专利名称：分频器的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种音箱内的分频器，尤其是涉及一种音箱内两单元二分频结构的馈给中低音单元或三单元三分频结构的馈给中音单元、并将输入音频电流按高、低音分开的电路和电路结构的分频器。
背景技术：
分频器又叫分音器，现有的分频器，以两单元二分频为例，常见有二阶的LC低通电路，在分频点以外的应衰减频率只有12db/倍频程下降率，特别是在分频点以外的一至两个倍频程范围内衰减量不足，以致形成分离切割不明显，通带外不应有的音频信号在低音单元中放出；同理，高音单元也因这种原因使中音串入高音单元中放出，这两种因素结合使在两只单元交叉工作的频率范围内合成的音质不佳，以致影响放音的质量。
例如，通常两单元二分频所采用的低音单元，目前它的频率响应上限已达3KHz-5KKHz左右，如果将低音单元的分频点设置在3KHz则fd倍频(6KHz)只衰减9db左右，12KHz时也只有衰减21db，这时，不需要的高音电流串入低音单元，干扰放音纯度。因此，设计者不得不将低音单元的分频点往低频方向移动，市场上商品音箱的fd一般设置在＜2KHz，例如fd＝1.5KHz，这时3KHz衰减量9db，6KHz衰减达21db，12KHz衰减可达33db，这样才基本满足设计与实用要求，这种设计方案以牺牲低音单元的通频带宽度为代价来换取通带外合适的衰减量，如
图1所示，图1也是传统二阶LC低通滤波电路的效果。
传统的补救方法只能是将高音单元的分频点也往低移动，来补偿中低单元1.5K-3KHz响应的不足。结果造成高音单元的功率承担过重，使高、低两单元合成时的状态变坏，声音还原显得单薄，干硬。
也有采用一节电感的所谓一阶低通电路，以这种软着陆的状态来配合高通电路，以此增加两只喇叭工作的重合区域来弱化前面指出的那些电路的缺点，但这需要用高、低音单元本身的特性来配合。该技术也是目前音箱分频(音)技术的另一支流。
二阶LC低通滤波电路的分频点无论怎样设置其衰减斜率不会变，仍是按12db/倍频程下降，如何在二阶LC低通电路内提高切割的斜率和效率而又同时增加它的通频带宽度这对矛盾成为音箱内分频器的技术瓶颈。而二阶以外的LC低通电路虽然能提高衰减斜率，但它在传输过程中频响起伏不定，电路会产生严重的相位失真和增加线圈的内阻以致降低效率，这些电路因缺陷过多而不被采用失去实用意义。
实用新型内容为了克服现有技术的上述缺点，本实用新型提供一种音箱内两单元二分频结构的馈给中低音单元或三单元三分频结构的馈给中音单元、并将输入音频电流按高、低音分开的电路和电路结构的分频器，它能在通带内提供更平直的响应，通带外提供比二阶120db滚降率更快的衰减特性，超过18db的滚降特性，使中低单元或中音单元与高音单元之间的干扰大幅减轻。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种分频器，包括主线圈L1和负载电阻R，所述主线圈L1并联电容C1，C1与L1构成并联谐振，在靠近主线圈L1处设有副线圈L2，该副线圈L2串接电容C2通地，L2C2构成串联谐振电路，在负载电阻R两端并联有电容C4，该负载电阻R串接L3、C3、R3构成的并联谐振网络。
所述负载电阻R两端并联有电容CX1和RX1滤波电路。所述负载电阻R两端并联有电容CX2和RX2滤波电路。
所述负载电阻R两端并联有电容CX3和RX3滤波电路。
本实用新型的有益效果是利用另置副线圈L2与相应的电容C2组成谐振电路，并参与主线圈L1耦合，以高Q值的谐振电路，仅通过部份频率信号的耦合来实现通带外的附加衰减，这样，通带内由数值较低的主线圈L1实现通路，通带外以主线圈L1与副线圈L2的电感磁耦合来实现高斜率的衰减，有效提高通频带宽度与衰减带陡峭度，并且附加的电路还压抑了LC电路通常固有的不均匀性性，使喇叭单元工作在非常良好的状态中；另外还在低音单元接地的回路中接了一个L3、C3、R3组成的谐振电路，这个谐振频率设定在衰减转折频率附近，当谐振时，它呈现的谐振阻抗较高，提高了低音单元冷端的电位，使流过低音单元的电流减少，又一次切除了阻带外的高频电流，帮助了提高衰减斜率陡峭度；同理，并联谐振电路也是基于同一目的，以上这几项谐振电路的谐振频率被均匀安排在欲衰减的频率上，也称参差调谐，参差调节可构成矩形的频响特性。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是现有二阶低通滤波电路图；图2是本实用新型所述低通滤波电路图3是本实用新型电路图；图4是本实用新型用于三单元三分频的中频电路图。
具体实施方式参见图2和图3，一种分频器，包括主线圈L1和负载电阻R，所述主线圈L1并联电容C1，C1与L1构成并联谐振，在靠近主线圈L1处设有副线圈L2，该副线圈L2串接电容C2通地，L2C2构成串联谐振电路，在负载电阻R两端并联有电容C4，该负载电阻R串接L3、C3、R3构成的并联谐振网络。
负载电阻R并不直接接地，而是串接了L3、C3、R3构成的并联谐振网络，它的谐振频率选在fd以高的频率上，工程设计上根据低音单元的特性不同，取4-5KHZ左右在fd以外加速衰减率，R3是控制L3、C3谐振Q值，使之有良好的转弯特性；主线圈L1并联了一只电容C1，它与L1构成并联谐振，它的谐振点选在10KHZ左右，在这个频率附近呈现很高的输入阻抗不让高频电流通过R；以上两项措施还不足以阻挡高音音频电流的通过，因为在工程上，图2的L1值比图1的L值要小30％左右，也就是图2电路的通带要比图1宽很多，同时通带过后的阻带特性更要陡峭很多才可达到设计目的，因此，本实用新型采用了增加一个L2副线圈，L2与主线圈L1靠近，还串接了一个电容C2通地，L2C2构成串联谐振电路，它谐振在人耳最高可听音频的频率20KHZ左右，谐振时呈现很低的阻抗，对地相当于短路，由于它靠近L1主线圈与其实现“磁耦合”，这个很低的阻抗被反射到主线圈L1去，吸收了很大的20KHZ附近的电流，这样衰减频率点以外的声音信号就比较彻底地阻挡在负载R之外了，它们共同的作用使其具有陡峭的斜率，工程中调节L2副线圈与主线圈L1的具体靠近位置(即耦合的松紧)也可调节吸收深度以达到设计目的；另外图2中C4是并联在R两端，工程上R实际就是低音单元，C4的并联会使其产生抑制正常声音的结果，C4的增大会使声音恶化。图1由于fd以高的频率信号电流是靠C4实现衰减的，所以C4不能减少。而图2则由于有几项新的措施衰减fd以高的信号电流，所以对C4的依赖大大减轻。C4可以减少50％左右，使放音质量提高。
权利要求1.一种分频器，包括主线圈L1和负载电阻R，其特征是所述主线圈L1并联电容C1，C1与L1构成并联谐振，在靠近主线圈L1处设有副线圈L2，该副线圈L2串接电容C2通地，L2C2构成串联谐振电路，在负载电阻R两端并联有电容C4，该负载电阻R串接L3、C3、R3构成的并联谐振网络。
2.根据权利要求1所述的一种分频器，其特征是所述负载电阻R两端并联有电容CX1和RX1滤波电路。
3.根据权利要求1-2所述的一种分频器，其特征是所述负载电阻R两端并联有电容CX2和RX2滤波电路。
4.根据权利要求1-2所述的一种分频器，其特征是所述负载电阻R两端并联有电容CX3和RX3滤波电路。
5.根据权利要求3所述的一种分频器，其特征是所述负载电阻R两端并联有电容CX3和RX3滤波电路。
专利摘要本实用新型涉及一种分频器，包括主线圈L
文档编号H04R3/12GK2886961SQ200620058310
公开日2007年4月4日 申请日期2006年4月28日 优先权日2006年4月28日
发明者刘铁 申请人:刘铁