控制包括可变光衰减器和半导体光放大器的放大单元的方法

控制包括可变光衰减器和半导体光放大器的放大单元的方法
【专利摘要】本发明公开了一种控制放大单元的方法，该放大单元包括可变光衰减器(VOA)和半导体光放大器(SOA)。该方法首先将VOA的衰减设定为可以在VOA中实现的值，并将SOA的光增益设定为SOA可以在最佳范围内操作的值。然后，该方法在检测从放大单元输出的光束的强度的同时逐渐减小VOA的衰减。即使在VOA表现出不衰减的情况下，当强度仍然小于目标强度时，SOA的光增益逐渐增加至使得输出光束的强度变成目标强度的值。
【专利说明】
控制包括可变光衰减器和半导体光放大器的放大单元的方法
技术领域
[0001] 本发明设及一种控制包括可变光衰减器(VOA) W及设置在VOA的下游的半导体光 放大器(SOA)在内的光学设备的方法。
【背景技术】
[0002] 光通信系统有时安装有包括位于光发射器与光接收器之间的SOA的光学设备。对 从光发射器提供的输入光束的强度进行检测的运种光学设备调节或控制S0A，从而将被SOA 放大的输出光束的强度设定为目标强度，运通常称为自动功率控制(APC)。因为输入光束的 强度在时间上变化，所W设备有时使输入光束衰减，然后利用光放大器将衰减后的光束放 大至目标强度。
[0003]日本已公开专利申请公报No.册8-248455A公开了 一种光学设备，该光学设备包括 前放大器;后放大器;VOA，其被置于两个放大器之间；第一光检测器，其用于检测从前放大 器输出的放大光束的强度;第二光检测器，其用于检测从VOA输出的衰减光束的强度；W及 第=光检测器，其用于检测从后放大器输出的另一个放大光束的强度。
[0004] 本文所公开的光学设备基于来自第一光检测器至第=光检测器的输出来调节相 应放大器的光增益和VOA的衰减。因为对分别从放大器和VOA中输出的相应光束进行了检 ，所W在用于将输出光束的强度设定为目标强度的运种光学设备中，不可避免地需要复 杂的计算。此外，配备两个W上的检测器导致壳体的扩大。

【发明内容】

[0005] 本发明的一方面设及一种控制包括可变光衰减器(VOA)和半导体光放大器(SOA) 的放大单元的方法。该方法包括如下步骤:设定VOA中的预定衰减;设定SOA中的预定光增 益；W及通过减小VOA的衰减来将被SOA放大的光束的强度设定为目标强度。本发明的方法 其特征在于：（1)预定衰减是可W在VOA中实现的最大衰减；W及(2)预定光增益是使得SOA 可W在最佳范围内操作的增益。
[0006] 本发明的另一方面设及一种包括可变光衰减器(VOA)、半导体光放大器(SOA)和控 制器的光放大单元。VOA接收输入光束并输出衰减光束。SOA接收衰减光束并输出放大光束。 控制器可W设定VOA中的预定衰减，使得VOA输出基本上没有强度的衰减光束，并且控制器 可W设定SOA中的预定光增益，使得SOA可W在最佳范围内操作。控制器在向VOA提供输入光 束之后减小VOA的衰减，并调节SOA的光增益W设定放大光束中的目标强度。
【附图说明】
[0007] 参考附图，通过阅读本发明的优选实施例的W下详细描述，将能更好地理解上述 和其它目的、方面和优点，其中：
[000引图1示意性地示出了配备有本发明的光学组件的光学系统；
[0009]图2示出了光学组件的功能框图；
[0010] 图3是示出了光学组件内部的平面图；
[0011] 图4示出了沿着图3中出现的线所截取的光学组件的横截面图；
[0012] 图5是用于操作根据本发明第一实施例的光学组件的流程图；
[0013] 图6示出了供应至光学组件中的光放大器的偏压电流与光放大器的光增益之间的 典型关系；
[0014] 图7示出了与本发明的光学组件进行对比的另一个光学组件的功能框图；
[0015] 图8是用于操作根据第二实施例的光学组件的流程图；W及
[0016] 图9示出了从可变光衰减器(VOA)和半导体光放大器(SOA)输出的光学强度的运转 状态。
【具体实施方式】
[0017] 接下来，将参考附图对本发明的一些实施例进行描述。在附图的描述中，将用彼此 相同或相似的附图标记来表示彼此相同或相似的部件，而不做重复说明。
[001引第一实施例
[0019] 图1示意性地示出了根据第一实施例的光放大单元1的示例性应用。夹设在光发射 器2与光接收器3之间的光放大单元1包括配备有光连接器4a的光纤4W及配备有另一个光 连接器5a的另一个光纤5。光连接器4a与附接在从光发射器2延伸出的光纤上的光连接器6a 配合，而光连接器5a与附接在从光接收器3延伸出的光纤7上的光连接器7a配合。光放大单 元1可W接收从光发射器2输出且经由光纤4和6提供的光信号;并经由光纤5和7向光接收器 3提供放大后的光信号。
[0020] 图2示意性地示出了光学设备30的功能框图。光学设备30包括光放大单元1，该光 放大单元1包括半导体光放大器(SOA) 13、可变光衰减器(VOA) 12、分光器14和光检测器15。 VOA 12接收来自光发射器2的输入光束LI,并输出衰减光束L2dS0A 13接收衰减光束L2并经 由分光器14向外输出放大光束L3。
[0021] VOA 12可W通过吸收输入光束Ll的一部分而使输入光束Ll衰减，并包括半导体基 板上的半导体叠层，其中，半导体叠层包括例如下包层、衰减层、上包层和接触层。接触层设 置有位于接触层的上部上且用于向衰减层提供偏压的电极。衰减层可W包括多量子阱 (MQW)结构。衰减层根据在衰减层中引起且由供应至电极的偏压形成的电场来改变衰减层 的吸收系数。具体而言，当上述上包层和下包层具有彼此不同的相应导电类型且衰减层被 负偏压时，在衰减层中引起强大的电场，运能够修改能带间隙并改变衰减层的吸收系数。因 此，VOA 12可W根据对电极施加的偏压而表现出可变光衰减的功能。
[0022] SOA 13也可W包括与用于VOA 12的半导体基板共用的半导体基板上的半导体叠 层，其中，SOA的半导体叠层可W包括下包层、放大层、上包层、接触层和电极。放大层可W具 有MQW结构，而且还可W具有与VOA 12中的MWQ的材料不同的材料。通过在SOA 13中的接触 层与VOA 12的接触层之间插入纯化层来使SOA 13中的接触层与VOA 12的接触层物理地隔 离。纯化层可W由包括氧化娃的绝缘材料制成。上包层和下包层也具有彼此不同的导电类 型，W在上包层和下包层中形成p-i-n结，并且本征类型的放大层被正偏压，使得放大层可 W表现出光增益。
[0023] 另外，在图2中示出的控制器21控制VOA 21和SOA 13。例如，控制器21将VOA 12的 衰减设定为预定值，该预定值为例如可W在VOA 12中实现的最大衰减。控制器21根据被光 检测器15检测到的放大光束L3的强度来从最大衰减开始减小VOA 12的衰减。在设定好光放 大器13的光增益之后，执行对VOA 12的控制，W减小VOA 12的衰减。换言之，控制器21将SOA 13的光增益设定为使得SOA 13表现出稳定放大的值。具体而言，在控制器21的控制下，SOA 13的光增益被设定为至多15地。
[0024] 此外，控制器21根据被光检测器15检测到的输出光束L3的强度来从上述预定增益 开始对SOA 13的光增益进行调节。具体而言，SOA 13的预定增益被设定为5地至15地。此外， 即使在预定增益被设定为15地的情况下，当放大光束L3的强度变得不足时，控制器也可W 在16地至20地的范围内增加光增益。在VOA 12的控制之后，可W执行光增益的控制。
[0025] 控制器21可W通过上述VOA 12和SOA 13的控制来将放大光束L3的强度设定为目 标强度。目标强度取决于图1所示的光接收器3的输入灵敏度，或可W根据图1所示的光接收 器3的输入灵敏度而被确定。
[0026] 接下来，参考图3和图4对根据实施例的光放大单元1的细节进行描述。图3是示出 了光放大单元1内部的平面图，而图4示出了沿着图3所示的线IV-IV截取的横截面图。本发 明的光放大单元1包括将VOA 12和SOA 13封闭起来的壳体40、前禪合单元41和后禪合单元 42 O
[0027] 壳体40具有箱体形状，该箱体形状包括彼此相对的侧部40a和40b W及也彼此相对 且分别与前述两个侧部40a和40b连接的其他侧部40c和40d。因此，四个侧部40a至40d形成 箱体形状的壳体40。壳体40还设置有底部40i和顶部40 j。除了底部40i之外，壳体40可W由 例如含有铁(Fe)、儀(Ni)和钻(Co)的合金(常称为柯伐化ovar))制成。底部40i可W由含有 鹤(W)的合金(例如，铜鹤(CuW))制成。侧部包括前表面40e，前禪合部分41被组装至该前表 面40e。侧部40a还设置有前开口 40g，前透镜43被装配在该前开口 40g中。从SOA 13中延伸出 的前光轴Dl穿过前开口 40g中的前透镜43。后侧部40b包括设置有后开口 40h的后表面40f， 后透镜44被配合至该后开口 40h中。同样从SOA 13中延伸出的后光轴D2穿过后开口 40h中的 后透镜44。因为SOA 13设置为与光轴Dl和D2斜交，所W后光轴D2偏离前光轴Dl。换言之，光 轴Dl和D2分别相对于SOA 13的前平面13a和后平面13b的相应法线倾斜。
[002引除了 VOA 12和SOA 13之外，壳体40还将子载体45、准直透镜46和47、热敏电阻48、 载体49a和49bW及热电式冷却器(TEC)T封闭起来。TEC T经由载体49b安装有子载体45、前 准直透镜46、后准直透镜47和热敏电阻48，SOA 13安装在子载体45上。
[00巧]VOA 12物理地独立于SOA 13,并被置于前透镜43与前准直透镜46之间。换言之， VOA 12的后平面12b与前准直透镜46光禪合。VOA 12经由载体49a安装在壳体的底部40i上。
[0030] SOA 13安装在前准直透镜46与后准直透镜47之间，并设置有前平面13a和后平面 13b。前平面13a经由前准直透镜46和VOA 12与前禪合部分41光禪合，而后平面13b经由后准 直透镜47与后禪合部分42光禪合。如上所述，SOA 13的前平面13a和后平面13b相对于光轴 Dl和D2形成一定角度，W抑制进入且在SOA 13的前平面13a处被反射的光返回至前禪合部 分41，并抑制从SOA 13的后平面13b输出的光返回至SOA 13。
[0031] 安装有SOA 13的子载体45可W由例如氮化侣(AIN)形成。载体49b安装有子载体 45、前准直透镜46、后准直透镜47和热敏电阻48dTEC T可W是巧尔帖(Peltier)装置。热敏 电阻48可W通过载体49b上部的溫度来间接地感测SOA 13的溫度。因此，热敏电阻48优选地 定位为尽可能接近SOA 13。
[0032] 侧部40d设置有端子50,在该端子50上形成有多个互联部52a至52d。互联部52a至 5化与TEC T、V0A 12、S0A 13和热敏电阻48电连接。端子50还设置有分别与互联部5^1至52h 连接的多个引脚53a至53h。参考图3,引脚53a至53h中的一些引脚传送用于VOA 12和SOA 13 的控制信号。VOA 12、S0A 13和热敏电阻48经由相应的引脚53a至53h与外部连接。端子50可 W由陶瓷制成，而互联部52a至5化可W由主要含有金(Au)的金属制成。
[0033] 前禪合部分41可W由不诱钢制成且被焊接到壳体40的前表面40e，并允许从SOA 13的前平面延伸出的前光轴Dl穿过。前禪合部分41可W是可插拔地接收光学插忍的光学插 座，该光学插忍附接在与VOA 12光禪合的外部光纤的末端中。前禪合部分41包括插头61和 固定外部光纤的光缆62。插头61经由VOA 12与前透镜光禪合。插头61可W由陶瓷制成，该插 头61是将光缆62中的外部光纤与前透镜43光学对准的光学部件。
[0034] 后禪合部分42具有中屯、与后光轴D2-致的筒状并被焊接到壳体40的后表面40f 上，后禪合部分42允许从SOA 13的后平面13b延伸出的后光轴D2穿过。后禪合部分42包括另 一个插头63,另一个外部光纤禪合至该插头63。
[0035] 接下来，将参考图5对操作根据本发明实施例的放大单元1的方法进行描述，图5是 操作放大单元1的方法的流程图。
[0036] 首先，控制器21执行第一步骤SI:通过例如向VOA 12供应偏压来将VOA 12的衰减 设定为预定值。在该步骤Sl中，VOA 12的衰减被设定为可W在VOA 12中实现的最大值，并且 向VOA 12供应的偏压是用于衰减层的反向偏压。此外，SOA 13的光增益优选地设定成基本 上为零。因此，在步骤Sl中设定的用于VOA 12的预定衰减和用于SOA 13的预定增益的组合 优选地为使得放大光束L3变成不能够被光检测器15检测到的强度的相应量。在用于SOA 13 的运种情况下，在SOA 13中没有电流流动，从而不产生任意的放大自发射(ASE)。
[0037] 在步骤S2中，处理随后向VOA 12提供高强度的输入光束Ll。因为在步骤Sl中VOA 12的衰减被设定为最大值，所W所有的输入光束Ll或输入光束Ll的至少大部分被VOA 12吸 收或截断。
[0038] 在步骤S3中，第S步骤将SOA 12的光增益设定为预定增益。例如，向SOA 13供应在 预定范围内的偏压电流，控制器21设定SOA 13的光增益。图6示出了当SOA 13接收具有恒定 强度的输入光束时供应至SOA 13的偏压电流(其在横轴中示出）、从SOA 13输出的放大光束 的光强度(其与左边纵轴对应）、W及光增益的效率(其在右边纵轴中示出）的关系的实例。 该效率可W由光增益与偏压电流的比率确定，即，光增益与偏压电流之间的关系的斜率，通 常可W在0地的光增益处得到该斜率。在图6所示的实例中，在0地的光增益处的最大效率为 约0.7[地/mA]。根据图則尋偏压电流设定为在30mA至70mA的范围内，SOA 13固有地表现出与 最大效率的80%至20%的效率对应的5地至15地的光增益。
[0039] 然后，在步骤S4中，处理检查放大光束L3的强度是否超过目标强度。当强度小于目 标强度时，在步骤S5中，控制器21基于光检测器15的检测来减小VOA 12的衰减。迭代步骤S4 和步骤S5，使得放大光束L3的强度达到目标强度。
[0040] 另一方面，当在步骤S4中放大光束L3的强度超过目标强度时，在步骤S6中控制器 21调节SOA 13的光增益，即，控制器在利用光检测器15检测放大光束L3的强度的同时减小 SOA 13的光增益。SOA 13的光增益的控制称为自动功率控制(APC)。
[0041] 将通过对设备30与常规布置进行比较来描述光学装备30的优点。图7是与图2所示 的光学设备进行对比的光学设备的功能框图。光学设备130中包括的放大单元100也包括彼 此物理地独立的VOA 12和SOA 13。光学设备130还包括分光器101至103和作为光检测器的 光电二极管(PD) 104至106。第一 PD检测器104检测被分光器101分离的输入光束Ll的强度。 第二PD检测器105检测被第二分光器102分离的衰减光束L2的强度。第SPD检测器106检测 被第S分光器103分离的放大光束L3的强度。控制器21基于来自PD 104至106的输出控制 VOA 12的衰减和SOA 13的光增益。与本发明的图2所示的布置类似，图7所示的布置可W将 放大光束L3的强度设定成目标强度，但图7所示的布置还包括两个PD 104、105和两个分光 器10U102的附加光学部件，运导致壳体的扩大。此外，控制器21需要使用S个PD 104至106 的输出来处理复杂的过程。
[0042] 另一方面，根据本发明的布置和过程，即使当光学设备30省略了图7所示的比较例 中的第一分光器101和第一PD 104时，光学设备30也可W通过调节VOA 12的衰减和SOA 13 的光增益来容易地将放大光束L3的强度设定为目标强度。换言之，光学设备30可W仅利用 分光器14和光检测器15来调节放大光束L3的强度。
[0043] 当在步骤S 1中首先将VOA 12的衰减设定为可W在VOA 12中的实现的最大值时， 光检测器15不感测任意光束，运可W阻止控制器21开始控制光学设备30的处理。在步骤Sl 中将VOA 12的衰减设定为最大值之后，可W向VOA 12提供输入光束LI,运可W在调节SOA 13的光增益期间有效地防止衰减光束进入到SOA 13中。因此，可W有效地防止向外部光接 收器3提供具有过大强度的放大光束的状态。
[0044] 此外，可W在步骤Sl之后但在步骤S2之前提供输入光束L1。该顺序能够有效地防 止在调节SOA 13的光增益期间未被VOA 12衰减的光束L2进入到SOA 13中，运还能够防止放 大单元1提供高强度的放大光束。在步骤Sl中由VOA 12设定的衰减可W为能够在VOA 12中 实现的最大衰减，从而基本上不从VOA 12提供光束。
[0045] 与下文所述的第二实施例的方法类似，用于控制根据第一实施例的光学设备30的 方法包括:步骤SI,其用于将VOA 12的衰减设定为较大值，优选地设定为可W在VOA 12中实 现的最大衰减;步骤S3,其用于将SOA 13的光增益设定为可W在最佳范围内操作SOA 13的 值;步骤S5,其用于根据光检测器15的检测来减小VOA 12的衰减，W将从放大单元1输出的 放大光束L3的强度设定为目标强度；W及步骤S4,其用于当VOA 12的衰减变成零时增大SOA 13的光增益，即，VOA 12中未发生衰减，但放大光束L3的强度仍然小于目标强度。因此，放大 单元1可W输出具有目标强度的光束L3。
[0046] 第二实施例
[0047] 接下来，将描述根据本发明的第二实施例的控制放大单元1的另一个方法。
[0048] 图8示出了根据第二实施例的方法的流程图。在从SOA 13输出的放大光束L3的强 度小于目标强度时，第二实施例在步骤S4之后检查:VOA 12是否设定为衰减状态，其中，VOA 12的衰减状态表示VOA 12使输入光束Ll实际地衰减，即，衰减光束L2的强度小于输入光束 Ll的强度。当VOA 12使输入光束Ll实际地衰减(在步骤Sl 1中为"否"的情况)时，处理执行步 骤S5, W减小VOA 12的衰减，然后在步骤S4中检查放大光束L3的强度。
[0049] 当VOA 12没有使输入光束Ll衰减时，即，当VOA 12的衰减为零时（与步骤Sll中的 "是"对应），处理在利用光检测器15检测放大光束的强度的同时在步骤S12中使SOA 13的光 增益从预定值开始增加。当需要减小SOA 13的光增益时，处理执行步骤S6。
[0050] 根据第二实施例的所述方法具有与第一实施例中所得到的优点类似的优点。此 夕h当在步骤S12中放大光束L3的强度变为小于目标强度而VOA 12被设定为处于不衰减状 态时，通过将SOA 13的光增益设定为超过在步骤S3中设定的预定增益，放大光束L3的强度 可W被设定为接近或等于目标强度。
[0051] 放大光束L3的强度可W被配备在光接收器3中的光电二极管(PD)(未在附图中示 出）检测。在运种布置中，即使当光学设备30省略了光检测器15时，控制器21也可W基于光 接收器3中的PD的输出来调节SOA 13的光增益和VOA 12的衰减。
[0052] 下文的表格示出了根据步骤Sl至S6、S11和S12的控制的实例。表格示出了输入光 束Ll的强度Pin、V0A 12的衰减ATT、S0A 13的光增益G和放大光束L3的强度化Ut,其中，执行 控制W将放大光束L3的强度化Ut保持为在本实例中为-5地m的目标强度。可W在VOA 12中 实现的最大衰减为-30dB。对SOA 13而言，在步骤S3中设定的可选的光增益为15地，并且在 SOA 13中所能够设定的最大光增益为20地。
[0化3] 表1
[0化4]
[0055]图9示出了穿过放大单元1的相应的光束Ll至L3的强度的运转状态。在图9中，纵轴 表示光束的强度，而横轴表示位置，其中，Pl与P2之间的区域与VOA 12对应，而P3与P4之间 的另一个区域是SOA 13。输入光束Ll在位置Pl处进入VOA 12,而衰减光束L2在位置P2处被 输出，并在位置P3处进入SOA 13。在位置P4处输出放大光束L3。运转状态a至h与表1所列出 的情况a至h对应。
[0化6] 例如，图9中的运转状态h W IOdBm的强度进入VOA 12,并被VOA 12衰减至-20dBm。 参考图5和图7,因为SOA 13的光增益被设定为15地，所W运转状态h的放大光束L3具有作为 用于放大单元1的目标强度的-5dBm的强度。
[0057] 对W-IO地m的强度进入VOA 12的运转状态d而言，因为可W在SOA 12中实现的最 大衰减为-30dB，所W在步骤S3中VOA 12使该运转状态d衰减至-40dBm。对运转状态d而言， 在步骤S3中光增益被设定为15地的SOA 13可W输出具有-25dBm的强度的放大光束，该强度 比放大单元1所需的目标强度小。在运种情况下，步骤S5将VOA 12的衰减减小至-10地，于 是，SOA 13可W输出具有-5地m的目标强度的放大光束L3。
[005引对具有-25dBm的强度的运转状态a而言，因为VOA 12暂且被设定为可W在VOA 12 中实现的-30地的最大衰减，所W在步骤S3中VOA 12可W将该输入光束Ll衰减至-55地m。在 运种情况下，当在步骤S4中SOA 13的光增益被设定为15地时，SOA 13可W输出具有-40地m 的强度的放大光束L3,该强度远小于目标强度。然后，控制器21在监测放大光束L3的强度的 同时将VOA 12的衰减减小至OdB。即使当VOA 12被设定为处于不衰减状态（即，OdB的衰减） 时，SOA 12也可W输出仅具有-10地的放大光束L3。然后，在步骤S12中，控制器21可W将SOA 13的光增益增大至20地，并且放大单元1可W输出具有-5地m的目标强度的放大光束L3。 [0059]虽然出于说明的目的在本文中描述了本发明的各个特定实施例，但是本领域的技 术人员将非常清楚许多修改和变化。例如，虽然实施例顺序地执行步骤Sl和步骤S2,但是也 可W同时执行运些步骤Sl和S2。此外，在步骤Sl中设定的VOA 12的衰减被假设为可W在VOA 12中实现的衰减。然而，该衰减不必要为可W在VOA 12中实现的衰减。首先在VOA 12中设定 的衰减可W为至少等于可实现的值，或可W为能够在最佳区域中操作SOA 13的值。此外，可 W通过将VOA 12组装在其它部件上来控制VOA 12的溫度，例如，可W经由载体49a将VOA 12 安装在额外的TEC上。因此，所附权利要求意图涵盖落入本发明的真实精神和范围内的所有 此类修改和变化。
【主权项】
1. 一种控制包括可变光衰减器和半导体光放大器的放大单元的方法，所述方法包括如 下步骤： 设定所述可变光衰减器中的预定衰减，所述预定衰减是能够在所述可变光衰减器中实 现的最大衰减； 通过向所述半导体光放大器供应放大偏压来设定所述半导体光放大器中的预定光增 益，所述半导体光放大器能够在所述预定光增益附近的光学范围内操作；以及 通过减小所述可变光衰减器的衰减来将被所述半导体光放大器放大的光束的强度设 定为目标强度。2. 根据权利要求1所述的方法， 其中，设定所述强度的步骤包括如下步骤:对被所述半导体光放大器放大的所述光束 的所述强度进行检测。3. 根据权利要求1所述的方法， 还包括如下步骤：即使在所述可变光衰减器被设定为处于不衰减状态的情况下，当被 所述半导体光放大器放大的所述光束的所述强度仍然小于所述目标强度时，增加所述半导 体光放大器的光增益。4. 根据权利要求1所述的方法， 其中，设定所述预定衰减的步骤包括如下步骤:设定使得所述可变光衰减器基本上不 让光束穿过的衰减。5. 根据权利要求1所述的方法， 其中，设定所述半导体光放大器的所述预定光增益的步骤包括如下步骤:设定使得所 述半导体光放大器能够在最佳范围内操作的增益。6. 根据权利要求5所述的方法， 其中，设定所述预定光增益的步骤包括如下步骤:将所述半导体光放大器的增益设定 于在OdB的光增益处所述半导体光放大器的光增益与偏压电流之比的最大效率的20%至 80%的范围内。7. 根据权利要求1所述的方法， 还包括如下步骤:在设定所述可变光衰减器中的所述预定衰减的步骤之后但在设定所 述半导体光放大器中的所述预定光增益的步骤之前，向所述可变光衰减器提供输入光束。8. -种接收输入光束并输出放大光束的光放大单元，包括： 可变光衰减器，其接收所述输入光束并输出衰减光束； 半导体光放大器，其接收所述衰减光束并输出所述放大光束；以及 控制器，其设定所述可变光衰减器中的预定衰减和所述半导体光放大器中的预定光增 益，在所述预定衰减处，所述可变光衰减器输出基本上没有强度的所述衰减光束，在所述预 定光增益处，所述半导体光放大器能够在最佳范围内操作。9. 根据权利要求8所述的光放大单元， 其中，所述可变光衰减器和所述半导体光放大器一体地形成在共用的半导体基板上。10. 根据权利要求8所述的光放大单元， 其中，所述可变光衰减器被反向偏压，而所述半导体光放大器被正偏压。11. 根据权利要求8所述的光放大单元， 还包括检测所述放大光束的强度的光检测器， 其中，所述控制器通过仅接收所述放大光束的所述强度来控制所述可变光衰减器的衰 减和所述半导体光放大器的光增益。12. 根据权利要求8所述的光放大单元， 其中，由所述控制器设定的所述可变光衰减器的所述预定衰减是能够在所述可变光衰 减器中实现的最大衰减。13. 根据权利要求8所述的光放大单元， 其中，所述半导体光放大器的所述预定光增益与光增益和供应至所述半导体光放大器 的偏压电流之比的最大效率的20 %至80 %对应。14. 根据权利要求13所述的光放大单元， 其中，所述最大效率是在OdB的光增益处的效率。
【文档编号】G02B26/02GK105846902SQ201610064995
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年1月29日
【发明人】寺西良太
【申请人】住友电工光电子器件创新株式会社