专利名称：高速低噪隔离耦合器的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及用于传输电信号又作电位隔离的磁耦合器。
《电气自动化》杂志93年5期《绝缘栅晶体管(IGBT)驱动电路研究》一文，述及在IGBT驱动电路中采用的隔离耦合器，用1MHZ脉冲列驱动信号，其载波振荡器、调制器、脉冲列驱动电路、1MHZ隔离变压器、解调器的设置，使构造较复杂、体积较大、造价较高。由于其构造和载波频率的局限，使信号延时在500nS范围。
本发明的目的是要推出构造更简单、体积更小、造价更低、信号传输速度更高、抗干扰能力强的低噪声高隔离电压耦合器。
本发明推出的高速低噪隔离耦合器1，其中有高频隔离变压器2，高频隔离变压器2的初级连接载波频率高于5MHZ的已调信号3，高频隔离变压器2的次级绕组两端直接与晶体管(包括复合晶体管、场效应晶体管)4的输入两端(如基级、发射级)连接，使其输入电阻降低、抗干扰能力和信噪比提高，晶体管4同时对已调信号进行解调和放大。
本发明推出的又一种高速低噪隔离耦合器1，其中有高频隔离变压器2，高频隔离变压器2的初级与电子元件5构成由输入信号调制的频率高于5MHZ的自激载波振荡器调制器6，其同时兼作载波振荡、调制和电位隔离，以简化结构、提高载频与传输速度、减小体积。高频隔离变压器2的次级绕组两端可以直接与晶体管(包括复合晶体管、场效应晶体管)4的输入两端(如基级、发射极)连接。
本发明中的自激载波振荡器调制器6可以是单管自激载波振荡器7。本发明中的电子元件5可以是晶体管8、电阻9、电容10。本发明中的载波频率可以是高于15MHZ或25MHZ。本发明可以部份制作在集成电路中。本发明传输的电信号可以是脉冲或数字信号。本发明中的高频隔离变压器2可以采用高阻磁心或绝缘体与磁粉混合的磁心或有屏蔽的磁心，以提高隔离电压和抗干扰能力。变压器2可有多组绕组。
本发明与现有技术相比的有益效果是简化了构造、提高了抗干扰能力和信噪比，以使载波频率提高，从而减小体积(尤其是减小高频隔离变压器2的体积)和提高信号传输速度，还降低了造价。
图1是本发明的一种构造框图，图2是本发明的又一种构造框图，图3是本发明的一种电路图，图4是本发明的一种实例电路图，图5是本发明的又一种实施例电路图。
在图1的高速低噪隔离耦合器1中，由高频隔离变压器2的初级与电子元件5构成的频率高于5MHZ的自激载波振荡器调制器6受输入信号调制，其已调信号由高频隔离变压器2的次级输出。
在图2的高速低噪隔离耦合器1中，高频隔离变压器2的初级与电子元件5构成由输入信号调制的频率高于5MHZ的自激载波振荡器调制器6，高频隔离变压器2的次级绕组两端直接与晶体管(包括复合晶体管，场效应晶体管)4的输入两端(基级、发射极)连接。
在图3的高速低噪隔离耦合器1中，高频隔离变压器2的初级连接载波频率高于5MHZ的已调信号3，高频隔离变压器2的次级绕组两端直接与晶体管(包括复合晶体管、场效应晶体管)4的输入两端(基极、发射极)连接，晶体管4在输入两端被高频隔离变压器2的次级绕组短接的状态下进行解调和放大，具有很高的抗干扰能力和信噪比。
在图4的高速低噪隔离耦合器1中，高频隔离变压器2的初级与晶体管8、电阻9构成频率高于15MHZ的单管自激载波振荡器7。
在图5的高速低噪隔离耦合器1中，高频隔离变压器2的初级与晶体管8、电阻9、电容10构成频率高于25MHZ的单管自激载波振荡器7，电阻9、电容10连接晶体管8基极，该载波振荡由输入信号控制(调制)；高频隔离变压器2的次级绕组两端直接与晶体管4的基极、发射极连接，输入调制信号或已调波正半周时晶体管4处于通态或放大区，对已调信号进行解调和放大，已解调和放大的方波脉冲信号由晶体管4的集电极和发射极输出。高频隔离变压器2采用有屏蔽的由绝缘体与磁粉混合的磁心。该高速低噪隔离耦合器1的电流传输比达100％，信号传输延时小于100nS，隔离电压3KV，抗干扰噪声能力不低于20V/nS，体积12×5×5mm，成本1元。用于信号传输接口隔离，能避免在高速开关时因接口间的高电压变化率而产生的误动作。
权利要求1.用于传输电信号又作电位隔离的高速低噪隔离耦合器，其中有高频隔离变压器2，其特征是高频隔离变压器2的初级连接载波频率高于5MHZ的已调信号3，高频隔离变压器2的次级绕组两端直接与晶体管(包括复合晶体管、场效应晶体管)4的输入两端(如基极、发射极)连接。
2.用于传输电信号又作电位隔离的高速低噪隔离耦合器，其中有高频隔离变压器2，其特征是高频隔离变压器2的初级与电子元件5构成由输入信号调制的频率高于5MHZ的自澈载波振荡器调制器6。
3.如权利要求2所述的耦合器，其特征是高频隔离变压器2的次级绕组两端直接与晶体管(包括复合晶体管、场效应晶体管)4的输入两端(如基极、发射极)连接。
4.如权利要求2所述的耦合器，其特征是自激载波振荡器调制器6是单管自激载波振荡器7。
5.如权利要求3所述的耦合器，其特征是自激载波振荡器调制器6是单管自澈载波振荡器7。
6.如权利要求5所述的耦合器，其特征是载波频率高于15MHZ或25MHZ。
7.如权利要求2、3、4、5、6所述的耦合器，其特征是电子元件5是晶体管8、电阻9、电容10，电阻9、电容10连接晶体管8基极。
8.如权利要求1、2、3、4所述的耦合器1，其特征是载波频率高于15MHZ或25MHZ。
9.如权利要求1、2、3、4、5、6所述的耦合器，其特征是高频隔离变压器2采用高阻磁心或绝缘体与磁粉混合的磁心或有屏蔽的磁心。
专利摘要用于传输电信号又作电位隔离的高速低噪隔离耦合器，由高频隔离变压器1、晶体管4、8、电阻9、电容10组成的25MHZ调制与解调器构成，其电流传输比达100％、信号传输延时小于100nS，隔离电压3KV，抗干扰噪声能力不低于20V/nS，体积12×5×5mm。适用于电机变频控制器，高频电源，不间断电源，高频焊机，逆变电源、计算机、自动化控制等场合作信号传输接口隔离，能避免在高速开关时因接口间的高电压变化率而产生的误动作。
文档编号H04B15/02GK2225112SQ9421159
公开日1996年4月17日 申请日期1994年5月13日 优先权日1994年5月13日
发明者陈为匡 申请人:陈为匡