专利名称：：喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法
技术领域：
：本发明涉及使用在等离子体处理装置、特别是使用在微波等离子体处理装置中的喷淋板以及其制造方法、和使用了该喷淋板的等离子体处理装置、等离子体处理方法以及电子装置的制造方法。
背景技术：
：等离子体处理工序以及等离子体处理装置对于制造近年的被称作所谓的深亚微米元件或深亚四分之一微米元件的具有O.lpm、或O.lnm以下的栅极长的超微细化半导体装置、对于制造包含液晶显示装置的高分辨率平面显示装置是不可或缺的技术。作为用于制造半导体装置、液晶显示装置的等离子体处理装置，自以往就一直使用各种的等离子体激励方式，特别是通常使用平行平板型高频激励等离子体处理装置或电感耦合型等离子体处理装置。但是，由于上述以往的等离子体处理装置形成的等离子体不均勻，并且电子密度高的区域被限定，因此具有很难以较大的处理速度、即生产率对被处理基板整面进行均匀的处理的问题。该问题特别是在处理较大直径的基板的情况时较严重。而且在上述以往的等离子体处理装置中，存在因电子温度高而使形成在被处理基板上的半导体元件损坏、另外因飞賊到处理室壁上导致严重的金属污染等若干本质上的问题。因此在以往的等离子体处理装置中，一直难以满足进一步提高半导体装置、液晶显示装置的微细化以及提高生产率的严格要6求。针对上述问题，以往提出了不使用直流磁场、而是使用由微波电场激励的高密度等离子体的微波等离子体处理装置。例如，提出了如下结构的等离子体处理装置(例如参照专利文献1):自具有为了产生均匀微波而排列的许多个隙缝的平面状天线(径向线缝隙天线)向处理室内放射微波，利用该微波电场电离处理室内的气体从而激励等离子体。利用由该方法激励了的微波等离子体能够遍及天线正下方的广阔区域地实现高等离子体密度，从而可以在短时间内进行均匀的等离子体处理。而且，由于用该方法形成的微波等离子体是利用微波激励等离子体，因此电子温度较低，能够避免被处理基板的损坏、金属污染。并且，由于还能够易于在大面积的基板上激励均匀的等离子体，因此也易于对应于使用了大口径半导体基板的半导体装置的制造工序、制造大型液晶显示装置。在上述等离子体处理装置中，通常，为了向处理室内均匀地供给等离子体激励用气体，使用具有多个纵孔为气体排出路径的喷淋板。但是，使用喷淋板有时会使形成在喷淋板正下方的等离子体在喷淋板的纵孔中发生逆流。当等离子体在纵孔发生逆流时，有发生异常放电、气体堆积、用于激励等离子体的微波的传输效率、成品率下降的问题。作为用于防止该等离子体向纵孔逆流的方法，大多提出了改进喷淋板的构造。例如，在专利文献2中公开了将纵孔前端的气体排出孔的孔径设成小于形成在喷淋板正下方的等离子体的衬层(sheath)厚度的2倍是有效的。但是，只是减小气体排出孔的孔径不并能充分防止等离子体的逆流。特别是，在为了减少损坏、提高处理速度的目的而欲将等离子体密度从以往的10"cnr"呈度提高到10"cm^程度时，等离子体的逆流变得明显，因此只是控制气体排出孔的孔径并不能防止等离子体的逆流。另外，难于利用孔加工在喷淋板主体上形成微细孔径的气体排出孔，在加工性上也存在问题。另外，在专利文献3中也提出了使用由透气性的多孔质陶瓷烧结体构成的喷淋板。该方法欲利用构成多孔质陶瓷烧结体的许多个气孔的壁来防止等离子体的逆流。但是，由在常温、常压下烧结的普通的多孔质陶瓷烧结体构成的该喷淋;f反，其气孔直径的大小从几jum—直到几十ju迈程度有很大的偏差，并且在最大结晶粒子直径大到20pm左右，组织不均匀，因此存在表面平坦性差的问题，另外，在将与等离子体相接触的面设为多孔质陶瓷烧结体时，存在有效表面积增大、等离子体的电子、离子的再结合增加、等离子体激励的功率利用系数变低的问题。在此，上述专利文献3中还公开了如下构造代替利用多孔质陶瓷烧结体来构成喷淋板整体地、在由致密的氧化铝构成的喷淋板上形成气体排出用的开口部，在该开口部上安装在常温、常压下烧结的普通的多孔质陶瓷烧结体，借助该多孔质陶瓷烧结体排出气体。但是，由于该构造也是使用在常温、常压下烧结的普通的多孔质陶瓷烧结体，因此并不能解决因表面平坦性差而导致发生的上述问题。并且，本申请的申请人首先在专利文献4中提出了通过调整气体排出孔的直径尺寸来防止等离子体的逆流的方法，而不是改进喷淋板的构造。即、将气体排出孔的直径尺寸设成不足0.10.3mm,而且将其直径尺寸的^差i殳成土0.002mm以内的精度，从而防止等离子体的逆流，并消除了气体排出量的偏差。但是，在实际以等离子体密度增高为10"cm^的条件下在微波等离子体处理装置中使用该喷淋板时发现，如图21所示，8或因等离子体在空间602和与该空间602相连通的纵孔603中发生逆流、或因等离子体激励用气体在空间602和纵孔603的部分中着火而产生了淡茶色变色部分，该空间602形成于喷淋板主体600与盖板601之间，用于充填等离子体激励用气体。专利文献l:日本特开平9-63793号7>才艮专利文献2:曰本净争开2005—33167号/>才艮专利文献3:曰本特开2004—39972号7>才艮专利文献4:国际公开第06/112392号小册子
发明内容本发明欲解决的问题在于提供一种能够更完全地防止等离子体发生逆流、或纵孔部分中的等离子体激励用气体发生着火从而可高效地激励等离子体的喷淋板。本发明的喷淋板为了使等离子体处理装置内产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成等离子体激励用气体的排出路径的纵孔中安装具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体以及具有适当的多个气体排出孔的陶瓷构件，并且将由该多孔质气体流通体的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭^^的气孔直径设在10pm以下，从而能够防止等离子体的逆流，并且能够无偏差地向等离子体处理装置内排出等离子体激励用气体，产生均勻的等离子体。另外，通过使气体排出孔的长度大于等离子体处理装置内的电子的平均自由行程的长度，能够急剧减少等离子体的逆流。实施倒角加工，还能够防止上述角部中的微波随着电场集中而放电、乃至等离子体激励用气体的着火现象。如上所述，通过将多孔质气体流通体的狭路的气孔直径设在10pm以下，即使将等离子体密度提高到10"cm^程度也能够防止等离子体的逆流。即、在该多孔质气体流通体中，通过连通的气孔能确保气体的流通性，但是该气体流通路径呈Z字状曲折，而且介于其中存在10pm以下、优选5pm以下的狭路。与此相对，由于构成等离子体的电子、离子具有直线传播性，因此即使等离子体持续在多孔质气体流通体中逆流，大部分会碰撞气孔壁，并且所有的等离子体在气孔的10pm以下的狭路部发生碰撞，从而能够阻止等离子体进一步的逆流。在此，上述专利文献3中已公开了在喷淋板上使用通气性的多孔质陶瓷烧结体为具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体。但是，由于专利文献3所用的普通的多孔质陶瓷烧结体的最大结晶粒子直径在20iLim以上，并且由连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径足大于10pm,因此在将等离子体密度提高到10"cm]程度的条件下不能完全防止等离子体的逆流。另外，如上所述，在结晶粒子直径比较大的普通的多孔质陶瓷烧结体中，由于表面平坦性差、其有效表面积大的缘故，存在等离子体的电子、离子的再结合增加，等离子体激励的功率利用系数降低的问题。针对上述问题，在本发明中，相对于将等离子体密度提高到10"cm^的情况下的等离子体的衬层厚度0.01mm的2倍(20|nm)，如上所述将狭路的气孔直径设在10pm以下，从而能够可靠地防止等离子体的逆流，并且如下所述，通过使用由结晶粒子微细且高纯度的陶瓷烧结体构成的多孔质气体流通体，能够提高表面平坦性，从而能够解决因等离子体的电子、离子的再结合的增加导致等离子体激励的功率利用系数降低的问题。即、作为多孔质气体流通体，由不含有增大介电损耗的杂质的高纯度且具有微细结晶组织的陶瓷烧结体构成的通气性的多孔质陶瓷烧结体在介电损耗、强度等方面优秀，可以举出例如配合有高纯度氧化铝以及微量的粒成长抑制剂、Y203以及富铝红柱石等的氧化铝系烧结体、A1N烧结体、Si02烧结体、富铝红柱石烧结体、SiN4烧结体、SiA10N烧结体等。优选其气孔直径的大小小于形成在喷淋板正下方的等离子体的衬层厚度的2倍。另外，优选结晶粒子直径微细、组织均匀、无偏差的烧结体。特别是，采用由氧化铝系陶瓷构成的多孔质陶瓷烧结体的介电损耗在lxlO^以下、更优选在5xl0、以下、而且最大结晶粒子直径在15pm以下、更优选在10pm以下、而且平均结晶粒子直径在10pm以下、更优选在5pm以下、并且气孔率在20~75%的范围内、平均气孔直径在10(im以下且最大气孔直径在75pm以下、气体流通路径的狭路的气孔直径在10pm以下的材料为多孔质气体流通体。并且，通过将多孔质陶瓷烧结体的强度(弯曲强度)设在30MPa以上，可使除了气孔部分之外的磨削加工面的表面粗糙度(Ra)为1.5pm以下，因此能够消除伴随以往的多孔质陶瓷烧结体的表面平坦性的变差、有效表面积的增大而产生的弊病。作为一例，采用99.9%以上的高纯度的Al203微粉末比较容易制造具有如上所述的诸多特性的多孔质陶瓷烧结体。通过使用这样的多孔质陶瓷烧结体能够更可靠地防止等离子体的逆流。上述多孔质气体流通体可以配置在设于纵孔的气体排出侧的气体排出孔的气体导入侧、或纵孔的前端部上。在此，在将多孔质气体流通体设在气体排出孔的气体导入侧时，由于多孔质气体流通体不直接与等离子体相接触、且也不会影响喷淋板下表面的平坦度，因此能够解决因等离子体的电子、离子的再结合的增加所导致的等离子体激励的功率利用系数下降的问题。通过将等离子体激励用气体在导入气体排出孔之前导入到多孔质气体流通体中，可使每个纵孔的等离子体激励用气体的压力、流速等诸多特性均匀化。然后，由于之后将等离子体激励用气体自多个气体排出孔排出，因此可在使每个气体排出孔的等离子体激励用气体流量无偏差地保持恒定、且自喷淋板宽的面上均匀排出的状态下将等离子体激励用气体排出到等离子体处理装置内。因而，能够在喷淋板正下方有效地产生均匀的等离子体。换言之，通过在气体排出孔的气体导入侧配置使等离子体激励用气体的压力、流速等诸多特性均匀化的具有緩冲效果的多孔质气体流通体，能够消除自气体排出孔排出的气体的流速以及流量的偏差，谋求产生的等离子体的均匀化。然后，如上所述地利用具有能够在喷淋板正下方有效地产生均匀的等离子体的优点的、且由配置在气体排出孔的气体导入侧的具有微细结晶组织的陶瓷烧结体构成的多孔质气体流通体，能够防止等离子体在纵孔的气体导入侧发生逆流。在将多孔质气体流通体配置在气体排出孔的气体导入侧的情况下，优选在多孔质气体流通体的气体导入侧连续设置比气体排出孔孔径大的气体通过孔。该气体通过孔形成以下的路径，即、将等离子体激励用气体从由例如设在喷淋板上的横孔构成的等离子体激励用气体的导入路径导向多孔质气体流通体侧的路径，使其孔径大于气体排出孔的孔径，从而能够易于将等离子体激励用气体导向多孔质气体流通体侧，从而能够提高整体的气体导通率。另外，由于能够减小气体的流体阻力，因此压力损耗少，可将气体的供给压力设定得较低，从而能够节省能源。在本发明中，也可以将多孔质气体流通体安装在纵孔的至少前端部上。这样，在将多孔质气体流通体安装在纵孔的至少前端部上时，由于自多孔质气体流通体的整个表面排出等离子体激励用气体，因此可使被排出的等离子体激励用气体的压力、流速等诸多特性均匀化。从而，可无偏差地均匀排出等离子体激励用气体，在喷淋板正下方产生无湍流现象的均匀的等离子体。另外在该情况下，多孔质气体流通体的上表面以及下表面可以朝向等离子体处理装置内形成为平行平面，但优选两者均弯曲成凸曲面状或凹曲面状、换言之凸状J求壳或凹状J求壳的形状。通过这样设置成弯曲的形状，可通过变形(挠曲)吸收使用时的热膨胀、收缩造成的应力，能够防止多孔质气体流通体以及安装有多孔质气体流通体的喷淋板的裂紋等。另外，在两表面朝向等离子体处理装置内形成为凸曲面状的情况下，由于能够向更宽的范围排出等离子体激励用气体，因此可以产生更均匀的等离子体。并且，多孔质气体流通体的除了上表面以及下表面之外的外周可以由致密质陶瓷层形成。在将多孔质气体流通体安装在喷淋板的纵孔上时，由于多孔质气体流通体的外周可能破裂而使粒子脱落，因此需要注意，但是通过将多孔质气体流通体的外周设成致密质陶瓷层，能够使外周难以破裂，从而提高操作性，并且能够防止因粒子脱落而导致产生污染物。可利用嵌合或烧结结合将上述多孔质气体流通体安装在喷淋板的纵孔的前端部上。在多孔质气体流通体和喷淋板均为烧结体的状态下来嵌合它们时，使多孔质气体流通体的外径尺寸相对于喷、淋^l的^v孔的内径尺寸为0~-0.002mm地利用热压入、冷缩配合或压入使两者嵌合。或者，在将外周面涂敷有耐热性的陶瓷用粘合剂的多孔质气体流通体装入到烧结后的喷淋板的纵孔内之后，以400°C以13上的温度进行烧结，从而也可在牢固地粘合的状态下将多孔质气体流通体安装在喷淋板中。另外，也可在多孔质气体流通体和喷淋板均处于烧结前的阶段将多孔质气体流通体安装在喷淋板中，之后同时对它们进行烧结。即、关于多孔质气体流通体，是在对多孔质气体流通体的原料粉末进行成型而加工成规定形状后得到的粉末成形体、粉末成形体的脱脂体或预烧结体或烧结体的阶段，关于喷淋板，是在对喷淋板的原料粉末进行成型而加工形成了纵孔的生坯体、生坯体的脱脂体或预烧结体的阶段，将多孔质气体流通体安装在喷淋板的纵孔中，之后同时烧结两者。在该情况下，调整成型条件或之后的脱脂、预烧结的条件使得在同时进行烧结时的各构件的收缩率基本上相同，至少紧固力作用在多孔质气体流通体上。这样，通过在烧结前的阶段安装而在之后同时烧结，能够可靠地将多孔质气体流通体固定在喷淋板的纵孔中。并且在本发明中，也可以使用将开设有多个气体排出孔的陶瓷构件安装在开设于喷淋板上的纵孔中的结构。即、将气体排出孔形成在与喷淋板相互独立的陶瓷构件上，将该陶瓷构件安装在开设于喷淋板上的纵孔中。通过采用这样的结构，相比利用孔加工在喷淋板上形成气体排出孔的情况，能够易于形成微细且较长的气体排出孔。另外，开设有气体排出孔的陶瓷构件可通过注射模塑成型、挤压成型或特殊的浇铸成型等而形成。作为气体排出孔的尺寸，优选使其孔径为形成于喷淋板的正下方的等离子体的衬层厚度的2倍以下，且使其长度大于处理室中的电子的平均自由行程。通过这样设置微细且较长的气体排出孔，能够与设在气体排出孔的气体导入侧的多孔质气体流通体的效果互相结合从而更可靠地防止等离子体的逆流。方式，优选利用上述构件堵塞各纵孔的气体排出侧的方式。在该情况下，优选将纵孔的气体排出侧缩窄得窄于气体导入侧，将上述构件设在该狭窄部分上并且使其沿气体导入侧延伸。另外，也可以将多孔质气体流通体以与上述构件的气体排出孔相连接的方式配置在纵孔的气体导入侧。在这样的结构中，优选使气体排出孔的长度大于等离子体处理装置内的电子的平均自体的衬层厚度的2倍以下，使多孔质流通体的气孔的孔径为形成于喷淋板正下方的等离子体的衬层厚度以下。并且，另外在形成等离子体激励用气体的气体流路部分的喷淋板的纵孔部分中，微波的电场集中在气体导入侧的角部，因此通过对上述角部实施倒角加工能够防止电场集中，从而能够防止等离子体的自生即等离子体激励用气体的着火现象。然后，釆用上述的本发明的喷淋板，能够将等离子体激励用气体供给到等离子体处理装置中，利用微波激励所供给的等离子体激励用气体而产生等离子体，使用该等离子体对基板进行氧化、氮化、氧氮化、CVD、蚀刻、等离子体照射等处理。采用本发明，能够防止等离子体在喷淋板的形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔中逆流，从而能够抑制喷淋板内部发生异常放电、气体发生堆积，因此能够防止用于激励等离子体的微波的传输功率、成品率的下降。另外，由于能够不影响与等离子体相接触的面的平坦度、且无偏差地均匀排出等离子体激励用气体，因此可以均匀且高效地激励等离子体。图l表示本发明的第一实施例。图2表示俯视图1所示的喷淋板的横孔和纵孔的配置。图3表示图1所示的喷淋板的横孔和纵孔的配置。图4详细表示图l所示的喷淋板的纵孔。图5表示本发明的第二实施例。图6表示图5所示的喷淋板和盖板的配置。图7详细表示图5所示的喷淋板的纵孔。图8表示安装在图5所示的喷淋板的纵孔中的陶瓷构件的优选理想结构。图9表示在图7所示的喷淋板的纵孔中设有多孔质陶瓷烧结体的例子。图IO表示本发明的第三实施例。图ll详细表示图IO所示的喷淋板的纵孔。图12表示本发明的第四实施例。图13表示俯视图12所示的喷淋板的横孔和纵孔的配置。图14表示图12所示的喷淋板的横孔和纵孔的配置。图15详细表示图12所示的喷淋板的纵孔。图16表示将具有气体流通孔的陶瓷构件或其它多孔质陶瓷烧结体设置在安装于喷淋板的纵孔前端部上的多孔质陶瓷烧结体的气体导入侧的例子。图17表示多孔质陶瓷烧结体的其它安装例。图18表示本发明的第五实施例。图19表示图18所示的喷淋板和盖板的配置。图20详细表示图18所示的喷淋板的纵孔。图21表示以往的喷淋板。附图标记说明101、排气口；102、处理室；103、一皮处理基板；104、保持台；105、喷淋板；106、密封用的O型密封圈；107、壁16面；108、密封用的O型密封圈；109、环状空间；110、气体导入口；111、横孔；112、纵孔；112a、第一纵孔；112b、第二纵孔；113、陶瓷构件；113a、气体排出孔；114、多孔质陶瓷烧结体(多孔质气体流通体)；115、缝隙板；116、滞波板；117、同轴波导管；118、金属板；119、冷却用流路；120、下层喷淋板；120a、气体流路；120b、喷嘴；120c、开口部；121、处理气体供给口；122、RF电源；200、纵孔；200a、第一皇从孑L;200b、第二《从孑L;201、喷'淋才反；202、盖才反；203、密封用的O型密封圈；204、气体供给孔；205、空间；206、陶瓷构件；206a、气体排出孔；207、多孔质陶瓷烧结体(多孔质气体流通体)；208、倒角加工；300、纵孔；300a、气体4非出孑"300b、孑L;301、喷、淋4反；302、多孑L质陶资火免结体(多孔质气体流通体)；303、倒角加工；400、喷淋板；401、横孑L;402、纵孔；402a、第一纵孔；402b、第二纵孔；403、多孔质陶瓷烧结体(多孔质气体流通体)；404、陶瓷构件；404a、气体流通孔；500、纵孔；501、喷淋板；502、多孔质陶瓷烧结体(多孔质气体流通体)；502a、致密质陶瓷层；502b、多孔质部。具体实施例方式下面，根据实施例说明本发明的实施方式。实施例1图l表示本发明的第一实施例。参照图l,表示微波等离子体处理装置。图示的微波等离子体处理装置具有借助多个排气口101进行排气的处理室102,在处理室102中配置有用于保持被处理基板103的保持台104。为了均匀地对处理室102内进行排气，处理室102在保持台104的周围规定出环状的空间，多个排气口IOI以与空间相连通的方式等间隔、即相对于被处理基板103轴对称地排列。利用该排气口IOI的排列，可以由排气口IOI均匀地对处理室102进行排气。在处理室102的上部借助密封用的0型密封圏106在对应于保持台104上的被处理基板103的位置上、作为处理室102的外壁的一部分安装有作为直径是408mm、相对介电常数是9.8、且低微波介电损耗(介电损耗在lxlO-s以下，更优选在5xl0-4以下)的电介质的由氧化铝构成的喷淋板105。另外，在构成处理室102的壁面107上，在与喷'淋^反105的侧面对应的位置上设有由2个密封用的O型密封圈108和喷淋板105的侧面围起来的环状空间109。环状空间109与用于导入等离子体激励用气体的气体导入口IIO相连通。另一方面，在喷淋板105的侧面上朝向喷淋板105的中心方向横向地开设有直径lmm的许多个横孔lll。同时，与该横孔111相连通地开设有连通处理室102的许多个(230个)纵孔112。图2表示俯视喷淋板105的横孔111和纵孔112的配置。图3是表示横孔111和纵孔112的配置的立体示意图。另外，图4表示纵孔112的详细构造。纵孔112由设在处理室102侧的直径10mm、深10mm的第一纵孔112a、和进一步设在第一纵孔112a的前方(气体导入侧)的直径lmm的第二纵孔112b构成，与横孔lll相连通。并且，在第一纵孔112a上从处理室102侧观察依次安装有陶瓷构件113和多孔质陶瓷气体烧结体114;上述陶瓷构件113高5mm，由氧化铝挤压成型品构成，开设有多个直径50nm的气体排出孔113a;上述多孔质陶瓷气体烧结体114为直径10mm、高5mm的圆柱状，具有在气体流通方向上连通的气孔。在此，多孔质陶瓷烧结体114的气体导入侧的第二纵孔112b对应于本发明的技术方案5所述的"气体通过孔"。参照图l表示将等离子体激励用气体导向处理室的方法。由气体导入口110导入的等离子体激励用气体被导入环状空间109,并且经由横孔lll、纵孔112最终自设在纵孔112的前端部分上的气体排出孔113a^f皮导入处理室102中。在喷淋板105的上表面设有用于放射微波的、开设有许多个缝隙的径向线缝隙天线的缝隙板115、用于使微波沿径向传播的滞波板116、以及用于将微波导入天线的同轴波导管117。另夕卜，滞波板116由缝隙板115和金属板118夹持。在金属板118上设有冷却用流路119。在该结构中，利用自缝隙板115放射的微波电离自喷淋板105供给的等离子体激励用气体，从而在喷淋板105的正下方数毫米的区域产生高密度等离子体。产生的等离子体由于扩散而到达被处理基板103。自喷淋板105除了导入等离子体激励用气体之外，作为积极地产生自由基的气体，也可以导入氧气、氨气在图示的等离子体处理装置中，在处理室102中、喷淋板105和被处理基板103之间配置有由铝、不锈钢等导体构成的下层喷淋板120。该下层喷淋板120具有用于将自处理气体供给口121供给的处理气体导向处理室102内的被处理基板103的多个气体流路120a，利用形成在与气体流路120a的被处理基板103对应的面上的许多个喷嘴120b、将处理气体排出到下层喷淋板120与被处理基板103之间的空间。在此，作为处理气体，在进行Plasma-EnhanceChemicalVaporDeposition(PECVD，等离子增强化学汽相淀积)处理的情况下、在形成硅系的薄膜的情况下，导入硅烷气体、二硅烷气体，在形成低介电常数膜的情况下，导入C5Fs气体。另外，作为处理气体，也可以是导入了有机金属气体的CVD(化学汽相淀积)。另外，在进行ReactiveIonEtching(RIE,反应离子腐蚀)处理的情况下、在进行硅氧化膜蚀刻的情况下，导入C5Fs气体和氧气为处理气体，在蚀刻金属膜、硅的情况下，导入氯气、HBr气体为处理气体。在进行蚀刻时，在需要离子能量的情况下，借助电容器使RF电源122与设在上述保持台104内部的电极相连接，施加RF电力，从而使被处理基板103上产生自偏压电压。流动的处理气体的气体种类并不限定于上述气体、而是根据处理来设定流动的气体、压力。在下层喷淋板120上的相邻的气体流路120a之间形成如下程度大小的开口部120c,即，该开口部120c的大小使在下层喷淋板120的上部利用微波激励的等离子体高效地通过并扩散到被处理基板103和下层喷淋板120之间的空间中。另外，由于暴露在高密度等离子体中而流进喷淋板105的热流，可利用经由缝隙板115、滞波板116、以及金属板118流入冷却用流路119的水等的制冷剂进行排热。参照图4，开设在本实施例中的由氧化铝材料构成的圆柱状的陶资部件113上的多个气体排出孔113a的直径为50jum。该数值小于作为10"cm」的高密度等离子体的村层厚度的40pm的2倍，但大于作为1013cnr"々高密度等离子体的衬层厚度的10,的2倍。在此，陶瓷构件113利用由99.95%以上的高纯度Al203构成的、介电损耗在lxl(Ts以下的材料形成。另外，形成在与等离子体相接触的物体表面上的衬层的厚度d可用下式求得。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>在此，Vo是等离子体与物体的电位差(单位为V),Te是电子温度(单位为eV),Ad是可用下式求得的德拜长度。式2义Z)=(^^=7.43x10;、7:er在此，eo是真空的导磁率，k是玻尔滋曼常数，ne是等离子体的电子密度。如表l所示，由于在等离子体的电子密度上升时德拜长度下降，因此从防止等离子体的逆流这一观点出发，可以说优选气体排出孔113a的孔径更小。表lTe=2eV,V0=12V等离子体密度(cm-3)德拜长度(mm)衬层厚度10130.0030,0110120.0"0.0410"0.0330.13101Q0.1050.41的平均距离、即平均自由行程长的长度，从而可以急剧降低等离子体的逆流。表2表示电子的平均自由行程。平均自由行程与压力成反比，在0.1Torr时为4mm。实际上，由于气体排出孔113a的气体导入侧的压力较高，因此平均自由行程比4mm短，但在本实施例中，将直径为50pm的气体排出孔113a的长度设成5mm,比平均自由行程长。表2Ar气气氛中的电子的平均自由行程<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>Aen(mm)=0.4/P(Torr)但是，由于平均自由行程毕竟是平均距离，因此从统计上看存在没有发生散射而行进了更长距离的电子。因此，在本发明的一技术方案中，在气体排出孔113a的气体导入侧设置具有在流通方向上连通的气孔的多孔质陶瓷气体烧结体114。为了抑制等离子体在气孔中逆流、在第二纵孔112b中发生异常放电，将气孔直径的大小设成在形成于喷淋板105正下方的高密度等离子体的衬层厚度的2倍以下，优选在衬层厚度以下。本实施例中的多孔质陶瓷气体烧结体114的气孔即流通路径的狭路在10pm以下，与10"cm^的高密度等离子体的衬层厚度即10pm相同或比其低。通过上述设置，对于10iscm]的高密度等离子体也可使用本喷淋板。采用具有上述结构的喷淋板105，能够防止等离子体在纵孔112的气体导入侧发生逆流，从而能够抑制喷淋板105内部发生异常放电、气体发生堆积，因此能够防止用于激励等离子体的微波的传输效率、成品率的下降。另外，可以不会影响与等离子体相接触的面的平坦度地高效激励等离子体。再者，气体排出孔113a是利用挤压成型法等形成在与喷淋板105相互独立的陶瓷构件113上的，因此与利用孔加工在喷淋板上形成气体排出孔的情况相比，能够易于形成直径在0.1mm以下的微细且较长的气体排出孔。另外，向被处理基板103均匀地供给等离子体激励用气体，并且自下层喷淋板120借助喷嘴120b将处理气体排向被处理基板103，结果能够均匀地形成自设在下层喷淋板120上的喷嘴120b朝向被处理基板103的处理气体的气流，处理气体返回到喷淋板105的上部的成分变少。结果因暴露在处理气体中的过度解离所导致的处理气体分子的分解减少了，且即使处理气体是堆积性气体也难于发生因向喷淋板105的堆积而产生微波导入效率的降低等，因此能够缩短清洁时间、提高处理稳定性和再现性，从而提高生产率，并且可以进行高品质的基板处理。另外，第一纵孔112a以及第二纵孔112b的个数、直径以及长度、开设在陶瓷构件113上的气体排出孔113a的个数、直径以及长度等并不限定于本实施例的数值。实施例2图5表示本发明的第二实施例。参照图5，表示微波等离子体处理装置。对与第一实施例重复的部分标注相同的附图标记，省w各i兌明。在本实施例中，在处理室102的上部借助密封用的O型密封圈106在对应于保持台104上的被处理基板103的位置上、作为处理室102的外壁的一部分安装有作为相对介电常数是9.8、且低微波介电损耗(介电损耗在lxlO^以下)的电介质的由氧化铝构成的、形成有许多个(230个)开口部即纵孔200的板状的喷淋板201。并且，在处理室102中借助另一密封用的O型密封圈203在喷淋板201的上表面侧、即相对于喷淋板201位于同保持台104相反一侧上安装有由氧化铝构成的盖板202。图6是表示喷淋板201和盖板202的配置的立体示意图。参照图5以及图6,在喷淋板201的上表面与盖板202之间形成有用于充填自等离子体激励用供给口IIO经由开设在喷淋板201内的连通的气体供给孔204而被供给的等离子体激励用气体的空间205。换言之，在盖板202中，在盖板202的喷淋板201—侧的面的、对应于纵孔200以及气体供给孔204的位置上以分别相连接的方式设有槽，从而在喷淋板201与盖板202之间形成有空间205。即、！^人孔200以与空间205相连通的方式配置。图7详细表示纵孔200。图7中，(a)是剖视图，(b)是仰视图。纵孔200自处理室102侧由直径5mm、高2mm的第一纵孑L200a、禾口U圣1020mm、高820mm6勺第二鈔人孑L200b片勾成，第一纵孔200a和第二纵孔200b的局部安装有由氧化铝构成的、6个直径50pm、长8mm的形成有气体排出孔206a的圓柱状的陶瓷构件206。另外，为了防止微波的电场集中而发生放电、等离子体激励用气体中着火而使等离子体自生，对纵孔200的气体导入侧的角部实施倒角加工208。该倒角加工为倒棱加工、更优选倒圓角加工，也可以在倒棱加工之后对该角部进行倒圆角加工。采用具有上述结构的喷淋板201能够防止等离子体向纵孔200的气体导入侧的逆流，而且还可消除纵孔200的气体导入侧角部的等离子体激励用气体发生着火的现象。图8表示陶瓷构件206的优选的理想构造。该图(a)是剖视图，(b)是仰视图。如该图所示，优选形成在陶瓷构件206上的气体才非出孑L206a的孑L^圣为25pm左右，其间P鬲为10~20nm左右。为了进一步可靠地防止等离子体的逆流，如图9所示，也可以在与图7同样尺寸的陶瓷构件206的气体导入侧以与设在流通方向连通的气孔的多孔质陶资烧结体207。在此，多孔质陶瓷烧结体207的气体导入侧的第二纵孔200b的空间部分对应于本发明技术方案5所述的"气体通过孔"。另外，釆用纯度在99.95%以上的八1203材料、平均结晶粒子直径为ljum、弯曲强度为100MPa、而且平均气孔直径为3pm且气孔率为45%、厚度为4mm的材料为本实施例的图9所示的多孔质陶瓷烧结体207。在本实施例中，也可以获得与第一实施例同样的效果。另外，第一纵孔200a以及第二纵孔200b的个数、直径以及长度、开设在陶瓷构件206上的气体排出孔206a的个数、直径以及长度等并不限定于本实施例的数值。实施例3图IO表示本发明的第三实施例。参照图，表示微波等离子体处理装置。对与第一以及第二实施例重复的部分标注相同的附图标记，省略说明。本实施例中的喷淋板301的纵孔300为图ll所示的构造。即、在用于激励等离子体的处理室102侧开设有直径0.05mm、长0.5mm的气体排出孑L300a，气体排出孔300a的气体导入侧与直径lmm的孔300b相连接。另外，为了避免微波的电场集中，对孔300b的气体导入侧的角部实施倒角力口工303。然后，在直径lmm的孔300b的底部安装有高5mm的圓柱状的、具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质陶乾烧结体302。在本实施例中，由于气体排出孔300a直接开设在由氧化铝构成的喷淋板上，因此难以将该气体排出孔的长度设在lmm以上，从而比电子的平均自由行程短，因此电子发生逆流，结果等离子体在空间205和纵孔300中发生着火并且着火现象有时被持续保持。为了防止上述问题的发生，在气体排出孔300a的气体导入侧设置与第二实施例所用的材料相同材料特性的多孔质陶资烧结体302。在本实施例中，也可以获得与第一实施例同样的效果。另夕卜，^人孑L300、气体4非出孑L300a以及孑L300b的个数、直径以及长度等并不限定于本实施例的数值。实施例4图12表示本发明的第四实施例。参照图12，表示微波等离子体处理装置。对与第一至第三实施例重复的部分标注相同的附图标记，省略说明。在喷淋板400的侧面上朝向喷淋板400的中心方向地横向开设有直径lmm的许多个横孔401。同时，以与该横孔401相连通的方式朝向处理室102连通地开设有许多个(230个)纵孔402。图13表示俯视喷淋板400的横孔401和纵孔402的配置。图14是表示横孔401和纵孔402的配置的立体示意图。另外，图15详细表示纵孔402。纵孔402的长度为8-21mm左右，直径在3mm以下(优选在lmm以下)，在纵孔的前端部安装有高26mm左右的圆柱状且具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质陶瓷烧结体403。多孔质陶瓷烧结体使用如下烧结体由氧化铝系材料构成，由连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径在10iim以下，介电损耗在lxlO^以下，平均结晶粒子直径在10pm以下，气孔率为20~75%,平均气孔直径在10pm以下，最大气孔直径在75pm以下，弯曲强度在30MPa以上。以下说明安装有该多孔质陶瓷烧结体403的喷淋板400的制造例。制造例l对在平均粉末粒子直径为0.6pm且纯度为99.99%的A120326粉末中配合3质量％的石蜡后得到的平均粒子直径7m的喷雾造粒粉末进行压力成型之后，将外径、厚度、横孔以及纵孔等成形加工成规定尺寸而形成生坯体，对该生坯体进行烧结而获得相对密度为98%的喷淋板用烧结坯料。另一方面，关于多孔质陶瓷烧结体，在粉末的状态以800。C烧结上述喷雾造粒粉末而获得预烧结粉末之后，添加混合3质量％的上述喷淋板用Al203粉末进行压力成型而得到生坯体，对该生坯体进行烧结，从而获得由连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径为2pm、介电损耗为2.5xl0-4、平均结晶粒子直径为1.5pm、最大结晶粒子直径为3pm、气孔率为40%、平均气孔直径为3pm、最大气孔直径为5pm、弯曲强度为300MPa的多孔质陶瓷烧结体用材料。在将上述喷淋板用烧结坯料的纵孔的内径精加工到3.0士0.001mm、将上述多孔质陶瓷烧结体用材料的厚度加工到6mm并且将其外径尺寸精加工到3.0~3.0-0.003mm之后，进行超声波清洗，如图15所示，通过将多孔质陶瓷烧结体403压入纵孔402而嵌合二者。另外，在嵌合余量过小而难于进行压入的情况下，预先将喷淋板加热到50100。C左右从而易于压入。制造例2准备了如下这样的喷淋板用生坯体，该喷淋板用生坯体是喷雾造粒粉末进行压力成型之后，将外径、厚度、横孔以及纵孔等成形加工成规定尺寸而成的。另一方面，作为多孔质陶瓷烧结体用材料，准备了粉末成形体、脱脂体、和预烧结体，该粉末成形体是将获得与上述制造例l相同的生坯体加工成规定形状后得到的，该脱脂体是以450。C烧结该粉末成形体而成的，该预烧结体是进一步以600。C烧结而成的。另外，上述喷淋板用生坯体的烧结收缩率因压力成型压力的不同而不同，在78MPa的情况下烧结收缩率是19。/。、在147MPa的情况下收缩率是16.20/。。另外，多孔质陶瓷烧结体用材料的烧结收缩率在每次改变气孔率、气孔直径时都会发生变化，另外因压力成型压力的不同烧结收缩率也会发生变化，因此在每次设定多孔质陶资烧结体的特性时都要预先调查烧结收缩率。将具有与上述喷淋板用生坯体的烧结收縮率相同乃至稍微小些的烧结收缩率的多孔质陶瓷烧结体的粉末成形体、脱脂体或预烧结体安装在纵孔中后，同时烧结它们。从而，由于它们相互之间产生烧结内聚力，因此能够确保牢固地安装、固定。制造例3以450。C烧结与上述制造例1以及制造例2相同的喷淋板用生坯体从而获得脱脂体。另外，该脱脂体的烧结收缩率与生坯体的烧结收缩率相同。另外，以6001000。C烧结(预烧结)喷淋板用生坯体从而获得预烧结体。在获得预烧结体的情况下，由于在预烧结阶段发生若千烧结收缩，因此在正式烧结预烧结体时预烧结温度越高，剩余的预烧结体的烧结收缩率越低。另一方面，利用与上述制造例1以及制造例2相同的制法获得的多孔质陶瓷烧结体用材料使用的是对喷雾造粒粉末进行预烧结后得到的粉末，因此烧结收缩率比喷淋板用生坯体的烧结收缩率要小些，与喷淋板用生坯体的预烧结体的烧结收缩率相近，从而便于选定烧结收缩率相同的喷淋板用材料和多孔质陶瓷烧结体用材料。在该制造例中，也与上述制造例2同样地同时烧结喷淋板用材料和安装在该喷淋板的纵孔中的多孔质陶瓷烧结体用材料，从而因相互间产生烧结内聚力而能够确保牢固地安装、固定。收缩率算出纵孔的烧结后的尺寸，将多孔质陶瓷材料的生坯体、脱脂体、预烧结体的烧结后的尺寸以及烧结体的尺寸比上述纵孔的烧结后的算出尺寸大些(150inm左右)的多孔质陶瓷材料安装在上述生坯体的纵孔中而同时烧结它们，从而达到具有相互间产生烧结内聚力、且连续的结晶组织的牢固的安装固定构造。另外，安装在喷淋板的纵孔中的陶瓷构件(113、206、404)也可利用与上述制造例1~3中说明的方法相同的方法，在与喷淋板进行同时烧结后安装在规定的位置上。如上所述，由于在等离子体的密度上升时德拜长度减小，因此从防止等离子体的逆流这一观点出发可以说优选多孔质陶瓷烧结体403的孔径更小。具体而言，平均气孔直径的大小在等离子体的衬层厚度的2倍以下、优选在衬层厚度以下。另夕卜，多孔质陶瓷烧结体403的气孔即气体流通路径的狭路在10pm以下，与1013cnrM々高密度等离子体的衬层厚度即10pm相同或比其小。通过上述设置，对于10"cm^的高密度等离子体也可使用本喷'淋沐反。通过使用具有上述结构的喷淋板400,能够防止等离子体在该喷淋板的纵孔402的气体导入侧发生逆流，从而能够抑制喷淋板400内部发生异常放电、气体发生堆积，因此能够防止用于激励等离子体的微波的传输功率、成品率的下降。在此，为了至少使自安装在单一纵孔中的多孔质气体流通体排出的等离子体激励用气体无局部不匀地、自整个面尽可能以均匀的流速、流量排出，在使用气孔直径以及通气率在较小范围内的多孔质气体流通体的情况下，为了确保所排出的等离子体激励用气体的流量，有时将多孔质气体流通体的厚度减小至23mm左右。在使用该种较薄的多孔质气体流通体的情况、使用平均气孔直径和狭路的气孔直径较大的多孔质气体流通体的情况下，为了更可靠地防止等离子体的逆流，如图16的(a)所示，也可以4吏开设有多个气体流通孔404a的陶瓷构件404与多孔质陶瓷烧结体403的气体导入侧相连接。陶瓷构件404是99.95%以上的高纯度氧化铝(介电损耗在lxlO-s以下)的挤压成型品，气体流通孔404a的孔径的直径为50pm。该数值小于作为10^cnrs的高密度等离子体的衬层厚度的40pm的2倍，大于作为10"cm^的高密度等离子体的衬层厚度的10pm的2倍。另外，气体流通孔404a的长度为5mm。优选该气体流通孔404a的长度比电子发生散射之前的平均距离即平均自由行程长。如上所述，平均自由行程与压力成反比，在0.1Torr时为4mm。实际上，由于气体流通孔404a的气体导入侧的压力较高，因此平均自由行程比4mm短，但在本实施例中，将气体流通孔404a的长度设成5mm,比平均自由行程长。如图16的(b)所示，在多孔质陶瓷烧结体403的气体导入侧设置另一多孔质陶瓷烧结体403a来代替上述陶瓷构件404,从而能够更可靠地防止等离子体的逆流。在该情况下，为了减小等离子体激励用气体的压损，使用气孔率以及气孔直径比气体排出侧的多孔质陶瓷烧结体403的气孔率以及气孔直径大的烧结体作为气体导入侧的多孔质陶瓷烧结体403a(例如平均气孑L直^圣10~30pm，气孑L率50~75%)。图17表示多孔质陶瓷烧结体403的另一安装例。图17的(a)的例子中，在第一纵孔402a的前端设置大直径的第二纵孔402b，将该第二纵孔402b作为多孔质陶资烧结体403的安装部并将多孔质陶瓷烧结体403安装在第二纵孔402b中。另外，在图17的(a)的例子中，在多孔质陶资烧结体403的气体导入侧设置与图16的(a)中的说明相同的、开设有多个气体流通孔404a的陶瓷构件404。从而能够更可靠地防止等离子体的逆流。另外，也可以与图16的(b)同样地在多孔质陶瓷烧结体403的气体导入侧设置另一多孔质陶瓷烧结体来代替陶瓷构件404。图17的(b)的例子将安装在第二纵孔402b中的多孔质陶瓷烧结体403的形状设成其上表面以及下表面朝向处理室102均弯曲成凹曲面状的形状。另外，图17的(c)的例子将安装在设于第一纵孔402a前端的大直径的第二纵孔402b中的多孔质陶瓷烧结体403的形状设成其上表面以及下表面朝向处理室102均弯曲成凸曲面状的形状。在此，多孔质陶瓷烧结体403以其下端未自喷淋板400的下表面突出的方式安装。通过使用图17的(b)以及图17的(c)中那样弯曲形状的多孔质陶瓷烧结体403,可利用变形(挠曲)吸收在使用喷淋板400时因热膨胀、收缩而产生的应力，从而能够防止多孔质气体流通体403以及安装有该多孔质气体流通体403的喷淋板400的裂紋等。另外，如图17的(c)所示，在多孔质陶瓷烧结体403朝向处理室2形成为凸曲面状的情况下，由于能够范围更宽地排出等离子体激励用气体，因此可以产生更均匀的等离子体。另外，在图17的(b)以及图17的(c)的例子中，也可以在多孔质陶瓷烧结体403的气体导入侧设置开设有多个气体流通孔的陶瓷构件或其它的多孔质陶瓷烧结体。在上述实施例中，纵孔112a的个数、直径以及长度等并不限定于本实施例的数值。实施例5图18表示本发明的第五实施例。参照图18,表示微波等离子体处理装置。对与第一至第四实施例重复的部分标注相同的附图标记，省略i兌明。在本实施例中，在处理室102的上部借助密封用的O型密封处理室102的外壁的一部分安装有作为相对介电常数是9.8、且低微波介电损耗(介电损耗在lxlCM以下)的电介质的由氧化铝构成的、形成有许多个(230个)开口部即纵孔500的^^反状的喷淋板501。并且，在处理室102中借助另一密封用的O型密封圈203在喷淋板501的上表面侧、即相对于喷淋板501位于同保持台104相反一侧上安装有由氧化铝构成的盖板202。图19是表示喷淋板501和盖板202的配置的立体示意图。参照图18以及图19，在喷淋板501的上表面与盖板202之间形成有空间205，该空间205充填有自等离子体激励用供给口IIO经由开设在喷淋板501内的连通的气体供给孔204而被供给的等离子体激励用气体。换言之，在盖板202中，在盖板202的喷淋板501—侧的面的、对应于纵孔500以及气体供给孔204的位置上以分别相连接的方式设有槽，从而在喷淋板501与盖板202之间形成有空间205。即、纵孔500以与空间205相连通的方式配置。图20详细表示纵孔500。纵孑L500自处理室102侧由直径8mm、高3mm的第一纵孔500a、和直径10mm、高7mm的第二纵孔500b构成，利用嵌合在第一纵孔500a和第二纵孔500b的整体上安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质陶瓷烧结体502。多孔质陶瓷烧结体502的除了上表面以及下表面之外的外周由致密质陶资层502a形成，内部形成多孔质部502b。多孑L质部502b的结构与第四实施例的多孔质陶瓷烧结体403相同。致密质陶瓷层502a具有与喷淋板501相同的特性值，具体而言，由介电损耗在lxl0'3以下、Al20s纯度在99.95。/o以上且相对密度在98%以上的材料形成。可利用例如下述方法制造上述在外周具有致密质陶瓷层502a的多孑L质陶覺烧结体502。即、将调整成多孔质气体流通体用的粉末充填在圆筒状橡胶模中而进行冷流体静压压力(CIP)成型之后，将加工了外周的圓柱状的成形体安装在比上述橡胶模尺寸大的圓筒状橡胶模的中心，在其外侧充填致密质陶瓷用的调整粉末，再次CIP成型而得到成形体，以规定温度烧结该成形体，从而能够获得双层构造的多孔质气体流通体。另外，重要的是以使中心部的多孔质材料部的烧结收缩与外周的致密质材料部的烧结收缩相同的方式来设定各个CIP成型条件。在本实施例中，也可以获得与第四实施例相同的效果。另外，第一纵孔500a以及第二纵孔500b的个数、直径以及长度等并不限定于本实施例的数值。工业上可利用性本发明的喷淋板除了可利用在微波等离子体处理装置中，还可利用在平行平板型高频激励等离子体处理装置、电感耦合型等离子体处理装置等各种等离子体处理装置中。3权利要求1.一种喷淋板，该喷淋板配置于等离子体处理装置，为了在上述等离子体处理装置内产生等离子体而排出等离子体激励用气体，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔中安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体，由上述多孔质气体流通体的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径为10μm以下。2.根据权利要求l所述的喷淋板，上述多孔质气体流通体由氧化铝系材料构成，介电损耗在1x1(T3以下、平均结晶粒子直径在10pm以下、气孔率在20~75%的范围内、平均气孔直径在lOpm以下、最大气孔直径在75jtim以下、弯曲强度在30MPa以上。3.根据权利要求1或2所述的喷淋板，在上述纵孔的气体排出侧设有气体排出孔，上述多孔质气体流通体配置在上述气体排出孔的气体导入侧。4.根据权利要求3所述的喷淋板，上述气体排出孔的孔径为形成于喷淋板正下方的等离子体的衬层厚度的2倍以下。5.根据权利要求3或4所述的喷淋板，在上述多孔质气体流通体的气体导入侧连续设置比上述气体排出孔孔径大的气体通过孔。6.根据权利要求35中任一项所述的喷淋板，将开设有多个气体排出孔的陶瓷构件安装在开设在喷淋板上的纵孔中。7.—种喷淋板，该喷淋板配置于等离子体处理装置，具有为了在上述等离子体处理装置内产生等离子体而排出等离子体激励用气体的多个气体排出孔，气体排出孔的长度长比上述等离子体处理装置内的电子的平均自由行程长。8.根据权利要求17中任一项所述的喷淋板，气体排出孔设在开设于喷淋板上的纵孔的气体排出侧，对上述纵孔的气体排出侧的角部实施倒角加工。9.一种喷淋板，用于等离子体处理装置，该喷淋板具有多个纵孔，各纵孔的气体排出侧被设有多个气体排出孔的构件堵塞，各气体排出孔的长度比上述等离子体处理装置内的电子的平均自由行程长。10.根据权利要求9所述的喷淋板，上述纵孔的上述气体排出侧比气体导入侧窄，上述构件设在该狭窄部分中并沿着气体导入侧延伸。11.根据权利要求9或10所述的喷淋板，上述构件是陶瓷的挤压成型品。12.根据权利要求9~11中任一项所述的喷淋板，在上述纵孔的气体导入侧以与上述多个气体排出孔相连接的方式配置有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体。13.根据权利要求911中任一项所述的喷淋板，的村层厚度的2倍以下。14.根据权利要求12所述的喷淋板，上述多孔质气体流通体的气孔的孔径为形成于喷淋板正下方的等离子体的衬层厚度以下。15.根据权利要求1或2所述的喷淋板，利用嵌合或烧结结合将上述多孔质气体流通体安装在上述纵孔的至少前端部上。16.根据权利要求15所述的喷淋板，多孔质气体流通体的上表面以及下表面朝向上述等离子体处理装置内均弯曲成凸曲面状或凹曲面状。17.根据权利要求15所述的喷淋板，多孔质气体流通体的除了上表面以及下表面之外的外周由致密质陶瓷层形成。18.根据权利要求1517中任一项所述的喷淋板，在多孔质气体流通体的气体导入侧的纵孔中安装有开设了气体流通孔的陶瓷构件、或气孔率比上述多孔质气体流通体的气孔率大的另一多孔质气体流通体。19.一种喷、淋才反的制造方法，该方法用于制造权利要求l所述的喷淋才反，利用嵌合安装具有相对于喷淋板的纵孔的内径尺寸为0-0.002mm的外径尺寸的多孔质气体流通体。20.—种喷淋板的制造方法，该方法用于制造权利要求l所述的喷淋才反，将对多孔质气体流通体的原料粉末进行成型而加工成规定形状后得到的粉末成形体、粉末成形体的脱脂体或预烧结体安装在对喷淋板的原料粉末进行成型而加工形成有纵孔的生坯体的纵孔中之后，将上述粉末成形体、粉末成形体的脱脂体或预烧结体与该生坯体同时烧结。21.—种喷淋板的制造方法，该方法用于制造权利要求l所述的喷淋板，将对多孔质气体流通体的原料粉末进行成型而加工成规定形状后得到的粉末成形体、粉末成形体的脱脂体或预烧结体安装在对喷淋板的原料粉末进行成型而加工形成有纵孔的生坯体的脱脂体的纵孔中之后，将上述粉末成形体、粉末成形体的脱脂体或预烧结体与该生坯体的脱脂体同时烧结。22.—种喷淋板的制造方法，该方法用于制造权利要求l所述的喷'淋板，将对多孔质气体流通体的原料粉末进行成型而加工成规定形状后得到的粉末成形体、粉末成形体的脱脂体或预烧结体安装在对喷淋板的原料粉末进行成型而加工形成有纵孔的生坯体的预烧结体的纵孔中之后，将上述粉末成形体、粉末成形体的脱脂体或预烧结体与该生坯体的预烧结体同时烧结。23.—种喷淋板的制造方法，将具有多个气体排出孔或气体流通孔的陶瓷构件的生坯体、脱脂体、预烧结体或烧结体装入在对原料粉末进行成型而加工形成有纵孔的喷淋板的生坯体、脱脂体或预烧结体的上述纵孔中之后，同时烧结它们。24.—种等离子体处理装置，该等离子体处理装置配置有权利要求118中任一项所述的喷淋板。25.—种等离子体处理方法，使用权利要求1~18中任一项所述的喷淋板向等离子体处理装置内供给等离子体激励用气体，利用微波激励所供给的等离子体激励用气体从而产生等离子体，使用该等离子体对基板实施氧化、氮化、氧氮化、CVD、蚀刻、或等离子体照射。26.—种电子装置的制造方法，包含利用权利要求25所述的等离子体处理方法来处理基板的工序。全文摘要本发明提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔(112)中安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体(114)。将由多孔质气体流通体(114)的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径设在10μm以下。文档编号H05H1/46GK101467498SQ20078002171公开日2009年6月24日申请日期2007年6月13日优先权日2006年6月13日发明者后藤哲也,大见忠弘,桶作正广,石桥清隆申请人:东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学