一种k波段高性能微波收发芯片的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型公开了一种K波段高性能微波收发芯片，包括发射通道和接收通道，所述发射通道由射频输入管脚COM1、开关K2、3级功率放大电路、开关K1组成、射频输出通道COM2组成；所述接收通道由射频输出管脚COM2、开关K3、3级低噪声放大器、开关K4组成和射频输入管脚COM1组成；在3级低噪声放大器中，加入级间并联电感，电路中采用微带线进行了匹配网络的设计，芯片中间采用梯度的孔径模型，封装引脚端设置有解耦电容；本实用新型提供的收发芯片噪声系数低、功率增益高，用于射频信号接收和发射，对于雷达、通信、收发模拟应用等领域非常实用。
【专利说明】
一种K波段高性能微波收发芯片
技术领域
[0001]本实用新型属于无线通信技术领域，尤其涉及一种K波段收发芯片。
【背景技术】
[0002]根据频率划分，毫米波一般指的是波长介于Imm?1mm的电磁波，由于毫米波的波长短、频带宽和它自身特殊的大气传播特性，使得K频段在雷达系统中得到了广泛的应用，从而推动了 K频段收发组件的快速发展。针对二次雷达系统中的收发组件，功能较多、体积和重量要求小，在此前提下，人们对于收发芯片提出了越来越高的要求，如低噪声、高增益、尚集成等。
[0003]收发芯片是用作射频信号接收/发射的器件，应用于雷达、基站、收发模拟应用。因此，低噪声、高增益、高集成的收发芯片，对于提高系统性能起到了关键性的作用。
【实用新型内容】
[0004]针对上述问题，本实用新型提供了一种用以满足超低噪声系数、高增益应用场景下能保持高性能的收发芯片。
[0005]本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种K波段高性能微波收发芯片，包括发射通道和接收通道，所述发射通道由射频输入管脚C0M1、开关K2、3级功率放大电路、开关Kl组成、射频输出通道COM2组成;所述接收通道由射频输出管脚COM2、开关Κ3、3级低噪声放大器、开关Κ4组成和射频输入管脚COMl组成；
[0006]所述3级低噪声放大器内部电路采用级间并联电感的方式，设置有漏极负偏压Vdu[0007 ] 所述3级功率放大器内部电路设置有栅极偏压Vg、漏极正偏压Vdp。
[0008]进一步的是，该芯片信号通路上不含电容电阻等集总元件，使用无拐角的不同线宽的微带线来匹配各级中间电路。
[0009]进一步的是，该芯片上设有锥形通孔，所述通孔正面孔径为80um，背面孔径为150um，芯片背面既是直流地也是交流地，保证芯片背面与系统地之间保持良好的射频接地连接。
[0010]进一步的是，该芯片为裸片封装，输入和输出端采用直径25um金丝作为键合线与封装管脚连接。
[0011]进一步的是，该该芯片栅极偏压VG、漏极正偏压Vdp和漏极负偏压Vdl端均连接有解耦电容。
[0012]进一步的是，该芯片长度为2400μπι，宽度为1800μπι，厚度为ΙΟΟμπι。
[0013]本实用新型的有益效果在于:该收发芯片通过开关Κ1、Κ2控制信号发射，开关Κ3、Κ4控制信号的接收，将低噪声放大器、功率放大器集成在一颗芯片上，提高了集成度，降低了寄生效应;在3级低噪声放大器中，加入级间并联电感，提高了功率增益，改善了信号接受通道的整体噪声性能;采用微带线进行了匹配网络的设计，输入输出均匹配到50欧姆;芯片中间采用梯度的孔径模型，可以使芯片更好的接地，同时减少寄生的电感;封装设置有解耦电容，降低干扰，提高信噪比;本实用新型提供的收发芯片噪声系数低、功率增益高，用于射频信号接收和发射，对于雷达、通信、收发模拟应用等领域非常实用。
【附图说明】
[0014]图1为该芯片的功能框图；
[0015]图2为该芯片的电路结构示意图；
[0016]图3为该芯片的封装示意图；
[0017]图4为该芯片的通孔结构俯视图；
[0018]图5为该芯片的通孔结构主视图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图对本实用新型作进一步具体说明:
[0020]如图1所示，一种K波段高性能微波收发芯片，包括包括发射通道和接收通道，发射信号时，开关K1、K2闭合，K3、K4断开，射频信号由射频输入管脚COMl经过3级功率放大器PA进入射频输出管脚COM2，射频信号完成放大，流到下一级电路处理后进行发射，该通路为发射通道;接收信号时，开关Kl、Κ2断开，Κ3、Κ4闭合，射频信号由射频输出管脚COM2经过3级低噪声放大器LNA进行放大后进入射频输入管脚COMl，射频信号完成放大后，进入到下一级电路处理，该通路为接收通道；
[0021 ] 如图2所不，在3级功率放大器PA内部电路设置栅极偏压Vg、漏极正偏压Vdp和地压Gc，3级低噪声放大器内部电路设置漏极负偏压VDL，能够降低功耗;3级低噪声放大器内部电路采用级间并联电感，提高了功率增益，改善了信号接受通道的整体噪声性能。
[0022]图3为芯片的封装示意图，芯片上方为栅极偏压VG、漏极正偏压Vdp和接地Ge引脚端，栅极偏压Vg端接有I OOpF的解耦电容、漏极正偏压Vdp端接有两个串联的解耦电容，电容值分别为10pF和0.1uF;芯片下方为漏极负偏压Vdl引脚端，漏极负偏压Vdl端接有10pF的解耦电容，解耦电容能够避免电路之间相互的耦合干扰，在一定程度上滤除输入和输出干扰信号，降低噪声系数，且起到保护芯片的作用;芯片左边为射频输入管脚COMl，芯片右边为射频输出管脚COM2。
[0023]如图4和图5所示，为了保证电路与系统地良好的连接，该芯片在中部设有小孔，该孔径正面为80um，背面孔径为150um，这种梯度的孔径模型，可以使芯片更好的接地，同时减少寄生的电感。
[0024]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种K波段高性能微波收发芯片，包括发射通道和接收通道，其特征在于，所述发射通道由射频输入管脚⑶Ml、开关K2、3级功率放大电路、开关Kl组成、射频输出通道⑶M2组成;所述接收通道由射频输出管脚COM2、开关K3、3级低噪声放大器、开关K4组成和射频输入管脚COMl组成； 所述3级低噪声放大器内部电路采用级间并联电感的方式，设置有漏极负偏压Vdu 所述3级功率放大器内部电路设置有栅极偏压Vc、漏极正偏压Vdp。2.根据权利要求1所述的K波段高性能微波收发芯片，其特征在于，该芯片采用无拐角的微带线来匹配各级中间电路。3.根据权利要求1所述的K波段高性能微波收发芯片，其特征在于，该芯片上设有锥形通孔，所述通孔正面孔径为SOum，背面孔径为150um ο4.根据权利要求1所述的K波段高性能微波收发芯片，其特征在于，该芯片为裸片封装，输入和输出端采用直径25um金丝作为键合线与封装管脚连接。5.根据权利要求1所述的K波段高性能微波收发芯片，其特征在于，该芯片栅极偏压VG、漏极正偏压Vdp和漏极负偏压Vdl端均连接有解耦电容。6.根据权利要求1所述的K波段高性能微波收发芯片，其特征在于，该芯片长度为2400μm，宽度为1800μηι，厚度为ΙΟΟμπι。
【文档编号】H04B1/40GK205670770SQ201620597439
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年6月17日
【发明人】罗力伟, 王祈钰
【申请人】四川益丰电子科技有限公司