专利名称：半导体装置及具备该半导体装置的光学装置用组件的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及降低在进行半导体元件的信号处理的信号处理部中发生 的噪声的半导体装置以及具备该半导体装置的光学装置用组件。
背景技术：
一直以来，CCD (电荷耦合装置Charge Coupled Device)图像传感 器以及CMOS (互补金属氧化物半导体Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器等用来将光信号变换为电信号的受光半导体装 置，构成为在采用陶瓷或塑胶等的中空封装内以密封状态封装半导体元件 等，从而防止湿气和灰尘等从外部进入。
图6是表示一例传统受光半导体装置的固体摄像装置的概略结构的剖 视图。该固体摄像装置100具备以下结构成为基座的电路基板101;设 于电路基板101上的固体摄像元件(受光元件)102;以及在电路基板101 上隔着粘接部103覆盖固体摄像元件102地安装的覆盖体104。在固体摄 像装置100中，构成使覆盖体104的内部成为空洞的中空封装，固体摄像 元件102配置在覆盖体104的内部。在覆盖体104的内部，与固体摄像元 件102相对地配置透光性的覆盖部105。透光性的覆盖部105隔着粘接部 106安装在覆盖体104上。在透光性的覆盖部105和电路基板101 (固体 摄像元件102)之间形成空间S。电路基板101由陶资或玻璃环氧等构成， 电路基板101与固体摄像元件102之间是通过焊接导线107来相互电连接。 覆盖体104在中央内部保持镜筒108，而镜筒108在内部保持已定位的透 镜109。
图6的固体摄像装置100构成为在电路基板101上隔着粘接部103配 置覆盖体104，并在覆盖体104的内部收容固体摄像元件102。因此，难 以将固体摄像装置100小型化。
于是，在专利文献1中公开了可更加小型化的固体摄像装置。图7是 专利文献l的固体摄像装置的剖视图。该固体摄像装置200构成为在固体 摄像元件202上隔着粘接部203粘接了透光性的覆盖部205。另外，固体摄像元件202和透光性的覆盖部205通过具有透气性的树脂构成的模制树 脂207来铸模成形，以使覆盖部205的表面露出。然后，在模制树脂207 上，隔着粘接部(未图示)粘接了保持透镜206的镜筒208。由于在固体 摄像装置200中无需在镜筒(覆盖体)208内部收容固体摄像元件202， 可比固体摄像装置100更加小型化。
这里，图7的固体摄像装置200中，在固体摄像元件202与透光性的 覆盖部205之间形成中空部209。由于该中空部209是密闭的空间，有时 在覆盖部205内表面发生结露。
于是，在专利文献2中，作为防止这种结露发生的对策，公开了具备 透气路的固体摄像装置。图8是表示专利文献2的固体摄像装置300的部 分结构的平面图(俯视图)，图9是沿图8的固体摄像装置300的C-C 箭头的剖视图。如图9所示，专利文献2的固体摄像装置300中，在固体 摄像元件302与透光性的覆盖部305之间形成中空部309，因此有时在覆 盖部305的内表面发生结露。为此，作为防止结露发生的对策，在粘接固 体摄像元件302与透光性的覆盖部305的粘接部303中形成透气路。
具体地说，如图8所示，固体摄像装置300中，形成从中空部309通 到外部的透气路311。粘接部303的区域比透光性的覆盖部305广，透气 路311形成于覆盖部305外侧的粘接部303中。通过该透气路311,固体 摄像元件302的表面环境与外部空气相同，可防止覆盖部305上发生结露。 另外，该透气路311形成为复杂的形状，也起防止水分从透气路311浸入 到中空部309的作用。
但是，本发明人等了解到在专利文献2的结构中，将固体摄像元件受 光的光信号变换为电信号时，发生不明原因的噪声，因该噪声而在画面上 产生带状明暗差。
专利文献1:日本公开专利公报"特开2004 - 296453号公报(2004年 10月21日公开)"
专利文献2:日本公开专利公报"特开2005 - 322809号公才良(2005年 11月17日公开)"
发明内容
于是，本发明鉴于上述问题构思而成，其目的在于提供能够防止在覆 盖半导体元件的覆盖部上发生结露，并能够降低在半导体元件的信号处理部发生的噪声的半导体装置以及具备该半导体装置的光学装置用组件。
本发明人等认真研究的结果，找出了在专利文献2的固体摄像装置上 发生噪声的原因在于粘接部，从而构思了本发明。
即，为达成上述目的，本发明的半导体装置包括半导体元件；覆盖 半导体元件的覆盖部；粘接半导体元件和覆盖部的粘接部；以及进行半导 体元件的信号处理的信号处理部，在半导体元件与覆盖部之间形成中空 部，并且在粘接部中形成从中空部通到外部的透气路，该半导体装置的特 征在于
粘接部形成为覆盖整个信号处理部。
依据上述结构，由于形成了从中空部通到外部的透气路，能够防止在 覆盖部发生结露。
而且，依据上述结构，整个(整个区域)信号处理部被粘接部覆盖。 从而，粘接部不会影响信号处理部的局部。即，粘接部的影响波及信号处 理部的所有信号处理。因而，能够降低在信号处理部中发生的噪声。
另外，本发明的另一半导体装置，为达成上述目的，而包括半导体 元件；覆盖半导体元件的覆盖部；粘接半导体元件与覆盖部的粘接部；以 及进行半导体元件的信号处理的信号处理部，在半导体元件与覆盖部之间 形成中空部，并且在粘接部中形成从中空部通到外部的透气路，该半导体 装置的特征在于
粘接部避开信号处理部而形成。
依据上述结构，由于形成了从中空部通到外部的透气路，能够防止在 覆盖部发生结露。另外，与覆盖信号处理部的整个区域(全体)的场合相 比，能够扩大透气路的区域，因此能够提高防止结露的效果。而且，也可 削减粘接部的使用量。
而且，依据上述结构，粘接部形成为避开信号处理部。也就是说，在 信号处理部的整个区域上不会形成粘接部。从而，粘接部不会影响信号处 理部的信号处理。因而，能够降低在信号处理部发生的噪声。
如此，依据本发明的各半导体装置，能够防止在覆盖部上发生结露， 并且能够降低在半导体元件的信号处理部中发生的噪声。
本发明的光学装置用组件的特征在于包括本发明的半导体装置和透 镜单元，在所述的任一个半导体装置中，覆盖部具有透光性，半导体元件 是具有排列多个受光元件的有效像素区的固体摄像元件，其中，受光元件将透过上述覆盖部的光变换为电信号，上述粘接部避开有效像素区而形 成，上述透镜单元将外部光导入上述半导体元件中。
依据上述结构，由于内装了本发明半导体装置的一种形态的固体摄像 装置，能够实现防止在覆盖半导体元件的覆盖部发生结露，并且能够降低 在半导体元件(固体摄像元件)的信号处理部中发生的噪声的光学装置用 组件。
对于本发明其它的目的、特征及优点，根据以下记载将更加充分了解。 另外，本发明的优点通过参照附图的以下说明将给出清晰阐述。
图1是表示本发明的固体摄像装置的概略结构的平面图。
图2是沿图1的固体摄像装置的A-A箭头的剖视图。
图3是表示本发明的另 一 固体摄像装置的概略结构的平面图。
图4是表示图3的固体摄像装置的制造方法的平面图。
图5是表示本发明的光学装置用组件的概略结构的剖视图。
图6是表示传统固体摄像装置的概略结构的剖视图。
图7是专利文献1的固体摄像装置的剖视图。
图8是表示专利文献2的固体摄像装置的局部结构的平面图。
图9是沿图8的固体摄像装置的C-C箭头的剖视图。
具体实施例方式
以下，根据附图就本发明的实施方式进行说明。还有，以下就本发明 的半导体装置是作为半导体元件具备固体摄像元件的固体摄像装置的场
合进行说明。
图1和图2是本发明实施方式1的固体摄像装置(半导体装置)1的 概略结构示图，图1是从上部观看固体摄像装置1的主表面(一面)的平 面图(俯视图)，图2是沿图1的固体摄像装置1的A-A箭头的剖视图。
固体摄像装置1的主要结构有固体摄像元件(半导体元件)2;覆 盖部4;粘接固体摄像元件2和覆盖部4的粘接部5;以及进行固体摄像 元件2的信号处理的信号处理部8。
固体摄像元件2中，形成半导体电路的半导体基板(例如单晶硅基板)
8从平面上看形成为矩形形状。固体摄像元件2例如是CCD ( charge coupled device)图像传感器、CMOS ( complementary metal oxide semiconductor) 图像传感器、VMIS图像传感器(Threshold Voltage Modulation Image Sensor)。固体摄像元件2中，形成有多个受光元件(像素)以矩阵状配 置的有效像素区3。有效像素区3在固体摄像元件2的主表面(表面)的 中央部从平面上看形成为矩形形状。另外，受光元件将成像于有效像素区 3的被摄体像(透过覆盖部4的光)变换为电信号。
覆盖部4由透光性材料(例如玻璃)构成，至少覆盖有效像素区3地 配置成与固体摄像元件2相对。还有，固体摄像元件2 (有效像素区3) 和覆盖部4彼此不相接触。另外，覆盖部4的尺寸比固体摄像元件2小。 如此，覆盖部4配置成与固体摄像元件2的主表面相对，并且至少覆盖有 效像素区3，因此能够保护有效像素区3不受外部影响。即，能够保护有 效像素区3不受外部的湿气、粉尘(灰尘、切屑)等影响。
粘接部5以不遮断有效像素区3及覆盖部4之间的光路的方式(不影 响摄像)，在有效像素区3周围从平面上看形成为矩形环状。如图2所示， 粘接部5以在有效像素区3及覆盖部4之间形成中空部(空间)9的方式， 粘接固体摄像元件2与覆盖部4。也就是说，覆盖部4和粘接部5构成覆 盖固体摄像元件2的覆盖体。如后面所述，在粘接部5中形成有从中空部 9通到外部的透气路7。
如此，粘接部5形成在不遮断覆盖部4及有效像素区3之间的光路的 区域上。因而，不会降低光信号的受光效率，而能够形成粘接部5及透气 路7。
还有，粘接部5例如最好包含紫外线固化树脂等感光性粘接剂。从而， 能够采用光刻技术来形成包括具有高精度的形状并高精度定位的透气路7 的粘接部5。而且，可将这种图案精度高的粘接部5—次性形成多个。
信号处理部8是进行固体摄像元件2的信号处理的信号处理电路部。 具体地说，信号处理部8具有控制部(图像处理装置)的功能，即，控制 固体摄像元件2的动作，并对固体摄像元件2输出的信号进行适当处理后 生成必要的信号。例如，信号处理部8包括以下电子部件对通过有效像 素区3的受光元件变换后的电信号进行放大处理，并将该电信号以模拟信 号方式输出的放大电路部(模拟信号电路部)；将该模拟信号变换为数字 信号的模拟/数字变换处理电路部；控制固体摄像元件2的动作的DSP(数字信号处理器digital signal processor);根据程序进行各种运算处理的 CPU;存放该程序的ROM;以及存放各处理过程的数据等的RAM等。因 此，由这些电子部件来控制整个固体摄像装置1。
在本实施方式中，信号处理部8配置成与有效像素区3相邻，并且在 形成有信号处理部8的区域，不形成粘接部5。即，粘接部5是避开信号 处理部8而形成的。因此，信号处理部8从粘接部5露出。
还有，在固体摄像装置l中，粘接部5 (覆盖部4)与固体摄像元件2 的主表面的外周端(芯片端)之间，配置多个焊盘6作为用来连接固体摄 像元件2与外部电路(未图示)的端子。焊盘6没有被覆盖部4所覆盖。 因此，所形成的覆盖部4的平面尺寸(size)小于固体摄像元件2的平面 尺寸(size)，从而能够实现固体摄像元件2的小型化。
固体摄像装置1通过覆盖部4,将来自外部的光取入内部，由配置在 固体摄像元件2的有效像素区3上的受光元件接受图像的光。固体摄像装 置1在有效像素区3及覆盖部4之间形成有中空部9,因此透过覆盖部4 的来自外部的光原样入射到有效像素区3,不会发生光路中途的光损耗。
这里，如上所述，在固体摄像装置l中，在固体摄像元件2与透光性 的覆盖部4之间形成中空部9,因此有时在覆盖部4的内表面发生结露。 因此，作为防止结露发生的对策，在粘接固体摄像元件2与透光性的覆盖 部4的粘接部5中形成透气路7。透气路7在粘接部5中形成为从中空部 9通到夕卜部。
在专利文献2的固体摄像装置300(参照图8)中也形成有透气路311。 但是，为了提高防止水分和异物的进入中空部309的效果，而透气路311 形成为复杂形状。而且，对于固体摄像装置300中发生的噪声，没有采取 任何措施。
本发明人等对于专利文献2的固体摄像装置300中发生噪声的原因作 了认真的研究。其结果，明确了噪声是因为信号处理部的局部被粘接部覆 盖而产生。即，明确了由于存在粘接部覆盖信号处理部的区域和未覆盖的 区域，粘接部的介电常数影响信号处理部的处理，在画面上以噪声方式显 示。
于是，在本实施方式的固体摄像装置1中，粘接部5避开信号处理部 8而形成。也就是说，在信号处理部8的整个区域，不会形成粘接部5。 从而，粘接部5不会影响到信号处理部8的信号处理。因而，能够降低信号处理部8中发生的噪声。故，能够防止粘接部5的介电常数影响信号处 理部8而在画面上以噪声方式表示出的情况。
这里，固体摄像装置1中，在信号处理部8中噪声对模拟信号电路部 特别是将由受光元件变换后的电信号放大处理的放大电路部的影响也是 很大的。因而，在固体摄像装置l中，最好粘接部5形成为至少避开模拟 信号电路部特别是放大电路部。如此，避开信号处理部8而形成粘接部5 时，能够降低容易发生噪声的模拟信号电路部及放大电路部的噪声。还有， 粘接部5可形成为至少避开噪声的影响特别大的模拟信号电路部及放大电 路部。
这里，就透气路7进行详细说明。透气路7从中空部9通到固体摄像 装置1的外部，防止覆盖部4内部的结露。透气路7的形状并无特别限定， 可根据粘接部5的形状而任意设定。
在本实施方式的固体摄像装置1中，透气路7的结构包括与中空部 9相通的第一开口端部7a;与外部相通的第二开口端部7b;以及设于第一 开口端部7a和第二开口端部7b之间的、捕"l足水分的捕才足部7c。如此，透 气路7所具有的第一开口端部7a和第二开口端部7b分别设于粘接部5的 中空部9侧及外部侧，而在透气路7的第一开口端部7a和第二开口端部 7b之间，存在捕捉透气路7内的水分的捕捉部7c。因而，即使在切块 (dicing)工序以后的制造工序中从外部经由第二开口端部7b有水分或与 水分一起的异物进入，也可通过捕捉部7c捕捉(留下)水分和异物。
另外，在固体摄像装置l中，笫二开口端部7b不会贯通粘接部5,而 在中途^L遮断。从而，比第二开口端部7b贯通粘接部5的场合更能提高 防止水分和异物进入的效果。
另外，在固体摄像装置l中，第一开口端部7a和第二开口端部7b均 有向捕捉部7c突出的突出壁7d。因而，第二开口端部7b的路径被延长突 出壁7d的长度量，形成为在切块工序中水分更加难以从外部经由第二开 口端部7b进入的结构。另外，例如即使水分进入到捕捉部7c的场合，也 防止捕才足部7c捕4^的水分经过捕^t足部7c的内壁而到达笫一开口端部7a 的情况，并且水分难以>夂人捕4^部7c经由第一开口端部7a进入到中空部9。
另外，在固体摄像装置l中，粘接部5从平面上看是矩形环状，透气 路7沿着粘接部5的一边5a而形成。如此将粘接部5作成矩形环状时， 能够简化粘接部5的布图设计。而且，由于沿着粘接部5的一边5a而形成透气路7，能够容易确保形成透气路7的区域(或捕捉部7c)。而且， 如果仅沿着粘接部5的一边5a而形成透气路7，就能实现固体摄像装置1 的小型化。
还有，在图1的固体摄像装置1中，粘接部5避开信号处理部8而形 成。但是，粘接部5可以形成为覆盖整个信号处理部8。图3是粘接部5 覆盖信号处理部8的整个区域的固体摄像装置10的俯视图。固体摄像装 置IO也获得与图1的固体摄像装置l相同的效果。即，在固体摄像装置l 中，整个(整个区域)信号处理部8被粘接部5所覆盖。从而，不会出现 信号处理部8的局部受粘接部5影响的情况。即，粘接部5的影响涉及到 信号处理部8的所有信号处理。因而，可降低在信号处理部8中发生的噪 声。
另外，粘接部5只要如图1所示避开信号处理部8而形成，或者如图 3所示覆盖整个信号处理部8地形成，其形状就不受特别限制，例如可参 考专利文献2而设定为各种形状。
这里，就一例固体摄像装置10的制造方法进行说明。图4是固体摄 像装置的制造方法的示图。固体摄像装置IO可通过如下工序来制造，即， 在固体摄像元件2上利用公知的光刻技术来进行图案形成(构图)，从而 在半导体晶片20的各固体摄像元件2上，形成具有透气路7的形状的粘 接部5,并粘接覆盖部4。如果进行构图，就可对半导体晶片20的各固体 摄像元件2同时形成许多粘接部5及透气路7。
具体地说，图4的上面是表示形成在半导体晶片20上的固体摄像元 件2的主表面(具有有效像素区3的平面)上，预先在有效像素区3的周 围的适当区域形成的覆盖部4隔着粘接部5粘接的状况的图。各覆盖部4 在固体摄像元件2的 一面中适当定位在有效像素区3的周围区域，然后， 根据用于粘接部5上的粘接剂的性质采用红外线照射或热固化等适当的方 法来进4于粘才妾。
图4的下面是沿着图4的上面的B-B线的剖视图。粘接部5构成为 包围形成于有效像素区3和覆盖部4之间的中空部9的外周部，从而能够 防止因粉尘的进入附着及划伤等而导致有效像素区3上发生不良的情况。 另外，能够通过在粘接部5中设置透气路7，来向外部排出在使用环境下 进入到中空部9的湿气或中空部9中发生的湿气。覆盖部4的粘接(粘接 部5的形成)是在有效像素区3以外的区域中进行，因此能够排除对有效像素区3的物理上的应力。
粘接了覆盖部4的固体摄像元件2在分割线20a被适当切块(分割) 而从半导体晶片20分离，从而形成固体摄像装置10。粘接了覆盖部4的 固体摄像元件2，在其用于粘接的粘接部5中设有阻止水分在切块工序中 从外部进入到中空部9的结构的透气路7，所以能够防止有效像素区3上 切屑等异物与水分一起作为粉尘附着，并能防止有效像素区3的表面损伤。
还有，对于固体摄像装置10的说明只是一个例子，并不限定于此。 例如，除了粘接部5的形状外，固体摄像装置10可与专利文献2的制造 方法同样地制造。
本实施方式的固体摄像装置1例如可用作光学装置用组件。图5是表 示本发明的光学装置用组件的概略结构的剖视图。光学装置用组件30例 如是相机组件，在布线基板40上，载放了上述的固体摄像装置1，同时透 镜单元50与覆盖部4相对地隔着粘接部53而设置。另外，固体摄像装置 1和透镜单元50通过模制树脂60来铸模成形。
布线基板40由印刷基板、陶瓷基板等构成。透镜单元50用于将来自 外部的光导入固体摄像元件2，安装了透镜51和在内部保持透镜51的透 镜保持架(也称为筒体、光路划定器、或镜筒)52。还有，在布线基板40 上载放了未作图示的数字信号处理器(称为DSP)等。另外，固体摄像元 件2与布线基板40通过焊接导线41来相互电连接。
光学装置用组件30中安装了通过覆盖部4来保护有效像素区的固体 摄像元件2。因此，在光学装置用组件30的制造过程中，安装固体摄像元 件2之后的工序中，粉尘不会附着到固体摄像元件2的有效像素区的表面， 因此在清洁度低的生产环境下也能制造。因而，能够实现可提高成品率、 简化工序及低价格化的光学装置用组件及其制造方法。
还有，在本实施方式中作为半导体元件的一例采用了固体摄像元件， 且作为半导体装置的一例采用了固体摄像装置，但也可以取代固体摄像装 置而采用半导体激光元件作为半导体元件，从而将电输入变换为光的半导 体激光装置用作半导体装置。另外，也可以采用由不具有透光性的材料构 成的覆盖部来取代透光性的覆盖部4。
如上所述，本发明的半导体装置中，粘接部覆盖信号处理部的整个区 域或避开信号处理部地形成。因此，产生能够防止在覆盖半导体元件的覆 盖部上发生结露，并能降低半导体元件的信号处理部中发生的噪声的效果。
在本发明的半导体装置中，最好构成为上述覆盖部具有透光性，上述 半导体元件是具有排列多个将透过上述覆盖部的光变换为电信号的受光 元件的有效像素区的固体摄像元件，上述粘接部避开有效像素区而形成。
依据上述结构，半导体元件是例如CCD图像传感器或CMOS图像传 感器等处理光信号的固体摄像元件。因而，本发明的半导体装置可用作固 体摄像装置。
而且，依据上述结构，粘接部避开有效像素区而形成。也就是说，粘 接部形成在不会遮断覆盖部和有效像素区之间的光路的区域上。因而，在 不降低光信号的受光效率的情况下，能够形成粘接部及透气路。
本发明的半导体装置尤其适合于上述信号处理部为模拟信号电路部 的场合。
依据上述结构，粘接部覆盖受噪声的影响特别大的模拟信号电路部的 整个区域或者避开模拟信号电路部地形成。因而，能够降低容易发生噪声 的模拟信号电路部的噪声。
本发明的半导体装置适合于上述信号处理部为对通过受光元件来变 换的电信号进行放大处理的放大电路部的场合。
当本发明的半导体装置为固体摄像装置时，放大电路部受噪声的影响 特别大。依据上述结构，粘接部覆盖其模拟信号电路部的整个区域或者避 开模拟信号电路部地形成。因而，能够降低固体摄像装置中受噪声的影响
特别大的模拟信号电路部的噪声。还有，适合于放大电路部进行受噪声的 影响特别大的模拟信号处理的场合。
本发明的半导体装置中，上述透气路最好包括与上述中空部相通的 第一开口端部；与外部相通的第二开口端部；以及设于第一开口端部和第 二开口端部之间的、捕捉水分的捕捉部。
依据上述结构，透气路所具有的第 一开口端部和第二开口端部分别设 在粘接部的中空部侧及外部侧，并且在透气路的第 一开口端部和第二开口 端部之间，存在捕捉透气路内的水分的捕捉部。因而，即使在切块工序以 后的制造工序中从外部经由第二开口端部有水分或与水分一起的异物进 入，也可通过捕捉部来捕捉(留下)水分和异物。
还有，捕捉部形状最好大于第一开口端部的形状。从而，能够防止捕 捉部捕捉的水分和异物经由第一开口端部进入中空部的情况。因而，能够防止半导体元件的主表面上发生的异物的附着及损伤。
在本发明的半导体装置中，上述粘接部最好是矩形环状，并且上述透 气路沿着上述粘接部的至少 一边形成。
依据上述结构，粘接部从平面上看形成为矩形环状，因此可简单地进 行粘接部的布图设计。而且，将透气路沿着粘接部的至少一个边形成，因 此能够容易地确保形成透气路的区域(或捕捉部)。
还有，透气路也可在粘接部的多个边上个别地、或者横跨多个边地形 成。但是，为了半导体装置的小型化，最好仅在粘接部的一边形成透气路。
本发明的半导体装置可适合用作搭载到例如相机或摄录型相机(video recorder camera)等光学装置的固体摄像装置。
本发明并不限于上述实施方式，可在权利要求所示的范围内作各种变 更。即，即使在权利要求所示范围内适当变更后的技术手段组合所获得的 实施方式，也^L本发明的技术范围所涵盖。
楚说明本发明的技术内容，不能限于这样的具体例而作狭义的解释，可在 本发明的精神与权利要求书记栽的范围内作各式各样的变更。
权利要求
1.一种半导体装置(1)，其特征在于，包括半导体元件(2)；覆盖半导体元件(2)的覆盖部(4)；粘接半导体元件(2)和覆盖部(4)的粘接部(5)；以及进行半导体元件(2)的信号处理的信号处理部(8)，在半导体元件(2)与覆盖部(4)之间形成中空部(9)，在粘接部(5)中形成从中空部(9)通到外部的透气路(7)，粘接部(5)覆盖整个信号处理部(8)地形成。
2. —种半导体装置(10),其特征在于，包括半导体元件(2); 覆盖半导体元件(2)的覆盖部(4);粘接半导体元件(2)与覆盖部(4) 的粘接部(5);以及进行半导体元件(2)的信号处理的信号处理部(8),在半导体元件(2)与覆盖部(4)之间形成中空部(9)， 在粘接部(5)中形成从中空部(9)通到外部的透气路(7), 粘接部(5)避开信号处理部(8)地形成。
3. 如权利要求1所述的半导体装置(1 )，其特征在于， 上述覆盖部(4)具有透光性，上述半导体元件(2)是具有排列多个将透过上述覆盖部(4)的光变 换为电信号的受光元件的有效像素区(3)的固体摄像元件， 上述粘接部(5)避开有效像素区(3)地形成。
4. 如权利要求2所述的半导体装置(10)，其特征在于， 上述覆盖部(4)具有透光性，上述半导体元件(2)是具有排列多个将透过上述覆盖部(4)的光变 换为电信号的受光元件的有效像素区(3)的固体摄像元件， 上迷粘接部(5)避开有效像素区(3)地形成。
5. 如权利要求1所述的半导体装置(1 ),其特征在于， 上述信号处理部(8)是模拟信号电路部。
6. 如权利要求2所述的半导体装置(10)，其特征在于， 上述信号处理部(8)是模拟信号电路部。
7. 如权利要求5所述的半导体装置(1),其特征在于， 上述信号处理部(8)是对上述受光元件变换的电信号进行放大处理的》丈大电路部。
8. 如权利要求6所述的半导体装置(10)，其特征在于，上述信号处理部(8)是对上述受光元件变换的电信号进行放大处理 的放大电路部。
9. 如权利要求1所述的半导体装置(1 )，其特征在于， 上述透气路(7)包括与上述中空部(9)相通的第一开口端部(7a); 与外部相通的第二开口端部(7b);以及设于第一开口端部(7a)和第二开口端部(7b)之间的、捕捉水分的 捕捉部(7c)。
10. 如权利要求2所述的半导体装置(10),其特征在于， 上述透气路(7)包括与上述中空部(9)相通的第一开口端部(7a); 与外部相通的第二开口端部(7b);以及设于第一开口端部(7a)和第二开口端部(7b)之间的、捕捉水分的 捕捉部(7c )。
11. 如权利要求1所述的半导体装置(1 )，其特征在于， 上述粘接部(5)是矩形环状，上述透气路(7)沿着上迷粘接部(5)的至少一边(5a)形成。
12. 如权利要求2所述的半导体装置(10 )，其特征在于， 上述粘接部(5)是矩形环状，上述透气路(7)沿着上述粘接部(5)的至少一边(5a)形成。
13. —种具备半导体装置(1)和透镜单元(50)的光学装置用组件 (30),其特征在于，上述半导体装置(1 )包括半导体元件(2);覆盖半导体元件(2)的覆盖部(4);粘接半导 体元件(2)和覆盖部(4)的粘接部(5);以及进行半导体元件(2)的 信号处理的信号处理部(8)，在半导体元件(2)与覆盖部(4)之间形成中空部(9)，在粘接部(5)中形成从中空部(9)通到外部的透气路(7)，粘接部(5)覆盖整个信号处理部(8)地形成，上述覆盖部(4)具有透光性，上述半导体元件(2)是具有排列多个将透过上述覆盖部(4)的光变 换为电信号的受光元件的有效像素区(3)的固体摄像元件，上述粘接部(5)避开有效像素区(3)地形成， 上述透镜单元(50)将外部光导入上述半导体元件(2)。 14. 一种具备半导体装置(10)和透镜单元(50)的光学装置用组件 (30)，其特征在于，上述半导体装置(10)包括半导体元件(2);覆盖半导体元件(2)的覆盖部(4);粘接半导 体元件(2)和覆盖部(4)的粘接部(5);以及进行半导体元件(2)的 信号处理的信号处理部(8)，在半导体元件(2)与覆盖部(4)之间形成中空部(9)，在粘接部(5)中形成从中空部(9)通到外部的透气路(7)，粘接部(5)避开信号处理部(8)地形成，上述覆盖部(4)具有透光性，上述半导体元件(2)是具有排列多个将透过上述覆盖部(4)的光变 换为电信号的受光元件的有效像素区(3)的固体摄像元件， 上述粘接部(5)避开有效像素区(3)地形成， 上述透镜单元(50)将外部光导入上述半导体元件(2)。
全文摘要
本发明涉及一种半导体装置及具备该半导体装置的光学装置用组件。其中，在固体摄像装置(1)中，在固体摄像元件(2)与覆盖部(4)之间形成中空部(9)，在粘接部(5)中形成从中空部(9)通到外部的透气路(7)，并且避开进行固体摄像元件(2)的信号处理的信号处理部(8)而形成粘接部(5)。从而，能够防止在覆盖半导体元件的覆盖部发生结露，并能够降低在半导体元件的信号处理部中发生的噪声。
文档编号H04N5/225GK101320742SQ20081009875
公开日2008年12月10日 申请日期2008年5月30日 优先权日2007年5月31日
发明者熊田清, 藤田和弥 申请人:夏普株式会社