专利名称：聚酰亚胺－金属层压体和聚酰亚胺电路板的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及含聚酰亚胺基础材料和金属层的层压体和聚酰亚胺电路板，尤其涉及具有通过湿法镀覆在聚酰亚胺膜上形成的导电层的聚酰亚胺-金属层压体和聚酰亚胺电路板，特别地涉及挠性聚酰亚胺-金属层压体和聚酰亚胺电路板。
背景技术：
通过在基础聚酰亚胺层的一个或两个侧面上层压热塑性聚酰亚胺，并在其间热压粘合铜箔，或者通过在铜箔上流延聚酰亚胺前体，并焙烧它，从而制备常规的聚酰亚胺层压板。然而，当为了改进铜箔与聚酰亚胺之间的粘结力糙化铜箔时，这一方法对实现高精度和高频特征来说是不令人满意的。为了解决这一问题，开发并制造了在聚酰亚胺膜上具有种子金属层，通过真空气相沉积或溅射方法形成的粉末导电金属层，和通过使用粉末导电金属层作为电极通过电解金属镀覆形成的导电层的层压体，且在聚酰亚胺膜和导电金属层之间具有平坦的界面。
然而，在这一方法中结合气相沉积方法和湿法的制备步骤是复杂的。特别地，当通过气相沉积方法在两侧上形成导电层时，任何生成的气体实际上不可能从加热的聚酰亚胺中逃逸，因此，质量下降。
另一方面，还研究了在诸如亲水处理聚酰亚胺基础材料之类的预处理之后，通过直接镀覆体系，形成无电镀铜层或者粉末导电层，从而累积电解铜镀层的方法。然而，这一方法限于正面/背面连接的目的，例如盲孔通路(blind vias)或通孔通路，这是因为难以在电路形成所需的宽区域内实现膜表面的镀覆。
化学镀覆聚酰亚胺从根本上来说是困难的，且甚至当通过复杂的预处理和后处理形成镀层时，足够的内聚强度也是不可能的。另外，通过在高温下连续老化处理，内聚强度通常显著下降。旨在克服这一缺点的提议包括在聚酰亚胺膜表面上化学粘结低分子量化合物(日本未审专利公布No.2002-208768)，和在聚酰亚胺膜表面上形成能化学镀覆的独立的树脂涂层(日本未审专利公布No.2001-168496)。
这些提议要求在独立于形成聚酰亚胺膜的步骤中处理，因此对于金属箔层压体来说整个制造工艺复杂，且所形成的表面改性层的耐热性并不总是充足(日本未审专利公布No.2003-136632和日本未审专利公布No.2003-200527)。前述专利公布提出通过化学镀覆精细分散的氧化硅聚酰亚胺膜形成金属层的技术。然而，尽管这些方法使用常见的无电镀铜并得到满意的起始剥离强度，但没有提及对高温老化处理应答的剥离强度行为。另外，由于不考虑控制聚酰亚胺膜的线性膨胀系数，因此，当金属箔层压体用作电路板材料时，难以维持尺寸稳定性(日本未审专利公布No.2000-289167和日本未审专利公布No.2002-64252)。
前述专利公布提出了在聚酰亚胺膜的形成过程中，在线掺入化学镀覆催化剂到膜表面内的技术。这简化了金属箔层压体的制备步骤，且还在金属箔与聚酰亚胺膜之间产生优良的内聚力。然而，甚至在电路形成之后，在线材之间仍残留化学镀覆催化剂，因此损害电绝缘性能。
发明公开因此，本发明的目的是提供不要求复杂真空方法、在湿法镀覆步骤中具有满意的内聚力、甚至在高温老化处理之后维持实际可行的内聚力并显示出满意的电绝缘性能的层压体和聚酰亚胺电路板。
本发明涉及通过能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层而获得的聚酰亚胺-金属层压体。
本发明进一步涉及通过湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层而获得的聚酰亚胺-金属层压体，其中相对于聚酰亚胺膜，金属层的起始剥离强度在90°剥离试验(5cm/min)中为至少0.5kg/cm，和在150℃的空气中老化处理1周(168小时)之后为至少0.5kg/cm。
本发明仍进一步涉及通过下述方法形成电路而获得的聚酰亚胺电路板，所述方法包括通过能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层的步骤，其中在金属镀覆工艺之前或者在金属镀覆工艺之中，形成光敏抗蚀剂层，然后通过光法除去在形成图案的部分处的抗蚀剂，并使导电金属层镀层在除去部分处生长。
根据本发明，可获得不要求复杂真空方法以供在聚酰亚胺膜上气相沉积粉末金属、在湿法镀覆步骤中具有满意的内聚力、甚至在高温老化处理之后维持实际可行的内聚力，并显示出满意的电绝缘可靠度的聚酰亚胺-金属层压体和聚酰亚胺电路板。
附图简述
图1示出了获得本发明的聚酰亚胺-金属层压体所使用的典型制备工艺的实例。
图2示出了第一种方法作为获得本发明的聚酰亚胺双侧电路板所使用的典型制备工艺的实例。
图3示出了第二种方法作为获得本发明的聚酰亚胺双侧电路板所使用的典型制备工艺的实例。
图4示出了第三种方法作为获得本发明的聚酰亚胺双侧电路板所使用的典型制备工艺的实例。
图5是显示在150℃氛围的烘箱内，长期老化实施例1获得的聚酰亚胺-铜层压体之后测量90°剥离强度的结果的图表。
图6是显示绝缘可靠度试验结果的图表，其中在使用实施例1获得的聚酰亚胺铜层压体制造的40微米间距的梳形电极上形成阻焊剂膜，并在85℃、85％RH的环境内施加52V的偏压。
甚至在1000小时之后，仍满意地维持电绝缘电阻。
实施本发明的最佳模式本发明的优选模式是具有下述方面的那些。
1)前述聚酰亚胺-金属层压体，其中金属导电层包括无电镀铜层和在其上的电解镀铜层。
2)前述聚酰亚胺-金属层压体，它在金属镀覆之后或之前，在100-350℃下进一步热处理1分钟-10小时。
3)前述聚酰亚胺-金属层压体，其中相对于聚酰亚胺膜，金属导电层中的金属层的起始剥离强度在90°剥离试验(5cm/min)中为至少0.5kg/cm，和在150℃的空气中老化处理1周(168小时)之后为至少0.5kg/cm。
4)前述聚酰亚胺-金属层压体，其中在陶瓷上形成可通过蚀刻处理除去的无电金属氧化物粉末层或者无电镍粉末层之后，湿法镀覆方法实现表面氧化铝改性或者氧化硅改性膜的无电镀铜，于是使得可改进内聚力并防止铜和聚酰亚胺界面的氧化，以避免在过热过程中的内聚降解。
5)前述聚酰亚胺-金属层压体，其中在50-200℃下，聚酰亚胺的热膨胀系数为5×10-6-25×10-6cm/cm/℃(MD、TD的平均)。
在本发明的整个说明书中，“陶瓷改性”是指其中在至少一部分表面上形成诸如氧化铝或氧化硅之类的陶瓷结构的状态，和“假陶瓷改性”是指其中至少一部分表面是陶瓷表面，或者含有通过公知的预处理产生的化学键，例如氢氧化铝或硅羟基，或者悬空键，且基本上起着陶瓷表面的作用。
根据本发明，将至少表面上陶瓷改性或假陶瓷改性的聚酰亚胺基础材料与能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法结合，这很重要。由于陶瓷改性或假陶瓷改性的聚酰亚胺基础材料的表面似陶瓷，通过能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法，可形成满意的金属膜，从而得到具有满意的内聚力的聚酰亚胺-金属层压体。另外，通过在金属镀覆工艺之前或者在金属镀覆工艺之中形成光敏抗蚀剂层，然后通过光法除去在形成图案的部分处的抗蚀剂，使导电金属层镀层在除去部分处生长，并进行合适的公知的后处理，可获得具有良好内聚力的聚酰亚胺电路板。
对本发明所使用的在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺基础材料的制备方法、组成、层结构等没有特别限制，它可以是例如在日本未审专利公布No.11-158276中所述的一样，例如通过在聚酰亚胺前体溶液内掺入氧化铝前体，并将它焙烧成膜，或者通过在由聚酰亚胺前体溶液获得的自支持膜上流延氧化铝前体溶液，并焙烧它，从而获得基础材料。
或者，在至少表面上陶瓷改性或假陶瓷改性的聚酰亚胺基础材料可以是通过在聚酰亚胺前体溶液内混合氧化铝或氧化硅的超细微粒，在表面上流延该混合物并焙烧而获得的基础材料。此外，聚酰亚胺的主链和/或侧链可包括具有金属氧化物或类似物的化学键，且对形式或组成没有限制，只要在基础材料的表面上产生陶瓷状的状态即可。基础材料的表面不一定被完全改性，因为若在电路形成过程中形成提供充足内聚强度范围的离散或网状图案，则是足够的。
对前述聚酰亚胺基础材料中的聚酰亚胺没有特别限制，只要它的热膨胀系数在50-200℃下为5×10-6-25×10-6cm/cm/℃(MD、TD的平均)即可，例如它可由芳族四羧酸组分，例如3，4，3′，4′-联苯基四羧酸二酐和/或均苯四酸二酐和芳族二胺，例如对苯二胺、4，4′-二氨基联苯醚和/或邻联甲苯胺获得，或者通过一部分芳族四羧酸组分和芳族二胺组分被另一芳族四羧酸组分或芳族二胺组分，或芳族三羧酸组分，例如偏苯三酸替代而获得。
可以例如通过用含陶瓷组分，例如氧化铝或氧化硅的溶液涂布由聚酰胺酸溶液作为聚酰亚胺前体获得的自支持膜，然后干燥它，以获得含有铝组分的干燥膜，然后在大于或等于420℃的温度下，和优选430-520℃下加热所得膜优选约2-30分钟的时间段，以完成酰亚胺化，从而获得在至少表面上陶瓷改性或假陶瓷改性的聚酰亚胺基础材料。
溶于聚酰胺酸溶液内的任何铝化合物都可用作前述铝化合物。作为这种铝化合物的实例，可提及氧化铝，或者有机铝化合物，例如二异丙氧基铝合单乙酸乙酯、单异丙氧基铝合二乙酸乙酯、三乙酰基丙酮酸铝、三乙基乙酰基丙酮酸铝、异丙氧基铝和丁氧基铝，其中优选的有机铝化合物是三乙酰基丙酮酸铝。
举例来说，自支持膜可通过以下方法获得通过在有机溶剂中，在低于约100℃下，特别是20-60℃下，使酸组分与二胺组分反应获得聚酰胺酸溶液，使用该聚酰胺酸溶液作为掺杂溶液用以在载体上流延，在约70-200℃下干燥形成薄膜，并从载体上剥离该膜。为了有助于剥离，可在聚酰胺酸聚合过程中，添加相对于固体(聚合物)浓度，浓度范围为0.01-1％的有机磷化合物，例如亚磷酸三苯酯或磷酸三苯酯。
生产聚酰胺酸所使用的有机溶剂可以是N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、二甲亚砜、六甲基磷酰胺或N-甲基己内酰胺。可单独或者结合两种或更多种使用这些有机溶剂。
可将碱性有机化合物加入到原料的溶液中，以加速酰亚胺化。例如，可在聚酰胺酸的聚合过程中，使用相对于固体浓度，比例为0.1-10wt％的咪唑、2-甲基咪唑、1，2-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、三乙胺或类似物。
根据本发明，对能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法没有特别限制，例如可以使用下述步骤。在每一处理之间包括水洗步骤。
湿法镀覆工艺1)脱脂/表面改性步骤例如，在25-80℃下，在表面改性剂内浸渍处理15秒-30分钟。
2)催化剂的添加步骤例如，使用含有1-50g/l敏化剂，例如水溶性的第一银盐，例如氯化银和5-100ml酸，例如盐酸的pH为1-5的溶液，在10-50℃下浸渍5秒-5分钟，接着在含有0.1-2g/l水溶性Ag盐(硝酸银等)的pH为2-8的银活化溶液中，在10-50℃下浸渍5秒-5分钟以供敏化，然后在含有0.01-1g/l活化剂，例如水溶性Pd盐，例如氯化钯和0.01-1ml/l酸，例如盐酸的pH为1-5的钯活化溶液中，在10-50℃下浸渍5秒-5分钟以供催化剂的添加。
3)用于无电镀覆的粉末处理层的形成步骤通过在含0.001-5mol/l锌离子(硝酸锌等)、0.00001-0.1mol/l铟离子(硝酸铟等)和0.0001-1mol/l氨基硼烷络合物(二甲基氨基硼烷等)的处理溶液中在50-90℃下浸渍处理1-60分钟，形成含锌的氧化铟粉末层。
4)催化剂的添加步骤例如，在水溶性金属盐的水溶液内浸渍，例如在10-80℃下，用包括浓度为0.01-1g/l的水溶性金属盐，例如水溶性Pd盐(氯化钯等)的pH为1-5的水溶液浸渍、喷洒或涂布5秒-5分钟。
5)无电金属镀覆步骤例如，在含0.01-0.5mol/l水溶性金属盐，例如硫酸铜、0.1-1mol/l还原剂，例如甲醛和0.01-1mol/l螯合剂，例如EDTA的pH为9-14的溶液中，在10-70℃下浸渍5-60分钟。
6)电解镀铜步骤在10-30℃和1-4A/dm2的阴极电流密度下，在含0.1-0.5mol/l水溶性铜盐，例如硫酸铜，和1.5-3mol/l酸，例如硫酸的pH为0.1-2的溶液中电解5-60分钟。
作为这种方法，可提及C.Uyemura & Co.，Ltd.的“Zintra”方法，或者Meltex Inc.的Melplate G/Si方法形成粉末层，然后在其上累积电极镀层的方法。“Zintra”方法得到在陶瓷(钠钙玻璃)上具有良好内聚力的金属膜，正如在日本未审专利公布No.2003-247076中公开的。
这一方法实现了通过化学溶液浸渍，在镀覆的基础材料上形成含Sn、Ag和Pd的催化剂层，接着通过无电镀覆，形成含锌的氢氧化铟粉末层，然后在处理溶液内浸渍，形成催化剂金属层以供无电镀铜。无电镀铜层可用作电解镀铜用电极，以实现所需的膜厚。MelplateG/Si方法(Meltex Inc.)是在陶瓷上无电镀镍的方法，可在镀镍之后跟着进行类似的无电镀覆和电解镀覆铜，以形成导电金属层。
现参考图1作为典型的制造方法的实例来说明本发明的聚酰亚胺-金属层压体。在图1中，101是在表面上假陶瓷改性的聚酰亚胺膜。在步骤11中，在普通的脱脂/洗涤处理之后添加用于粉末层形成的催化剂102，和在步骤12中，通过无电镀覆形成含锌的氢氧化铟粉末层103。在随后的步骤13中，添加用于无电镀铜用的催化剂104，然后在步骤14中，通过无电镀铜形成用于电解镀铜的电极层105。此外，在步骤15中，通过电解镀铜形成导电金属层106，以获得聚酰亚胺铜层压体。步骤11-15全部是湿法步骤。顺便说一下，含锌的氢氧化铟粉末层103有时会通过热处理转化成含锌的氧化铟层，但显示出相同的效果。
现参考图2-4作为典型的制造方法的实例来说明本发明的聚酰亚胺双侧电路板。这是间歇式形成双侧电路的实例。在图2-4中，参考标记101-105与图1中的相同。首先，在步骤200中，在膜101内打开通孔206，以允许正面/背面传导(conduction)。形成孔的方法可以是使得正面/背面可穿孔，例如冲孔、激光操作或类似方法中的任何一种方法。步骤201-204与图1中的相同，所不同的是同时处理两侧和板的通孔，并分别对应于11-14。
在步骤205中，干燥膜类型的负性光致抗蚀剂207连接到已在其上形成了电极层105的聚酰亚胺基础材料的正面侧和背面侧上以供电解铜镀覆正面/背面和通孔。在随后的步骤206中，通过曝光以供不形成电路的部分208光敏化，从而将在掩膜上绘制(draw)的电路图案转移到光致抗蚀剂上，在步骤207中，显影除去在电路形成部分处的未曝光的抗蚀剂。
尽管此处使用负性干燥膜光致抗蚀剂，以促进获得厚的电路，但正性类型是合适的，只要形成电路的部分被光敏化即可，和甚至可使用液体光致抗蚀剂，只要可获得所需厚度即可。在随后的步骤208中，通过电解镀铜以供在抗蚀剂已从中除去的部分上形成电路，从而形成导电层209。在步骤209中，用碱性溶液除去不想要的抗蚀剂，而在步骤210中，通过微蚀刻或类似方法除去不想要的无电镀铜层和在不形成电路的部分处的粉末层，以获得双侧聚酰亚胺电路板。
当仅仅聚酰亚胺膜的表面被假陶瓷改性时，有时会降低通孔内的镀层的内聚力，但由于在正面和背面侧上高内聚性的铜层的一体化导致这在实践中是不成问题的。除了步骤206和207以外的所有步骤是湿法工艺。
此处所述的模式具有作为导电层形成的铜，但不限制该金属，只要它适合于湿法镀覆即可；此外，在此情况下，作为获得满意质量的充足导电层厚度的实例，形成无电镀铜层作为电解镀铜用导电层，但取决于所需的性能可单独使用无电镀覆。或者，可使用粉末层作为导电层，单独进行电解镀覆，且可通过电解镀覆，形成与通过无电镀覆形成的金属不同的金属作为用于电解镀覆的电极层。根据本发明，若该方法不要求在陶瓷上形成用于镀覆的粉末层的话，则粉末层的形成不是重要的。
本发明的聚酰亚胺-金属层压体在两侧上具有金属层，且优选地，相对于聚酰亚胺膜，金属层的起始剥离强度在90°剥离试验(5cm/min)中为至少0.5kg/cm，且甚至在150℃空气中老化处理1周(168小时)之后还为至少0.5kg/cm。
现通过下述实施例和对比例，更详细地解释本发明且要理解本发明决不限制于此。
参考实施例1在至少表面上制造陶瓷改性或假陶瓷改性的聚酰亚胺膜在配有搅拌器、氮气引入管和循环管道的300ml玻璃反应器内添加183g N，N-二甲基乙酰胺和0.1g磷化合物(SEPARU 365-100，ChukyoYushi Co.，Ltd.的产品)，且在氮气流下搅拌的同时进一步添加10.81g(0.1000mol)对苯二胺之后，加热反应物到50℃，以完成溶解。在缓慢添加29.229g(0.9935mol)3，3′，4，4′-联苯基四羧酸二酐同时注意热量的释放之后，继续反应5小时，同时维持50℃的温度。接下来，在其内溶解0.2381g(0.00065mol)3，3，′，4，4′-联苯基四羧酸二酐。所得聚酰胺酸溶液是在25℃下溶液粘度为约1500泊的褐色粘稠溶液。在50-200℃下，独立于掺杂剂(dope)生产的单一聚酰亚胺膜层(25微米)的热膨胀系数为15×10-6cm/cm/℃(MD、TD的平均)。
在玻璃基底上流延并涂布聚酰胺酸溶液，在150℃下干燥10分钟，从基底中玻璃，固定到框架上，用含有2wt％铝螯合剂化合物(ALCH，Kawaken Fine Chemical Co.，Ltd.的产品)的DMAc溶液涂布，然后在200℃下热处理3分钟、300℃下3分钟和480℃下4分钟，获得厚度为25微米的聚酰亚胺膜。
参考实施例2根据参考实施例1的方法形成厚度为25微米且具有氧化硅改性表面的聚酰亚胺膜，所不同的是使用硅胶(含有20wt％平均粒度为30纳米的硅胶组分的二甲基乙酰胺溶液，Nissan ChemicalIndustries，Ltd.的产品)和硅烷偶联剂(KBM-903，Shin-EtsuChemical Co.，Ltd.的产品)，而不是参考实施例1中的铝基涂料溶液，以制备含2.5wt％硅胶组分和0.5wt％硅烷偶联剂组分的二甲基乙酰胺溶液作为涂料溶液。
实施例1通过表1所示的镀覆方法(C.Uyemura & Co.，Ltd.的“Zintra”方法)，在参考实施例1中获得的厚度为25微米的聚酰亚胺膜上累积粉末层和无电镀铜层。此外，在3A/dm2的电流密度下，在硫酸铜基电解镀覆溶液中进行电解镀铜30分钟，然后在烘箱中，在200℃下进行热处理30分钟，获得铜厚度为10微米的聚酰亚胺铜层压体。表2中与对比例一起示出了测量所得聚酰亚胺铜层压体的90°剥离强度的结果。
图5中示出了在烘箱内在150℃的氛围下长期老化之后测量90°剥离强度的结果。甚至在168小时流逝之后没有观察到剥离强度的劣化。
还使用所得层压体，通过公知的蚀刻方法，使用氯化铁(II)，形成40微米间距的梳形电极，然后在该梳形电极上形成阻焊剂膜(FS-510UUbe Industries，Ltd.的产品，在150℃下固化1小时)，并在85℃、85％RH的环境内施加52V的偏压以供绝缘可靠度试验，图6中示出了结果。甚至在1000小时流逝之后绝对没有观察到绝缘性能的劣化。
对比例1使用在表面上等离子体处理过的25微米厚的聚酰亚胺膜(UPILEX-S，Ube Industries，Ltd.的产品)以供与实施例1相同的处理。形成铜层，但内聚强度非常弱并在剥离强度测量之前导致剥离。
对比例2使用25微米厚的聚酰亚胺膜(UPILEX-S，Ube Industries，Ltd.的产品)以供与实施例1相同的处理。绝对没有形成铜层。
实施例2使用参考实施例2中获得的膜以供通过表1所示的镀覆方法(C.Uyemura & Co.，Ltd.的“Zintra”方法)累积粉末层和无电镀铜层。在70℃的温度和0.45MPa的压力下，层压厚度为15微米的干燥膜类型的光致抗蚀剂SPG-152(Asahi Chemical Industry Co.，Ltd.的产品)之后，使用投影(projection)打印机，通过160mJ的曝光，形成40微米间距的图案，接着在0.2MPa下，使用30℃1％碳酸钠水喷洒显影30秒，除去在形成电路部分处的光致抗蚀剂。在普通的酸脱脂和酸洗涤之后，在2A/dm2的电流密度下，使用硫酸铜基镀覆溶液以供30分钟电解镀覆，形成铜的厚度为8微米的电路图案。使用1％苛性钠溶液剥离干燥膜抗蚀剂，然后在0.05MPa下，喷洒氯化铁基软蚀刻溶液C-800(Asahi Denka Kogyo K.K.的产品)1分钟，并除去在不形成图案部分处的无电铜层和粉末层，以获得聚酰亚胺电路板。在150℃的氛围内劣化168小时之后，使用Minnesota Mining & Manufacturing Co.的Scotch型号以供室温下的图案剥离试验，和在20X立体显微镜下观察表明图案没有剥离。
表1
*在每一步骤之间进行离子交换水洗涤。
表2
工业实用性本发明提供在湿法镀覆步骤中具有满意的内聚力、甚至在高温老化处理之后维持实际可行的内聚力，并显示出满意的电绝缘可靠度的聚酰亚胺-金属层压体和聚酰亚胺电路板，因此在工业上具有实用性。
权利要求
1.一种聚酰亚胺-金属层压体，它通过能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层而获得。
2.权利要求1的聚酰亚胺-金属层压体，其中金属导电层包括无电镀铜层和在其上的电解镀铜层。
3.权利要求1的聚酰亚胺-金属层压体，其中在金属镀覆之后或之前，在100-350℃下对它进一步热处理1分钟-10小时。
4.权利要求1的聚酰亚胺-金属层压体，其中相对于聚酰亚胺膜，金属导电层中的金属层的起始剥离强度在90°剥离试验中为至少0.5kg/cm，且甚至在150℃的空气中老化处理之后也为至少0.5kg/cm。
5.权利要求1的聚酰亚胺-金属层压体，其中在陶瓷上形成可通过蚀刻处理除去的无电金属氧化物粉末层或者无电镍粉末层之后，湿法镀覆方法将实现表面氧化铝改性或氧化硅改性膜的无电镀铜，于是使得内聚力可得到改进并防止铜与聚酰亚胺界面氧化，以避免在过热过程中内聚力降解。
6.权利要求1的聚酰亚胺-金属层压体，其中在50-200℃下，聚酰亚胺的热膨胀系数为5×10-6-25×10-6cm/cm/℃(MD、TD的平均)。
7.通过湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层而获得的聚酰亚胺-金属层压体，其中相对于聚酰亚胺膜，起始剥离强度在90°剥离试验中为至少0.5kg/cm，和在150℃的空气中老化处理1周(168小时)之后也为至少0.5kg/cm。
8.通过下述方法形成电路而获得的聚酰亚胺电路板，所述方法包括通过能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层的步骤，其中在金属镀覆工艺之前或者在金属镀覆工艺之中，形成光敏抗蚀剂层，然后通过光法除去在形成图案的部分处的抗蚀剂，并使导电金属层镀层在除去部分处生长。
全文摘要
通过能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层而获得的聚酰亚胺－金属层压体。可获得在湿法镀覆步骤中具有满意的内聚力、甚至在高温老化处理之后维持实际可行的内聚力，并显示出满意的电绝缘可靠度的聚酰亚胺－金属层压体和聚酰亚胺电路板。
文档编号H05K1/03GK1910041SQ20058000234
公开日2007年2月7日 申请日期2005年1月11日 优先权日2004年1月13日
发明者横泽伊裕, 山口裕章, 番场启太, 大久保正夫 申请人:宇部兴产株式会社