专利名称：X射线或xuv射线发生装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种如权利要求1所述的X射线或XUV(远紫外)射线发生装置。
背景技术：
此种装置用于产生X射线，例如公开文献US 3793549和GB 1057284的X射线发生装置，以及公开文献WO 2004/023512A1、US 3138729、EP0887639A1和US 4523327的XUV射线发生装置。对于XUV(远紫外)射线，其波长范围应当是大约0.25至大约20nm。这样的装置按照如图所示的方法，例如在检查电子器件，特别是印刷电路板，以及控制和调节光学元件时使用。
公知的装置设有校准装置，用于校准在目标物上的荷电粒子的基本粒子射线束，其中所选的目标物的材料与所发射的射线的理想波长相适合。
公知装置的一个缺点在于，在目标物上的基本粒子射线束的集聚点与所设定的射中点之间有一定的偏差，这样会影响通过透视器件所得到图片的质量，并且在测量和调整时以及在调整数据方面造成测量错误。
发明内容
本发明的任务是提供一种按权利要求1所述方式的装置，它可减少目标物上的基本粒子射线束的集聚点与所设定的射中点之间的偏差，由此改善了目标物上对基本粒子射线束集聚点的射线束的位置稳定性。
本发明任务将通过权利要求1中所述的原则予以解决。
按本发明原则的基本构思为，设置用于偏转基本粒子射线束的偏转装置，通过该偏转装置使基本粒子射线束被偏转，其中心轴线经过第一和第二偏转点，其中第一和第二偏转点同在目标物上的基本粒子射线束的一个给定的或可给出的集聚点一起设置在该轴线上，因此基本粒子射线束通过偏转装置对一个偏转点的可偏转与对其它偏转点的偏转无关联。
按本发明的基本粒子射线束始终经过第一和第二偏转点，这两个偏转点同目标物上的基本粒子射线束的理想集聚点一起设置在轴线上，因此，目标物上的基本粒子射线束的集聚点具有较高的位置稳定性。本发明的基本点在于，基本粒子射线束在偏转装置的作用下，经过至少二个偏转点，这两个偏转点同目标物上的基本粒子射线束的理想集聚点一起设置在轴线上。换句话说，通过相互独立的基本粒子射线束的偏转或可偏转性，对两个在射线方向相互有距离的偏转点进行准确设置，而这两个偏转点同目标物上的基本粒子射线束的理想集聚点一起设置在轴线上，从而使得基本粒子射线束的中心轴线与一条设定的直线相符，而在该直线上设置了第一和第二偏转点以及在目标物上的理想的基本粒子射线束。
因此，基本粒子射线束的中心轴线例如特别与按本发明的装置的中心轴线相符，比如X射线管。
根据本发明的原则，设置偏转装置用于基本粒子射线束的相互独立的偏转，该偏转是对第一偏转点和在射线方向与第一偏转点具有距离的第二偏转点而言的。为了避免基本粒子射线束在穿过第二偏转点后发生不理想的偏转，按照本发明，基本粒子射线束也可以由偏转装置进行偏转，基本粒子射线束不仅经过第一和第二偏转点，而且经过在射线方向位于第二偏转点后面的其它偏转点，这样所有偏转点同目标物上的基本粒子射线束的理想集聚点都设置在轴线上。
尤其具有优点的是，在第二偏转点与目标物之间存在着一个比较大的距离。如果比如尤其对于第一和第二偏转点的基本粒子射线束的偏转是通过第一和第二偏转点实现的，那么按照本发明可以附加设置用于本偏转单元的其它偏转单元，该其它偏转单元是在射线方向随第二偏转单元后设置的。
因此在基本粒子射线束的中心轴线的下面，设置一条经过基本粒子射线束射线横截面的几何中心点的轴线。
根据本发明的原则，偏转装置设有一个独立的偏转单元，它可以是基本粒子射线束的一个相互独立的偏转，该偏转是对第一偏转点和在射线方向与第一偏转点具有距离的第二偏转点而言的。按照本发明原则的一个具有优点的进一步构造，偏转装置设有用于偏转基本粒子射线束的第一偏转单元，其中心轴线经过第一偏转点；偏转装置还设有用于偏转基本粒子射线束的与第一偏转单元在基本粒子射线束的射线方向具有距离的第二偏转单元，其中心轴线经过第二偏转点。由于偏转单元的构建基本上可以是一致的，所以按此种方式，本发明的装置可以节省构建费用。
为了对偏转装置及偏转单元进行控制，应有针对性地装设控制装置。
另一个带有偏转单元的结构型式的进一步构造为，第一偏转单元和第二偏转单元通过控制装置可相互独立地控制，并用于相互独立地对第一偏转点和第二偏转点的基本粒子射线束进行偏转。按此方式，可偏转的基本粒子射线束具有特别高的精确度。
在带有偏转单元的结构型式中，每个偏转单元设有至少一个偏转元件。按照不同要求，每个偏转单元也可以设有一个以上偏转元件。
偏转元件的形式、大小、数量和构造可在较大的范围内进行选择。就这点来说，一个有利的进一步构造为，偏转元件至少有一个线圈或线圈装置，尤其一个四重线圈。这样的线圈作为简单的且价格低廉的标准配件来使用，并可通过选择一个合适的偏转电流来对基本粒子射线束进行精确的偏转。
按本发明原则的另一个进一步构造为，偏转元件装有至少一个静电偏转板。
按本发明原则的另一个具有优点的进一步构造，用于基本粒子射线束偏转的偏转装置在两条相互垂直的轴线的方向上构成。如果基本粒子射线束的中心轴线例如沿着Z方向设置，那么在该结构型式中偏转装置例如是用于偏转沿着X和Y方向的基本粒子射线束的。
按本发明原则的另一个有利的进一步构造，偏转单元中的至少一个偏转单元装有一个遮光板，该遮光板安置在射线方向的偏转单元的偏转元件的后面。因此例如可以特别使用该遮光板，对基本粒子射线束集聚在遮光板上产生的电流进行测定，并根据所测定的电流控制基本粒子射线束的偏转，这在下面将作进一步说明。
上述结构型式的一个进一步构造为，第一偏转单元装有第一遮光板，而第一遮光板在射线方向设置在第二偏转单元的偏转元件的作用面范围内。以这个方式使得在第二偏转点范围内的射线方向上，由于基本粒子射线束的偏转而得到了特别有利的比值。
带有遮光板的结构型式的另一个进一步构造为，第二偏转单元装有第二遮光板，设置在第二偏转单元的第二遮光板的功能可以与设置在第一偏转单元的第一遮光板的功能相一致。
按本发明原则的具有特别优点的进一步构造为，至少一个遮光板的至少部分是由一种导电材料制成，且该遮光板设有一个用于测定电流的测量单元，该电流是由基本粒子射线束集聚在遮光板上而产生的。在该结构型式中，通过测量单元测定电流，该电流是通过由基本粒子射线束集聚在遮光板及遮光板的导电部分的。如果基本粒子射线束穿过遮光板开口处，且荷电粒子不集聚在遮光板上，那么通过时的理想方式是没有电流的，而当基本粒子射线束完全集聚在遮光板上时，则有比较大的电流通过。因此，所测定的电流就是在理想位置的基本粒子射线束的中心轴线的偏差值。如果根据所测定电流的测量单元，例如对完全射在遮光板上的基本粒子射线束进行确定，就可以控制装有遮光板的偏转单元，使得基本粒子射线束不是射在遮光板上，而是从遮光板开口处通过。当基本粒子射线束处于一个小的偏转角度时，在偏转电流与偏转路线之间就有一个比例关系。
因此，按本发明原则的一个具有优点的进一步构造为，测量单元同用于控制偏转装置的控制装置相连接，这样，基本粒子射线束的偏转就取决于由测量装置测定的电流。
按本发明原则的另一个具有优点的进一步构造为，面对目标物的遮光板装有一个测量单元，该测量单元在第一种运行方式下测定电流，该电流是由基本粒子射线束射在遮光板的相对于目标物的表面而产生的。该测量单元还在第二种运行方式下测定电流，该电流是由通过目标物反馈控制的荷电粒子而产生的。在这个结构型式中，测量单元的输出信号例如可以采用第一种运行方式，以确定用于控制偏转单元的偏转电流，使得基本粒子射线束经过理想的偏转点时进行偏转。在第二种运行方式下，对此可以产生由测量单元测定的电流，以通过控制一个产生基本粒子射线束的粒子源来对装置的目标物的电流进行控制或调整。
此外，所述结构型式的一个具有优点的进一步构造为，测量单元同控制和/或调整装置相连接，该装置由一个通过测量单元在第二种运行方式下测定的电流，对目标物电流通过控制用于产生基本粒子射线束的粒子源来进行控制或调整。
为了使目标物上的基本粒子射线束的聚焦点达到一个理想的焦点直径，按本发明原则的另一个具有优点的进一步构造为，装设聚焦装置，用于聚焦在目标物上的基本粒子射线束。
在所述的结构型式中，聚焦装置有针对性地安置在射线方向的偏转装置的后面。在该结构型式中，基本粒子射线束首先偏转到理想的位置，在该位置中其中心轴线经过第一和第二偏转点，并且射到目标物上的理想的集聚点上。接着电子射线借助于聚焦装置进行聚焦，使在目标物上的聚焦点达到一个理想的焦点直径。
下面本发明将结合所附的非常简单的示意图作详细说明，在图中显示了按本发明的装置的一个实施例。因此所有描述的或在图中显示的特征，在其本身或以任意组合的方式构成本发明的对象，它不取决于专利权利要求中的综合概述或其引述，也不取决于说明书中的公式和描述以及附图。
图1是按本发明的装置的第一实施例的非常简单示意的截面图。
图2是按图1所示装置对其功能更为清楚地显示的与图1相同的截面图。
图3是按图1所示装置所采用的遮光板的示意图。
具体实施例方式
图1中显示了按本发明的装置2的一个实施例，在本实施例中该装置用于产生XUV射线。装置2是按照X射线管的方式构造的，它装有一个壳体4，其内部6被设计成真空室，并借助于一个图中未示出的真空泵通过开口8可将其抽成真空。
在真空室6内部装设了一个粒子源，用于产生荷电粒子的基本粒子射线束，其中荷电粒子在本实施例中由从阴极射出的电子组成。电子通过一个环形屏极14在由本实施例中构成层状目标物的目标物16的方向加速，用以形成基本粒子射线束12。当射在目标物16上时，形成基本粒子射线束12的电子由于产生减速辐射而被减速，其光谱取决于粒子的能量和目标物16材料的化学特性(原子序数)。在图1所示的实施例中，选择目标物16的材料，以产生在XUV光谱范围的一个可用部分。
装置2装有按本发明的装置，该装置用于偏转基本粒子射线束12，由此在图1中通过点划线18标出基本粒子射线束12的中心轴线，中心轴线经过第一偏转点20和第二偏转点22，第二偏转点22在射线方向位于第一偏转点20的后面并与第一偏转点20设有距离，此时第一偏转点20和第二偏转点22同在目标物16上的基本粒子射线束12的一个给定的集聚点一起设置在轴线上，同时基本粒子射线束12通过偏转装置可在射线方向对第一偏转点20进行偏转，它与基本粒子射线束12对第二偏转点22的偏转无关联。
在本实施例中，偏转装置设有第一偏转单元26，第一偏转单元26装有一个偏转元件28，偏转元件28在本实施例中通过一个线圈装置以四重线圈的形式构成。第一偏转单元26在本实施例中装有第一遮光板30，第一遮光板30在射线方向与偏转元件28设有距离并位于其之后。第一遮光板30设有一个具有环状截面的遮光板开口，而第一偏转点20就位于遮光板开口的中心。
偏转装置还设有第二偏转单元32，第二偏转单元32装有一个偏转元件34，偏转元件34在本实施例中通过一个线圈装置以四重线圈的形式构成。第二偏转单元32在本实施例中装有第二遮光板36，第二遮光板36在射线方向位于第二偏转单元32的偏转元件34的后面。第二遮光板36在本实施例中设有一个环状遮光板开口，而第二偏转点22就位于遮光板开口的中心。
装置2还装有控制装置38，控制装置38在下面将作详细描述，它采用偏转电流用于控制偏转元件28、34，还用于控制高压发生器40和粒子源10。第一偏转单元26和第二偏转单元32通过控制装置38可相互独立地进行控制，用于对基本粒子射线束12相互独立地进行偏转，该偏转是对第一偏转点20和第二偏转点22而言的。
偏转单元26、32在本实施例中用于偏转基本粒子射线束12，它横向对着其中心轴线18并沿着相互垂直的轴线构成，即在X及Y方向对在Z方向扩散的基本粒子射线束12进行偏转。
如图1所示，在本实施例中第一遮光板30在射线方向的安置与第二偏转单元32的偏转元件34的高度大致相同。第一遮光板30在本实施例中是由一种导电材料制成的，第一遮光板30设有第一测量单元42以测定电流，该电流是由基本粒子射线束12集聚在第一遮光板30上而产生的。第一测量单元42的出口与控制装置38相连接。
按照相应的方式，与目标物16相对而置的第二遮光板36同样由一种导电材料制成，其中第二遮光板36设有第二测量单元44。第二测量单元44在第一种运行方式下测定电流，该电流是由基本粒子射线束12集聚在遮光板36的相对于目标物16的表面而产生的。第二测量单元44在第二种运行方式下测定电流，该电流是由通过目标物16反馈控制的荷电粒子而产生的。在图1中，通过目标物16的荷电粒子的反馈控制用箭头46表示。
为了对基本粒子射线束12进行聚焦，装置2装有聚焦装置，该聚焦装置在本实施例中通过一个电磁透镜48构成，电磁透镜48在本实施例中在射线方向位于第二偏转单元32的后面。
通过荷电粒子集聚在目标物16上产生XUV射线，该射线通过安置在壳体4侧面的输出窗49从壳体4射出，在图中用标号50表示。为了便于XUV射线的光谱过滤，可在输出窗49上安置一个过滤器52。
为了阻止从目标物16上反馈控制的电子集聚在输出窗49上并静附在上面，输出窗49可由一个吸收环54环绕，该吸收环54具有正电位，且可吸收向输出窗49方向飞射的反馈控制的电子。因此，吸收环54连接一个电源56的正极，电源56的负极则与壳体4及主体相连接。
按本发明的装置的工作方式描述如下。
装置2在运行时由粒子源射出电子，并经过环形正极14向目标物16的方向加速，基本粒子射线束12的中心轴线18则经过第一偏转点20和第二偏转点22。由于偏转点20、22同在目标物16上基本粒子射线束12的给定的集聚点24一起设置在轴线上，因此电子射到目标物16上的集聚点24上，此时产生XUV射线，该射线通过输出窗49从装置2中射出。
图2描述了装置2的一种运行状况，按照基本粒子射线束12的方向可能发生故障。这样的故障发生原因例如有粒子源10的加热丝尖端发生弯曲，外部磁场发生影响或者产生热膨胀。在这种情况下，基本粒子射线束12将斜着穿过环形正极14的正极孔。因此提出，比如在使用一个环绕加热丝尖端的文纳尔电极时，电子在射线方向在环形正极14的大约为平面内进行第一次聚焦(第一个焦点)，如图2中用标号58表示。在第一个焦点之后，电子由于不同的有效机理例如伯尔世(Boersch)效应的影响而相互发散，伯尔世效应描述了同名的荷电电子的撞击力。由于电子离开环状正极14的平面后，处在环状正极14上的高压将不再起作用，所以电子继续在此方向飞射，当电子离开焦点后仍保持这个方向。
如图2中标号60所指的阴影所示，电子将射在第一遮光板30上而无法到达目标物16。
由于电子射在第一遮光板30上，第一测量单元42即测量其电流，并向控制装置38传达一个相应的信号。
然后控制装置38通过偏转电流控制第一偏转单元20的偏转元件28。第一偏转单元26的有效平面在图2中用一条虚线62表示。因此控制装置38选用偏转电流，使得基本粒子射线束12被偏转，其中心轴线18经过第一偏转点20。由此得到的基本粒子射线束12的方向在图2中用标号62标出。
对于偏转元件26必须确定偏转电流，以便通过第一偏转点20对基本粒子射线束12进行偏转，这将在后面的图3中进行详细说明。
偏转元件26在本实施例中由一个四重线圈构成，其由四个设置在正方体中的电磁线圈组成，通过这个线圈电子射线在X以及Y方向可以被偏转。如果电子射线穿过第一遮光板30上的遮光板孔并且经过第一偏转点20，那么由第一测量单元42所测定的电流为零。只有当基本粒子射线束12射在遮光板上时，测量单元42才能测定到电流。在这种情况下，控制装置38将控制偏转元件28，使基本粒子射线束12按照图3中标号64、66、68、70所标明的位置按顺序运行。选择位置64、66、68、70只是例如为了使基本粒子射线束12将近一半的截面面积射在第一遮光板30上，从而使第一测量单元42测定的电流达到最大电流的一半左右。最大电流则为基本粒子射线束12完全射在第一遮光板30上时所测定的电流大小。
在给出小的基本粒子射线束12中心轴线18的偏转角度时，在偏转电流与基本粒子射线束12的偏转路线之间存在着一个比例关系。由于这个比例关系使得偏转电流能够在X和Y方向，有必要对基本粒子射线束12进行偏转，其中心轴线18穿过第一遮光板30的中心并经过第一偏转点20，如下面公式所示Iym＝(I1+I3)/2Ixm＝(I2+I4)/2式中I1基本粒子射线束12在位置64的偏转电流I2基本粒子射线束12在位置66的偏转电流I3基本粒子射线束12在位置68的偏转电流I4基本粒子射线束12在位置70的偏转电流Iym基本粒子射线束12在Y方向位于遮光板孔中心位置的偏转电流Ixm基本粒子射线束12在X方向位于遮光板孔中心位置的偏转电流如果以这种方式确定必需的偏转电流，控制装置38就利用这个偏转电流控制偏转元件28的线圈，使得基本粒子射线束12的中心轴线18穿过第一遮光板30的遮光板孔中心，并且经过第一偏转点20。这里，基本粒子射线束12会发散，因为第一偏转单元26根本不能起到聚焦作用，最终导致基本粒子射线束12发生侧面偏差。
通过随后的偏转，基本粒子射线束将按照图2中用阴影表示的过程74扩散，并且例如射在第二遮光板36及真空室6的侧壁上，这样基本粒子射线束就无法到达目标物16。
为使基本粒子射线束12发生偏转，其中心轴线穿过第二遮光板36的中心并且经过第二偏转点22，接着通过第二测量单元44测定电流，该电流是基本粒子射线束12集聚在第二遮光板36上时产生的。然后控制装置38按照上面所述关于通过第一偏转单元26进行偏转的方式，确定用于偏转基本粒子射线束12在X及Y方向所必需的电流，并且通过该电流控制第二偏转单元32的偏转元件34。这样，基本粒子射线束12将被偏转，基本粒子射线束12经过第二偏转点22。第二偏转单元32的有效平面在图2中用标号72标出。
由于实现偏转后基本粒子射线束12的中心轴线18不仅经过第一偏转点20，而且经过第二偏转点22，并且偏转点20、22与目标物16上所给定的集聚点24一起设置在轴线上，因此，基本粒子射线束12按照预定的方式射到目标物16上的集聚点上。在射到目标物16之前，基本粒子射线束12通过聚焦装置48进行聚焦，该聚焦装置48在本实施例中装有一个电磁透镜。
在确定偏转电流的过程中，第二测量单元44在第一种运行方式下测定电流，该电流是由基本粒子射线束12射在第二遮光板36的相对于目标物16的表面而产生的。当上述过程结束之后，基本粒子射线束12就不再射到第二遮光板36上，所以就不再测到相应的电流了。
在第二种运行方式下，第二测量单元44测定电流，该电流是由通过目标物16反馈控制的电子而产生的。由于该电流取决于目标物16的目标物电流，因此其电流大小可以控制或调整。这里，控制装置38可控制产生基本粒子射线束12的粒子源10，而基本粒子射线束12则由每次设定的目标物电流决定。按照此种方式，就可对目标物电流进行精确调整，当粒子源10和环状正极14之间处于恒定高压时，目标物电流对于光子流则有一个直接的大小范围。
按本发明的装置2能够借助简单的装置高度精确地偏转基本粒子射线束12，同时能够高度精确地调整目标物电流。因此该装置例如特别适合采用图示中的方法以及XUV射线范围的检查与测量方法。
权利要求
1.一种X射线或XUV射线发生装置，它装有校准装置，用于校准在目标物上的荷电粒子的基本粒子射线束，它还装有用于偏转基本粒子射线束的偏转装置，使基本粒子射线束的中心轴线经过第一偏转点和在射线方向与第一偏转点具有距离的第二偏转点，其中偏转装置设有用于偏转基本粒子射线束的第一偏转单元，其中心轴线经过第一偏转点，偏转装置还设有用于偏转基本粒子射线束的与第一偏转单元在基本粒子射线束的射线方向具有距离的第二偏转单元，其中心轴线经过第二偏转点，其中基本粒子射线束通过偏转单元对一个偏转点的可偏转与对其它偏转点的偏转无关联，其特征在于，每个偏转单元(26、32)用于偏转沿着两条相互垂直的轴线(X轴线和Y轴线)构成的基本粒子射线束，这样第一和第二偏转点(20、22)同在目标物(16)上的基本粒子射线束(12)的一个给定的或可给出的集聚点(24)一起设置在轴线上。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，控制装置(38)用于控制偏转装置。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，第一偏转单元(26)和第二偏转单元(32)通过控制装置(38)可相互独立地控制，这样，基本粒子射线束(12)对一个偏转点(20、22)的可偏转与对其它偏转点(22、20)的偏转无关联。
4.根据前述权利要求之一项所述的装置，其特征在于，每个偏转单元(26、32)装有至少一个偏转元件(28、34)。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，偏转元件(28、34)装有至少一个线圈或线圈装置，尤其一个四重线圈。
6.根据权利要求4或5所述的装置，其特征在于，偏转元件装有至少一个静电偏转板。
7.根据前述权利要求之一项所述的装置，其特征在于，用于基本粒子射线束(12)偏转的偏转装置沿着两条相互垂直的轴线构成。
8.根据前述权利要求之一项所述的装置，其特征在于，偏转单元(26、32)中的至少一个偏转单元装有一个遮光板(30、36)，该遮光板安置在射线方向的偏转单元(26、32)的偏转元件(28、34)的后面。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，第一偏转单元(26)装有第一遮光板(30)，而第一遮光板(30)在射线方向设置在第二偏转单元(32)的偏转元件(34)的作用面范围内。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，第二偏转单元(32)装有第二遮光板(36)。
11.根据权利要求8至10其中之一项所述的装置，其特征在于，至少一个遮光板(30、36)的至少部分是由一种导电材料制成，且该遮光板(30、36)设有一个用于测定电流的测量单元(42、44)，该电流是由基本粒子射线束(12)集聚在遮光板(30、36)上而产生的。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，测量单元(42、44)同用于控制偏转装置的控制装置(38)相连接，这样，基本粒子射线束(12)的偏转就取决于由测量单元(42、44)测定的电流。
13.根据权利要求8至12其中之一项所述的装置，其特征在于，面对目标物(16)的遮光板(36)装有一个测量单元(44)，该测量单元(44)在第一种运行方式下测定电流，该电流是由基本粒子射线束(12)射在遮光板的相对于目标物(16)的表面而产生的，该测量单元(44)还在第二种运行方式下测定电流，该电流是由通过目标物(16)反馈控制的荷电粒子而产生的。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，测量单元(44)同控制和/或调整装置(38)相连接，该装置由一个通过测量单元(44)在第二种运行方式下测定的电流，对目标物电流通过控制用于产生基本粒子射线束(12)的粒子源(10)来进行控制或调整。
15.根据前述权利要求之一项所述的装置，其特征在于，通过聚焦装置(48)，用于聚焦在目标物(16)上的基本粒子射线束(12)。
16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，聚焦装置(48)安置在射线方向的偏转装置的后面。
全文摘要
一种按本发明的X射线或XUV射线发生装置2，它装有校准装置，用于校准在目标物16上的荷电粒子的基本粒子射线束12。按本发明的用于偏转基本粒子射线束12的偏转装置，使基本粒子射线束12的中心轴线18经过第一偏转点20和与第一偏转点20在射线方向具有距离的第二偏转点22，此时第一和第二偏转点20、22同在目标物16上的基本粒子射线束12的一个给定的或可给出的集聚点一起设置在该轴线上，同时基本粒子射线束通过偏转装置可在射线方向的一个偏转点20、22范围内偏转，它与其它偏转点22、20范围内基本粒子射线束12的偏转无关联。
文档编号H05G1/00GK1959924SQ20061012917
公开日2007年5月9日 申请日期2006年9月4日 优先权日2005年9月3日
发明者A·莱哈德 申请人:科美特有限公司