专利名称：：等离子体处理装置的元件的利记博彩app等离子体处理装置的元件相关申请本申请根据35U.S.C.119主张申请号为60/851,746，名称为"COMPONENTSFORAPLASMAPROCESSINGAPPARATUS",申请日为2006年10月16日的美国临时申请的优先权，其内容皆由引用纳入ot匕处。
背景技术：
：等离子体处理装置在用包括刻蚀、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、离子注入和光阻去除等纟支术处理基板时得到使用。用于等离子体处理的一种类型的等离子体处理装置包括包含上下电极的反应室。在电极之间建立电场以将工艺气体激励到等离子态乂人而在反应室中处理基才反。
发明内容才是供一种等离子体处理装置的元件。该元件包括第一构件，其具有第一热膨胀系凄t并包括多个具有第一部分和比该第一部分宽的第二部分的通孔。该第二部分由至少一个^K载面部分限定。该元件包括多个第一加固构件，其具有第二膨胀系数并设置于该第一构件的该孔内。该第一加固构件包括7义载面。至少一个可偏名+垫片，i殳置于限定该孔的该第二部分的该7R载面和该第一力口固构件的该承载面之间。第二加固构件，啮合于各第一加固构件以将该第一构件以预先确定的夹持力固定于该第二构件。该至少一个可偏斜垫片适于调节在室温和升高的处理温度之间的热循环过程中产生的力。在另一个实施方式中，提供一种等离子体处理装置的元件，包括第一构件，其具有第一热膨胀系数。第二构件，包括多个具有第一部分和比该第一部分宽的第二部分的通孔。该第二部分由至少一个承载面部分限定。多个第一加固构件，具有第二热膨胀系数并设置于该第二构件的该孔内。各该第一加固构件包括承载面。至少一个可偏斜垫片，没置于限定该孔的该第二部分的该^f义载面和该第一加固构件的该承载面之间。第二加固构件，啮合于各第一加固构件以将该第一构件以预先确定的夹持力固定于该第二构件，该至少一个可偏斜垫片适于调节在室温和升高的处理温度之间的热循环过程中产生的力。在一个优选实施方式中，提供一种等离子体处理装置的喷淋头电极组件。该喷淋头电极组件包括铝制热控制板，其包括多个具有第一部分和比该第一部分宽的第二部分的通孔。该第二部分由至少一个承载面部分限定。多个不锈钢加固构件，设置于该热控制板的该孔内，该第一加固构件包括承载面。多个可偏斜垫片，设置于该孔的该第二部分的该7义载面和该第一加固构件的该屏义载面之间。第二加固构件，啮合于各第一加固构件以将该热控制板以预先确定的夹持力固定于支撑构件。该可偏斜垫片适于调节在室温和升高的处理温度之间的热循环过程中该热控制^反和该第一加固构件之间的热膨胀的差异产生的力。硅电极，可被固定于该支撑板。提供一种在等离子体处理装置中处理半导体基板的方法。将基板置于等离子体处理装置的反应室内的基板支架上。使用该喷淋头电极组件将工艺气体引入该反应室。在该喷淋头电极组件之间从该工艺气体产生等离子体d使用该等离子体处理该基板。图1描绘了等离子体处理装置的喷淋头电极组件和基板支架的一个实施方式的一部分。图2描绘了用于将热控制板固定于支撑构件的第一加固构件和第二加固构件。图3描绘了在环境温度下在预先确定的夹持力下将热控制板固定到支撑构件的第一加固构件和第二加固构件。图4描绘了在升高的处理温度下图3中的结构。图5描绘了用于将热控制板固定到具有可偏斜垫片构件的支撑构件的第一加固构件和第二加固构件。图6描绘了一种替代的加固结构，其中翻转该第一加固构件。图7描绘了在环境温度下在预先确定的夹持力下将热控制板固定到具有可偏斜垫片构件的支撑构件的第一加固构件和第二加固构件。图8描绘了在升高的处理温度下的图7中的结构。具体实施方式为了实现可靠的器件并获得较高的产量，在集成电路制造过程中对晶片等半导体基板表面上的微粒污染进行控制是必要的。工艺设备，比如等离子体处理装置，可能是微粒污染的来源。例如，在光刻和刻蚀步骤中，晶片表面上微粒的存在可能在该处破坏图形转移。结果是，这些微粒可能带来关键特征的缺陷，从而导致该集成电路元件的故障或失效，该关键特征包括栅极结构、金属间电介质层或金属互连线^各。提供可以减少并优先最小化微粒污染的等离子体处理装置的元件。该元件包括可以调节该等离子体处理元件在热循环过程中由于该元件的构件的热膨/I长系^t的差异而产生的应力。该加固构件可用于扣紧各种元件的任何构件，这些元件中的两个构件在等离子体处理过程中都被加热并经历热膨月长。还才是供了在包含一个或多个这样的元件的等离子体处理室中处理半导体基々反的方法。图1描绘了等离子体处理装置的喷淋头电极组件10的一种示例性实施方式，在该等离子体处理装置中对例如硅晶片等半导体其板进行处理。例如，该喷淋头电极组件是在共同持有的申请号为2005/0133160的美国专利申请中描述过的，其内容皆由引用纳入此处。该喷'淋头电纟及组件10包含喷'淋头电才及，该喷'淋头电一及包括上电才及12、固定到该上电才及12的支撑构件14和热控制才反16。基4反支架18(图l中^f又仅显示了该支架的一部分)包括下电才及和位于该等离子体处理装置的真空处理室中的上电才及12下方的可选的^争电夹持电极。待处理的基板20被机械地或静电地固定在基板支架18的上支架表面22上。在图示实施方式中，该喷'淋头电才及的上电才及12包4舌内部电极构件24和可选的外部电极构件26。优选地，该内部电极构件24是圆柱板(例如由硅构成的板)。如果该板是由硅制成的，该内部电极构件24可具有小于、等于或大于待处理晶片的直径，例如达12英寸(300mm)。在一个^f尤选实施方式中，该喷淋头电4及组件足够大到可以处理大基才反，例如具有300mm或者更大直径的半导体晶片。对于300mm晶片，该顶部电极12的直径至少是300mm。然而，该喷'淋头电才及组件也可以调整尺寸以处理其4也尺寸的晶片或者具有非圆形结构的基板。在图示实施方式中，该内部电极构件24比该基板20更宽。对于处理300mm晶片，该外部电极构件26将该上电极12的直径从大约15英寸延长到大约17英寸。该外部电极构件26可以是连续构件(例如连续的多晶硅环)或者分段构件(例如包括2-6个排列成圆环结构的独立的段，比如由硅组成的段)。在包括多个段的外部电极构件26的上电极12的实施方式中，优选地，这些段都有边沿，这些边沿互相重叠以保护下面的粘合材料免于暴露到等离子体中。优选地，该内部电极构件24包括多个气体通道28,该些气体通道延伸穿过该支撑构件，以将工艺气体注射入位于该上电极12和该下电极18之间的等离子体反应室中的空间。石圭是该内部电一及构4牛24和该外部电才及构4牛26的等离子体暴露表面的优选材料。在等离子体处理过程中，高纯度的单晶硅可以最小化基板的污染，而且在等离子体处理中会均匀地磨损，从而使微粒最小化。例如，可用作该上电极12的等离子体暴露表面的替代材料包括SiC或AlN。在图示实施方式中，该支撑构件14包括支撑々反30和围绕支撑板30的外周延伸的支撑环32。在该实施方式中，该内部电极构件24是与该支撑板30共同延伸的，且该外部电极构件26是与该外围支撑环32共同延伸的。然而，该支撑才反30可以延伸到超过该内部电才及构件24，这样就可以用单个支撑一反来支撑该内部电才及构件24和该分l殳的外部电4及构件26。优选地，该内部电才及构件24和该外部电才及构件26通过粘合材料固定于该支撑构件14。优选地，该支撑板30和支撑环32是由与用作在等离子体处理室中处理半导体基4反的工艺气体化学兼容的、而且导电并导热的材料制成的。括铝、铝合金、石墨和SiC,固定于该支撑才反30和支撑环32，该弹性粘合材一+可以调节热应力，并在该上电4及12和该支撑一反30和支撑环32之间传递热能和电能。例如，在共同持有的专利号为6,073,577的美国专利中描述了使用高弹体来粘合电极组件表面，其内容皆由引用而纳入此处。该支撑一反30和支撑环32使用合适的加固构件固定于该热控制板16。图2是将该支撑构件14(或者支撑板30)固定于图l所示的该热控制板16的该加固构件34/36的方欠大的一见图。在此实施方式中，该加固构件34/36包含第一加固构件34和第二加固构件36。优选;也，^亥第一力口固才勾<牛34包4舌头38、才丙40、夕卜虫累纟丈41,口7"R载面42。侈'J如，该第一加固构件34可以是螺紋螺丝或螺栓等等。在此实施方式中，各第二加固构件36与相应的第一加固构件34的外螺紋啮合。第二加固构件36可以是螺紋护套、任何内螺紋结构等。该加固构件34/36的一种优选材料是Nitronic-60，一种在真空环境中耐磨损的不锈钢。此实施方式中的该加固构件34/36还可以用于将图1所示的该支撑环32固定到该热控制4反16上。如图2所示，将该第一加固构件34插入该热控制板16的通孔44/46。热控制板16中的孔44/46具有阶梯结构并包括比第二部分46更宽的第一部分44(例如反向钻孔洞)和承载面42。该第二加固构件36固定于或者嵌入该支撑构件14的凹槽内。当该第一加固构件34的螺紋喷合该第二加固构件36的螺紋时，该热控制板16被固定到该支撑构件14。这种啮合提供了预先确定的夹持力，该夹持力分布于该第一加固构件34的承载面42和该热控制板16的通孔44A46的承载面间。已经确定，如果该第一加固构件34的材料具有比该热控制板16的材料更小的热膨月长系l史，当这些元件一皮加热到一个升高的半导体基板等离子体处理温度(比如大约8(TC到大约160。C)时，该支撑构件14和该热控制^反16之间的夹持力可以显著增加。例如，在一个实施方式中，该第一加固构件34可以是由不4秀钢(例如Nitronic-60)制成的，并插入铝制热控制板16的通孔44/46中。在此实施方式中第二加固构件36是不锈钢螺紋护套，固定于该铝或石墨的支撑构件14。将该加固构件36/38固定以将该热控制板16固定到该支撑构件14中，以提供预先确定的夹持力。图3是环境温度下这种结构的图示。将图3中的结构加热到升高的工艺温度后(例如，约80。c到约i6o。c)，该铝制热控制板i6(热膨胀系数-i4no-，F:r1)和不锈钢制第一加固构件34(热膨胀系数=9.89*10-6(。？)")以不同比率膨胀，如图4所示。该第一加固构件34必须在轴向膨胀(图4中箭头A)以适应该热控制板16的更大的热膨月长(图4中的箭头B)。而且，该热控制板16和该第一加固构件34的毗连的承载面42可以变形以适应该热控制板16的热膨胀。结果是，该铝制热控制板16和该支撑构件14之间的夹持力在升高的温度下增加。来自热循环的力导致该加固构件34/36的松动，这是由于该第一加固构件34、该热控制板16和螺丝螺纟丈的局部损坏以及孩M立的产生。—种减少该7义载面42和螺丝螺紋的局部损坏的途径是佳_用由与该热控制板16相同的材料，或者与该热控制板16的材料的热膨月长系凄t相近的另一种材冲牛构成的第一加固构件34。这种途径可以最小化该第一加固构件34和热控制板16的承载面42上因为不同的热膨胀产生的力，因为该第一加固构件34和热控制板16以大致相同的比率热膨胀。13已经确定，使用阳极化铝使得第一加固构件34可以理想地防止夹持力的显著增加，因而避免对该第一加固构件34和该热控制才反16的7义载面42以及螺丝螺紋的损坏。例如该第一加固构件34(例如螺紋螺丝)材料是由阳极化铝制成的，并被插入由铝制成的该热控制板16的通孔44/46中。第二加固构件36(不4秀钢螺紋护套)固定于石墨支撑构件14。该热控制寿反16以预先确定的夹持力^f皮固定于具有该加固构件34/36的该支撑构件14。然而，由于该阳才及化铝第一加固构件34(例如螺丝)和不锈钢第二加固构件36(例如螺紋护套)之间的不同膨胀，来自该第一加固构件34的该阳极化涂层的剥落产生大量的孩i粒。相应地，在非常讨厌这种污染的等离子体处理室中，该第一加固构件34应该由具有合适的热膨胀系数，同时在等离子体处理过程中不会引入污染物的材料制成。图5是用于将该支撑构件14(或者支撑板30)固定到该热控制板16的示例性实施方式的放大的视图，其可以解决前面两种问题，即热膨胀产生的应力和樣t粒污染物的剥落。在此实施方式中，该第一加固构件34(例如，螺紋螺丝)材并+是不,秀钢的并插入该铝制热控制板16的通孔44/46。该第二加固构件36是不锈钢Nitronic-60螺紋护套，固定于该铝或者石墨的支撑构件14。可偏4牛垫片构件48一皮i殳置于该孔44的第一部分内，在该第一加固构件34的寿义载面和热控制板16的承载面42之间。例如，该可偏斜垫片构件48可以是一个或多个具有相同或不同弹性常数的碟片弹簧(例如膜片式弹簧垫圈(BELLEVILLEwasher))、螺旋弹簧或者任何满足以下条件的机械结构在这些才几械结构中，偏斜该可偏斜垫片构件48所需要的力明显小于(例如一个ft量级)4吏该第一加固构件34或者该7义载面42变形所需要的力。图6是另一个示例性实施方式，其中该通孔44/46形成于该支撑构件14中。又于于这种结构，该3L44/46形成于该支4掌构4牛14中并具有阶梯结构，包括比该第二部分46更宽的第一部分44(例如，反向钻孔洞)，以及承载面42。可偏斜垫片构件48"i殳置于该孔44的第一部分内，在该第一加固构件34的〃K载面42和该支撑构件14的承载面42之间。该第二加固构件36固定于或者嵌入该热控制板16中。如图7所示，该第一加固构件34被固定于该第二加固构件36,这样该可偏名+垫片构件48(例如石乘片弹簧)在环境温度下不是完全平坦的。图8描绘了在升高的温度下(例如约80。C到约160。C)的图7的结构。如图8所示，通过该可变形的垫片构件48，调节该热膨胀的力(也就是压缩该碟片弹簧)，而不是使该第一加固构件34或者该热控制板16和第一加固构件34的承载面42变形。此实施方式中的具有可变形的垫片构件48的该加固构件34/36还可以用于将图1所示的支撑环32固定于该热控制板16。该可变形垫片构件48对该热控制板16的阳极化铝涂层的力也可能导致该阳极化涂层的一些剥落，有可能将颗粒物质引入到晶片上。为了最小化这种特性，在该热控制板16的承载面42和该可变形的垫片构件48之间设置平垫圏50。优选地，平垫圈50由硬化不锈钢(例如沉淀硬化不锈钢PH17-4-H900)制成。图5-8中的实施方式具有优势，因为(i)该可变形垫片构件48可以调节该热控制板16的热膨胀产生的应力，从而最小化对该承载面42和螺丝螺紋的损害；以及(ii)可以使用Nitronic-60不锈钢螺纟丈护套，该材津牛在真空环境中耐磨损。如上所述并如图4所示，与仅仅使用没有可变形垫片构件48的不锈钢螺丝相关的缺点是，热膨胀产生的应力可能损害承载面42和螺紋并导致微粒的产生。尽管阳极化铝紧固件可以减轻热膨胀产生的应力，但它们很容易受到微粒污染物剥落的影响。因此，使用可变形垫片构件站在选择适于真空处理环境的材料时提供了额外的灵活性，同时使得与各种材料的热膨胀系数的差异有关的不利影响最小化。而且，热控制板16、可变形垫片构件48和第一加固构件34可以是由任4可合适的材料形成的，该材料可以4是供对等离子体环境中使用的气体的耐侵蚀性，同时最小化等离子体处理过程中的微粒污染。图5-8中的实施方式可^^用于将等离子体处理装置中要进4亍加热并可能引入颗冲立物质的两种构4牛固定起来。例如，该第一和第二加固构件34/36和可变形垫片构件48可用于将基板支架18的元件固定起来，该基板支架18会受到由于该等离子体处理装置的加热和冷却而产生的热应力的影响。实施例l冲丸4亍热4盾环测试，以确定在由4立于力。利福尼亚弗雷蒙的朗姆研究中心制造的EXELANFLEXTM电介质等离子体刻蚀系统中，在加热到升高的温度的过程中，该第一加固构件36材津牛在孩丈粒产生方面的效果。对于这些测试，将阳极化铝螺丝产生的超过0.09pm的樣i粒与Nitronic-60不4秀钢螺丝产生的相比4交。该测试是这样执行的将铝热控制板16夹持到石墨支撑构件14上，类似于图3中所示的结构。在阳才及化铝螺丝的测试中，将类似于平垫圏50的平垫圈设置于该热控制板16的承载面42和该螺丝之间。第二加固构件36,即Nitronic-60不锈钢螺紋护套，被嵌入该石墨支撑构件"中。夹持的铝热控制板16和石墨支撑构件14净皮方文入该等离子体刻蚀室中并被置于具有基线樣t粒计数的硅晶片上。在惰性气体中，将该室加热到大约110-115。C，不产生等离子体，橫_得该夹持的铝热控制*反16和石墨支撑构件14热膨胀。然后在惰性气体中将该室冷却到环境温度，使得该夹持的铝热控制板16和石墨支撑构件14收缩。为进行多组观'J试，然后4吏用光学表面分析^f义分析石圭晶片表面以确定比0.09pm大的微粒的数量(该分析仪在大约20,000个微粒计数下饱和)。如表l所示，与阳才及〗匕铝螺丝相比，不4秀4闪螺丝产生的大于0.09pm的微粒明显比较少。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>实施例2执行测试以测量三种螺丝结构的热控制板16和支撑构件14之间的夹持力(U不锈钢螺丝；(ii)阳极化铝螺丝；和(iii)具有》茱片弹簧的不《秀钢螺丝。在两个铝制测试夹具之间并入500石身测压元件，来才莫拟热控制纟反16和具有通孔44/46的支撑构件14。第二固定构件36和Nitronic-60不锈钢螺紋护套被嵌入模拟支撑构件14的该铝制夹具中。在测试阳极化铝螺丝的过程中，在为模拟热控制板16而建造的该夹具和该螺丝之间设置类似于平垫圏50的平垫圏。各不同的螺丝结构^f皮扣紧到最终」扭矩的一半，然后绷紧到最终^扭矩(例如12in-lb或15in-lb)，并从该500磅测压元件中得到夹持力测量值。在重复该测试前，清洁该螺丝的螺紋和该通孔的第二部分。如下面的表2所总结的，具有该弹簧碟片的不锈钢螺丝证实了具有最高的平均夹持力以及较低最终扭矩的最小的标准偏差。这些特征有利于在较低的扭矩下提供更高并更一致的夹持力，有利于例行维护中该等离子体处理装置的分解和组装。螺丝结构最终扭矩(in-lbs.)平均夹持力(lbs.)标准^f烏差(lbs.)不4秀钢/;莱片弹簧12276.413.3不锈钢15258.418.6阳才及4匕钻15202.321.3尽管本发明是参考其具体实施方式进行详细描述的，然而，对本领域的技术人员来说，显然，可以在不悖离所附权利要求的范围的基础上，对本发明作出变更和修改。18权利要求1.一种等离子体处理装置的元件，包含第一构件，具有第一热膨胀系数并包括多个具有第一部分和比该第一部分宽的第二部分的通孔，该第二部分由至少一个承载面部分限定；多个第一加固构件，具有第二膨胀系数并设置于该第一构件的该孔内，该第一加固构件包括承载面；至少一个可偏斜垫片，设置于限定该孔的该第二部分的该承载面和该第一加固构件的该承载面之间；以及第二加固构件，啮合于各第一加固构件以将该第一构件以预先确定的夹持力固定于该第二构件，该至少一个可偏斜垫片适于调节在室温和升高的处理温度之间的热循环过程中产生的力。2.根据权利要求1所述的元件，其中该可偏斜垫片构件适于实质上减少该热循环过程中来自该第一构件或者该第一加固构件的农i粒的产生。3.根据权利要求1所述的元件，其中该至少一个可偏斜垫片是在同一个孔内的一个或多个碟片弹簧。4.才艮据权利要求3所述的元件，进一步包含i殳置于各可偏斜垫片和该第一构件的承载面之间的平垫圈。5.根据权利要求1所述的元件，其中各该第一加固构件包含外螺纹，且各该第二加固构件包含与相应的第一加固构件的外螺紋啮合的内螺纟丈。6.根据权利要求1所述的元件，其中该第一热膨胀系数大于该第二热膨胀系数。7.根据权利要求1所述的元件，其中该第一热膨胀系数大体上等于该第二热膨胀系数。8.根据权利要求1所述的元件，其中该第一构件是热控制板。9.根据权利要求7所述的元件，其中该热控制板是由铝或铝合金材料构成的。10.根据权利要求1所述的元件，其中该第二构件是支撑构件。11.根据权利要求IO所述的元件，其中该支撑构件包含支撑板和围绕该支撑板的外周延伸的支撑环。12.根据权利要求10所述的元件，其中该支撑构件是由铝或石墨构成的。13.根据权利要求1所述的元件，进一步包含固定于该第二构件的第三构件。14.根据权利要求13所述的元件，其中该第三构件是电极。15.根据权利要求14所述的元件，其中该电极包含内部硅电极和夕卜部硅电极。16.—种等离子体处理装置的元件，包含第一构件，具有第一热膨胀系数；第二构件，包括多个具有第一部分和比该第一部分宽的第二部分的通孔，该第二部分由至少一个寿义载面部分限定；多个第一加固构件，具有第二热膨月长系数并i殳置于该第二构件的该孔内，各该第一加固构件包括承载面；至少一个可偏斜垫片，设置于限定该:jL的该第二部分的该^R载面和该第一加固构<牛的该岸义载面之间；以及第二加固构件，啮合于各第一加固构^牛以将该第一构件以预先确定的夹持力固定于该第二构件，该至少一个可偏斜垫片适于调节在室温和升高的处理温度之间的热循环过程中产生的力。17.根据权利要求16所述的元件，其中该可偏存+垫片构件适于实质上减少该热循环过程中来自该第一构件或者该第一加固构件的微粒的产生。18.根据权利要求16所述的元件，其中该至少一个可偏斜垫片是一个或多个碟片弹簧。19.根据权利要求18所述的元件，进一步包含"i殳置于各可偏斜垫片和该第二构件的承载面之间的平垫圈。20.根据权利要求16所述的元件，其中各该第一加固构件包含外螺紋，且各该第二加固构件包含与相应的第一加固构件的外螺紋啮合的内螺紋。21.根据权利要求16所述的元件，其中该第一热膨胀系数大于该第二热膨胀系数。22.才艮据权利要求16所述的元件，其中该第一热膨月长系lt大体上等于该第二热膨胀系数。23.根据权利要求16所述的元件，其中该第一构件是热控制板。24.根据权利要求23所述的元件，其中该热控制板是由铝或铝合金材料构成的。25.根据权利要求16所述的元件，其中该第二构件是支撑构件。26.々艮据纟又利要求25所述的元件，其中该支撑构件包含支撑板和围绕该支撑板的外周延伸的支撑环。27.根据权利要求26所述的元件，其中该支撑构件是由铝或石墨构成的。28.根据权利要求16所述的元件，进一步包含固定于该第二构件的第三构件。29.根据权利要求28所述的元件，其中该第三构件是电极。30.才艮据一又利要求29所述的元件，其中该电才及包含内部石圭电才及和外部石圭电才及。31.—种等离子体处理装置的喷淋头电极组件，包含铝制热控制板，包括多个具有第一部分和比该第一部分宽的第二部分的通孔，该第二部分由至少一个承载面部分限定；多个不锈钢加固构件，设置于该热控制板的该孔内，该第一加固构件包括承载面；多个可偏斜垫片，i殳置于该孔的该第二部分的该承载面和该第一力口固构^f牛的该岸义载面之间；第二加固构件，啮合于各第一加固构件以将该热控制板以预先确定的夹持力固定于支撑构件，该可偏斜垫片适于调节在室温和升高的处理温度之间的热循环过禾呈中该热4空制并反和该第一加固构件之间的热膨胀的差异产生的力；以及石圭电极，固定于该支撑板。32.根据权利要求31所述的喷淋头电^L组件，其中该至少一个可偏斜垫片是一个或多个碟片弹簧。33.根据权利要求32所述的喷淋头电极组件，进一步包含设置于各可偏斜垫片和该热控制^^反的承载面之间的平垫圈。34.才艮据—又利要求31所述的喷淋头电才及组件，其中各该不《秀钢加固构件包含外螺紋，且各该第二加固构件包含与相应的不锈钢加固构件的内螺乡丈啮合的内螺玟。35.—种在等离子体处理装置中处理半导体基^反的方法，该方法包含将基板置于等离子体处理装置的反应室内的基板支架上；使用权利要求31所述的该喷淋头电才及组件将工艺气体引入该反应室；离子体；使用该等离子体处理该基板。全文摘要提供一种等离子体处理装置的元件，该元件包括适于调节在热循环过程中产生的应力的加固构件。该加固构件包括可偏斜垫片以调节由热膨胀系数的差异产生的力，同时使多余的微粒污染物的产生最小化。文档编号H05H1/34GK101578926SQ200780046532公开日2009年11月11日申请日期2007年10月16日优先权日2006年10月16日发明者安瑟埃·德拉莱拉,沙鲁巴·J·乌拉尔申请人:朗姆研究公司