低电压多级交织器系统、装置和方法
【专利摘要】本发明涉及一种低电压多级交织器。该交织器至少包括第一交织器级和第二交织器级。第一交织器级截止或在饱和区工作。第一交织器级促进包括偏置电流在内的DC电流的消除，使得第二交织器级不接收DC电流输入。第二交织器级截止或在线性区工作，以允许第二交织器级作为无源电流开关发挥作用。
【专利说明】低电压多级交织器系统、装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2012年3月26日提交的标题为低电压多级交织器系统、装置和方法(LOW VOLTAGE MULT1-STAGE INTERLEAVER SYSTEMS, APPARATUS AND METHODS)的美国专利申请序列号13/429,527的优先权。其全部内容通过引用并入本文。
【技术领域】
[0003]本发明大体上涉及低电压电路设计，特别涉及低电压多级电流模式交织器(interleaver)。
【背景技术】
[0004]多级电流模式交织器用于在共享媒体对输入数据进行复用。多级电流模式交织器的一种应用是高速模数转换。在高速模数转换中，输入模拟信号可以被分配或交织到多路低速模数转换器(multiple low speed analog to digital convers1n)。通过交织模拟信号，该模数转换器可以以高速实现模拟输入到数字输出的转换。
[0005]传统电流模式交织器在高速应用中常常不实用或不可取。这种传统电流模式交织器需要高供给电压，通常比晶体管的饱和电压大几倍。许多现代技术，诸如深亚微米技术(deep sub-micron technology),需要供给电压为IV左右或以下。较高的供给电压,诸如那些传统电流模式交织器所需的供给电压，可能损坏电路元件。
【发明内容】
[0006]为了提供对本发明的某些方面的基本理解，下面给出简化的总结。该总结不是所公开发明的详尽综述。其既不旨在标识出所公开发明的关键或重要元素，也不旨在界定本发明的范围。其唯一目的在于以简化形式给出所公开的发明的一些概念作为之后给出的更详细的【具体实施方式】的前序。
[0007]在本发明的一个实施例中，多级电流模式交织器至少包括第一交织器级和第二交织器级。第一交织器级和第二交织器级都包括充当电流模式开关的晶体管。第一交织器级在晶体管的饱和区(有源状态)工作以促进有源电流模式切换(switching、开关切换)。第一交织器级通过使用输入DC偏置电流(biasing current)而工作。
[0008]在第一交织器级在饱和区工作之后，DC偏置电流随后被消除，使得第二交织器级接收零(或几乎零)输入DC电流。因此，第二交织器级和随后的所有交织器级可以在晶体管的线性(欧姆)区工作，以促进无源电流切换。第一交织器级和/或第二交织器级可以选择性地被截止。
[0009]下面的【具体实施方式】和附图详细阐述了本发明的某些例示方面。然而，这些方面指示可以使用创新原理的几个不同方式。本发明意在包括所有这种方面和它们的等效物。当结合附图考虑时，本发明的其他优点和区别性特征将从下面对本创新的详细说明中变得显而易见。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]参考下面的附图，对本发明的非限制性和非穷举实施例进行说明，在附图中，除非另外规定，贯穿各个视图相同附图标记指代相同部分。
[0011]图1是本发明的一个实施例的两级的多级电流模式交织器的示意图。
[0012]图2是本发明的一个实施例的三级的多级电流模式交织器的示意图。
[0013]图3是本发明的一个实施例的第一交织器级内的交织器电路的示意图。
[0014]图4是本发明的一个实施例的第二交织器级内的交织器电路的示意图。
[0015]图5是本发明的一个实施例的具有两个交织器级的多级电流模式交织器的示意图。
[0016]图6是本发明的一个实施例的具有三个交织器级的多级电流模式交织器的示意图。
[0017]图7是本发明的一个实施例的采用多级电流模式交织器进行电流切换的方法的示意性工艺流程图。
[0018]图8是本发明的一个实施例的用于促进高速低电压交织的方法的示意性工艺流程图。
[0019]图9是本发明的一个实施例的用于使具有两个交织器级的多级电流模式交织器工作的方法的示意性工艺流程图。
[0020]图10是本发明的一个实施例的用于使具有三个交织器级的多级电流模式交织器工作的方法的示意性工艺流程图。
【具体实施方式】
[0021]在下面的说明中，阐述多个特定细节，以提供对本发明的实施例透彻理解。然而，本领域的技术人员将认识到本文说明的实施例可以在不需要一个或者多个特定细节或者使用其他方法、组件、材料等的情况下来实践。在其他实例中，没有示出或者详细说明熟知的结构、材料或者操作，以避免模糊特定方面。
[0022]根据本发明的一个方面，本文中所说明的是一种多级电流模式交织器。与传统的多级电流模式交织器的整体供给电压要求相比，该多级电流模式交织器具有较低的整体供给电压要求。
[0023]如本文中所说明的，多级电流模式交织器至少包括两级:第一交织器级和第二交织器级。第一交织器级包括作为电流开关的晶体管。第一交织器级中的晶体管在饱和区(有源模式)作为“有源电流开关”工作或者截止。为了在饱和区工作，第一交织器级接收将第一交织器级的晶体管偏置到其各自的饱和区(有源模式)内的工作点的DC偏置电流。第一交织器级促进DC偏置电流的消除，使得第二交织器级不接收DC偏置电流。DC偏置电流的消除(或基本消除)使第二级以及所有相继(successive)的级的晶体管在线性或欧姆(或欧姆)区中作为电流开关工作(“无源电流开关”)。第二交织器级的晶体管可以选择性地被截止。
[0024]现在参考图1，示出的是多级电流模式交织器100的示意图。多级电流模式交织器100需要的供给电压比常规的电流模式交织器所需的供给电压低。多级电流模式交织器100例如可以利用在高速模数转换器中，但不限于此。
[0025]该多级电流模式交织器100至少包括第一交织器级102和第二交织器级104。多级电流模式交织器100还包括负载106。虽然图1中只示出了两个级102和104和负载106，但这仅仅是为了说明的简单性。应当理解，该多级交织器100可以包括任何数量的级(至少两个)和任何数量的负载(至少一个)。负载106可以是任何电路元件，包括运算放大器电路、电容器等。
[0026]各个交织器级102和104本身可以包括任何数量的单独的交织器电路。各个交织器级102和104绘制为具有一个输入部和一个输出部的一个框，这仅仅是为了说明的简单性。应当理解，各个交织器级102和104可以包括与该级内的每个单独的交织器电路(至少一个)对应的输入部和输出部。
[0027]每个单独的交织器电路包括至少一个晶体管。该至少一个晶体管可以是任何类型的场效应晶体管(FET:field-effect transistor)。例如,该晶体管可以是金属氧化物半导体(MOS:metal oxide semiconductor)型场效应晶体管。MOSFET可以充当模拟开关,诸如电流开关。MOSFET可以在“导通”(无论是在饱和区(有源模式)还是在线性(欧姆)区)时，以低电阻使电流或其他模拟信号通过，并且在“关断”(截止)时由于高阻抗可以截止电流或其他模拟信号。
[0028]多级电流模式交织器100根据电流模式的方法而工作。第一交织器级102促进有源电流切换(switching)。第一交织器级102包括至少两个在饱和区(有源模式)工作时充当电流模式开关的晶体管。第二交织器级104促进无源电流切换。第二交织器级104包括至少两个在线性(欧姆)区域工作时充当电流模式开关的晶体管。
[0029]第一交织器级102是“以a计的交织器”。“以a计的交织器”具有一个输入部和“a”个数量的分开的输出部(在本文中使用时，输入部和/或输出部可以是单端的或差分的)。值“a”是至少为二的整数值。每个单独的交织器电路包括至少一个晶体管。在工作期间，第一交织器级102被截止或在饱和区中工作。当第一交织器级102在饱和区中工作时，是指在有源模式下工作。在饱和区中，第一交织器级102的交织器电路内的晶体管充当作有源电流开关。本文中，第一交织器级102充当作有源电流开关是“第一交织器级102的交织器电路内的晶体管充当作有源电流开关”的简记。
[0030]第二交织器级是“以b计的交织器”。“以b计的交织器”具有一个输入部和“b”个数量的分开的输出部。值“b”是至少为二的整数值。b个单独的交织器电路各自包括至少一个晶体管。在工作期间，第二交织器级104被截止或在线性(或欧姆)区中工作。当第二交织器级104在线性(或欧姆)区中工作时，是指在无源模式下工作。在线性(或欧姆)区中，第二交织器级104的交织器电路内的晶体管充当作无源电流开关。在本文中，第二交织器级104充当作无源电流开关是“第二交织器级104的交织器电路内的晶体管充当作无源电流开关”的简记。
[0031]第一交织器级102接收输入DC电流(Idc不等于O)。输入DC电流起因于DC偏置电流(Ibias)。DC偏置电流(Ibias)将第一交织器级102中的晶体管驱动到晶体管的饱和区(有源模式)内的工作点。当第一交织器级102接收非零DC电流输入时，第一交织器级上的DC压降(Vdc)为非零。由于该电流，DC压降大于0.1V(Vdc)0.1V)。在一些实施例中，DC压降在0.2V和0.3V之间。
[0032]第一交织器级102在饱和区中工作，并采用一种机制以消除DC电流(Idc)。因此，第二交织器级104接收零(或接近零)输入DC电流。当在本文中说明时，术语“DC电流(Idc)的消除”、“接收零输入DC电流”等包括接近零的电流或基本消除的可能性。消除不需要是完美的。到第一交织器级的后续级的输入DC电流接收远低于使该晶体管在饱和区(有源模式)工作的水平并且低到足以使该晶体管在线性(欧姆)区工作的输入DC电流。
[0033]通过未接收到任何能够在饱和区内创建工作点的输入DC电流，第二交织器级104以及所有相继的交织器级，在线性(或欧姆)区中工作。在线性或欧姆区中的工作不需要偏置电流。
[0034]如图1所示，偏置电流(Ibias)在第一交织器级102和第二交织器级104之间在再次被减去。该转换(invers1n)促进DC偏置电流的消除，使得第一交织器级102的后续级，诸如第二交织器级104，不经历DC电流(Idc = O)。DC偏置电流可以以任何数量的方式来消除。在一个实例中，CMOS晶体管和互补CMOS (complementary CMOS)晶体管可以用于消除DC偏置电流，因此DC偏置电流不被提供作为到第二交织器级的输入。
[0035]第二交织器级104从第一交织器级102(Idc = 0)接收零DC电流(Idc)作为输入。此外，该第二交织器级104不将DC电流(Idc)输出到负载106 (Idc = 0)。在无输入DC电流且无输出DC电流的状态下，第二交织器级104不经历压降(Vdc = 0)。
[0036]由于第二交织器级104 (和后续的所有交织器级)在其各自的输入和输出电压之间不存在压降，这使得用于多级电流模式交织器100的整体供给电压与传统的电流模式交织器相比得到减小。传统的电流模式交织器在第一交织器级之后不能消除DC电流，因此传统的电流模式交织器的相继级经历压降。这些压降要求传统的电流模式交织器采用一个晶体管的饱和电压的几倍的供给电压，以补偿压降。由于第二交织器级104和相继的交织器级具有无电压降地在线性区工作的能力，多级电流模式交织器100至少部分地要求与传统的电流模式交织器相比远低的供给电压。
[0037]现在参考图2，示出多级电流模式交织器200的示意图。多级电流模式交织器200在包括第一交织器级102、第二交织器级104和负载106这一点上类似于多级电流模式交织器100。然而，交织器200还包括附加的第三交织器级202。第三交织器级202是“以c计的交织器”。以c计的交织器具有一个输入部以及“c”个数量的分开的输出部。值“c”是至少为二的整数值。c个单独的交织器电路各自包括至少一个晶体管。
[0038]在工作期间，如第二交织器级104那样，第三交织器级202被截止或者在线性或欧姆区中工作。当第三交织器级202在线性(或欧姆)区中工作时，是指在无源模式下工作。在线性(或欧姆)区中，第三交织器级202的交织器电路内的晶体管充当作无源电流开关。在本文中，第三交织器级202充当作无源电流开关是“第三交织器级202的交织器电路内的晶体管充当作无源电流开关”的简记。由于第二交织器级104、第三交织器级202和任何相继的交织器级具有在交织器级上无压降的线性区工作的能力，多级电流模式的交织器200至少部分地要求远低的供给电压。
[0039]现在参考图3，示出第一交织器级102的交织器电路的示意电路图。第一交织器电路包括晶体管302和互补晶体管304。第一交织器级102可以包括任何数量的与图3所示的交织器电路相同的交织器电路。第二交织器电路的一个示例用虚线示出。
[0040]在工作期间，第一交织器级102的晶体管302被截止或在饱和区(有源模式)中工作。为了使晶体管302在饱和区中工作，晶体管302的饱和区内的工作点由偏置电流(Ibias)设定。晶体管302上的压降(Vdc)不为零。例如，晶体管302上的电压(Vdc)大于0.1V。作为另一个示例，晶体管302上的电压(Vdc)介于0.2V和0.3V之间。
[0041]第一交织器级102的互补晶体管304促进偏置电流(Ibias)的消除。互补晶体管304是促进偏置电流(Ibias)的消除的一种方法的示例。消除偏置电流(Ibias)的其他方法也在本发明的范围之内。偏置电流的消除使相继的交织器级诸如第二交织器级104不接收偏置电流作为DC电流输入(Idc = O)。由于相继的级不接收偏置电流(Ibias)作为输入，相继的级不表现出压降。这使得多级交织器以与传统的电流模式晶体管所需的供给电压相比更低的供给电压工作。
[0042]现在参考图4，示出来自第二交织器级104的交织器电路的示意电路图。该第二交织器级104包括至少一个晶体管402。由于第二交织器级104没有DC电流输入(Idc =O)时，第二交织器级104不被偏置到饱和区中的工作点。因此，第二交织器级104中的晶体管，诸如晶体管402，在线性(或欧姆)区中工作。
[0043]第二交织器级104也不输出DC电流(Idc = O)并且不经历晶体管诸如晶体管402上的DC压降(Vdc = O)。相继的交织器级(例如，202)内的晶体管不经历DC电流输入(Idc=O)。相继的交织器级内的晶体管不被偏置到其各自的饱和区内的工作点，因此这些晶体管在线性或欧姆区中工作。后续的交织器级内的晶体管不输出DC电流(Idc = O)，因此负载(例如，106)也不经历DC电流输入(Idc = O)。
[0044]第二交织器级104以及所有相继的交织器级(例如，106,202)工作为无源电流开关。第二交织器级104以及所有相继的交织器级内的晶体管在线性区(或欧姆范围)中工作，因此这些晶体管不经历晶体管上的压降(Vdc = O)。因此，这些晶体管可以被称为无源电流开关。相反地，来自第一交织器级102的晶体管在饱和区(有源模式)工作，因此这些晶体管可以被称为有源电流开关。
[0045]现在参考图5，示出具有两个交织器级的多级电流模式交织器500的示意图。多级电流模式交织器500示出第一交织器级102和第二交织器级KM1和1042。应当理解，交织器500可以具有任何数量的交织器级(至少两个)。第一交织器级102被示出为包括两个单独的交织器电路502、504。如图所示，第一交织器级102是以2计的交织器，或“int by2”。然而，应当理解，第一交织器级102可以包括任何数量的交织器电路(至少2个)并且这两个交织器电路仅仅是为了说明的简单性而绘制的，并非为限制性的。
[0046]第二交织器级KM1和1042被示出为两个框，但是应当理解第二交织器级KM1和1042可以包括任何数量的交织器电路(至少两个)。例如，第二交织器级KM1和1042可以是以六计的交织器，或“int by 6”。另外，应当理解，多级电流模式交织器500可以包括任何数量的级(至少两个)和任何数量的负载(至少一个)。
[0047]第一交织器级102在第一交织器级102的每个交织器电路内的晶体管502、504的饱和区中工作。第一交织器级102内的晶体管502、504用DC电流(I)偏置，使得晶体管502、504被驱动而在其各自的饱和区内的工作点工作。在使第一交织器级102的晶体管502,504在饱和区中工作之后，DC电流(I)被消除。每个晶体管502和504与相反极性的晶体管配对以促进DC电流(I)的消除。
[0048]因此，没有DC电流被输入到第二交织器级KM1和1042 (Idc = O)。这使得第二交织器级KM1和1042内的晶体管在线性(或欧姆)区工作。在线性(或欧姆)区中，不存在压降(Vdc = O)，并且没有电流被输入或输出(Idc = O)。因此，第二交织器级川七和1042可以作为无源电流开关发挥作用。当第二交织器级不经历压降时，经历压降(V>0.1V)的唯一的交织器级是第一交织器级。因此，供给电压(Vin)仅需要大到足以补偿第一交织器级102中的压降，并且不必补偿相继的交织器级例如第二交织器级KM1和1042中的压降。这使得交织器500以比传统的电流模式交织器低的供给电压(Vin)工作。
[0049]现在参考图6，示出具有三个交织器级的多级电流模式交织器600的示意图。多级电流模式交织器600示出第一交织器级102、第二交织器级KM1和1042、第三交织器级202r2028以及负载106^106^如图所示，第一交织器级102是以2计的交织器，或int by
2;第二交织器级KM1和1042是以8计的交织器，或int by 8 ;第三交织器级202^2028是以16计的交织器，或int by 16。应当理解，第一交织器级102、第二交织器级KM1和1042以及第三交织器级202^20?可以具有任何数量的交织器电路(至少2个)并且不被示出的数字所限制。虽然示出了十六个负载1e1-1oe16，但应当理解，多级电流模式交织器600可以具有任何数量的单独的负载(至少I个)。
[0050]图7、8、9和10示出以流程图示出的方法。为了简化说明，这些方法被描绘或说明为一系列动作。然而，这些方法不被示出的动作和动作的顺序所限制。例如，这些动作可以以各种顺序和/或同时发生，并且用此处未给出和说明的其他动作来实现。此外，并非所有示出的动作都需要实现该方法。此外，还应当理解，这些方法可以在制品(例如，交织器)上来实现，以促进传输和转移(transport and transfer)这些方法。
[0051]现在参考图7，示出的是采用交织器进行电流切换的方法700的示意性工艺流程图。在元件702处，在饱和区工作以促进有源电流模式切换的第一交织器级中消除偏置电流(Idc)。偏置电流可以通过从输出DC电流减去输入DC偏置电流而消除。偏置电流还可以通过采用第一交织器级中的具有相反极性的晶体管来消除。应当理解，偏置电流可以以能使相继的交织器级不经受任何偏置电流(Idc = O)的任何其他方式消除。偏置电流(Idc)的消除使得所有相继的交织器级作为无源电流开关工作。
[0052]在元件704处，电流在第二交织器级无源地切换。第二交织器级不从第一交织器级接收任何输入偏置电流(Idc = O)作为输入。这使得第二交织器级在线性(或欧姆)区域工作。在线性(或欧姆)区中的工作使得第二交织器级没有压降。虽然在本文中仅说明了两个交织器级，但应当理解，交织器可以具有大于或等于2的任何数量的交织器级。每个附加的交织器级在线性区中工作而不经历任何偏置电流(Idc)，这类似于第二交织器级。
[0053]现在参考图8，示出用于促进高速低电压交织的方法800的示意性工艺流程图。多级电流模式交织器包括至少两个级。在元件802处，第一交织器级在第一交织器级内的晶体管的饱和区中工作。DC偏置电流要求确保第一交织器级在饱和区内的工作点工作。在元件804处，DC偏置电流被消除，使得相继的交织器级不经受输入DC电流。DC偏置电流可以例如，通过采用具有与第一交织器级内的晶体管相反极性的晶体管而被消除。
[0054]在元件806处，第二交织器级在第二交织器级内的晶体管的线性(或欧姆)区中工作。第二交织器级不接收输入DC电流并且不产生输出DC电流。因此，第二交织器级上不存在压降。在无压降的状态下，第二交织器级和后续的交织器级在线性(或欧姆)区中工作，因此唯一具有压降的交织器中的级是第一交织器级。由于唯一的压降是在第一交织器级，所以供给电压只需要大到足以补偿第一交织器级中的压降，而不是如在传统的电流模式交织器中那样需要补偿相继的级的压降。因此，本发明的多级电流模式交织器100、200、500或600所需的供给电压比传统的电流模式交织器所需的供给电压小几倍。
[0055]现在参考图9，示出用于使具有两个交织器级的多级电流模式交织器工作的方法900的示意性工艺流程图。在元件902处，至少等于所述第一交织器级的饱和电压的电压被供给到第一交织器级。在元件904处，第一交织器级偏置以在饱和区内的工作点工作。饱和区(或有源模式)中的工作使得第一交织器级作为有源电流开关发挥作用。
[0056]在元件906处，用于将第一交织器级驱动到饱和区内的工作点的偏置电流(Idc)被消除，使得相继的交织器级不经受偏置电流(Idc = O)。偏置电流可通过从输出DC电流减去输入DC电流而被消除。偏置电流还可以通过采用具有相反极性的晶体管来消除。应当理解，偏置电流可以以能使相继的交织器级不经受任何偏置电流(Idc = O)的任何其他方式被消除。偏置电流(Idc)的消除使得所有相继的交织器级作为无源电流开关工作。
[0057]在元件908处，第二交织器级和所有其他的交织器级可以在其各自的线性区中工作。交织器可以有大于或等于2的任何数量的级。交织器级在线性区中的工作使得所有后续的交织器级具有等于其各自的输入DC电势的输出DC电势，这使得后续的交织器级作为无源电流开关工作。
[0058]在无压降的状态下，第二交织器级和后续的交织器级在线性(或欧姆)区中工作，因此唯一具有压降的交织器中的级是第一交织器级。由于唯一的压降是在第一交织器级，所以供给电压只需要大到足以补偿第一交织器级中的压降，而不是如在传统的电流模式交织器中那样需要补偿相继的级上的压降。因此，多级电流模式交织器所需的供给电压比传统的电流模式交织器所需的供给电压小几倍。
[0059]现在参考图10，示出用于使具有三个交织器级的多级电流模式交织器工作的方法1000的示意性工艺流程图。在元件1002处，至少等于所述第一交织器级的饱和电压的电压被供给到第一交织器级。在元件1004处，第一交织器级偏置以在第一交织器级内的晶体管的饱和区内的工作点工作。饱和区(或有源模式)中的工作使得第一交织器级作为有源电流开关发挥作用。
[0060]在元件1006处，用于将第一交织器级驱动到饱和区内的工作点的偏置电流(Idc)被消除，使得相继的交织器级不经历偏置电流(Idc = O)。偏置电流可通过从输出DC电流减去输入DC电流而被消除。偏置电流还可以通过采用具有相反极性的晶体管来消除。应当理解，偏置电流可以以能使相继的交织器级不经历任何偏置电流(Idc = O)的任何其他方式被消除。偏置电流(Idc)的消除使得所有相继的交织器级作为无源电流开关工作。
[0061]在元件1008处，第二交织器级在线性区中工作。在元件1010处，第三交织器级在线性区中工作。所有其他后续的交织器级，只要有的话，可以在线性区中工作。交织器可以有任何数量的级(至少2个)。交织器级在线性区中的工作使得所有后续的交织器级具有等于输入DC电势的输出DC电势。这使得后续的交织器级作为无源电流开关工作。
[0062]在无压降的状态下，第二交织器级和后续的交织器级在线性(或欧姆)区中工作，因此唯一具有压降的交织器中的级是第一交织器级。由于唯一的压降是在第一交织器级，所以供给电压只需要大到足以补偿第一交织器级中的压降，而不是如传统的电流模式交织器中那样需要补偿相继的级上的压降。因此，本发明的多级电流模式的交织器所需的供给电压比传统的电流模式交织器所需的供给电压小几倍。
[0063]上述对所示实施例的说明，包括在摘要中所说明的，并不旨在穷尽本发明的实施例，或将其限制为所公开的精确形式。虽然具体的实施例和示例在本文中用于例示的目的，但是可以在这种实施例和示例的范围之内考虑各种修改，正如相关领域技术人员能够认识到的那样。
[0064]如本文所用，在本文中使用的术语“示例”意指示例、实例或例示。为避免疑义，本文中所说明的发明不受这些示例的限制。此外，本文中说明为“示例”的任何方面或设计并不一定要被解释为优选的或胜过其他方面或设计，也并非意在排除已知的那些本领域技术人员已知的等效的结构和技术。此外，就术语“包括”、“具有”、“包含”和其他类似的词语在【具体实施方式】或权利要求书中使用时，这些术语旨在以类似于开放性的过渡词“包括”那样的方式包括，而不排除任何附加或其他元素。
[0065]在这方面，尽管结合各种实施例和相应的附图-只要适用-对本发明进行了说明，但可以理解，在不脱离所公开的发明的情况下，也可以使用其他相似的实施例或者可以对所说明的实施例进行用于执行所公开的发明的相同、相似、替换、或替代功能的修改和增力口。因此，所公开的发明不应限于本文所述的任何单个实施例，而是应当根据所附的权利要求的广度和范围被解释。
【权利要求】
1.一种交织器电路，其包括: 第一交织器级，其在饱和区工作或截止； 第二交织器级，其在线性区工作或截止， 其中所述第二交织器级具有等于输出DC电势的输入DC电势。
2.根据权利要求1所述的交织器电路，其中所述第一交织器级包括η个晶体管，其中η至少为2。
3.根据权利要求1所述的交织器电路，其中所述第二交织器级包括η个晶体管，其中η至少为2。
4.根据权利要求1所述的交织器电路，其还包括在线性区工作或截止的第三交织器级。
5.根据权利要求4所述的交织器电路，其中所述第三交织器级包括η个晶体管，其中η至少为2。
6.根据权利要求1所述的交织器电路，其还包括作为负载的第四级。
7.根据权利要求1所述的交织器电路，其中所述第二交织器级配置成充当无源电流开关。
8.根据权利要求1所述的交织器电路，其中所述第一交织器级促进偏置电流的消除。
9.根据权利要求1所述的交织器电路，其中所述第二交织器级配置成充当无源电流开关。
10.一种交织器，其包括: 第一交织器级，其促进偏置电流的消除； 第二交织器级，其配置成充当无源电流开关。
11.根据权利要求10所述的交织器，其中所述第一交织器级在饱和区工作或截止。
12.根据权利要求11所述的交织器，其中所述第二交织器级在线性区工作或截止。
13.根据权利要求11所述的交织器，其中所述第二交织器级具有等于输出DC电势的输ADC电势。
14.根据权利要求10所述的交织器，其中所述第一交织器级包括η个晶体管，其中η至少为2。
15.根据权利要求10所述的交织器，其中所述第二交织器级包括η个晶体管，其中η至少为2。
16.一种方法，其包括如下步骤: 在第一交织器级消除偏置电流；和 在第二交织器级无源地切换电流。
17.根据权利要求16所述的方法，其还包括如下步骤:在第三交织器级无源地切换电流。
18.根据权利要求16所述的方法，其还包括如下步骤:将供给电压供给到交织器电路，其中所述供给电压至少是用于第一交织器级的饱和电压。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一交织器级在饱和区工作或截止。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二交织器级在线性区工作或截止。
【文档编号】H04K1/10GK104380638SQ201380027359
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年3月25日 优先权日:2012年3月26日
【发明者】E·旺代尔 申请人:Sem技术公司