专利名称：爆音抑制电路的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种电路设计技术，尤其涉及一种爆音抑制电路。
背景技术：
视听类电子设备在开关机时，由于输出的声音信号受到电源启动时的突波的干 扰，使得在声音信号输出前左右声道中可能存在正电压突破或负电压突破，从而导致在声 音信号输出前有“爆音”现象产生。传统上为确决这种不良的声音品质，也即解决“爆音”现 象，会在声音输出线路内加入一爆音抑制电路，用以消除电源的突波。然而，传统的爆音抑制电路是在电源启动的瞬间就产生一静音讯号，以消除视听 类电子设备在开关机的瞬间所输出的所有信号强制拉低。这就导致在电子设备中内设一 个定时模块对爆音抑制电路产生静音讯号的时间进行控制，但是定时模块所设定的时间固 定，无法在正负电压突破消除后立即让左右声道导通，从而让正常的声音讯号通过。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种在正负电压突破消除后立即让左右声道导通的爆音抑 制电路。一种爆音抑制电路，其包括依次串联的信号采集电路、电压峰值累积电路、延时电 路、正向施密特触发电路、反向电路及与正向施密特触发电路和反向电路相连接的静音电 路；所述信号采集电路用于采集左右声道中的正负电压突破；所述电压峰值累积电路用于 对信号采集电路采集的正负电压突破的电压进行累积；当电压峰值累积电路所累积的电压 超过延时电路的导通电压后，对延时电路中的一充电电容进行充电；所述正向施密特触发 电路根据充电电容的充电电压对应产生高低电平；所述反向电路对正向施密特触发电路输 出的电平进行反向；所述静音电路与左右声道连接，并在正向施密特触发电路输出高电平， 反向电路输出低电平时，左右声道导通。相较于已知技术，本发明提供的爆音抑制电路在侦测到左右声道中存在的正负电 压突破后，再经过一段时间的延时后再控制左右声道导通，从而不仅完成对左右声道中正 负电压突破的消除，还可及时的让正常的声音讯号通过。
图1为本发明实施方式提供的爆音抑制电路的电路图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种爆音抑制电路，其包括依次串联的信号采集电路、电压峰值累积电路、延时电 路、正向施密特触发电路、反向电路及与正向施密特触发电路和反向电路相连接的静音电 路；所述信号采集电路用于采集左右声道中的正负电压突破；所述电压峰值累积电路用于 对信号采集电路采集的正负电压突破的电压进行累积；当电压峰值累积电路所累积的电压 超过延时电路的导通电压后，对延时电路中的一充电电容进行充电；所述正向施密特触发 电路根据充电电容的充电电压对应产生高低电平；所述反向电路对正向施密特触发电路输 出的电平进行反向；所述静音电路与左右声道连接，并在正向施密特触发电路输出高电平， 反向电路输出低电平时，左右声道导通。
2.如权利要求1所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述信号采集电路包括第一放大 器、第二放大器、第三放大器及第四放大器；所述第一放大器的正向输入端与左声道相连 接，负向输入端与输出端相连接；所述第二放大器的正向输入端接地，负向输入端通过一第 一电阻与左声道相连接并通过一第二电阻与输出端相连接；所述第三放大器的正向输入端 与右声道相连接，负向输入端与输出端相连接；所述第四放大器的正向输入端接地，负向输 入端通过一第三电阻与右声道相连接并通过一第四电阻与输出端相连接。
3.如权利要求2所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述电压峰值累积电路包括第 一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五电阻及累积电容；所述第一二极管 的阳极与第一放大器的输出端相连接，所述第二二极管的阳极与第二放大器的输出端相连 接，所述第三二极管的阳极与第三放大器的输出端相连接，所述第四二极管的阳极与第四 放大器的输出端相连接；所述第五电阻的一端与第一至第四二极管的阴极相连接，另一端 与累积电容相连接；所述累积电容的另一端接地。
4.如权利要求3所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述延时电路包括第一N-MOS管、 第六电阻及充电电容；所述第一 N-MOS管的漏极连接一正电压，栅极连接于第五电阻与累 积电容之间，源极与第六电阻的一端相连接；所述第六电阻的另一端与充电电容的一端相 连接，充电电容的另一端接地。
5.如权利要求4所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述正向施密特触发电路包括第 五放大器、第七电阻、第八电阻、第九电阻及第十电阻；所述第五放大器的正向输入端连接 于第六电阻及充电电容之间，且正向输入端通过第九电阻与输出端相连接，负向输入端连 接于第七电阻与第八电阻之间；所述第七电阻另一端连接一正电压；所述第八电阻的另一 端接地；所述第十电阻的一端与第五放大器的输出端相连接，另一端连接至一正电压。
6.如权利要求5所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述反向电路包括第一P-MOS管、 第二 N-MOS管及第十一电阻；所述第一 P-MOS管的栅极与第二 N-MOS管的栅极相连接并连 接至第五放大器的输出端，所述第一 P-MOS管的漏极连接一正电压，所述第二 N-MOS管的源 极连接一负电压，所述第一 P-MOS管的源极与第二 N-MOS管的漏极相连接并连接至第十一 电阻的一端；所述第十一电阻的另一端接地。
7.如权利要求6所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述静音电路包括左声道静音电 路和右声道静音电路，所述左声道静音电路和右声道静音电路的一端都分别与第五放大器 的输出端及第一 P-MOS管的源极相连接，左声道静音电路的另一端与左声道相连接，右声 道静音电路的另一端与右声道相连接。
8.如权利要求7所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述左声道静音电路包括第五二极管、第六二极管、第一三极管、第二三极管、第十二电阻及第十三电阻；所述第五二极管的 阴极连接于第一 P-MOS管的源极与第二 N-MOS管的漏极之间，阳极与第一三极管的基极相 连接；所述第一三极管的发射极接地，集电极与左声道相连接；所述第十二电阻的一端连 接于第五二极管的阳极与第一三极管的基极之间，另一端连接一正电压；所述第六二极管 的阳极连接于第五放大器的输出端，阴极与第二三极管的基极相连接；所述第二三极管的 发射极接地，集电极与左声道相连接；所述第十三电阻的一端连接于第六二极管的阳极与 第二三极管的基极之间，另一端连接一负电压。
9.如权利要求7所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述右声道静音电路包括第七二 极管、第八二极管、第三三极管、第四三极管、第十四电阻及第十五电阻；所述第七二极管的 阴极连接于第一 P-MOS管的源极与第二 N-MOS管的漏极之间，阳极与第三三极管的基极相 连接；所述第三三极管的发射极接地，集电极与右声道相连接；所述第十四电阻的一端连 接于第七二极管的阳极与第三三极管的基极之间，另一端连接一正电压；所述第八二极管 的阳极连接于第五放大器的输出端，阴极与第四三极管的基极相连接；所述第四三极管的 发射极接地，集电极与右声道相连接；所述第十五电阻的一端连接于第八二极管的阳极与 第四三极管的基极之间，另一端连接一负电压。
10.如权利要求1所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述左右声道连接于一音频输出 端口及一喇叭之间。
全文摘要
本发明提供一种爆音抑制电路，其包括串联的信号采集电路、电压峰值累积电路、延时电路、正向施密特触发电路、反向电路及与正向施密特触发电路和反向电路相连接的静音电路；信号采集电路采集左右声道中的正负电压突破；电压峰值累积电路对采集的正负电压突破的电压进行累积；当电压峰值累积电路所累积的电压超过延时电路的导通电压后，对一充电电容进行充电；正向施密特触发电路根据充电电容的电压产生高低电平；反向电路对正向施密特触发电路输出的电平反向；静音电路在正向施密特触发电路输出高电平，反向电路输出低电平时，让左右声道导通。本发明在检测到正负电压突破时，保持一段时间的延时后再触发左右声道导通，实现对正负电压突破的消除。
文档编号H04R3/00GK102082983SQ20091031051
公开日2011年6月1日 申请日期2009年11月26日 优先权日2009年11月26日
发明者吴俊德 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司