具有混合型异质结构的图像传感器的制造方法
【专利摘要】一种图像传感器结构提供了超过100dB的SNR，而不需要使用机械快门。用于有效像素传感器阵列的电路部件被分离并且被垂直地布置在混合芯片结构中的至少两个不同层中。顶层优选地使用低噪声PMOS制造工艺制造，并且包括用于每个像素的光电二极管和放大器电路。底层优选地使用标准CMOS工艺来制造，并且包括NMOS像素电路部件和信号处理所需的任何数字电路。与使用CMOS相比，通过在为形成低噪声像素优化的PMOS工艺中形成顶层，像素性能可以被大大地改善。
【专利说明】具有混合型异质结构的图像传感器
【技术领域】
[0001]本发明总体上涉及固态图像传感器，并且更具体地涉及新颖的三维图像传感器结构。
【背景技术】
[0002]生产的具有CMOS图像传感器的可视成像系统显著地减少了照相机成本和功率，同时改善了图像分辨率并且减少了噪声。CMOS图像传感器通常是片上成像系统(iSoC)产品，其将图像检测和信号处理与大量支持性知识产权(IP)块组合，所述支持性知识产权块包括定时控制器，时钟驱动器，参考电压，A/D转换，图像处理级，和其它辅助电路。因此，得到的摄像机可以使用仅由镜头，快门和电池支持的单一 CMOS集成电路来装配。结果是越来越小的照相机以越来越低的成本具有越来越长的电池寿命。
[0003]由CMOS iSoC传感器提供的改善，尤其包括由其嵌入的iSoC功能能够实现的操作灵活性，也已经转化为两用照相机的出现，