一种提高单射频多进多出mimo传输可靠性方法及装置制造方法

文档序号:8000848阅读:273来源:国知局
一种提高单射频多进多出mimo传输可靠性方法及装置制造方法
【专利摘要】本发明适用于移动通信【技术领域】,提供了一种提高单射频多进多出MIMO传输可靠性方法,所述方法包括:接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特;对所述信息比特和所述校验比特分别交织;将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流;将所述第一个流和第二个流调制;将第一个流发送至功率放大器,通过激励振子发射;将第一个流和第二个流发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射第二流的信息。本发明通过提高了信息比特的传输可靠性,从而提高了整个信息传输可靠性,可以解决现有技术在Single RF MIMO情况下,传输可靠性不高的问题。
【专利说明】一种提高单射频多进多出ΜΙΜΟ传输可靠性方法及装置

【技术领域】
[0001] 本发明属于移动通信【技术领域】,尤其涉及一种提高单射频ΜΜ0传输可靠性方法 及装置。

【背景技术】
[0002] 基于多天线的多进多出(MIM0,Multiple Input and Multiple Output)技术可以 有效地提升系统性能和频谱效率,这一点已经得到普遍认可和广泛应用。例如,在LTE和 WiMaX等无线系统中,ΜΜ0技术都已经得到了应用。从ΜΜ0原理可以知道ΜΜ0系统的容 量是和发射天线的数目是线性关系。也就是说,发射天线数目的增加,ΜΜ0系统容量也随 之增长。但随着发射天线线数目的增多,ΜΜ0技术的应用局限也逐渐暴露出来,主要体现 在以下二个方面:
[0003] 每根天线都要连接一条射频(RF,Radio Frequency)链路,用于传输发射和接收的 数据。天线数目的增多会导致射频链路也随之增大,从而极大的增加了成本和功耗;
[0004] WiFi AP、Small Cell小基站和eRelay等小型网络设备甚至终端中,由于空间有 限,不能放置较多数目的天线,ΜΙΜΟ的应用受限。或者即使可以放置多根天线,但天线之间 间距较小,导致不同天线发送的信号相干性较大,ΜΙΜΟ增益下降甚至不能正常工作。
[0005] 为解决上述多天线ΜΜ0存在的问题,目前现有技术提出了解决方案,使用基于单 射频通道的ΜΜ0技术来替代多天线ΜΜ0技术。
[0006] 图1示出了现有技术提供的单载波射频天线Single RF架构,所述架构具体包括 天线激励振子、寄生振子、寄生振子电抗组件组成,具体功能和原理如下:
[0007] 中间为天线激励振子active element,该天线激励振子通过射频链路可以发送 和接收信号来自基带的信号,如图1中所示的S0 ;边上两个振子为寄生振子parasitic element。寄生振子不带有射频链路,不能够直接发送和接收信号。每个寄生振子可以通过 调节本身的电抗(即图中所示的xLpxk)来调节发送信号的模式,具体的方式参见后面的描 述;寄生振子电抗的调节由输入信号S0和S1通过特定的控制链路来实现;天线之间的间 距为d,Θ为入射信号和天线阵列之间的夹角。在典型的单载波射频ΜΜ0中,设

【权利要求】
1. 一种提高单射频多进多出MMO传输可靠性方法,其特征在于,所述方法包括: 接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和校验比特; 对所述信息比特和所述校验比特分别交织; 将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流; 将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,第二个流映射调 制符号为Sl; 将SO发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息; 将SO和Sl发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合 发射第二流的信息。
2. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将SO和Sl发送至控制电路,控制电路 通过控制激励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射具体为: 将所述SO和Sl发送至控制电路,控制电路根据
的值选择合适的XL1和XL2,使得激 励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为

3. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将交织后的信息比特和校验比特填充 至第一个流和第二个流具体为: 假定交织后的信息比特为an,n=l,…,N1,交织后的校验比特为bm,m=l,…,N2 ; 建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一 个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数; 当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息 比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比 特位; 当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特 填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
4. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将交织后的信息比特和校验比特分别 填充至第一个流和第二个流具体为: 假定交织后的信息比特为an,n=l,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=l,…,N2 ; 建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一 个流和第二流包含的比特位数都为k,所述
; 确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系; 当-
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前&位,将交织后的校验比特填 充到第一个流的剩余比特位和第二个流; 当
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前I位和第二个流的前 INl- 位;将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位; 2 当
?时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前I位、第二个流的 前I位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余 比特位;
当 时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前t位、第二个流的 2

前#位、第一个流的后#位和第二个流的第 位至第 位,将交织后的检校比 22 特填充到第二个流的第(Nfk+1)位至第二个流的第k位。
5. 如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述将所述第一个流和第二个流调制具体 为: 采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分 为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置; 用信息比特填充SO和Sl中对应的高可靠度比特位置; 信息比特填充完后,再用校验比特填充SO和Sl中剩余比特位置。
6. -种提高单射频MMO传输可靠性装置,其特征在于,所述装置包括: 分离单元,用于接收原始的信息比特,将原始的信息比特经过编码后分为信息比特和 校验比特; 交织单元,用于对所述信息比特和所述校验比特分别交织; 填充单元,用于将交织后的信息比特和校验比特填充到第一个流和第二个流; 调制单元,用于将所述第一个流和第二个流调制,得到第一个流映射调制符号为S0,所 述第二个流映射调制符号为Sl; 第一发送单元,用于将SO发送至功率放大器,通过激励振子发射第一个流的信息; 第二发送单元,用于将SO和Sl发送至控制电路,控制电路通过控制激励振子和寄生振 子之间的电磁耦合发射第二流的信息。
7. 如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第二发送单元具体用于: 将所述SO和Sl发送至控制电路,控制电路根据
的值选择合适的XL1和XL2,使得激 励振子和寄生振子之间的电磁耦合发射的信号为

8. 如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述填充单元具体用于: 假定交织后的信息比特为an,n=l,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=l,…,N2 ; 建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一 个流和第二个流包含的比特位数都为k,所述
; 判断交织后的信息比特的比特数是否小于等于第一个流包含的比特位数; 当交织后的信息比特的比特数小于等于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息 比特填充到第一个流,将交织后的校验比特填充到第一个流剩余的比特位和第二个流的比 特位; 当交织后的信息比特的比特数大于第一个流包含的比特位数时,将交织后的信息比特 填充到第一个流和第二个流,将交织后的校验比特填充到第二个流剩余的比特位。
9. 如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述填充单元具体用于: 假定交织后的信息比特为an,n=l,…,N1,交织后的检校比特为bm,m=l,…,N2 ; 建立第一个流和第二个流,所述第一个流和第二个流包含的比特位数相等,所述第一 个流和第二个流包含的比特位数都为k,所述
; 确定交织后的信息比特的比特数与第一个流包含的比特位数数值关系; 当
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前队位,将交织后的校验比特填 充到第一个流的剩余比特位和第二个流; 当
时,将交织后的信息比特填充到第一个流的前$位和第二个流的前 (N1 _|)位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二流的剩余比特位; 当
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前I位、第二个流的 前#位和第一个流的剩余比特位,将交织后的检校比特填充到第一个流和第二个流的剩余2 比特位; 当
时,将交织后的信息比特按顺序填充到第一个流的前I位、第二个流的

前1位、第一个流的后#位和第二个流的第 位至第 位,将交织后的检校比 22 特填充到第二个流的第
)位至第二个流的第k位。
10. 如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述调制单元具体用于: 采用16QAM星座点映射的方法调制第一个流和第二流,将16QAM星座点对应的比特分 为高可靠度比特位置和低可靠度比特位置; 用信息比特填充SO和Sl中对应的高可靠度比特位置; 信息比特填充完后,再用校验比特填充SO和Sl中剩余比特位置。
【文档编号】H04B7/04GK104243105SQ201310239676
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月17日 优先权日:2013年6月17日
【发明者】吴涛, 卢伟山 申请人:华为技术有限公司
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