专利名称：接触式影像撷取结构改良的利记博彩app
技术领域：
本实用新型是有关一种影像撷取结构，特别是有关一种扁平化且制程简便的接触式影像撷取结构改良。
背景技术：
按，现今指纹辨识器种类包括有光学扫描仪及电容式扫描仪，其中光学扫描仪是利用数千个电荷耦合器件组成的数组，取得手指上脊纹与沟纹的数字灰阶影像。而电容式扫瞄器是将数组上的数千个电容器充电到一个已知的值。手指的脊纹与沟纹会吸掉微量的电荷，这个量的大小取决于各个特征和某个特定电容器距离多远。电路系统会感测被吸掉的电荷，并由各个值计算出距离。软件会将距离的数组转换成指纹图。
而现今光学式扫瞄器的体积大小已发展无法再缩小的瓶颈，原因在于感测芯片是利用一镜座将光线折射或绕射使影像成像，并且成像尺寸必需配合影像成像的距离，使得影像无法1∶1呈现，而且此影像经由折射或绕射过程会造成影像会衰减及失真等缺陷，进而使此影像的分辨率无法提高。
有鉴于此，本实用新型是针对上述的问题，提出一种接触式影像撷取结构改良，以有效解决上述技术的困扰。
实用新型内容本实用新型的主要目的，是在提供一种接触式影像撷取结构改良，可使封装结构的体积可大幅的缩小。
本实用新型的另一目的，是在提供一种接触式影像撷取结构改良，由接触式感测方式，使光学式扫瞄器不需要透过镜座而达成显像，进而使感测影像可直接呈现。
根据本实用新型，一种接触式影像撷取结构改良，其是包括一基板，在该基板上设有电性连接的一电路层及一感测芯片，并在该感测芯片周围环设一框座，而该框座与该感测芯片之间形成一容置空间，在该容置空间内设置一斜面透明层；其特征在于，在该感测芯片利用镀膜方式设置至少一使该感测芯片不易损伤的保护层。
其中，该保护层的厚度为5至100微米。
其中，该感测芯片是利用打线方式或覆晶方式与该基板的该电路层形成电性连接。
其中，该透明层及该保护层是为非导电材质。
其中，该斜面透明层材质是为环氧树脂。
其中，该感测芯片是为电荷耦合组件及互补式金属氧化半导体其中的一种。
其中，该保护层上还可设置一滤光层。
其中，该滤光层可过滤红光线或紫外光线其中的一种。
其中，该框座周围外且位于该基板上还设有一辅助光源。
其中，该辅助光源为冷阴极萤光灯管或灯泡。
其中，该斜面透明层是利用压模方式设置在该容置空间内。
其中，该框座的透光率是为10％至30％之间。
本实用新型的接触式影像撷取结构改良，可使封装结构的体积可大幅的缩小；由接触式感测方式，使光学式扫瞄器不需要透过镜座而达成显像，进而使感测影像可直接呈现。
为进一步说明本发明的具体技术内容，以下由具体实施例配合附图详加说明，当更容易了解本实用新型的目的、技术内容、特点及其所达成的功效，其中图1为本实用新型的设置斜面透明层的剖面示意图。
图2为本实用新型的设置保护层的剖面示意图。
图3为本实用新型结构制作流程图。
具体实施方式
本实用新型是为一种接触式影像撷取结构改良，请参阅图1所示，此影像撷取结构包括一基板10，在基板10上设有一电路层12及一感测芯片14，此感测芯片14是用打线方式或覆晶方式与电路层12电性连接，其中感测芯片14是为电荷耦合组件(Charge-Coupled Device，CCD)及互补式金属氧化半导体(CMOS)其中的一种，而在感测芯片14周围环设一框座16，此框座16具透光性且其透光率是为10％至30％之间，且此框座16与感测芯片14之间形成一容置空间，在此容置空间内利用压模方式设置一斜面透明层18，此斜面透明层18的材质是为非导电材质的光学胶体，较佳者为环氧树脂类的高分子化合物。
请参阅图2所示，接着在感测芯片14表面上利用镀膜方式设置一保护层20，此保护层20的材质是为非导电材质且厚度是为5至100微米(um)之间，并且在此保护层20上还设一滤光层22，用以过滤红光线或紫外光线，如此即完成此影像撷取封装结构。此外也可在框座16周围外且位于基板10上还设有一辅助光源24，此辅助光源24为冷阴极萤光灯管或灯泡其中的一种，用以防止光线不足的情况发生。
另外此影像撷取结构在制作时也可采用二种制作方式，请参阅图3所示，其包括有步骤S10，将一具有复数个感测芯片14的晶圆镀上一保护层20，再将此晶圆切割为复数单一感测芯片14，即步骤S12，接着下一步骤S14，再将每一感测芯片14依上述封装方式完成影像撷取结构的制作。此外，第二种制程步骤首先为S16，将晶圆切割为复数单一感测芯片14，接着步骤S18将每一感测芯片14分别封装在具有复数框座16的模块内并进行镀膜，封装及镀膜完成后，将具有复数框座16的模块切割，即步骤S20。
本实用新型使用时，操作者可直接将手指放置在保护层20表面上，使此种影像撷取结构不需要透过镜座而达成显像，进而使感测影像可直接呈现，而且在封装结构体积上可大幅的缩小及扁平化。
惟以上所述的实施例仅为本实用新型的较佳实施例，由实施例说明本实用新型的特点，其目的在使熟习该技术者能了解本实用新型的内容并据以实施，并非用以局限本实用新型实施的范围。凡是运用本实用新型申请专利范围所述的构造、形状、特征及精神所为的均等变化及修饰，皆应包括于本实用新型申请专利的范围内。
权利要求1.一种接触式影像撷取结构改良，其是包括一基板，在该基板上设有电性连接的一电路层及一感测芯片，并在该感测芯片周围环设一框座，而该框座与该感测芯片之间形成一容置空间，在该容置空间内设置一斜面透明层；其特征在于，在该感测芯片利用镀膜方式设置至少一使该感测芯片不易损伤的保护层。
2.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该保护层的厚度为5至100微米。
3.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该感测芯片是利用打线方式或覆晶方式与该基板的该电路层形成电性连接。
4.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该透明层及该保护层是为非导电材质。
5.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该斜面透明层材质是为环氧树脂。
6.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该感测芯片是为电荷耦合组件及互补式金属氧化半导体其中的一种。
7.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该保护层上还可设置一滤光层。
8.如权利要求7项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该滤光层可过滤红光线或紫外光线其中的一种。
9.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该框座周围外且位于该基板上还设有一辅助光源。
10.如权利要求9项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该辅助光源为冷阴极萤光灯管或灯泡。
11.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该斜面透明层是利用压模方式设置在该容置空间内。
12.如权利要求1项所述的接触式影像撷取结构改良，其特征在于，其中，该框座的透光率是为10％至30％之间。
专利摘要本实用新型提供一种接触式影像撷取结构改良，其是包括一基板，在基板上设相连接的电路层及感测芯片，并在此感测芯片周围环设一框座，在感测芯片与框座之间形成一容置空间，在容置空间内设置一斜面透明层，其中在感测芯片表面上是以镀膜方式设置至少一保护层。本实用新型可使影像撷取结构体积大幅缩小，并且不需要透过镜座而达成显像，进而使感测影像可直接呈现。
文档编号H04N1/024GK2867752SQ20052014731
公开日2007年2月7日 申请日期2005年12月28日 优先权日2005年12月28日
发明者陈能钦 申请人:宜霖科技股份有限公司