专利名称：一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及等离子体技术的应用领域，特别涉及一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置。
背景技术：
低温等离子体技术被广泛地运用于半导体、微电子、光学、材料表面处理等工业领域，并日益显示其更多的应用领域，尤其在薄膜材料制备和材料表面改性方面使用非常广泛。例如，本申请人自主研制的，《物理》2002年第8期第510页“脉冲高能量密度等离子体薄膜制备和材料表面改性”一文中所述的脉冲高能量密度等离子体产生装置，该装置分为四部分同轴等离子枪、脉冲电磁阀、RLC充放电电路和真空腔体，该装置虽然具有较高的能量利用率，但是，由于金属内电极的温度不能过高，因此，金属内电极溅射产生等离子体的功率受到一定的限制。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有的脉冲高能量密度等离子体产生装置在溅射产生等离子体的功率上的限制，从而提供一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置。
本实用新型的目的是这样实现的本实用新型的一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置，该装置包括同轴等离子枪、脉冲电磁阀和RLC充放电电路，所述的同轴等离子枪的管状外电极和柱状内电极分别通过绝缘的密封通道同轴地与脉冲电磁阀联接，所述内电极与一RLC充放电电路连接，该RLC充放电电路与脉冲控制电路连接，其特征在于，所述的内电极是由金属溅射材料制成的柱状电极，该内电极中还布置有水冷通道。
所述的内电极为一中空的金属圆柱体，一端固定在脉冲电磁阀上，另一端口密封，其靠近脉冲电磁阀的端口处开有进水口和出水口，分别与进水管、出水管相连。
所述的外电极的管壁为中空的，其靠近脉冲电磁阀的端口处开有进水口和出水口，分别与进水管、出水管相连。
所述的外电极的管壁中还设置有导流槽。
本实用新型的优点在于本实用新型的一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置，在同轴等离子枪的内电极中布置了水冷通道后，利用水冷处理降低金属内电极的温度，保证金属内电极不会因为温度过高而变形，因此，相应地提高了同轴等离子枪的溅射功率。
图1是本实用新型脉冲高能量密度等离子体的发生装置的结构示意图图2是本实用新型的内外电极水冷处理的剖面示意图附图标识1、电磁阀开关 2、脉冲电磁阀 3、内电极4、外电极 5、充放电电路 6、样品7、靶 8、真空室 9、脉冲控制电路10、第一导流槽11、外电极出水口 12、内电极出水口13、内电极进水14、外电极进水15、第二导流槽具体实施方式
实施例1制作一脉冲高能量密度等离子体的发生装置，如图1和图2所示，同轴等离子枪的管状外电极4和柱状内电极3分别通过绝缘的密封通道(位于脉冲电磁阀2内部，图中未示出)同轴地与脉冲电磁阀2联接，内电极3与一RLC充放电电路5连接，该内电极3是由钛制成的中空的柱状电极，其一端固定在脉冲电磁阀2上，另一端口密封，靠近脉冲电磁阀2的端口处开有内电极进水口13和内电极出水口12，分别与进水管、出水管相连；外电极4是用钛制成的半径为25毫米、壁厚1毫米的管状电极，其一端固定在脉冲电磁阀2上，另一端与真空室8密封固定RLC充放电电路与脉冲控制电路9连接并接地。真空室8的靶7上还固定一待加工的样品6。
实施例2制作另一脉冲高能量密度等离子体的发生装置，如图1和图2所示，同轴等离子枪的管状外电极4和柱状内电极3分别通过绝缘的密封通道同轴地与脉冲电磁阀2联接，内电极3与一RLC充放电电路5连接，该内电极3是由铜制成的中空的柱状电极，其一端固定在脉冲电磁阀2上，另一端口密封，靠近脉冲电磁阀2的端口处开有内电极进水口13和内电极出水口12，分别与进水管、出水管相连；外电极4是用铝制成的半径为20mm、壁厚2mm的管状电极，其管壁为中空的，固定在脉冲电磁阀2的端口处开有外电极进水口14和外电极出水口11，分别与进水管、出水管相连，另一端与真空室8密封固定；管壁中还设置有第一导流槽10和第二导流槽15，RLC充放电电路与脉冲控制电路9连接并接地。真空室8的靶7上还固定一待加工的样品6。
权利要求1.一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置，该装置包括同轴等离子枪、脉冲电磁阀和RLC充放电电路，所述的同轴等离子枪的管状外电极和柱状内电极分别通过绝缘的密封通道同轴地与脉冲电磁阀联接，所述内电极与一RLC充放电电路连接，该RLC充放电电路与脉冲控制电路连接，其特征在于，所述的内电极是由金属溅射材料制成的柱状电极，该内电极中还布置有水冷通道。
2.按权利要求1所述的脉冲高能量密度等离子体的发生装置，其特征在于，所述的内电极为一中空的金属圆柱体，一端固定在脉冲电磁阀上，另一端口密封，其靠近脉冲电磁阀的端口处开有进水口和出水口，分别与进水管、出水管相连。
3.按权利要求1或2所述的脉冲高能量密度等离子体的发生装置，其特征在于，所述的外电极的管壁为中空的，其靠近脉冲电磁阀的端口处开有进水口和出水口，分别与进水管、出水管相连。
4.按权利要求3所述的脉冲高能量密度等离子体的发生装置，其特征在于，所述的外电极的管壁中还设置有导流槽。
专利摘要本实用新型涉及一种脉冲高能量密度等离子体的发生装置，该装置包括同轴等离子枪、脉冲电磁阀和RLC充放电电路，所述的同轴等离子枪的管状外电极和柱状内电极分别通过绝缘的密封通道同轴地与脉冲电磁阀联接，所述内电极与一RLC充放电电路连接，该RLC充放电电路与脉冲控制电路连接，所述的内电极是由金属溅射材料制成的柱状电极，该内电极中还布置有水冷通道，其靠近脉冲电磁阀的端口处开有进水口和出水口，分别与进水管、出水管相连。本实用新型在同轴等离子枪的内电极中布置了水冷通道后，利用水冷处理降低金属内电极的温度，保证金属内电极不会因为温度过高而变形，因此，相应地提高了同轴等离子枪的溅射功率。
文档编号H05H1/26GK2671287SQ200320102779
公开日2005年1月12日 申请日期2003年11月6日 优先权日2003年11月6日
发明者杨思泽, 刘赤子, 刘元富 申请人:中国科学院物理研究所