮接状态，
这是因为对其施加了电压Vec,但是如果发光控制晶体管TEL—c被置 为截止状态，那么源极/漏极区A,和A2被置为浮接状态。当发光控
制晶体管TELc和驱动晶体管Torv之间的节点，即位于源极/漏极区
A,和A2的节点处于浮接状态时，如果发光控制晶体管TElj_c的栅电
极的电位改变，那么源极/漏极区A!和A2中的电位也由于寄生电容
CA1等的静电耦合而改变。
这里，波形AFw相对于波形AF!在下降沿呈现出纟爰和的状态。 在图20的下部和图21中出现的ATi表示发光控制晶体管Telc在
的时间周期。如果波形AFi具有理想的矩形波形，那么时间ATi为 0。类似地，在图20的下部和图21中出现的ATn表示发光控制晶 体管Telc在波形AFN的下降沿处在导通状态和截止状态之间变化 的时间点之前的时间周期。如图20和图21显而易见AT卜ATn。如
上所述，如果发光控制晶体管TEL一c处于导通状态，那么向源才及/漏
极区A!和A2施加电压Vcc。因此，在波形AFn的下降沿，在比AT。 -AT!更长的时间周期内，向源才及/漏才及区A,和A2施力口电压Vcc。 换句话说，在波形AFn的下降沿，相对于波形AF!的下降沿，源极
/漏极区A,和A2的电位更确切地维持在电压Vce侧上。从而，如图
21B所示，在波形AF,和波形AFn的下降沿，通过静电耦合带来的 源才及/漏极区A,和A2的电位改变随波形AF!而出现得更为突出。更 具体地，如果将施力口波形AFj的驱动电路和施加波形AFN的驱动电 路相互进行比较，那么在前者的驱动电路中，发光控制晶体管TEL_C
和驱动晶体管Torv之间的节点的电位更向负数侧大量变化。
发光控制晶体管TEL—c和驱动晶体管T^之间的节点的电位变
化由静电耦合通过寄生电容CA2等被最终传播至第二节点ND2。从 而，在施力。波形AFj的驱动电i 各和施加波形AFN的驱动电i 各之间的第二节点ND2的电位出现了差异。由此，漏极电流值在[周期-TP(5》] 中变化。4灸句话i兑，配置在左端的有4几EL元件l(h和配置在右端 的有机EL元件ION之间的发光部ELP的亮度出现差异。另外，尽 管其它有机EL元件10也有类似的现象发生，〗旦是现象发生的程度 却随着信号波形的变形程度而改变。如上所述，信号波形的变形程 度随着从每个有机EL元件10到发光控制晶体管控制电路103的发
光控制晶体管控制线CLELC部分的长度而变化。总之，在图10所
示的实例中，出现有才几EL显示装置的亮度乂人屏幕图l象的左端到右 端逐渐变化的现象。这个现象使显示屏图像亮度的均匀性劣化。
因此，需要提供一种用于有机电致发光发光部的驱动方法，其 可以抑制由信号波形的变形引起的显示屏图像亮度的均匀性的劣 化，其中，该波形沿发光控制晶体管控制线传播。
根据本实施例，提供了用于有机EL显示装置的有机电致发光 发光部的驱动方法，该有机EL显示装置包括
(1 )扫描电^各;
(2)图像信号输出电路;
(3)以二维矩阵设置的共NxM个有机电致发光元件，其中， N个有才几EL元件沿第一方向排列，而M个有才几EL元件沿不同于 第一方向的第二方向排列，并且每个有才几电致发光元件都包括有才几
(4 ) M条连接至扫描电路并沿第一方向延伸的扫描线;
(5) N条连接至图像信号输出电路并沿第二方向延伸的数据 线；以及(6)电流供给部； 马区动电3各包;fe:
(A) 马区动晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极；
(B) 图像信号写晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区以及 栅电极；
(C) 发光控制晶体管，其包括源极/漏才及区、沟道形成区以及 才册电一及；以及
(D) 电容器部，具有一对电^f及；
驱动晶体管;f皮配置为
(A - 1 )第一个源极/漏极区连接至发光控制晶体管的第二个 源才及/漏4及区；则
(A - 2 )第二个源极/漏极区连4妄至置于有机电致发光发光部 的阴极电极，并且连接至电容器部的第一个电极，从而形成了第二 节点；并且
(A-3 )栅电极连接至图像信号写晶体管的第二个源极/漏极 区，并且连接至电容器部的第二个电极，从而形成了第一节点；
图像信号写晶体管被配置为
(B-1 )第一个源极/漏极区连接至数据线；并且
(B - 2 ) 4册电才及连4妾至扫描线；发光控制晶体管被配置为 (C - 1 )第一个源极/漏极区连接至电流供给部；并且 (C-2)栅电极连接至发光控制晶体管控制线；驱动方法包4舌以下步-骤(a) 执行向第一节点施加第一节点初始化电压以及向第二节 点施加第二节点初始化电压的预处理，以4吏第一和第二节点之间的 电位差超过驱动晶体管的阀值电压，并且第二节点和有机电致发光 发光部的阳极电极之间的电位差不超过有机电致发光发光部的阀 值电压；(b) 执行阀值电压消除处理，用于在维持第一节点的电位的 同时，使第二节点的电位向驱动晶体管的阀值电压从第 一节点的电 位的差值电位改变；(c) 执行写处理，根据来自扫描线的信号而被置为导通状态 的图像信号写晶体管将来自数据线的图像信号施加至第一节点；(d) 根据来自扫描线的信号，将图像信号写晶体管置为截止， 从而将第一节点置为浮4妄状态，并且通过发光控制晶体管和驱动晶 体管，从电流供给部向有才几电致发光发光部才是供与第 一节点和第二 节点之间的电位差的值对应的电流，以驱动有机电致发光发光部；步骤(b)包括以下步骤(b - 1 )通过发光控制晶体管控制部向发光控制晶体管的栅电 极施加用于将发光控制晶体管置为导通状态的第一电压，从而通过 处于导通状态的发光控制晶体管，将驱动晶体管的一个源极/漏极区连接至电流供给部，从而将驱动晶体管的 一个源极/漏极区的电位设
为比步骤(a)的第二节点的电位更高的电位；并且
(b - 2 )通过发光控制晶体管控制线向发光控制晶体管的栅电 极施加用于将发光控制晶体管设为截止状态的第二电压；
步骤(d)还包括通过发光控制晶体管控制线向发光控制晶 体管的栅电极施加用于将发光控制晶体管置为导通状态的第三电 压，并且通过处于导通状态的发光控制晶体管，将驱动晶体管的一 个源极/漏极区连接至电流供给部，从而向有机电致发光发光部提供 与第 一 节点和第二节点之间的电位差的值对应的电流；
第 一、第二和第三电压满足IV!—on - V2_OFF|<|V3_ON _ V2—OFF| ，其
中，VUon为第一电压，V2OTF为第二电压以及V3—on为第三电压。
优选地，驱动方法被配置为驱动电路还包括
(E)第二节点初始化晶体管，包括源才及/漏极区、沟道形成区、 和栅电极；以及在第二节点初始化晶体管中
(E - 1 )第一个源极/漏极区连接至第二节点初始化电压供给
线；
(E_2)第二个源极/漏极区连接至第二节点；以及
(E-3)栅电极连接至第二节点初始化晶体管控制线；并且
在步骤(a)，通过才艮据来自第二节点初始化晶体管控制线的信 号被置为导通状态的第二节点初始化晶体管，从第二节点初始化电 压供给线，向第二节点施加第二节点初始化电压，然后才艮据来自第二节点初始化晶体管控制线的信号，将第二节点初始化晶体管置为 截止状态。
更优选地，驱动方法还^L配置为驱动电路还包括
(F)第一节点初始化晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区、 和冲册电极；并且其中，在第一节点初始化晶体管中
(F - 1 )第一个源极/漏极区连接至第一节点初始化电压供给
线；
(F-2)第二个源极/漏极区连接至第一节点；并且
(F-3)栅电极连接至第一节点初始化晶体管控制线；以及
在步骤(a)，通过根据来自第一节点初始化晶体管控制线的信 号被置为导通状态的第一节点初始化晶体管，从第一节点初始化电 压供给线向第 一节点施加第 一节点初始化电压。
在该驱动方法中，可以根据有机EL显示装置的设计适当地设 置第一电压V,—ON。例如，可以参考临界值，即临界电压i殳置第一 电压V10N，例如，在该电压下发光控制晶体管的操作从线性区向 不饱和区改变。例如，如果发光控制晶体管是n沟道型的，并且临 界电压分布在相对于临界值的士Vo伏特的设计值范围内，那么可以 参考稍低于分布下限的值设置第一电压V^on，即相对于临界电压 -Vo伏特的设计值。类似地，当发光控制晶体管是p沟道型时，可 以参考稍高于相对于临界电压的+ Vq伏特的设计值的数值设置第 一电压Vlon。
在该驱动方法中，在步艰《(b)，执^亍阀^直电压消除处理，用于 使第二节点的电位向驱动晶体管的阀值电压与第一节点的电位的差值电位改变。定性地，在阀值电压消除处理中，在第一节点和第 二节点之间的电位差(即驱动晶体管Torv的栅电极和源极区之间的 电位差)接近驱动晶体管的阀值电压的程度取决于阀值电压消除处 理的时间。因此，例如，在确保用于阀值电压消除处理的时间足够 长的情况中，第二节点的电位达到驱动晶体管的阀值电压与第一节 点的电位的差值电位。然后，第一节点和第二节点之间的电位差达 到驱动晶体管的阀值电压，并将驱动晶体管置为截止状态。另一方 面，例如，在另一个不可避免地i殳置用于进4亍阀值电压消除处理的 时间较短的情况下，第 一节点和第二节点之间的电位差有时会变得 比驱动晶体管的阀值电压更大，因此，可以不将驱动晶体管置为截 止状态。在本实施例的驱动方法中，作为阀值电压消除处理的结果， 不必需将驱动晶体管置为截止状态。
括优选配置)，即根据本实施例的驱动方法中，笫一电压V,一on、第 二电压V2 off和第三电压V3—on被相继施加给发光控制晶体管的栅 电极。电压满足IV!—ON - V2—OFF|<|V3_ON - V2—offI的关系。现有的驱动
方法对应于以下情况，在步骤(b)和(d)中，当发光控制晶体管 被置为导通状态时施加第三电压v3—ON。相反，在根据本实施例的
驱动方法中，在发光控制晶体管被置为截止状态之前，在阀值电压
消除处理中向发光控制晶体管的栅电极施加第一电压V10N。那么，
如上述表达式所示，第一电压Vlon和第二电压V2—oFF之间的电^f立 差的绝对值小于第三电压V3一on和第二电压V^off之间的电位差的
绝对值。从而，可以将图20和图21A所示的时间周期ATn的值设
为较小值。这样，发光控制晶体管丁el一c和驱动晶体管Torv间的节 点的电位变化的差值减小，且可以抑制上述显示屏图像的亮度均匀
性的劣化。另外，对于发光，当驱动晶体管提供由上述的表达式(c) 限定的漏极电流Ids时，如果串联至驱动晶体管的发光控制晶体管的 栅极电压约等于临界电压，那么由于发光控制晶体管的电流容量的限制，无法提供由上述表达式(C)限定值的漏极电流Ids,导致可能会阻碍显示装置的操作。因此，即使当由表达式(c)限定的漏 极电流Ids变成为显示装置设计的最小值时，发光控制晶体管也必须 能够毫无问题地l是供电流。4艮据本实施例地驱动方法，由于可以向 驱动晶体管的棚-极施加可以确保充足的电流容量的数值的电压作为第三电压V3一oN,因此完全不会阻碍显示装置的#:作。在本实施例的驱动方法中，在步骤(d),图4象信号写晶体管才艮 据来自扫描线的信号而纟皮置为截止状态。可以才艮据有才几EL显示装 置的设计适当设置图像信号写晶体管被置为截止状态的时间点和 向发光控制晶体管的栅电极施加第三电压的时间点之间的时间关 系。例如，可以在图像信号写晶体管被置为截止状态之后立即或者 一段时间间隔后向发光控制晶体管的栅电极施加第三电压。或者， 也可以在向发光控制晶体管的栅电极施加第三电压后将图像信号 写晶体管置为截止状态。应注意，在向发光控制晶体管的栅电极施 加第三电压后将图像信号写晶体管置为截止状态的情况中，存在发 光控制晶体管和图像信号写晶体管都呈现导通状态的周期。在上述 周期中，执行与驱动晶体管的特性提高第二节点的电位的迁移率校 正处理对应的操作。应注意，还可以在向发光控制晶体管的栅电极 施加第三电压的状态下执行步骤(C)。在这种情况下，主要是和写 处理一起进4于迁移率一交正处理。在包括多种上述优选构造的本实施例的驱动方法中，-漆如扫描 电路和图像信号输出电路的多种电路、诸如扫描线和数据线的多种 配线线路、电流供给部和下文中简称为发光部的有机电致发光发光 部中的每个都具有已知的构造或结构。更具体地，例如，每个发光 部可以包括阴极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阳极电 极等等。虽然下文中将描述驱动电路的具体情况，但是，例如，驱动电 ^各可以由五个晶体管和一个电容器部组成的驱动电路(下文称为5Tr/lC驱动电路)、四个晶体管和一个电容器部组成的另一种驱动 电路(下文称为4Tr/lC驱动电路)、以及三个晶体管和一种个容器 部组成的另外的驱动电路(下文称为3Tr/lC驱动电路)中的任何一种构成。驱动电路的晶体管可以由n沟道薄膜晶体管(TFTs)构成。才艮 据情况需要，例如，发光控制晶体管、图像信号写晶体管和等等可 以l吏用p沟道场步文应晶体管。同时，电容器部可以包4舌电才及、另一 电极、以及插入电极之间的电介质层或绝缘层。例如，形成驱动电 路的晶体管和电容器部在形成在支撑上的某个平面中形成，并且发光部被形成在驱动电路的晶体管和电容器部上，在驱动电路的晶体 管和电容器部之间插入了层间绝缘层。例如，驱动晶体管的第二个 源极/漏极区通过接触孔连接至置于发光部中的阴极电极。应注意， 晶体管也可以形成在半导体基板等上。才既4舌i也，^吏用了该驱动方法，第一电压V^ON、第二电压V2j)FF 和第三电压V3一ON被相继施加给发光控制晶体管的栅电极。电压满 足IVlON"V2—OFFi<|V3—ON~V2—OTFl的关系。从而，可以将图20和图21A 所示的时间周期AT。的值设为较小值，因此，发光控制晶体管丁EL—c 和驱动晶体管Torv间的节点的电位变化的差值减小。因此，由于还 抑制了由寄生电容等的静电耦合引起的第二节点的电位变化的差 值，所以可以抑制以上在本发明的背景技术中所述的显示屏图像亮 度均匀性的劣化。另外，对于发光，当驱动晶体管提供由上述表达 式(C)限定的漏极电流Ids时，如果串联至驱动晶体管的发光控制 晶体管的栅极电压约等于临界电压时，那么由于发光控制晶体管的 电流容量的限制，可能会阻碍显示装置的操作。用本实施例的驱动 方法，由于可以向马区动晶体管的初M及施力O可以确^呆充足的电流容量的数值的电压作为第三电压V30N，所以完全不会阻碍显示装置的操作。


图1是图解示出了在几个时间周期中沿有机EL显示装置的发 光控制晶体管控制线传输的信号波形的示意图；图2是示出了主要由5个晶体管和1个电容器部构成的驱动电 路的等效电3各图；图3是示出了有机EL显示装置的框图；图4是示出了图2所示的驱动电路的驱动的时序图；图5是示出了图1所示的波形和图4的上部所示的波形的比4交 波形图；图6A~图7E是示出了构成图2所示的驱动电路的晶体管的导 通/截止状态等的电路图；图8是示出了主要由4个晶体管和1个电容器部构成的另 一个 驱动电路的等效电路图；图9是示出了包括图8所示的驱动电路的显示装置的框图；图IO是示出了图8所示的驱动电路的驱动的时序图；图11A-图12D是示出了构成图8所示的驱动电路的晶体管的 导通/截止状态等的电路图；图13是示出了主要由3个晶体管和1个电容器部构成的另外 的驱动电路的等效电路图；图14是示出了包括图13所示的驱动电路的显示装置的框图；图15是示出了图13所示的驱动电^^的驱动的时序图；图16A~ 17E是示出了构成图13中所示的驱动电路的晶体管的 导通/截止状态等的电路图；图18是图解示出了一部分有机电致发光元件的局部截面图；图19是图解示出了在几个时间周期中沿有机EL显示装置的发 光控制晶体管控制线传输的信号波形的示意图；图20是示出了图19所示的波形和图4的上部所示的波形的比 较波形图；并且图21A和图21B是示出了图19的有才几EL显示装置的驱动电 路的才乘作的等效电路图。
具体实施方式
接下来将参考优选的实施例详细描述本发明。如图14的有机EL电^^的框图所示，本发明的实施例的有枳j EL显示装置，包括(1 )扫描电路101;(2)图像信号输出电路102;(3) 以二维矩阵设置的共NxM个有机EL元件lO，其中，N 个有4几EL元件10沿第一方向排列，而M个有冲几EL元件10沿不 同于第一方向的第二方向排列，更具体地，垂直于第一方向的方向， 并且每个元件包括有机电致发光发光部ELP和用于驱动有机电致 发光发光部ELP的马区动电3各；(4) M条连4妄至扫描电^各101并沿第一方向延伸的扫描线SQL;(5) N条连接至图像信号输出电路102并沿第二方向延伸的 数据线DTL;以及(6) 电流供给部100。应注意，在图14或在图3和图9中示出的3 x 3个有才几EL元 件IO仅是实例而。如上所述，每个有机EL元件IO均包括驱动电路和发光部ELP。 发光部ELP具有已知的构造和结构，例如，包括阴极电极、空穴传 输层、发光层、电子传输层、和阳4及电才及。另外，扫描电^各1013皮 设置在扫描线SCL的一端。扫描电路IOI、图像信号输出电路102、 扫描线SCL、数据线DTL和电流供^会部100可以分别具有已知的 构造和结构。驱动电路的基本配置为包括三种晶体管和一种电容器部C,的 3Tr/lC驱动电路。具体地，参考图13，本实施例的驱动电路包括 (A)驱动晶体管TDrv、 (B)图像信号写晶体管TSig、 (C)发光控 制电路T^—c、和(D)具有一对电极的电容器部C,。应注意，图8 中所示的驱动电路被形成为4Tr/lC驱动电路，其中，还包括了 (E) 第二节点初始化晶体管TND2。另外，图2所示的驱动电路-陂形成为5Tr/lC驱动电路，除了第二节点初始化晶体管Tnd2之外，该驱动电 路还包括(F)第一节点初始化晶体管TND1。上述每个驱动晶体管TDrv、图像信号写晶体管Tsig、发光控制 电^各Ti^c、第一节点初始化晶体管丁Nm和第二节点初始化晶体管 TwD2都被形成作为具有源极/漏极区、沟道形成区和栅电极的n沟道 TFT。这还应用于后述本发明的另一个实施例。应注意，每个图傳_ 信号写晶体管Tsig、发光控制电路TELC、第一节点初始化晶体管 TND1和第二节点初始化晶体管丁nd2还可以由p沟道TFT形成。这里，驱动晶体管Torv被配置为(A- 1 )第一个源极/漏极区连接至发光控制晶体管Te^c的第 二个源才及/漏才及区；则(A - 2 )第二个源才及/漏极区连接至置于有才几电致发光发光部 ELP中的阴极电极，并且连接至电容器部d的第一个电极，从而 形成了第二节点ND2;以及(A-3)栅电极连接至图像信号写晶体管Tsig的第二个源极/ 漏极区，并且连接至电容器部C!的第二个电极，从而形成了第一节 点ND；同时，图像信号写晶体管Tsig被配置为 ( B - 1 ) 第一个源极/漏极区连接至数据线DTL;以及(B - 2 ) 4册电4及连4妄至扫描线SCL;扫描线SCL连4矣至扫描 电路101。另外，发光控制晶体管TEL一c被配置为(C - 1 )第一个源极/漏极区连接至电流供给部100;以及(C _ 2 )栅电极连接至发光控制晶体管控制线CLELC。发光控 制晶体管控制线CLEL—c连接至发光控制晶体管控制电路103。应注意，图8所示的4Tr/lC驱动电i 各和图2中所示的5Tr/lC 驱动电3各还包括第二节点初始化晶体管TND2。第二节点初始化晶体管丁ND2^皮配置为(E - 1 )第一个源极/漏极区连接至第二节点初始化电压供给线PSND2;而(E-2)第二个源极/漏极区连接至第二节点ND2;以及(E-3 )栅电极连接至第二节点初始化晶体管控制线AZND2。 第二节点初始化晶体管控制线AZND2连接至第二节点初始化晶体管 4空制电^各105。另夕卜，图2中所示的5Tr/lC驱动电路还包括第一节点初始化晶体管TND1。第一节点初始化晶体管TND!被配置为(F - 1 )第一个源极/漏极区连接至第一节点初始化电压供给线(F-2)第二个源极/漏极区连接至第一节点ND"以及(F - 3 )栅电极连接至第一节点初始化晶体管控制线AZND1; 第 一 节点初始化晶体管控制线AZND!连接至第 一 节点初始化晶体管 4空制电^各104。如图18所示的一部分有机EL元件的示意截面部分，构成驱动 电路的晶体管和电容器C,形成在支撑20上。同时，发光部ELP形 成在构成驱动电路的晶体管和电容器C,上，在驱动电i 各的晶体管和 电容器d之间插入了层间绝缘层40。同时，驱动晶体管TDrv的源 极区连接至通过接触孔置于发光部ELP上的阴极电极。应注意，图 18仅示出了驱动晶体管TDrv。除驱动晶体管Torv外的晶体管被隐藏 且不可见。更具体地，驱动晶体管TDrv包括栅电极31、栅极绝缘层32、 半导体层33、置于半导体层33上的源极/漏极区35、和通过源才及/ 漏极区35之间的半导体层33的 一部分设置的沟道形成区34。同时， 电容器部d包括电极36、由栅极绝缘层32的外延形成的电介质层、 和对应于第二节点ND2的另一电极37。构成电容器部d的栅电极 31、部分栅极绝缘层32和电极36净皮形成在基板20上。驱动晶体 管Torv的一个源极/漏极区35连接至配线38，而另一个源极/漏4及区 35连接至对应于第二节点ND2的电极37。驱动晶体管TDrv、电容 器部d等被层间绝缘层40覆盖。发光部ELP设置在层间绝缘层 40上，并包括阴极电极51、空穴传输层、发光层、电子传输层和 阳极电极53。应注意，图18中，空穴传输层、发光层和电子传输 层用一个层52表示。在层间绝缘层40上没有设置发光部ELP的部 分上设置第二层间绝缘层54,并在第二层间绝缘层54和阳极电^L 53上设置基板21，从而使从发光层发出的光通过基板21向外射。 应注意，电极37或第二节点ND2和阴极电极51通过在层间绝缘层 40中形成的接触孔互相连接。另夕卜，阳极电极53通过分别在第二 层间绝缘层54和层间绝缘层40中形成的接触孔56和55连接至设 置于4册才及绝纟彖层32的延伸上的配线39。以上描述了应用本实施例的有冲几EL显示装置和用于驱动发光 部ELP的驱动电^各的构造。如图l和图5所示，根据应用本实施例的驱动方法，从发光控 制晶体管控制线CLel一c向毎个有机EL元件10施加由波形BFo~BFN表示并由第一电压ON、第二电压v20ff和第三电压V3—on组成的电压。现有的驱动方法对应于向发光控制电路TEL_C的栅电极连续施加第三电压V3—qn和第二电压V2一otf的情况。才艮据本实施例的驱动方法，当进行阀值电压消除处理时，在发光控制电路TEL—c 被置为截止状态之前向其栅极施加第一电压V10N。另外，所迷的电压满足|V!—ON~V2—OFF|<|V3_ON~V2—OFF|的关系。
尽管下文将描述根据本实施例的驱动方法，但为便于同上述本 发明的背景技术中描述的驱动电路的操作作比较，接下来将描述图2中所示的5Tr/lC驱动电路的操作。
图1图解示出了在本实施例的驱动方法中，在图4中所示的[周 期-TP(5)2] ~ [周期-TP(5)7]的周期中沿有机EL显示装置的发光控制 晶体管控制线CL机c传输的信号波形BF0、 BF,和BFN。图2示出 了 5Tr/lC驱动电路的等效电路图；图3示出了有机EL显示装置的 框图；以及图4示出了 5Tr/lC驱动电路的驱动的时序图。图5对应 于上文中本发明的背景技术描述所参考的图20,并示出了图1所示 的波形BFo、 BF,和BFN和图4的时序图的上部所示的波形。另夕卜， 图6A 6D和7A 7E示出了 5Tr/lC驱动电路的晶体管的导通/截 止状态等。
如在上文中本发明的背景4支术所述，本实施例的驱动方法包括-以下步骤
(a) 4丸行向第一节点NDi施加第一节点初始化电压且向第二 节点ND2施加第二节点初始化电压的预处理，从而使第一和第二节 点ND，和ND2之间的电位差超过驱动晶体管Torv的阀值电压Vth,并且第二节点和发光部ELP的阳极电极之间的电位差不超过发光 部ELP的阀值电压Vth_EL;(b) 执行阀值电压消除处理，用于在保持第一节点NDi的电位的同时，使第二节点ND2的电位向驱动晶体管Torv的阀值电压V化与第一节点ND,的电4立的差^f直电位改变；(c) 执行写处理，通过才艮据来自扫描线SCL的信号而纟皮置为 导通状态的图像信号写晶体管Tsig将来自数据线DTL的图像信号施 加至第一节点ND!。(d) 根据来自扫描线SCL的信号将图像信号写晶体管T^置 为截止截止，乂人而将第一节点NDi置为浮4妄状态，并且通过发光控 制晶体管Ti^一c和驱动晶体管TDrv， 乂人电流供给部100向有4几电致 发光发光部ELP提供与第一节点ND!和第二节点ND2之间的电位 差的值对应的电流，从而驱动发光部ELP。应注意，为了容易理解本实施例，在下文中参考附图4和6A 6C详细描述上述步骤(a)和步骤(c)。为了方便描述，在以下描述中，^H殳在发光控制晶体管TEL_C 的栅电极的电压为20伏特时，发光控制晶体管TE^c的操作从线性 区变化到不々包和区。如上文所述的本发明的概述，在图4中所示的[周期-TP(5)2]之 中、之前和之后执行阀值电压消除处理。如图20所示，在现有的 驱动方法中，发光控制晶体管控制电路103的信号波形AFo是具有 两个数值的矩形波形，这两个值包括诸如用于将发光控制电路TEL_C 置为导通状态的30伏特的电压和诸如用于将发光控制电路TEL—c置 为截止状态的-10伏特的电压。另一方面，在本实施例中，用于扭j亍阀值电压消除处理的步骤(b)包括下述两个步骤(b - 1 )和(b-2)。 [步骤(b - 1 )]在[周期-TP(5)2]的开始时间点，发光控制晶体管控制电路.103 操作，从而通过发光控制晶体管控制线CLELC向发光控制电路TEL—c 的栅电极施加用于将发光控制电路TELC置为导通状态的诸如18伏 特的第一电压VION。然后，通过处于导通状态的发光控制电路 TELC,驱动晶体管TDrv的 一个源极/漏极区电连接至电流供给部100, 从而设置驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区的电位高于上述的步 骤(a)的第二节点ND2的电位。更具体地，从电流供乡会部100向 驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区施加高于驱动晶体管T。rv的阀 值电压Vth和上述步驶《(a )的第二节点ND2的电位的总电压的电压。 因此，第二节点ND2的电位向驱动晶体管T^v的阀值电压V化与第 一节点NDi的电位的差值电位变化。[步骤(b - 2 )]然后，[周期-TP(5)3]的开始时间点，发光控制晶体管控制电路 103操作，从而通过发光控制晶体管控制线CLEL—c向发光控制电路 TEl:c的栅电极施加用于将发光控制电路TEL—c置为截止状态的诸如 -10 Y犬特的第二电压V2—OFF。然后，在步骤(d),通过发光控制晶体管控制线CLEL—c向发光 控制电路T^一c的栅电极施加用于将发光控制电路TELC置为导通状 态的诸如30伏特的第三电压V3—ON。然后，在[周期-TP(5)7]中，通 过处于导通状态的发光控制电路TEL—c,将驱动晶体管Torv的一个 源极/漏极区电连4妄至电流供给部100, 乂人而向发光部ELP提供对应 于第一节点NDi和第二节点ND2之间的电位差的值的电流。应注意，在本实施例中，在第一节点ND^皮置为浮^妄状态之前，开始向 发光控制电路TELC的栅电极施加第三电压V3—ON,从而4丸行了上述 的迁移率一吏正处理。下文将参考附图4、 6D和7A-7E详细描述步骤(b-l)和(b -2)以及步骤(d)的驱动电^各的才喿作。如图5所示，发光控制晶体管控制电路103的信号波形BFo具 有对应于步骤(b-1)、 (b-2)和(d)的上述第一电压V,—ON、第 二电压V2_OFF和第三电压V3_ON三个凝值。电压具有 |V10N~V2—OFF|<|V3_ON—V2—offI的关系。类似于上述本发明的背景技术所述，当波形BFo沿发光控制晶 体管控制线CLELc传播时，波形BFo也会变形并在上升和下降沿变 緩和。类似于图19和20中所示的AF,和AFN,图1和5中所示的 波形BF,和BFN分别表示向最靠近发光控制晶体管控制电路103的 左端的有机EL元件l(h和最远离发光控制晶体管控制电路103的 右端的有才几EL元件10n施加的波形。图1的下部和图5中所示的 参考符号ATr表示直到发光控制电路TEL—c在波形BF!的下降沿在 导通状态和截止状态之间变化的时间周期。理想地，时间周期ATV 为0。同时，参考符号AT,，表示直到发光控制电路TEL c在波形BFN在现有的驱动方法中，在步骤(b)中发光控制电路TEL一c被置为截止状态之前的发光控制电路TELc的斥册电极电压为30伏特。另.一方面，在本实施例的驱动方法中，发光控制电路TEL一c被置为截止状态之前的发光控制电路TEL一c的栅电极电压为18伏特的V10N。 从而，如图5所示，在[周期-TP(5)2]中波形BFN的下降沿的时间周 期ATn，比图20的时间周期ATn短。更具体地，时间周期AT\ ，和ATn ， 和时间周期AT!和ATn具有|ATn - AT!|>|ATn， - ATV|的关系。换句话说，时间周期的差值减小了，其中在该时间周期中源极/漏极区Al和A2中的电位在波形的下降沿的电压Vee侧上保持。结果，发光控制屯路Tel—c和左端的有机EL元件l(h的驱动晶体管Tow之间的 节点的电位差以及发光控制电路TELC和右端的有才几EL元件10N的 驱动晶体管TDrv之间的节点的电位变化减小。如上本发明概述，发光控制电路TElj—c和驱动晶体管TDrv之间的节点的电位变化最终传4番至第二节点ND2。然后，作为该电位变 化的传播结果，[周期-TP(5)7]中的漏极电流值改变。在本实施例中， 在最靠近发光控制晶体管控制电路103的左端的有才几EL元件l(h 和在最远离发光控制晶体管控制电路103的右端的有机EL元件10n 之间的电位变化的差值减小。这点也同样应用于另一个有才几EL元 4牛10。 乂人而，[周期-TP(5)7]中的漏才及电;^i/f直的变4匕减少，并可以4中 制显示屏图像的亮度均匀性的劣化。另夕卜，如图5和图20所示，在[周期-TP(5)7]中，为了打开发光 控制电路TELC，向发光控制电路TELC的冲册电极施加与现有驱动方 法中的值相同的第三电压V3_ON。从而，步骤(d)的发光控制晶体 管的电流容量变得具有同现有驱动方法类似的值，并且对发光部的 发光亮度没有影响。以上描述了本实施例的驱动方法。以下将描述使用该电路的5Tr/lC驱动电路、4Tr/lC驱动电路、 3Tr/lC驱动电^各和发光部ELP。有机EL显示装置包括以二维矩阵设置的N/3 x M个像素。然 而，在以下描述中，假设一个像素是由三种子像素组成，其中，包 括用于发出红色光的红色发光子像素、用于发出绿色光的绿色发光 子像素和用于发出蓝色光的蓝色发光子像素。另外，逐行驱动构成像素的有机EL元件IO，显示帧频为FR次/秒。更具体地，同时驱 动组成4非列在第m4亍(其中m=l、 2、 3…、M)的N/3个4象素， 即N个子像素的有才几EL元件10。换句话i兑，在形成一^亍的有枳^ EL元件10中，以有机EL元件10所属的行为单位来控制发光/不 发光时间点。应注意，下文中称为同步写处理的将图4象信号写入形 成一行的像素的处理可以是将图像信号同时写入所有像素的处理， 或者，下文中仅称为顺序写处理的将图像信号顺次写入像素的处 理。可以基于驱动电^各的构造适当选择实际应用的一个写处理。这里，描述了涉及在位于第m行和第n列(其中作为代表n-1、 2、 3.....N)的像素中形成一个子像素的有机EL元件10的驱动和^乘作。刚刚所述的子〗象素或有才几EL元4牛10在下文中^皮^f尔为 第(n, m)个子Y象素或第(n, m)个有才几EL元件10。在对排列 在第m 4于的有4几EL元件10的水平扫描周期，即第m个水平扫描 周期结束之前，寺丸^f于下文描述的包^"阀值电压消除处理、写处理和 迁移率4交正处理的多种处理。应注意，必须在第m个水平扫描周期 中^l^亍写处理和迁移率4交正处理。另一方面，取决于马区动电3各的类 型，可以在第m个水平扫描周期之前进4亍阀<直电压消除处理和为了 阀值电压消除处理的预处理。然后，在所有上述处理结束之后，驱动排列在第m行的有机 EL元件10的发光部乂人而4吏其发光。应注意，发光部可能在所有上 述处理结束之后立即发光，或可能在一个预定的时间周期间隔(诸 如在所有处理结束后间隔的用于预定几行的水平扫描周期)之后发 光。可以根据有机EL显示装置、驱动电路的构造和等具体情况合 理设置预定时间周期。应注意，在以下描述中，为了便于描述，假 设在处理结束后发光部立即发光。然后，构成排列在第m行的每个 有机EL元件10的发光部持续发光，直到对排列在第(m + m，)行 的有机EL元件IO进行水平扫描周期开始之前。这里，"m"，根据有才几EL显示装置的具体设计情况而定。更具体地，构成排列在一 定显示帧的第m行的每个有机EL元件10的发光部持续发光，直 到第(m + m，-l)行。同时，构成排列在第m行的每个有机EL 元件10的发光部保持其不发光状态，从第(m + m，)个水平扫描周 期的开始点到在用于下一个显示帧的第m个水平周期，完成写处理 和迁移率4交正处理的另 一时间点。当配置了其间不发光的上述周 期，即下文中所称的不发光周期时，由有源矩阵的驱动中包含的余 像带来的模糊减少了，从而可以改善运动图4象的质量。然而，子像 素或有一几EL元件10的发光状态/不发光状态并不局限于上述状态。 另外，水平扫描周期的时间长度小于1/FRx 1/m秒。当m + m，的值超过m时，水平扫描周期的余量在下一个显示帧中处理。有时会使用 一个晶体管的两个源极/漏极区之间的术语"一个源 极/漏极区"，从而表示连接至供电部的一个源极/漏极区。另夕卜，晶 体管处于导通状态表示在源极/漏极区之间形成沟道的状态。在这种 情况下，无论电流是否从晶体管的一个源极/漏极区流向另一个源极 /漏极区都没有关系。另一方面，晶体管处于截止状态标志着在源极 /漏极区之间没有形成沟道的状态。另外， 一定晶体管的源才及/漏相、 区连接至另 一晶体管的源极/漏极区，表示一定晶体管的源极/漏极 区和另一晶体管的源极/漏极区占有相同的区域的情况。此外，源极/漏极区不仅可以由诸如包含杂质的多晶硅或非晶硅的导电物质组 成，也可以由金属、合金、导电颗粒、包括该金属、合金或导电颗 粒的堆叠结构、或者由有4几物质或导电聚合物组成的层组成。另外， 在以下描迷使用的时序图中，表示周期的横坐标的轴长，即时间长 度，仅是示意性的，而并不表示不同周期之间的时间长度比例。[5Tr/lC马区动电^各]如上所述，图2示出了 5Tr/lC驱动电路的等效电路图；图3 示出了有机EL显示装置的框图；图4示出了 5Tr/lC驱动电路的驱动时序图；而图6A 6D和7A 7E中图解示出了 5Tr/lC马区动电路的晶体管的导通/截止状态。参考图2 4和7A 7E, 5Tr/lC驱动电路包括五个晶体管，其 中包括图像信号写晶体管TSig、驱动晶体管TDrv、发光控制晶体管 TELC、第一节点初始化晶体管TND1、第二节点初始化晶体管TND2， 以及进一步包4舌一种电容器部d。[发光控制晶体管TELjC]发光控制晶体管TEL—c的一个源极/漏极区连接至电流供给部 100，用于提供电压Vee，而发光控制晶体管TEL—c的另一个源才及/漏 极区连接至驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区。发光控制晶体管 TEXjC的导通/截止操作由连接至发光控制晶体管TEL_C的栅电极的发 光控制晶体管控制残CLel—c控制。应注意，i殳置电流供给部100， 从而向有机EL元件10的发光部ELP ^是供电流，从而控制发光部 ELP的发光。另外，发光控制晶体管控制线CLEL—c连接至发光控制 晶体管控制电^各103。[驱动晶体管TDrv]如上所述，驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区连接至发光控制 晶体管T^c的另一个源极/漏极区。更具体地，驱动晶体管Torv的一个源极/漏极区通过发光控制晶体管TEL—c连接至电流供给部100。同时，驱动晶体管Torv的另一个源极/漏极区连接至(1 )发光部ELP的阴才及电极，(2 )第二节点初始化晶体管TND2的另 一个源极/漏极区，以及(3)电容器部d的一个电才及，并形成第二节点ND2。同时，驱动 晶体管Ti^的栅电极连接至(1 )图像信号写晶体管Tsig的另一个源极/漏极区，(2) 第一节点初始化晶体管TND1的另一个源极/漏极区，以及(3) 电容器部C,的另一个电才及，并形成第一节点ND!。当有机EL元件10处于发光状态，驱动晶体管Torv被驱动从而 才艮据以下表达式(1 )冲是供漏才及电流Ids:<formula>formula see original document page 37</formula>(i)表达式中 H: 有效迁移率 L:沟道长度 W:沟道宽度Vgs:栅电极和作为源极区的另 一个源极/漏极区之间的电位差 Vth:阀〗直电压C。x:(栅极绝缘层的相对介电常数)x (真空介电常数)/(栅 极绝缘层的厚度)k<formula>formula see original document page 37</formula>在有机EL元件10的发光状态中，驱动晶体管Torv的一个源极/漏4及区作为漏4及区，而另一个源才及/漏4及区作为源4及区。为了^f更于描述，在以下的描述中，驱动晶体管Torv的一个源极/漏极区有时仅 被称为漏极区，而另 一个源极/漏极区有时候4又被称为源极区。当漏极电流Ids流过有^几EL元件10的发光部ELP时，有才几EL 元件10的发光部ELP发光。另外，有机EL元件10的发光部ELP的发光状态，即发光的亮度，由漏极电流Ids的数值的量级控制。[图像信号写晶体管TSig]如上所述，图像信号写晶体管Tsig的另一个源极/漏极区连接至 驱动晶体管Torv的栅电极。同时，图像信号写晶体管Tsig的一个源 极/漏极区连接至数据线DTL，从而从图像信号输出电路102通过 数据线DTL向一个源极/漏极区提供用于控制发光部ELP的亮度的 图像信号Vsig。应注意，可以通过数据线DTL向一个源极/漏极区 提供诸如用于预充电驱动的信号和各种基准电压的各种信号或电 压。图像信号写晶体管Tsig的导通/截止操作由连接至图像信号写晶 体管Tsig的栅电极的扫描线SCL控制。[第一节点初始化晶体管TND1]如上所迷，第一节点初始化晶体管TND1的另一个源才及/漏才及区 连接至驱动晶体管Tt^的栅电极。同时，向第一节点初始化晶体管 TND1的一个源极/漏极区4是供用于初始化第一节点ND,的电位的电 压V。fs，即驱动晶体管TDrv的栅电极电压。第一节点初始化晶体管 TND1的导通/截止操作由连接至第一节点初始化晶体管TND1的栅电 极的第一节点初始化晶体管控制线AZnd!控制。第一节点初始化晶体管控制线AZN!m连接至第一节点初始化晶体管控制电路104。[第二节点初始化晶体管TND2]第二节点初始化晶体管TND2的另一个源极/漏才及区连4妾至驱动晶体管Torv的源极区。同时，向第二节点初始化晶体管Tnd2的一个源极/漏极区提供用于初始化第二节点ND2的电位的电压Vss,即驱动晶体管丁Drv的源极区电压。另夕卜，第二节点初始化晶体管TND2的导通/截止操作由连接至第二节点初始化晶体管TND2的栅电极的第二节点初始化晶体管控制线AZnd2控制。第二节点初始化晶体管控制线AZND2连接至第二节点初始化晶体管控制电路105。 [发光部ELP]如上所述，发光部ELP的阴极电极连接至驱动晶体管Tdw的源 才及区。同时向发光部ELP的阳才及电才及施加电压Vcat。发光部ELP的 寄生电容用参考符号Cel来表示。另外，发光部ELP的发光所需要 的阀值电压用Vth—el来表示。具体地，如果在发光部ELP的阴极电 极和阳极电极之间施加高于电压Vth-el的电压，则发光部ELP发光。在以下描述中，当施加以下给出的数值的电压或电位时，它们 仅用于阐释，电压或电位的数值并不限制于所提供的数值。VSig:用于控制发光部ELP的亮度的图像信号...0~ 10伏特 Vcc:用于控制发光部ELP的发光的电流供给部的电压...20伏特Vofs:用于初始化驱动晶体管Torv的栅电极电位，即第一节点 ND!的电位…O伏特Vss:用于初始化驱动晶体管TDrv的4册电4及电位，即第二节点 NDs的电位…-10伏特 Vth:用于驱动晶体管TDrv的阀值电压 ...3伏特VCat:向发光部ELP的栅电极施加的电压...0伏特 Vth-EL:发光部ELP的阀值电压...3伏特V10N:用于将发光控制晶体管置为导通状态的第 一电压 ...18伏特V2_OFF:用于将发光控制晶体管置为截止状态的第二电压 …-10伏特V3—ON:用于将发光控制晶体管置为导通状态的第三电压 ...30伏特以下将描述5Tr/lC驱动电路的操作。应注意，尽管如上所述， ,支i殳在所有包4舌阀^直电压消除处理、写处理和迁移率4交正处理的各 种处理完成之后立即开始发光^j犬态，^f旦是5Tr/lC驱动电路的"l喿作并 不限于此。这也同才羊应用于4Tr/lC马区动电路和3Tr/lC马区动电路的描述。应注意，现有驱动方法中的4喿作基本上类似于以上所述，除了 在[周期-TP(5)2]中代替步骤(b - 1 )的第一电压V!oN设置了第三电 压V30N。[周期-TP(5)J (参考附图4和6A )该[周期-TP(5^]是以下这样的一个周期，其中，在在前操作周 期中的各种处理作为在前显示帧中的4乘作完成之后，第(n, m)个 有机EL元件10维持发光状态。具体地，基于下述的表达式(5 ) 的漏极电流I，ds流过构成第(n, m )个子像素的有4几EL元件10的 发光部ELP，并且构成第(n, m)个子像素的有机EL元件10的 亮度具有对应于漏极电流I，ds的数值。这样，图像信号写晶体管Tsig、第一节点初始化晶体管TN出和第二节点初始化晶体管TND2处于截止状态，而发光控制晶体管TELc和驱动晶体管T^处于导通状态。 第(n， m)个有机EL元件IO保持发光状态，直到排列在第(m + m，)行的有机EL元件10的水平扫描周期开始。应注意，可以应用 另一配置，其中，[周期-TP(5;h] [周期-TP(5)4]的周期包括在当前显 示帧中的第m个水平扫描周期中。在图4所示的[周期-TP(5)0] ~ [周期-TP(5)4]的周期中，执行在前 的操作周期中的各种处理完成结束后的发光状态之后，直到进行下 个写处理之前。具体地说，例如，[周期-TP(5)o]-[周期-TP(5)4]的周 期具有时间长度，即，乂人在前的显示帧中第(m + m，)个水平扫描 周期的开始时间点起到目前显示帧中第(m - 1 )个水平扫描周期的结束时间点。应注意，[周期-TP(5)d [周期-TP(5)4]的周期可以另外 包括在当前显示帧中的第m个水平扫描周期中。然后，在[周期-TP(5)o]-[周期-TP(5)4]的周期中，第(n， m) 个有机el元件10处于不发光状态。具体地，在[周期-TP(5)q] ~ [周 期-TP(5),]的周期和[周期-TP(5)3] ~ [周期-TP(5)4]的周期中，由于发 光控制晶体管Ti^一c处于截止状态，有机EL元件10并不发光。应 注意，在[周期-TP(5)2]中，发光控制晶体管T机c呈现导通状态。然 而，在该周期中，正在4丸行下文所述的阀^直电压消除处理。尽管给 出了阀值电压消除处理的详细描述，但是如果假设满足下文给出的 表达式(2),有机EL元件10并不发光。以下将首先描述[周期-TP(5)q] ~ [周期-TP(5)4]的周期。应注意， 可以根据有机EL显示装置的设计适当设置[周期-TP(5)!]的开始时 间点和[周期-TP(5)！] ~ [周期-TP(5)4]的周期长度。[周期-TP(5)0]如上所述，在[周期-TP(5)o]中，第(n， m)个有才几EL元件lO 处于不发光状态。图像信号写晶体管TSig、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2处于截止状态。同时，在[周期-TP(5)-i] [周期-TP(5)o]转变的时间点，发光控制晶体管TEL—c被置 为截止状态。因此，第二节点ND2，即驱动晶体管Torv的源极区或 发光部ELP的阴极电极的电位下降至Vth-EL + VCat,且发光部ELP 被置为不发光状态。另外，处于浮接状态的第一节点NDp即驱动 晶体管TDrv的栅电极的电位以随第二节点ND2的电位下降这种方式 而下降。[周期-TP(5)！](参考附图4、 5、 6B和6C)在该周期中，批j于步骤(a),即上述的预处理。以下将具体描 述预处理。具体地，在[周期-TP(5)!]的开始，第一节点初始化晶体管控制 电路10 4和第二节点初始化晶体管控制电路10 5操作以将第 一 节点初始化晶体管控制线AZND,和第二节点初始化晶体管控制线AZnd2 设为高电平，从而将第一节点初始化晶体管丁n!m和第二节点初始化 晶体管TND2置为导通状态。应注意，可以将第一节点初始化晶体管 TMM和第二节点初始化晶体管TND2同时置为导通状态，或首先将第 一节点初始化晶体管TND1置为导通状态，或者相反地首先将第二节 点初始化晶体管T冊2置为导通状态。然后，^^第一节点初始化电压 供给线PSM^通过置为导通状态的第一节点初始化晶体管Tnd,向第一节点ND!施加第一节点初始化电压，而/人第二节点初始化电压供 给线PSND2通过置为导通状态的第二节点初始化晶体管TND2向第二 节点ND2施加第二节点初始化电压。因此，第一节点ND!的电位变成电压Voft或O伏特。同时，第 二节点ND2的电位改变为-10伏特的电压Vss。由于第一节点NDi和第二节点ND2之间的电位差为10伏特且驱动晶体管T^的阀值 电压Vth为3伏特，驱动晶体管Torv进入导通状态。应注意，第二节点和发光部ELP的阳极电极之间的电势差为-10伏特并且不超过 发光部ELP的阀^f直电压Vth_EL。通过上述处理，驱动晶体管Torv的栅极区和源极区之间的电位 差变得比阀值电压Vth大，并且驱动晶体管Torv呈现导通状态。在[周期-TP(5)!]完成之前，第二节点初始化晶体管控制电路105操作，从而将第二节点初始化晶体管控制线AZND2设为低电平，从 而将第二节点初始化晶体管TND2置为截止状态。周期[周期-TP(5)2] [周期-TP(5)3](参考附图4、 5、 6D和7E)在该周期中，进行了由上述步骤(b)、更具体地是由步骤(b -1)和(b-2)配置的阀值电压消除处理。以下将详细描述阀值 电压消除处理。首先，执行上述的步骤(b-1 )。具体地，当第一节点初始化 晶体管丁Nm维持导通状态时，在[周期-TP(5)2]的开始时间点，发光 控制晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL—c 向发光控制电路TElj—c的栅电极施加用于将发光控制电路TElj_c置为导通状态的第一电压V10N,从而将发光控制电路TEL一c置为导通状态。因此，第一节点NDi的电位不变而维持电压Voft-0伏特时， 第二节点ND2的电位向驱动晶体管T^的阀值电压V伤与第一节点 ND,的电位的差值的电位变化。换句话说，处于浮4妄状态的第二节点ND2的电位升高。然后，当驱动晶体管Torv的栅电4及和源极区之 间的电位差达到阀值电压Vth时，驱动晶体管Torv进入截止状态。更具体地，第二节点ND2的电位接近Vofs—Vth = - 3伏特〉Vss并最 终变为等于V0fs-Vth。这里，如果确-隊以下^^出的表达式(2),即 如果选择并决定电位从而使得满足表达式(2 ),那么发光部ELP并 不发光。<formula>formula see original document page 44</formula>然后，执行上述的处理(b-2)。具体地，当第一节点初始化晶体管TND,维持导通状态时，在[周期-TP(5)3]的初始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作，从而通过发光控制晶体管控制线 CL仏—c向发光控制晶体管TEljC的栅电极施加用于将发光控制晶体 管TEL—c置为截止状态的第二电压V2_OFF。第一节点ND!的电4立不 变而维持电压V0fs = 0伏特，而处于浮接状态的第二节点ND2的电 位也基本上维持Vofs-Vth = - 3伏特。如上所述，第二节点ND2的电位通过步骤(b-l)和(b-2) 最终变成等于Vofs-Vth。更具体地，第二节点ND2的电位^f又取决于驱动晶体管Torv的阀值电压Vth和用于初始化驱动晶体管Td^的4册电极的电压Voft。因此，第二节点ND2的电位与发光部ELP的阀值电压Vth-EL无关。[周期-TP(5)4](参考附图7B)然后，第一节点初始化晶体管控制电路104操作，从而将第一节点初始化晶体管控制线aznd设为低电平，从而将第一节点初始化晶体管tnd!置为截止状态。第一节点NDi和第二节点ND2的电 位基本上不变。尽管实际上由寄生电容等的静电耦合引起了电位变 4匕，^f旦通常可以忽略该变4b。现在将描述[周期-TP(5)s] ~ [周期-TP(5)7]的周期中的操作。应注意，如上所述，在[周期-TP(》5]中，执行写处理，而在[周期-TP(5)6]中，4丸4于迁移率才交正处理。所述的处理需要在上述的第m个水平扫 描周期中执行。为便于描述，假设[周期-TP(5)s]的开始时间点和[周 期-TP(5)6]的结束时间点分别与第m个水平扫描周期的开始时间点 和结束时间点相符。[周期-TP(5)5](参考附图4和7C)在该周期中，用以下方式进行步骤(c),即上述的写处理。更 具体地，当第一节点初始化晶体管TND1、第二节点初始化晶体管 tnd2和发光控制电路T^—c维持截止状态时，图像信号输出电路102 操作以将数据线DTL的电位设为用于控制发光部ELP的亮度的图 像信号电压VSig。然后，扫描电路101操作以将扫描线SCL设为高 电平，从而将图像信号写晶体管Tsig置为导通状态。因此，第一节 点NDi的电位升高至图像信号VSig。这里，电容器部C！的电容量为Cl，而寄生电容CEL的电容量为 CEL。然后，驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的寄生电容由 Cgs表示。当驱动晶体管Torv的栅电极电位从电压Vofs向图像信号 VSig (>V0fs)变化时，电容器部d的相对端的电位，即第一节点ND,和第二节点ND2的电位原则上变化。具体地，基于驱动晶体管丁Drv的才册电才及，即第一节点NDj的电4立的变4匕VSig — V。fs的电^N分布于电容器部d、发光部ELP的寄生电容C^和驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的寄生电容。然而，如果与数值q和Cgs相 比，寄生电容CEL非常高，那么基于驱动晶体管Torv的栅电极的电位的变化Vsig-Vofs,驱动晶体管T^的源极区中，即第二节点ND2 的电位的变化很小。通常，发光部ELP的寄生电容C^的电容量值CEL高于驱动晶体管TDrv的寄生电容的数值C!和数值Cgs。因此，为了便于描述，除了特殊情况中，给出的描述不考虑第一节点NDi 的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化。这也类似地应用于其 它驱动电3各。应注意，示出的用于图4中所示的驱动的时序图也不 考虑第一节点ND，的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化。当驱动晶体管Torv的栅电极，即第一节点NDi的电位由Vg表示，而 驱动晶体管Torv的源才及区，即第二节点ND2的电位由Vs表示时，通过以下表达式(3)给出电位Vg和Vs的数值。因此，第一节点 ND和第二节点ND2之间的电位差，即驱动晶体管Torv的栅极电压 和源极区之间的电位差VgS，可以通过以下表达式(3)表示Vg = VSlgVs = Vofs-VthVgs - VSig _ (V0fs - Vth) ... (3)具体地，用于驱动晶体管To 的写处理中得到的电位差V&仅 取决于用于控制发光部ELP的亮度的图像信号Vsig、驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth、和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压 Vofs。那么，电位差Vgs与发光部ELP的阀值电压Vth.Ei无关。[周期-TP(5)6](参考附图7D)此后，进行基于驱动晶体管Tj^的迁移率(i的量级，驱动晶体 管TDrv的源极区中，即第二节点ND2的电位校正，即迁移率校正处 理。通常，当驱动晶体管TDrv由多晶硅薄膜晶体管等组成时，不可 避免地在晶体管之间发生迁移率的离散。因此，即^f吏向其间迁移率 (1不同的多个驱动晶体管Ti^的冲册电才及施加等值的图Y象信号Vsig， 流过具有高迁移率p的驱动晶体管TDrv和具有低迁移率(X的另 一驱 动晶体管TDrv的漏极电流Ids之间也会表现出区别。然后，如果刚刚 所述的差异出现，那么损坏有机EL显示装置的屏幕图像的均匀性。因此，当驱动晶体管T^维持导通状态时，发光控制晶体管控 制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL—c向发光控制电 路的栅电极施加用于将发光控制电路Tei^c置为导通状态的第 三电压V3—ON。然后，在预定时间to间隔后，扫描电^各101操作而 将扫描线SCL设为低电平，从而将图像信号写晶体管Tsig置为截止 状态，从而将第一节点ND1，即驱动晶体管Tj^的栅电极置为浮接状态。因此，当驱动晶体管TDrv的迁移率^l的数值很高时，驱动晶 体管Torv的源极区中的电位的增加量AV或电位校正值变得很大，但当驱动晶体管T^的迁移率p的数值很低时，驱动晶体管Td"的 源极区中的电位的增加量AV或电位校正值就变得很小。这里，驱动晶体管TDrv的栅电才及和源才及区之间的电位差Vgs通过以下由表达式(3)的变形得到的表达式给出应注意，执行迁移率4交正处理的预定时间[周期-TP(5)6]的总时 间to可以作为基于有机EL显示装置的设计的设计值预先确定。另 外，确定[周期-TP(5)6]的总时间to以使该时间驱动晶体管Td^的源 极区中的电位V0fs-Vth + AV满足以下表达式(2，)。然后，通过迁 移率校正处理同时执行系数k一(l/2KW/L)'C。x)的离散校正。Vofs - Vth + AV < Vth-EL + VCat …(2，)[周期-TP(5)7](参考附图4、 5和7E)通过上述才喿作，完成阀值电压消除处理、写处理和迁移率才交正 处理。此后，在[周期-TP(5)7]中，用以下方式进4亍上述步骤(d)。 更具体地，扫描电路101操作而将扫描线SCL设为低电平，从而将 图像信号写晶体管Tsig置为截止状态，从而将第一节点NDp即驱 动晶体管T^的栅电极置为浮接状态。然后，为了将发光控制电路 Tj^c置为导通状态，通过发光控制晶体管控制线CLEL—c向发光控 制电路TFXC的栅电极施加第三电压V3_ON ，然后维持第三电压V30N 的施加状态。同时，发光控制电路TEL_c的漏极区维持这样一种状 态，其连接至用于控制发光部ELP的发光的例如20伏特的电压Vcc 的电流供给部100。作为该l喿作的结果，第二节点ND2的电位升高。这里，由于驱动晶体管TDrv的4册电4及如上所述处于浮^l妄状态， 并且除此以外由于电容器部d存在，驱动晶体管Torv的栅电极也发生类似于自举电^各的现象。因此，第一节点NDi的电位也升高。因此，驱动晶体管Torv的栅电极和源极区之间的电位差Vgs维持表达式(4)的数值。另夕卜，由于第二节点ND2的电位升高并超过Vth_EL +VCat,发光 部ELP开始发光。在这个时候，由于流过发光部ELP的电流是从驱动晶体管T^的漏极区流向源极区的漏极电流Ids,故其可以由表达式(1 )表示。这里，从表达式(1 )和(4)，可以将表达式(1 ) 转变为表达式(5):Ids = k^'(VSig — V0fs — AV)2 …(4)因此，当电压V服被设为0伏特时，由于来自用于控制发光部 ELP的亮度的图像信号Vsig的数值的驱动晶体管T^的迁移率p， 流过发光部ELP的漏一及电流I&与对第二节点ND2,即对驱动晶体 管Torv的源极区的电压校正值AV的差值的平方成比例地增加。换 句话i兌，流过发光部ELP的漏才及电流Ids既不取决于发光部ELP的阀值电压Vth—EL,也不取决于驱动晶体管Torv的阀值电压Vth。因此，发光部ELP的发光量，即亮度既不受发光部ELP的阀值电压Vth_EL 的影响，也不受驱动晶体管IWv的阀值电压V&的影响。因而，第 (n, m )个有机EL元件10的亮度具有对应于漏极电流Ids的数值。此夕卜，由于电位校正值AV随驱动晶体管TDrv的迁移率|i的增 加而增加，所以表达式(4)的左侧的值减小。因此，即使在表达 式(5)中迁移率|Ll的数值很高，也可以校正漏极电流Ids,这是因 为(Vsig-V0fs-AV)2的值减小了。换句话说，即使驱动晶体管TDrv 具有不同的迁移率卜如果图像信号Vsig的值相等，那么漏极电流 Ids也会变得基本上相等，并且因此，流过发光部ELP控制发光部 ELP的亮度的漏极电流Ids均匀。换句话说，由于迁移率n的离散引 起了发光部的亮度的离散，因此可以校正系数k的离散。发光部ELP持续发光状态，直到第(m + m， - 1 )个水平扫描 周期。该时间点对应于[周期-TP(5)-d的结束。于是，完成了有机EL元件IO，即第(n, m)个子像素(有机 EL元件10)的发光操作。现在，将描述4Tr/lC驱动电^^。[4Tr/lC马区动电^各]图8示出了 4Tr/lC驱动电路的等效电路图；图9示出了有枳』 EL显示装置的框图；而图IO示出了 4Tr/lC驱动电路的驱动时序图。 另外，图11A- IID和12A~ 12D图解示出了 4Tr/lC驱动电路的晶体管的导通/截止状态等。在4Tr/lC驱动电路中，从上述5Tr/lC驱动电^各省略第一节点 初始化晶体管Tnd,。更具体地，4Tr/lC驱动电路包括四个晶体管，图像信号写晶体管TSig、驱动晶体管Torv、发光控制晶体管TEL一c和第二节点初始化晶体管TND2,并且还包括一个电容器部C1(> [发光控制晶体管TE1^c]发光控制晶体管TELC具有与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的 发光控制晶体管Tel一c相同的配置。因此，为了避免重复，这里省 略了发光控制晶体管TE^的重复描述。[驱动晶体管TDrv]驱动晶体管TDrv具有与上述5Tr/lC驱动电^各的描述中的驱动晶体管TDrv相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了驱动晶 体管Tr^的重复描述。[第二节点初始化晶体管TND2]第二节点初始化晶体管Tnd2具有与上述5Tr/lC驱动电^各的描述中的第二节点初始化晶体管Tnd2相同的配置。因此，为了避免重 复，这里省略了第二节点初始化晶体管TND2的重复描述。[图像信号写晶体管TSig]图像信号写晶体管Tsig具有与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的 图像信号写晶体管Tsig相同的配置。因此，为了避免重复，这里省 略了图像信号写晶体管Tsig的重复描述。然而，应注意，尽管图像 信号写晶体管TSig的一个源极/漏极区连接至数据线DTL,从图像信 号输出电路102向源极/漏极区不仅提供了用于控制发光部ELP的 亮度的图像信号VSig,而且还提供了用于初始化驱动晶体管TDrv的 栅电极的电压Voft。这种情况下，图像信号写晶体管T^的操作与 上述5Tr/lC驱动电路的描述中的图像信号写晶体管Tsig的操作不 同。应注意，可以从图像信号输出电路102通过数据线DTL向一 个源极/漏极区提供与图像信号Vsig或电压V0fs不同的信号或电压， 例如，用于预充电驱动的信号。[发光部ELP]发光部ELP具有与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的发光部 ELP相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了发光部ELP 的重复描述。以下将描述4Tr/lC驱动电3各的才喿作。[周期-TP(4)-,](参考附图10和11A)例如，在[周期-TP(4^]中，执行用于在前显示帧的操作。这种 情况下的操作与上述'5Tr/lC驱动电路的描述中的[周期-TP(5)J中的才喿作相同。图10所示的[周期-TP(4)0] ~ [周期-TP(4)4]的周期分别对应于图 4所示的[周期-TP(5)0] ~ [周期-TP(5)4]的周期，并且是到进行下一个写处理的前一才喿作时期。类似于5Tr/lC驱动电^各中，在[周期 -TP(4)o] [周期-TP(4)4]的周期中，第(n， m)个有机EL元件10 处于不发光状态。然而，4Tr/lC驱动电路的才喿作与5Tr/lC驱动电 路的不同在于，在图10中所示的第m个水平扫描周期中，不^f又包 括[周期-TP(4)s] ~ [周期-TP(4)6]的周期，而且还包括[周期-TP(4)2] ~ [周期-TP(4)4]的周期。为了便于描述，假设[周期-TP(4)2]的开始时间 点和[周期-TP(4)6]的结束时间点分别与第m个水平扫描周期的开始 时间点和结束时间点相 一致。以下将描述[周期-TP(4)0] ~ [周期-TP(4)4]的周期中的操作。应注 意，可以类似于前述的5Tr/lC驱动电路，根据有机EL显示装置的 设计适当设置[周期-TP(4)！]的开始时间点和[周期-TP(4),] ~ [周期 -TP(4)4]的周期的长度。[周期-TP(4)0]基于从在前显示帧到当前显示帧的转变执行[周期-TP(4)o]中的 操作，该操作与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的[周期-TP(5)0]中的 操作基本相同。周期[周期-TP(4)i] [周期-TP(4)2](参考附图IIB和11C)在该周期中，进行步骤(a),即上述的预处理。以下将详细描 述该预处理。[周期-TP(4)d (参考附图11B)该[周期-TP(4)!]对应于上述5Tr/lC驱动电路的描述中的[周期 -TP(5)i]。在[周期-TP(4)!]开始时，第二节点初始化晶体管控制电路105操作以将第二节点初始化晶体管控制线AZND2设为高电平，从而将第二节点初始化晶体管TND2置为导通状态。因此，第二节点 ND 2的电位变为等于例如-10伏特的电压V s s 。处于浮4妾状态的第一 节点NDp即驱动晶体管Torv的栅电极的电位也下降，从而跟随第 二节点ND2的电位的下降。应注意，由于在[周期-TP(4)!]中第一节 点ND,的电位取决于在[周期-TP(4)J中第 一节点ND!的电位，其中， [周期-TP(4).,]依次取决于在前的帧的图像信号Vsig的数值，所以并 不假设一个固定值。[周期-TP(4)2](参考附图11C)此后，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位设 为电压V0fs，并且扫描电^各101才喿作以将扫描线SCL i殳为高电平， 从而将图像信号写晶体管Tsig置为导通状态。结果，第一节点ND! 的电位变为等于例如可以为0伏特的电压Vofs。第二节点ND2的电 位维持例如可以为-10伏特的电压Vss。此后，第二节点初始化晶体管控制电路105操作以将第二节点初始化晶体管控制线AZND2设为 低电平，从而将第二节点初始化晶体管TND2置为截止状态。应注意，图像信号写晶体管Tsig可以在[周期-TP(4)!]的开始或 者[周期-TP(4:h]期间同时被置为导通状态。通过上述处理，驱动晶体管Torv的栅极区和源极区之间的电位 差变得比阀值电压Vth大，并且驱动晶体管Tor^皮置为导通状态。周期[周期-TP(4)3]-[周期-TP(4)4](参考附图11D和12A)在该周期中，，执行通过上述步骤(b ),更具体地，通过步骤(b -1)和(b-2)提供的阀值电压消除处理。以下将详细描述阀值 电压消除处理。[周期-TP(4)3](参考附图11D)首先，执行上述的步骤(b-1 )。具体地，当图像信号写晶体 管Tsig维持导通状态时，在[周期-TP(4)3]的初始时间点，发光控制 晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发 光控制电路TEL—c的栅电极施加用于将发光控制电路TEL—c置为导通状态的第一电压V10N，从而将发光控制电if各TELc置为导通状态。因此，尽管第一节点ND!的电位不变而维持电压Vof,0伏特，但是第二节点ND2的电位向驱动晶体管Torv的阀值电压V&与第一节点ND,的电位的差值变化。换句话说，处于浮接状态的第二节点ND2的电位升高。然后，当驱动晶体管Torv的栅电极和源极区之间 的电位差达到阀值电压Vth时，驱动晶体管Torv进入截止状态。更具体地，处于浮接状态的第二节点ND2的电位接近Vofs - Vth = - 3 伏特并最终变为等于Vofs-Vth。这里，如果确保上述给出的表达式(2)，或者换句话说，如果选择并决定电位从而使得满足表达式(2)，那么发光部ELP并不发光。[周期-TP(4)4](参考附图12A)然后，执行上述的处理(b_2)。具体地，当图Y象信号写晶体 管Tsig维持导通状态时，在[周期-TP(4)4]的初始时间点，发光控制 晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL—c向发 光控制晶体管TEL—c的栅电极施加用于将发光控制晶体管TELC置为截止状态的第二电压V2—OFF。因此，发光控制晶体管TEL一c被置为截止状态。第一节点NDi的电位不变而维持电压Voft-O伏特，处于 浮接状态的第二节点ND2的电位也基本上维持V0fs-Vth= - 3伏特。如上所述，第二节点ND2的电位通过步骤(b-1)和(b-2) 最终变为V0fs-Vth。更具体地，第二节点ND2的电位^义取决于驱动晶体管Tj^的阀值电压Vth和驱动晶体管T^的栅电极。因此，第二节点ND2的电位与发光部ELP的阀值电压Vth.EL无关。现在将描述[周期-TP(4)s] ~ [周期-TP(4)7]的周期中的操作。这些 周期中的操作同上述5Tr/lC驱动电路的描述中[周期-TP(5)5] [周 期-TP(5)7]的周期中的操作基本上相同。[周期-TP(4)5](参考附图12B)在该周期中，执行步骤(c),即上述的写处理。具体地，当图 像信号写晶体管Tsig维持导通状态，并且第二节点初始化晶体管 TND2和发光控制电路TEl^c维持截止状态时，图像信号输出电路102 操作以将数据线DTL的电位从电压Vofs向用于控制发光部ELP的 亮度的图像信号电压Vsig变化。因此，第一节点ND!的电位升高至 图像信号电压Vsig。应注意，可以将图像信号写晶体管T^一次置 为截止状态，从而当图像信号写晶体管Tsig、第二节点初始化晶体 管TND2和发光控制电路TEL—c维持截止状态时，图像信号输出电路 102 4喿作以将凄t据线DTL的电位向用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压Vsig变化，随后，当第二节点初始化晶体管TND2和发光控制电路TEL_c维持截止状态时，将扫描线SCL设为高电平，从 而将图像信号写晶体管Tsig置为导通状态。与上述5Tr/lC驱动电^各的情况类似，通过该处理，第一节点 ND,和第二节点ND2之间的电位差，即驱动晶体管Torv的栅电极和 源极区之间的电位差Vgs变为与从上述给出的表达式(3 )得到的值相等。换句话说，在4Tr/lC驱动电路中，用于驱动晶体管T^的写 处理中得到的电位差Vgs也仅取决于用于控制发光部ELP的亮度的图像信号VSig、驱动晶体管Torv的阀值电压Vth和用于初始化驱动晶体管Torv的栅电极的电压V0fs。换句话说，电位差V^与发光部 ELP的阀值电压Vth—EL无关。[周期-TP(4)6](参考附图12C)此后，执行基于驱动晶体管TDrv的迁移率的量级的驱动晶体管 丁Drv的节点区，即第二节点ND2的电位的校正，即迁移率校正处理。更具体地，可以执行与5Tr/lC驱动电路相关的上述[周期-TP(5)6]中 的操作相同的操作。应注意，用于执行迁移率校正处理的[周期计的i殳计佳—预先确定。[周期-TP(4)7〗(参考附图12D)通过上述4乘作完成阀值电压消除处理、写处理和迁移率才交正/ 写处理。此后，在[周期-TP(4)7]执行上述步骤(d)。此后，执行与 5Tr/lC驱动电路的描述中的上述[周期-TP(5)7]中的处理相同的处 理。因此，由于第二节点ND2的电位升高并很快超过Vth_EL +VCat, 所以发光部ELP开始发光。此时，由于可以从上述给出的表达式(5 ) 得到流过发光部ELP的电流，所以流过发光部ELP的漏4及电流Ids 并不耳又决于发光部ELP的阀值电压V^EL和驱动晶体管TDrv的阀值 电压Vth中的任一个。换句话说，发光量或发光部ELP的亮度并不受发光部ELP的阀值电压Vth-EL和驱动晶体管Torv的阀值电压Vth中任一个的影响。此外，可以抑制由驱动晶体管Topv的迁移率p的 离散引起的漏极电流Ids的离散出现。然后，发光部ELP持续发光状态，直到第(m + m，-l)个水 平扫描周期。该时间点对应于[周期-TP(4)J的结束。于是，完成了有机EL元件IO,即第(n, m)个子像素或有机 EL元件10的发光4喿作。现在，将描述3Tr/lC驱动电路。[3Tr/lC驱动电路]图13示出了 3Tr/lC驱动电路的等效电路图；图14示出了有机 EL显示装置的框图；图15示出了 3Tr/lC驱动电路的驱动时序图； 而图16A- 16D和17A~ 17E中图解示出了 3Tr/lC驱动电路的晶体管的导通/截止状态等。在3Tr/lC驱动电路中，从上述5Tr/lC驱动电路省略包括第一节点初始化晶体管丁n!m和第二节点初始化晶体管Tnd2的兩个晶体管。更具体地，3Tr/lC驱动电路包括三个晶体管，图像信号写晶体 管Tsig、驱动晶体管T^和发光控制晶体管TEL—c，并且还包括一个 电容器部d。[发光控制晶体管TEL—c]发光控制晶体管TEL—c具有与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的 发光控制晶体管TEL—c相同的配置。因此，为了避免重复，这里省 略了发光控制晶体管Tel—c的重复描述。[驱动晶体管TDrv]驱动晶体管Td^具有与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的驱动 晶体管Torv相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了驱动晶 体管T^的重复描述。[图像信号写晶体管TSig]图像信号写晶体管Ts ig具有与上述5 Tr/1C驱动电路的描述中的 图像信号写晶体管Tsig相同的配置。因此，为了避免重复，这里省 略了图像信号写晶体管Tsig的重复描述。然而，应注意，尽管图像 信号写晶体管TSig的一个源极/漏极区连接至数据线DTL，从图像信 号输出电路102向源极/漏极区不仅提供了用于控制发光部ELP的 亮度的图像信号VSig，而且还提供了用于初始化驱动晶体管TDrv的 栅电极的电压V0fs-H。这种情况下，图像信号写晶体管T^的操作 与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的图像信号写晶体管T^的操作不 同。应注意，可以从图像信号输出电路102通过数据线DTL向一个源极/漏极区提供与图像信号Vsig或电压Vofs-H/Voft丄不同的信号或电压，例如，用于预充电驱动的信号。尽管没有具体限制电压Voft-h和电压Voft-l的值，但它们可以是，例如，Vofs_H =约30伏特 Vofs-L =约0伏特[寄生电容CEL与电容器d的值的关系]如上所述，在3Tr/lC驱动电^各中，需要利用数据线DLT改变 第二节点ND2的电位。在5Tr/lC驱动电路和4Tr/lC驱动电^各的描述中，寄生电容Cel同数但Ct和数值Cgs相比具有相当高的值，并且基于驱动晶体管Torv的栅电极的电位变化VSig-Vofs，没有考虑 驱动晶体管TDrv的源极区中即第二节点ND2的电位变化。另 一方面， 在3Tr/lC驱动电路中，将数值d设为比其它驱动电路的数值更高 的数值，例如，根据设计，将其设为寄生电容CEL的约1/4到1/3。 因此，由第 一节点ND!的电位变化31起的第二节点ND2的电位变化 程度比其它驱动电路的高。因此，在以下的3Tr/lC驱动电路的描述 中，考虑由第一节点ND,的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化。应注意，给出的图15中示出的驱动时序图也考虑了由第一节 点ND!的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化。[发光部ELP]发光部ELP具有与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的发光部 ELP相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了发光部ELP 的重复描述。以下将描述3Tr/lC驱动电路的操作。[周期-TP(3)-!](参考附图16A)例如，在[周期-TP(3)J中，执行在前显示帧的操作。该周期中 的操作与上述5Tr/lC驱动电路的描述中[周期-TP(5^]的操作相同。图15所示的[周期-TP(3)o]-[周期-TP(3)4]的周期分别对应于图 4所示的[周期-TP(5)。] ~ [周期-TP(5)4]的周期，并且是到进行下一个 写处理之前的才乘作时期。类似于5Tr/lC驱动电^各中，在[周期 -TP(3)o] [周期-TP(3)4]的周期中，第(n， m)个有机EL元件10 处于不发光状态。然而，3Tr/lC驱动电路的操作与5Tr/lC驱动电 路的不同在于，在图15中所示的第m个水平扫描周期中，不仅包 括[周期-TP(3)s] ~ [周期-TP(3)6]的周期，而且包括[周期-TP(3、] ~ [周 期-TP(3)4]的周期。为了便于描述，假设[周期-TP(3)i]的开始时间点 和[周期-TP(3)6]的结束时间点分别与第m个水平扫描周期的开始时 间点和结束时间点相,寻。以下将描述[周期-TP(3)G] ~ [周期-TP(3)4]的周期中的操作。应注 意，可以类似于前述的5Tr/lC驱动电路，根据有机EL显示装置的 设计适当设置[周期-TP(3川~ [周期-TP(3)4]的周期长度。[周期-TP(3)0](参考附图16B)基于从在前显示帧到当前显示帧的转变执行[周期-TP(3)o]中的 操作，该操作与上述5Tr/lC驱动电路的描述中的[周期-TP(5)o]中的操作基本相同。周期[周期-TP(3川 [周期-TP(3)2](参考附图16C和16D)在该周期中，^M于步骤(a)，即上述的预处理。以下将详细描 述该预处理。[周期-TP(3、](参考附图16C)然后，当前显示帧的第m个水平扫描周期开始。在[周期-TP(3)j] 开始时，图像信号输出电路102操作，从而将数据线DTL的电位 设为用于初始化驱动晶体管Torv的片册电极的电压Vofs_H，然后扫描 电路101操作以将扫描线SCL设为高电平，从而将图像信号写晶体 管Tsig置为导通状态。因此，第一节点ND!的电位变为等于电压 V0fs-H。由于将电容器部d的数值Cl根据上述设计被设为比其它驱 动电^^的高，所以驱动晶体管TDrv的源4及区的电位，即第二节点 ND2的电位升高。然后，由于发光部ELP间的电位差最终超过阀值 电压Vth.EL,所以发光部ELP 4皮置为导通状态。然而，驱动晶体管 T^v的源极区的电位立即再次下降至Vth_EL +VCat。应注意，在该处 理中，尽管发光部ELP可以发光，该发光发生在瞬间并且无关于实 际应用。另一方面，驱动晶体管TDrv的栅电极维持电压Vofs_H。[周期-TP(3)2](参考附图16D)此后，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位从 用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压Vcm-H设为电压Vofs-L,因此，第一节点NDi的电位变为等于电压V0fs_L。然后，随着第一 节点ND!的电位的下降，第二节点ND2的电位也下降。具体地，基 于驱动晶体管TDrv的4册电才及的电位变化Vofs-L - Vofs—H的电荷分布在电容器部d、发光部ELP的寄生电容CEL和驱动晶体管Tj^v的栅电-fe和源才及区之间的寄生电容上。应注意，作为用于后述的[周期 -TP(3)3]中的操作的先决条件，第二节点ND2的电位必须比[周期 -TP(3 )2]的结束时间点的Vofs.L - Vth低。电压V0fs.H等的值被设为满足该要求。这样，通过上述处理，驱动晶体管TDrv的栅电极和源极 区之间的电位差变得比阀值电压Vth大，因此，驱动晶体管Torv被置为导通状态。周期[周期-TP(3)3]-[周期-TP(3)4](参考附图17A和17B)在该周期中，执行上述步骤(b),即包括上述步骤(b-1 )和 (b - 2 )的阀值电压消除处理。以下将详细描述阀值电压消除处理。[周期-TP(3)3](参考附图17A)首先，执行上述的步骤(b-1 )。具体地，当图像信号写晶体 管Tsig维持导通状态时，在[周期-TP(3)3]的初始时间点，发光控制 晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发 光控制电路TEL—c的栅电极施加用于将发光控制电路TEL—c置为导通状态的第一电压V10N。然后，发光控制电路TEL—c被置为导通状态。因此，尽管第一节点ND的电位不变而维持电压VOfs_L = 0伏特， 但是第二节点ND2的电位向第 一节点NDi的电位与驱动晶体管TDrv 的阀值电压Vth的差值变化。换句话说，处于浮4妾状态的第二节点ND2的电位升高。然后，当驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间 的电位差达到阀值电压Vth时，驱动晶体管TD^进入截止状态。更具体地，处于浮接状态的第二节点ND2的电位接近Vofs-Vth= -3 伏特并最终变为等于V0fs-Vth。这里，如果确保上述给出的表达式(2),或者换句话说，如果电位被选择并确定而满足表达式(2)， 那么发光部ELP并不发光。[周期-TP(3)4](参考附图17B)然后，执行上述的处理(b-2)。具体地，当图傳 f言号写晶体 管Tsig维持导通状态时，在[周期-TP(3)4]的初始时间点，发光控制 晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发 光控制晶体管TELC的栅电极施加用于将发光控制晶体管TEIj—c置为 截止状态的第二电压V2_OFF。因此，发光控制晶体管T仏c被置为截 止状态。第一节点NDt的电位不变而维持电压Vofs = 0伏特，而处 于浮接状态的第二节点ND2的电位也基本上维持V0fs - Vth = - 3伏 特。如上所述，第二节点ND2的电位通过步骤(b - 1 )和(b-2) 最终变为VQfs-Vth。这样，第二节点ND2的电位仅取决于驱动晶体管Torv的阀值电压Vth和驱动晶体管Torv的栅电极。因此，第二节点ND2的电位与发光部ELP的阀值电压Vth—EL无关。现在将描述[周期-TP(3)s] ~ [周期-TP(3)7]的周期中的操作。这些 周期中的操作与上述5Tr/lC驱动电路的描述中[周期-TP(5)s] ~ [周 期-TP(5)7]的周期中的操作基本上相同。[周期-TP(3)s](参考附图17C)在该周期中，4丸行步骤(c),即上述的写处理。具体地，当图 像信号写晶体管Tsig维持导通状态，并且发光控制电路TEL—c维持 截止状态时，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位 从电压Voft设为用于控制发光部ELP的亮度的图傳_信号电压VSig。 因此，第一节点ND!的电位升高至图像信号电压VSig。应注意，可以将图像信号写晶体管Tsig—次置为截止状态，从而当图像信号写 晶体管TSig和发光控制电路Tel_c维持截止状态时，数据线DTL的 电位向用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压VSig变化，随后， 当发光控制电路Tac维持截止状态时，扫描线SCL被设为高电平， 从而将图像信号写晶体管Tsig置为导通状态。在[周期-TP(3)5]中，第一节点ND,的电位升高至图像信号Vsig。 因此，当考虑由第 一 节点ND!的电位变化引起的第二节点ND2的电 位变化时，第二节点ND2的电位也升高一些。因此，第二节点ND2 的电位可以表示为Vofs-l - Vth + a'(Vsig - Vofs—L)。这里，a的值满足 0<a<l并且耳又决于电容器部d和发光部ELP的寄生屯容Cel。从而，类似于前述的5Tr/lC驱动电路，第一节点ND!和第二 节点ND2之间的电位差，即驱动晶体管T^的栅电极和源极区之间 的电位差Vgs，可以是通过以下表达式(3，)给出的数值Vgs - Vsig - (Vofs—L - Vth) _ a.(VSig - V0fs-L)…(3,)因而，在3Tr/lC驱动电路中，由用于驱动晶体管T^的写处 理得到的电位差Vgs也仅取决于用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压VSig、驱动晶体管Torv的阀值电压Vth和用于初始化驱动 晶体管Torv的栅电极的电压Vofs_L。因此，电位差Vgs与发光部ELP的阀值电压Vth孔无关。[周期-TP(3)6](参考附图17D)然后，执行校正，即，基于驱动晶体管Torv的迁移率的量级校 正驱动晶体管Torv的源极区，即第二节点ND2的电位的迁移率校正处理。换句话说，，执行迁移率4交正/写处理。具体地，可以4丸行与上述5Tr/lC驱动电路的描述中[周期-TP(5)d中的操作相同的操作。应注意，用于扭一f亍迁移率冲交正处理的预定时间，即[周期-TP(3)6]的总 时间to可以作为基于有才几EL显示装置的^:计的设计值预先确定。[周期-TP(3)7](参考附图17E)通过上述操作完成阀值电压消除处理、写处理和迁移率4交正/ 写处理。此后，在该周期中用以下方式冲丸行上述处理(d)。具体地， 执行与上述5Tr/lC驱动电路的描述中[周期-TP(5)7]中的处理相同的 处理。因此，由于第二节点ND2的电位升高并很快超过Vth-EL +VCat， 所以发光部ELP开始发光。此时，由于流过发光部ELP的电流可 以从上述给出的表达式(5)得到，所以流过发光部ELP的漏极电 流lA并不取决于发光部ELP的阀值电压Vth.EL和驱动晶体管TDrv 的阀值电压Vth中的任一个。换句话i兌，发光量或发光部ELP的亮度并不受发光部ELP的阀值电压Vth孔和驱动晶体管Torv的阀值电 压Vth中任一个的影响。此外，可以抑制由驱动晶体管Torv的迁移率(a的离散引起的漏极电流Ids的离散的出现。然后，发光部ELP保持发光状态，直到第(m + m，-l)个水 平扫描周期。该时间点对应于[周期-TP(3)J的结束。于是，完成了有机EL元件IO,即第(n， m)个子像素或有机 EL元件10的发光才喿作。虽然使用具体条件描述了本发明优选的实施例，但是该描述仅 用于示例，并且应了解，在不背离以下^f又利要求的4青一申或范围的前 提下可以作出各种改变和变化。具体地，与本发明的实施例相关的 上述有机EL显示装置、有机EL元件和驱动电路的各种组分的构 造和结构以及用于发光部的驱动方法的步骤都是示例性的，并且可 以进行适当的<务改。
权利要求
1.一种用于有机EL显示装置的有机电致发光发光部的驱动方法，所述EL显示装置包括(1)扫描电路，(2)图像信号输出电路，(3)以二维矩阵设置的共N×M个有机电致发光元件，在所述二维矩阵中，N个有机EL元件在第一方向排列，而M个有机EL元件在不同于所述第一方向的第二方向排列，并且每个所述有机电致发光元件均包括有机电致发光发光部和用于驱动所述有机电致发光发光部的驱动电路，(4)M条扫描线，连接至所述扫描电路并沿所述第一方向延伸，(5)N条数据线，连接至所述图像信号输出电路并沿所述第二方向延伸，以及(6)电流供给部，所述驱动电路包括(A)驱动晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区和栅电极，(B)图像信号写晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区和栅电极，(C)发光控制晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区和栅电极，以及(D)电容器部，具有一对电极，所述驱动晶体管经配置以使(A-1)所述源极/漏极区中的第一个源极/漏极区连接至所述发光控制晶体管的所述源极/漏极区中的第二个源极/漏极区，(A-2)所述源极/漏极区中的第二个源极/漏极区连接至置于所述有机电致发光发光部中的阳极电极，并连接至所述电容器部的所述电极中的第一个电极以形成第二节点，以及(A-3)所述栅电极连接至所述图像信号写晶体管的所述源极/漏极区中的第二个源极/漏极区，并连接至所述电容器部的所述电极中的第二个电极以形成第一节点，所述图像信号写晶体管经配置以使(B-1)所述源极/漏极区中的第一个源极/漏极区连接至数据线，以及(B-2)所述栅电极连接至扫描线，所述发光控制晶体管经配置以使，(C-1)所述源极/漏极区中的第一个源极/漏极区连接至电流供给部，以及(C-2)所述栅电极连接至发光控制晶体管控制线，用于所述有机EL显示装置的有机电致发光发光部的驱动方法包括以下步骤(a)执行向所述第一节点施加第一节点初始化电压以及向所述第二节点施加第二节点初始化电压的预处理，以使所述第一和第二节点之间的电位差超过所述驱动晶体管的阀值电压，并且所述第二节点和所述有机电致发光发光部的阳极电极之间的电位差不超过所述有机电致发光发光部的阀值电压；(b)执行用于在保持所述第一节点的电位的同时使所述第二节点的电位向所述驱动晶体管的所述阀值电压与所述第一节点的所述电位的差值电位改变的阀值电压消除处理；(c)执行通过根据来自所述扫描线的信号而被置为导通状态的所述图像信号写晶体管将来自所述数据线的图像信号施加至所述第一节点的写处理；(d)根据来自所述扫描线的信号将所述图像信号写晶体管置为截止状态，以将所述第一节点置为浮接状态，并且通过所述发光控制晶体管和所述驱动晶体管，从所述电流供给部向所述有机电致发光发光部提供与所述第一节点和所述第二节点之间的电位差的值相对应的电流，以驱动所述有机电致发光发光部；所述步骤(b)包括以下步骤(b-1)通过所述发光控制晶体管控制部向所述发光控制晶体管的所述栅电极施加用于将所述发光控制晶体管置为导通状态的第一电压，以通过处于导通状态的所述发光控制晶体管，将所述驱动晶体管的所述源极/漏极区中的一个连接至所述电流供给部，从而将所述驱动晶体管的所述一个源极/漏极区的电位设为比所述步骤(a)的所述第二节点的所述电位更高的电位，以及(b-2)通过所述发光控制晶体管控制线向所述发光控制晶体管的所述栅电极施加用于将所述发光控制晶体管设为截止状态的第二电压，所述步骤(d)还包括通过所述发光控制晶体管控制线向所述发光控制晶体管的所述栅电极施加用于将所述发光控制晶体管置为导通状态的第三电压，并且通过处于导通状态的所述发光控制晶体管，将所述驱动晶体管的所述源极/漏极区中的一个连接至所述电流供给部，从而向所述有机电致发光发光部提供与所述第一节点和所述第二节点之间的电位差的值相对应的电流，所述第一、第二和第三电压满足|V1_ON-V2_OFF|＜|V3_ON-V2_OFF|，其中，V1_ON为所述第一电压，V2_OFF为所述第二电压以及V3_ON为所述第三电压。
2. 根据权利要求1所述的驱动方法，其中，所述驱动电路还包括(E) 第二节点初始化晶体管，包括源才及/漏一及区、沟道形 成区和4册电才及，在所述第二节点初始化晶体管中(E - 1 )所述源极/漏极区中的第一个源极/漏极区连接至 第二节点初始化电压供给线；(E - 2 )所述源极/漏极区中的第二个源极/漏极区连接至 所述第二节点；以及(E - 3 )所述栅电才及连4姿至第二节点初始化晶体管控制线；在所述步骤(a )，通过根据来自所述第二节点初始化晶体 管控制线的信号被置为导通状态的所述第二节点初始化晶体 管，从所述第二节点初始化电压供给线向所述第二节点施加第 二节点初始化电压，然后4艮据来自所述第二节点初始化晶体管 控制线的信号将所述第二节点初始化晶体管置为截止状态。
3. 根据权利要求2所述的驱动方法，其中，所述驱动电路还包括(F) 第一节点初始化晶体管，包括源极/漏极区、沟道形 成区和4册电才及，在所述第一节点初始化晶体管中(F - 1 )所述源才及/漏才及区中的第一个连4妄至第一节点初 始化电压供给线；(F-2)所述源极/漏极区中的第二个连接至所述第一节 点；以及(F - 3 )所述栅电极连4妄至所述第一节点初始化晶体管 控制线；在所述步骤(a ),通过才艮据来自所述第一节点初始化晶体 管控制线的信号被置为导通状态的所述第一节点初始化晶体 管，/人所述第一节点初始化电压供给线向所述第一节点施加第 一节点初始4t电压。
全文摘要
本发明披露了一种用于有机EL显示装置的有机电致发光发光部的驱动方法，该有机EL显示装置包括扫描电路、图像信号输出电路、共N×M个有机电致发光元件、M条扫描线、N条数据线和电流供给部。该驱动方法包括以下步骤执行预处理；执行阀值电压消除处理；执行写处理；并且向有机电致发光发光部提供电流，从而驱动有机电致发光发光部。
文档编号H05B33/08GK101271666SQ20081008279
公开日2008年9月24日 申请日期2008年3月19日 优先权日2007年3月20日
发明者丰村直史, 内野胜秀, 山本哲郎 申请人:索尼株式会社