专利名称：一种双面镂空板的制造方法
技术领域：
本发明涉及印刷电路板制造领域，更具体地说，涉及一种双面镂空板的 制造方法。
背景技术：
在柔性印刷线路板(Flexible Printed Circuit board,简称FPC)中， 一般来讲用于制作柔性印刷线路板的FPC基板包括介电层和覆盖在介电层表 面上的导电层，对于单面FPC基板而言，导电层仅覆盖在介电层的一个侧面 上；在双面FPC基板中，导电层覆盖在介电层的两个侧面上；通常，镂空板 作为印刷电路板中的一种，通过在铜箔的两面分别压合覆盖膜，并经过冲压 工序在电路板上冲出局部镂空图形而形成。而镂空板FPC基板只有导电层没 有介电层，即纯铜箔，在线路形成之前都要在该纯铜箔的一面热压一层盖膜， 然后再两面层压干膜，形成线路，依次有以下步骤铜箔裁断一钻孔一化研 —L2面贴盖膜一热压L2面盖膜一烘烤一化研一两面干膜层压一曝光一显影 —蚀刻一化研一Ll面贴盖膜一热压Ll面盖膜。制作过程尤其是热压时容易 产生异物和残胶，从而导致线路制作难度很大，线路不良很高，增加制造成 本。
发明内容
本发明人经过深入的反复的研究和实验后，发现导致线路制作难度很 大，线路不良很高，增加制造成本的根本原因是在贴盖膜时没有将铜面保护， 以导致在第二面贴盖膜和热压盖膜时，第一面的铜面产生异物和残胶。
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种线路制作简单，成本低，线 路良率高的双面镂空板的制造方法。
本发明提供的制造双面镂空板的方法，它按照以下步骤进行 (1).铜箔裁断，将铜箔裁取设计要求的双面铜箔；
(2) .钻孔；根据设计要求在所述双面铜箔上钻孔；
(3) .化研对铜箔表面进行表面化学处理；
(4) .干膜层压;将干膜层压在第一层铜箔的上表面；
(5) .贴盖膜将双面铜箔进行对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表 面，进行预压；
(6) .热压盖膜:将步骤(5)的铜箔与盖膜进行热压；
(7) .烘烤；
(8) .再次化研将铜箔表面进行第二次表面化学处理；
(9) .干膜层压在压有盖膜的第二层铜箔盖膜表面层压一层干膜；
(10) .曝光将设计完成的线路图案进行曝光；
(11) .显影对曝光后的干膜进行显影；(12) .蚀刻用蚀刻液对双面铜箔线路蚀刻；
(13) .剥膜线路形成后将两面的干膜剥除；
(14) .第3次化研:对铜箔表面第三次表面化学处理；
(15) .再次贴盖膜将双面铜箔进行对位，并且在第一层铜箔上表面 贴盖膜；
(16) .再次热压盖膜将步骤(15)的铜箔与盖膜进行热压；
(17) .后续步骤。
作为改一改进，所述步骤(3).步骤(8)和步骤(14)中表面化学处 理为化学研磨。
作为改一改进，所述步骤(5).步骤(15)的对位方式为孔对位。
作为改一改进，所述步骤(7)烘烤温度80'C-160°C，烘烤时间为0.5-2 小时。
作为改一改进，所述步骤(4)和步骤(9)的干膜为杜邦20或者杜邦 30或者杜邦40。
作为改一改进，所述干膜为杜邦20时，曝光条件为曝光机的曝光量为 5-8级，显影条件采用2.5-2.7M/MIN的速度进行。
作为改一改进，所述干膜为杜邦30时，曝光条件为曝光机的曝光量为 5-8级，显影条件为采用采用2. 3-2. 5M/MIN的速度进行。
作为改一改进，所述干膜为杜邦40时，曝光条件为曝光机的曝光量为 5-8级，显影条件为采用1. 9-2. 1M/MIN的速度进行。作为改一改进，所述步骤(12)中蚀刻液为铜蚀刻液。
作为改一改进，所述步骤(17)后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全 检、包装。
本发明提供的制造镂空板的方法的优势在于，由于本发明镂空板的制造 方法的变化，在铜箔上热压一面盖膜之前先在该铜箔的另一面层压一面干 膜，用来保护铜面，避免在贴合、热压盖膜时产生异物，影响线路良率。本 发明有效的降低了镂空板成品不良率。
图1为本发明实施例与对比例的成品不良率曲线比较图。
具体实施例方式
下面，对本发明进行详细地描述。 本发明提供镂空板的制造方法，包括
(1) .将铜箔裁取设计要求的双面铜箔；
(2) .钻孔；将步骤(1)双面铜箔上NC (数控)钻孔，即用NC钻孔机 进行钻孔；
(3) .化研对铜箔表面进行表面化学处理；即将铜箔表面进行化研， 除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；(4) .干膜层压;将干膜层压在第一层铜箔的上表面，所用干膜为杜邦
20;
(5) .贴盖膜将双面铜箔进行孔对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下 表面，进行预压，所用盖膜为PI (聚酰亚氨)盖膜；
(6) .热压盖膜:将步骤(5)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(7) .烘烤，烘烤温度为8(TC-160。C，烘烤时间为0.5-2小时；
(8) .再次化研将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面 进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(9) .干膜层压在压有盖膜的第二层铜箔盖膜表面层压一层干膜;， 所用干膜为杜邦系列，可以为杜邦20 (20就是20um厚的干膜)或者30或
者40;
(10) .曝光将设计完成的线路图案用曝光机进行紫外线曝光；曝光 采用一般的曝光机，曝光能量为5-7级，可以根据所选干膜的材料来确定；
(11) .显影对曝光后的干膜进行显影，将未曝光的干膜部分溶解以 露出导电层，保留曝光的干膜部分(与预定的线路图案对应)；显影速度为 1.9-2.7M/MIN;可以根据所选干膜的材料来确定；
(12) .蚀刻对双面铜箔线路蚀刻；，用铜蚀刻液腐蚀暴露的导电层部 分而将其除去，并保留曝光的干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的千膜去 除，从而最终在线路板基板上形成线路；
(13) .剥膜线路形成后将两面的干膜剥除；(14) .第3次化研:对铜箔表面第三次表面化学处理，对铜箔表面清洁，
减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力；
(15) .再次贴盖膜将双面铜箔进行孔对位，并且在第一层铜箔上表 面贴PI盖膜；
(16) .再次热压盖膜将步骤(15)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(17) .后续步骤，后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装， 所述打孔是指在产品的某个部位用机械方法作出检测孔和定位孔；冲压指将 整张产品冲成单个产品；电检指通过制具测定产品的电性能；全检指用目测 或者其他设备检査产品外观；包装指将产品包装出货。
本发明提供镂空板的制造方法中步骤(12)采用铜蚀刻液。
铜蚀刻液包括酸性蚀刻液和碱性蚀刻液，本发明采用的是酸性蚀刻液， 主要成分为氯化铜，双氧水，盐酸，蚀刻铜的原理为 Cu+2HCL+H202=CuCL2+2H20 。
实施例1:
(1) .铜箔裁断，将铜箔裁取为250mi^350mra的双面铜箔；
(2) .钻孔；将步骤(1)双面铜箔上NC (数控)钻孔，即用NC钻孔机 进行钻孔；
(3) .化研对铜箔表面进行表面化学处理；即将铜箔表面进行化研， 除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(4) .干膜层压;将千膜层压在第一层铜箔的上表面，所用干膜为杜邦(5).贴盖膜将双面铜箔进行孔对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下 表面，进行预压，所用盖膜为PI (聚酰亚氨)盖膜；
(6) .热压盖膜:将步骤(5)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(7) .烘烤，所用烘烤温度10(TC，烘烤时间为1.5小时；
(8) .再次化研将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面 进行化研,除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(9) .干膜层压在第二层铜箔下表面层压一层干膜；，所用干膜为杜 邦20;
(10) .曝光将设计完成的线路图案进行紫外线曝光，曝光采用一般 的曝光机，曝光能量为6级；
(11) .显影对曝光后的千膜进行显影，将未曝光的干膜部分溶解以 露出导电层，保留曝光的干膜部分(与预定的线路图案对应)；显影速度为 2. 6M/MIN;
(12) .蚀刻对双面铜箔线路蚀刻；，用铜蚀刻液腐蚀暴露的导电层部 分而将其除去，并保留曝光的干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的干膜去 除，从而最终在线路板基板上形成线路；
(13) .剥膜线路形成后将两面的干膜剥除；
(14) .第3次化研:对铜箔表面第三次表面化学处理，对铜箔表面清洁，
减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力；(15) .再次贴盖膜将双面铜箔进行孔对位，井且在第一层铜箔上表
面贴PI盖膜；
(16) .再次热压盖膜将步骤(15)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(17) .后续步骤，后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装， 所述打孔是指在产品的某个部位用机械方法作出检测孔和定位孔；冲压指将 整张产品冲成单个产品；电检指通过制具测定产品的电性能；全检指用目测 或者其他设备检査产品外观；包装指将产品包装出货。
用以上方法制造出的镂空板记为Al。
实施例2:
(1) .铜箔裁断，将铜箔裁取长为250咖*350咖的双面铜箔；
(2) .钻孔；将步骤(1)双面铜箔上NC (数控)钻孔，即用NC钻孔机 进行钻孔；
(3) .化研对铜箔表面进行表面化学处理；即将铜箔表面进行化研, 除去表面异物,清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(4) .干膜层压;将干膜层压在第一层铜箔的上表面，所用干膜为杜邦
20;
(5) .贴盖膜将双面铜箔进行孔对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下 表面，进行预压，所用盖膜为PI (聚酰亚氨)盖膜；
(6) .热压盖膜:将步骤(5)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(7) .烘烤，所用烘烤温度10(TC，烘烤时间为1.5小时；(8) .再次化研将铜箔表面进行第二次表^fT学处理，即将铜箔表面
进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(9) .干膜层压在第二层铜箔下表面层压一层干膜；，所用干膜为杜 邦30;
(10) .曝光将设计完成的线路图案进行紫外线曝光；曝光采用一般 的曝光机，曝光能量为6级；
(11) .显影对曝光后的干膜进行显影，将未曝光的干膜部分溶解以 露出导电层，保留曝光的干膜部分(与预定的线路图案对应)；显影速度为 2. 4M/MIN;
(12) .蚀刻对双面铜箔线路蚀刻；，用铜蚀刻液腐蚀暴露的导电层部 分而将其除去，并保留曝光的干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的干膜去 除，从而最终在线路板基板上形成线路；
(13) .剥膜线路形成后将两面的干膜剥除；
(14) .第3次化研:对铜箔表面第三次表面化学处理，对铜箔表面清洁， 减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力；
(15) .再次贴盖膜将双面铜箔进行孔对位，并且在第一层铜箔上表 面贴PI盖膜；
(16) .再次热压盖膜将步骤(15)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(17) .后续步骤，后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装， 所述打孔是指在产品的某个部位用机械方法作出检测孔和定位孔；冲压指将 整张产品冲成单个产品；电检指通过制具测定产品的电性能；全检指用目测 或者其他设备检査产品外观；包装指将产品包装出货。用以上方法制造出的镂空板记为A2。
实施例3:
(1) .铜箔裁断,将铜箔裁取长为为250ira^350mm的双面铜箔；
(2) .钻 L;将步骤(1)双面铜箔上NC (数控)钻 L，即用NC钻孔机 进行钻孔；
(3) .化研对铜箔表面进行表面化学处理；即将铜箔表面进行化研， 除去表面异物,清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(4) .干膜层压;将干膜层压在第一层铜箔的上表面，所用干膜为杜邦
20;
(5).贴盖膜将双面铜箔进行孔对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下 表面，进行预压，所用盖膜为PI (聚酰亚氨)盖膜；
(6).热压盖膜:将步骤(5)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(7) .烘烤，所用烘烤温度10(TC，烘烤时间为1.5小时；
(8) .再次化研将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面 进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(9) .干膜层压在第二层铜箔下表面层压一层干膜;，所用干膜为杜 邦40;
(10) .曝光将设计完成的线路图案进行紫外线曝光，曝光采用一般 的曝光机，曝光能量为6级；
(11) .显影对曝光后的干膜进行显影，将未曝光的干膜部分溶解以
露出导电层，保留曝光的干膜部分(与预定的线路图案对应)；显影速度为2.0M/MIN;
(12) .蚀刻对双面铜箔线路蚀刻；，用铜蚀刻液腐蚀暴露的导电层部 分而将其除去，并保留曝光的干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的干膜去 除，从而最终在线路板基板上形成线路；
(13) .剥膜线路形成后将两面的干膜剥除；
(14) .第3次化研:对铜箔表面第三次表面化学处理，对铜箔表面清洁， 减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力；
(15) .再次贴盖膜将双面铜箔进行孔对位，并且在第一层铜箔上表 面贴PI盖膜；
(16) .再次热压盖膜将步骤(15)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(17) .后续步骤，后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装， 所述打孔是指在产品的某个部位用机械方法作出检测孔和定位孔；冲压指将 整张产品冲成单个产品；电检指通过制具测定产品的电性能；全检指用目测 或者其他设备检査产品外观；包装指将产品包装出货。
用以上方法制造出的镂空板记为A3。
对比例
按照现有技术的制造方法将铜箔裁取长为250mm*350iran的双面铜箔； 双面铜箔上NC (数控)钻孔，即用NC钻孔机进行钻孔;将产品进行化研，除 去表面异物，清洁铜箔表面；在第二层铜箔上贴PI盖膜；将贴好PI盖膜的
铜箔与PI盖膜进行热压；将双面铜箔进行烘烤，所用烘烤温度IO(TC，烘烤 时间为1.5小时;增加盖膜与铜箔结合力，增加盖膜剥离强度；再次化研产 品烘烤后铜箔表面会严重的氧化，也有较多异物，需化研处理，将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面进行化研;餘去表面异物，清洁铜箔
表面，增加盖膜与铜箔的结合力；两面干膜层压在双面铜箔两面各层压一 层感光干膜，用于感光成预定图形，所用千膜为杜邦20;曝光利用紫外线 根据设计好的线路图案对感光杜邦20干膜进行感光；显影用显影液对曝 光后的杜邦20干膜进行显影，将未曝光的杜邦20干膜部分溶解以露出导电
层，保留曝光的杜邦20干膜部分(与预定的线路图案对应)；蚀刻用蚀刻
液腐蚀暴露的导电层部分而将其除去，并保留曝光的杜邦20干膜所覆盖的 导电层部分，再将曝光的杜邦20干膜去除，从而最终在双面铜箔上形成线
路，第3次化研；对形成线路的铜箔表面清洁，减少盖膜下异物，同时增加 盖膜与铜箔的结合力。贴盖膜，在第一层铜箔上贴PI盖膜；热压盖膜热
压步骤(13)的PI盖膜，可以保护铜面，防止氧化，并增强产品弯折等性 能；表面处理后出货，此镂空板记为A4。
参照图1可以看出，按照同样的材料和方法制成600个双面镂空板，采用 本发明的镂空板的制造方法的A3、 A2和Al的成品不良率明显降低，由于本 发明镂空板的制造方法的变化，在铜箔上热压一面盖膜之前先在该铜箔的 另一面层压一面干膜，用来保护铜面，避免在贴合、热压盖膜时产生异物， 影响线路良率；本发明有效的降低了镂空板成品不良率。
以上所述之具体实施方式
为本发明的较佳实施方式，并非以此限定本发 明的具体实施范围，凡依照本发明之方法所作的等效变化均在本发明的保护 范围内。.由表1可以看出，按照同样的材料和方法制成600个双面镂空板，采用本
发明的镂空板的制造方法的A3、 A2和A1的成品不良率明显降低，由于本发 明镂空板的制造方法的变化，在铜箔上热压一面盖膜之前先在该铜箔的另 一面层压一面干膜，用来保护铜面，避免在贴合、热压盖膜时产生异物，影 响线路良率；本发明有效的降低了镂空板成品不良率。
以上所述之具体实施方式
为本发明的较佳实施方式，并非以此限定本发 明的具体实施范围，凡依照本发明之方法所作的等效变化均在本发明的保护 范围内。
权利要求
1.一种双面镂空板的制造方法，其特征在于，它按照以下步骤进行(1).铜箔裁断，将铜箔裁取设计要求的双面铜箔；(2).钻孔；根据设计要求在所述双面铜箔上钻孔；(3).化研对铜箔表面进行表面化学处理；(4).干膜层压；将干膜层压在第一层铜箔的上表面；(5).贴盖膜将双面铜箔进行对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压；(6).热压盖膜将步骤(5)的铜箔与盖膜进行热压；(7).烘烤；(8).再次化研将铜箔表面进行第二次表面化学处理；(9).干膜层压在压有盖膜的第二层铜箔盖膜表面层压一层干膜；(10).曝光将设计完成的线路图案进行曝光；(11).显影对曝光后的干膜进行显影；(12).蚀刻对双面铜箔线路蚀刻；(13).剥膜线路形成后将两面的干膜剥除；(14).第3次化研对铜箔表面第三次表面化学处理；(15).再次贴盖膜将双面铜箔进行对位，并且在第一层铜箔上表面贴盖膜；(16).再次热压盖膜将步骤(15)的铜箔与盖膜进行热压；(17).后续步骤。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(3).步骤(8)和步 骤(14)中表面化学处理为化学研磨。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(5).步骤(15)的 对位方式为孔对位。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(7)烘烤温度80°C-160 °C，烘烤时间为0.5-2小时。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(4)和步骤(9)的 干膜为杜邦20或者杜邦30或者杜邦40。
6. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述千膜为杜邦20时，曝光条 件为曝光机的曝光量为5-8级；显影条件采用2. 5-2. 7M/MIN的速度进行。
7. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述千膜为杜邦30时，曝光条 件为曝光机的曝光量为5-8级；显影条件为采用2. 3-2. 5M/MIN的速度进行。
8. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述千膜为杜邦40时，曝光条 件为曝光机的曝光量为5-8级；显影条件为采用1. 9-2. 1M/MIN的速度进行。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(12)中蚀刻液为铜蚀 刻液。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(17)后续步骤还包 括打孔、冲压、电检、全检、包装。
全文摘要
本发明公开了一种双面镂空板的制造方法。所述方法包括铜箔裁断；钻孔；化研；干膜层压将干膜层压在第一层铜箔的上表面；贴盖膜将双面铜箔进行对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压；热压盖膜；烘烤；再次化研；干膜层压在压有盖膜的第二层铜箔盖膜表面层压一层干膜；曝光；显影；剥膜；第3次化研；再次贴盖膜将双面铜箔进行对位，并且在第一层铜箔上表面贴盖膜；再次热压盖膜；后续步骤。本发明公开了一种双面镂空板的制造方法，在铜箔上热压一面盖膜之前先在该铜箔的另一面层压一面干膜，用来保护铜面，避免在贴合、热压盖膜时产生异物，影响线路良率，同时提前给铜箔增加了厚度，可以大大较少制作过程中的铜箔褶皱；本发明有效的降低了镂空板成品不良率。
文档编号H05K3/00GK101626661SQ20081006848
公开日2010年1月13日 申请日期2008年7月11日 优先权日2008年7月11日
发明者邓柏林, 魏海琴 申请人:比亚迪股份有限公司