专利名称：阴极射线管中控制电子束的波形发生器的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及阴极射线管(CRT)中控制电子束的波形发生器，具体涉及用于动态聚焦电压的抛物线发生器。
背景技术：
已知产生应用于阴极射线管(CRT)的聚焦电极的动态聚焦电压，用于在水平和垂直扫描期间当束路径(beam path)波长改变时，改变CRT的聚焦。例如，授予约翰·巴雷特·乔治、美国专利号No.6,300,731、题目为“动态聚焦电压幅值控制器”(DYNAMIC FOCUS VOLTAGEAMPLITUDE CONTROLLER)的专利中，描述了这样一个装置。其中，一个抛物线性的水平速率电压被施加到聚焦电压放大器。
由东芝公司出版的偏转处理器集成电路(IC)TA1317AN的数据表中描述了水平动态聚焦的抛物线波形的产生。选择抛物线波形的峰—峰值幅度，以使水平迹线中央的抛物线电平在不同的峰—峰值幅度选择下保持不变。而在迹线的末端，在不同的峰-峰值幅度的选择下，抛物线的峰值是不同的。
同样，在一个迹线结束和下一个迹线开始之间，在IC TA1317AN中产生寄生波形或不需要的波形部分。当应用于聚焦电压放大器时，发生于回扫期间的该寄生波形部分会在回扫期间之外发生的动态聚焦信号的一部分中(在水平扫描线的可见部分，接近迹线末端处)产生不需要的失真。可能需要的是消除寄生波形部分，而不干扰在迹线末端附近发生的动态聚焦电压部分。还可能需要的是，以保存调节抛物线波形峰到峰幅值能力的方式来进行上述操作。
在实施本发明的一个方面时，第一个第一抛物线波形通过电容器而容性地耦合接到响应于第一参考电压的第一个第一半导体开关，并形成箝位。此箝位在迹线末端产生由第一参考电压确定的具有峰值电平的第二抛物线波形。第一半导体开关的箝位操作导致电容器以提供电平偏移的方式充电。有利的是，在有选择地不同的第一抛物线波形的峰到峰幅值上，第二个第二抛物线波形的峰值保持相同。这样，电平偏移有利的保持了选择第二抛物线波形的不同峰到峰幅值的能力。第二半导体开关响应于周期开关控制信号和第二参考电压，在第二抛物线波形处替换了第一抛物线波形的不需要的波形部分，该第一抛物线波形的不需要的波形部分是在迹线末端和具有恒定电平的第二抛物线波形的紧随迹线的开始之间出现的。恒定电平由第二个第二参考电压决定确定。因此，有利地除去了不需要的波形部分。
发明内容
体现本发明特征的波形发生器包括一个周期输入校正信号源。一个第一半导体开关耦合到电容器并响应于第一参考电平处的信号，以便在所述电容器上产生一个使该周期输入校正信号的电平偏移的直流电压，该电容器上的该直流电压以根据第一参考电平确定的量而被电平偏移。第二半导体开关响应于该电平偏移的周期输入校正信号和周期开关控制信号，以便产生周期输出动态校正信号。该周期输出动态校正信号具有与偏转频率相关的频率和由第二半导体开关的操作来控制的波形部分。该波形部分出现在输出动态校正信号周期的一个相应部分期间。动态校正信号耦合到阴极射线管上，用于改变阴极射线管的电子束的波束正扫束路径中的场，以便提供动态校正。
附图1a是模块和示意图形式的简化示图，根据本发明的一个方面，尤其说明了动态聚焦和高电压相关的聚焦信号组合器，以及抛物线电压产生电路；附图1b是附图1a的动态聚焦和高电压相关的聚焦信号组合器部分的更具体的示图。
附图1c是根据本发明的另一个方面的附图1a的抛物线电压产生电路的可替换的实施例。
附图2是其中使用三个显像管的装置的简化等效示图。
具体实施例方式
在附图1a，总体上指定10代表电视机装置，它包括在右下角的阴极射线管(CRT)或显像管12，该显像管12包括屏幕12s、最高电压阳极或高电压(阳极)端子12U、聚焦端子12F、阴极12C。CRT12的阴极12C示为以视频源14的形式连接到图像信号源上。像在附图1a中注明的那样，CRT12可能是三个相似的CRT之一，例如，在投影电视装置中可能被用到。
附图1a的CRT12的最高电压阳极或高压端子12u由导线9连接到一个最高电压阳极或高压和聚焦电压源，如在模块49说明。模块49在附图1b中有更详尽的说明。在附图1b，与附图1a中相应的部件用相同的附图标记表示。附图1b的结构49包括通常指定为50的集成高电压/聚焦电压变压器/整流器装置，它们包括初级线圈50p，该线圈一端连接到稳压源(source of regulated)B+，另一端连接到水平输出晶体管，如模块218说明的，该模块是附图1a左上角偏转模块18的一部分。附图1b中变压器50还包括由指定为50s的次级部分组成所构成的分布次级绕组，以及位于次级部分的每一对之间的整流器或二极管，其中部分整流器或二极管被指定为52。变压器50中最主要的次级绕组50s通过串联电感器50i和另一整流器或二极管52的组合连接到高压导线9，高压从该导线连接到附图1a的最高电压阳极端子12u。附图1b中变压器50最次要的次级绕组50s通过串联电感器50i2和二极管52”的组合而接地。电阻器4R’代表位于抽头50上面的次级绕组52的分布阻抗，连接在变压器端9和抽头50t之间的电容器C’代表位于抽头50t上绕组的分布电容器。类似的，电阻器2R’代表位于变压器50的抽头50t下面的绕组52和电感器50i2的分布阻抗，并且电容器2C’代表分布电容。附图1b中变压器50的抽头50t通过聚焦电压电感器11连接到附图1a的聚焦控制26的输入端26i2。在附图1a的聚焦控制26内，变压器50的聚焦电压通过聚焦控制26指定为28的电压分压器连接到聚焦端12F。电压分压器28包括电阻器R101和电阻器R102，它们之间有抽头28t。抽头28t连接到CRT12的聚焦端12F上。聚焦控制26包括可能向其提供其他聚焦信号的输入端口26i1。
在附图1a中，在左上角说明的块16的偏转装置(Defl)在端口16i接收复合(COMP)视频信号或至少是独立同步信号。偏转装置16产生水平和垂直偏转信号，这两个信号一起示为在输出端16o产生，并由通道19应用于示为12W的偏转绕组，在现有技术中已知的是该偏转绕组与CRT12关联。偏转装置16还包括偏转处理器18，例如东芝TA1317An偏转处理器。偏转处理器18在输出端口18H产生水平动态聚焦信号，并在输出端口18V产生垂直动态聚焦信号。
动态聚焦组合电路和放大器总体上在附图1a指定为20，包括一个含有NPN晶体管Q5和Q6的差分放大器22，共发射级电阻器R10与基极电阻器R504和R505。来自偏转处理器18的端子18V的垂直动态聚焦信号通过AC-增益确定电阻器R301和dc阻塞电容器C301，而被施加到差分放大器22的第一输入端口22i1。包括R11和R12的电压分压器为差分放大器22的输入端口22i1提供偏置和附加的AC增益控制。偏转处理器18在端口18H产生的水平动态聚焦信号包括回扫抛物线，或与之关联。从水平动态聚焦信号中除去回扫抛物线，以便限制信号的带宽，这样紧接的转换速率限制电路就能充分响应。水平速率动态聚焦信号从偏转处理器18的输出端18H施加到回扫抛物线移除电路24的输入端口24i。通过回扫抛物线移除电路24，从水平动态聚焦信号中移除回扫抛物线，该回扫抛物线移除电路24包括晶体管Q201和Q202，二极管D201，D202和D203，电容器C201和C202，和电阻器R16，R201，R202，R203，R204和R205。
在附图1a中，包含发明特征的回扫抛物线移除电路24包括电阻器R16、电连接在输入端口24i和反相放大器晶体管Q401的基极之间的耦合电容器C201和电阻器R205的串联组合。在没有开关二极管Q201的情况下，水平速率动态聚焦信号将从输入端口24i连接到输出端口24o，在24i的信号的正峰值部分翻转到负峰值，并在端子24o箝位到接近地电位。水平回扫脉冲源24H通过并联的电阻器R204和电容器C202，将正向脉冲连接到发射级接地的NPN晶体管Q202的基极。晶体管Q202在水平迹线阶段不导通，而在水平回扫阶段导通。当在水平迹线阶段，晶体管Q202不导通时，晶体管Q201没有基极偏置，并且是不导通的。在水平回扫阶段，当晶体管Q202导通时，包括电阻器R202和R203的电压分压器为晶体管Q201的基极-发射极结提供前向偏置，结果晶体管Q201导通。晶体管Q201的发射极电流通过二极管D201流向+V1电源电压，所以晶体管Q201的发射极保持在比+V1电压源低一个半导体结电压降(一个VBE)，或比+V1电压源更负的电压值。晶体管Q201还饱和或达到一个小的集电极到发射极压降的状态，使得晶体管Q201的集电极，并因此反相晶体管Q401的基极电压在+V1源的一个VBE范围内上升。这样在电阻器R401有很少或没有电流流过，这是因为需要超过一个半导体结电压降(一个VBE)的电压来导通反相晶体管Q401。当晶体管Q401关闭，没有电流流过集电极电阻器R402，并且电阻器R202上的电压24o为零。因此，回扫抛物线移除电路24的输出电压24o被设置为一个固定的电压，在水平回扫时，不管提供给输入端口24i的水平动态聚焦信号的幅值，该固定的电压为地电位或非常接近地电位。二极管D202和电阻器R201一起形成电压分压器，该电压分压器为D201的正极提供低于+V1电压源或比+V1电压源更负的两(2)个二极管电压降(2VBE)的参考电压。这样，二极管D202和D203的负极比+V1低2VBE。二极管D203和电容器C201一起将水平动态聚焦波形的最大正值部分箝位到晶体管Q201的发射极电压。在水平回扫时，晶体管Q201的集电极电压固定。在电阻器R16和电容器C201的结端的电压，由于端24i的部分水平动态聚焦波形的不期望的回扫脉冲而下降。在水平回扫时，电阻器R205限制了流过电容器C201的电流，以阻止电容器C201上的电压变成一个与从峰值检测所产生的期望值无关的值。在水平迹线时，晶体管Q401的高输入阻抗防止了由于电阻器R205的信号衰减。在二极管D202和D203上的电压降彼此抵消，使得由于二极管VBE随温度的变化而导致的箝位输出信号的变化最小化。类似的，二极管201抵消了在晶体管Q401上的VBE压降，这样来自Q401的集电极电流在晶体管Q401基极处的波形的最大正值部分为零。这使得在电阻器R402上呈反相形式的波形的最大负值部分箝位到地，包括在水平回扫时由开关晶体管Q201除去的部分。如果水平动态聚焦波形幅度变化，例如通过偏转处理器IC18的总线控制，该箝位到地的动作保持了可预测的直流电压或DC。
附图1c说明了抛物线移除电路24’，它可以由附图1a中的抛物线移除电路24代替。在附图1a和附图1c中，相似的符号和数字代表相似的器件或功能。来自附图1a中偏转处理器集成电路18的输出端18H的水平动态聚焦电压波形包含在水平迹线时的期望的抛物线形的波形，以及在水平回扫时的不期望的抛物线形的波形。来自输出端18H的水平动态聚焦电压波形在附图1c的回扫移除电路24’的输入24i产生，通过电阻器R16’和C201’连接，串联连接到二极管D203’的正极，并且还连接到反相放大器晶体管Q401’的基极。二极管D203’的负极连接到电压参考电路500。
电路500包括一个由一对串联电阻器R06和R207形成的电压分压器。电阻器R206和R207之间的结端形成在晶体管Q203的基极，以提供负反馈。反馈导致集电极到发射极电压，晶体管Q203的Q203Vce，以根据增益关系来跟随晶体管Q203的基极到发射极电压Q203VbeQ203Vce/Q203Vbe＝(R206+R207)/R206。等式中符号Q203Vce和Q203Vbe代表相应项的值。电阻器R206和R207的值可以选为增益大于一的值。晶体管Q203的集电极电阻器R201’通过晶体管Q203、电阻器R206和R207或二极管D203为电流提供到地的回路。
电容器C201’和二极管D203’作为峰值检测器，使得在端24i的波形的初始周期期间，电容器C201’将充电，使得电容器C201’得到平均电压VC201’。结果，晶体管Q401’基极的波形的正峰值部分处于高于晶体管Q203的集电极电压的一个硅半导体结电压(Vbe)的电平处，该晶体管Q203的集电极电压是在电阻器R201’所产生的。晶体管Q203的集电极电压是低于9伏的电源电压V1，它是由Q203Vce的集电极到发射极电压的值在晶体管Q203的发射极产生的。晶体管Q401’的发射极电压将比Q401’的基极电压高1Vbe。
为防止晶体管Q401’和集电极电阻器R402’中的电流，电阻器R401’的电压必须接近零。这样，选择电阻器R207的值，以便集电极到发射极电压Q203Vce等于二极管D203’的电压与晶体管Q401’的导通阈值电压之和。该电压和比2Vbe略小，这是因为晶体管Q401’的基极到发射极的导通阈值电压比充分导通晶体管Q401’的值要小。
在端24o的电阻器R402’上的波形将显示为相对于端24i的翻转，反相峰值在地电位。如果端24i的波形幅度做出改变或调节，端24o显示的反相峰值将固定在地电位，并且相对于该参考地电位将改变正相幅值。
由于电路运行温度改变，晶体管Q203的电压也会改变，以致抵消或补偿了二极管D203’的电压变化和晶体管Q401’的基极到发射极电压的变化，这样端24o的反相峰值地电位箝位就保持在地电位的1伏的范围内。在水平回扫时，通过源24H’处的正水平回扫脉冲，使得开关晶体管Q202导通。电阻器R204’限制了在该脉冲期间的到晶体管Q202’的基极电流，电容器C202’有助于快速地从回扫脉冲结束时的饱和导通状态到截止晶体管Q202’的状态。在回扫脉冲期间，来自晶体管Q401’的电流(是从晶体管Q401’的工作中产生，使得不需要的回扫抛物线翻转)通过晶体管Q202’转向地，这样在输出端24o就可以维持地电压。晶体管Q401’将电路24’的包括二极管D203’和电容器C201’的峰值探测和电路24’的箝位部分与包括晶体管Q202’的抛物线移除部分隔离，这样，有利的是，电容器C201’的电压就不受晶体管Q202’工作的影响。
在附图1a的回扫抛物线移除电路24的输出端24o，产生回扫抛物线被移除的水平动态聚焦信号，该信号被提供给包括PNP晶体管Q401和电阻器R401和R402的反相放大器的基极。放大的水平动态聚焦信号(回扫抛物线已移除)容性地通过AC增益确定电阻器R17和电容器C24和电容器C401的串-并联组合，从晶体管Q401的集电极连接到差分放大器22的第二输入端口22i2。差分放大器22从两个与垂直和水平动态聚焦信号的组合相关的晶体管中产生集电极电流。晶体管Q6的集电极的电流在没有任何效应的情况下，流向直流电源V1。晶体管Q5的集电极的电流代表了期望的组合动态聚焦信号。
在附图1a中通常指定17代表“动态聚焦放大器”，它包括差分放大器22，指定为模块25的Q1保护电路，Q1偏置检测电路32，反馈元件R2和C504，直流(DC)增益确定电阻器R5，R11和R12，垂直增益确定元件R301，C301，R11和R12，水平增益确定元件C401，C24和R17，和电涌限制电阻器R503和R25，这些都将在下面加以讨论。端17o是动态聚焦放大器17的输出端口。
附图1a的晶体管Q20是以共射方式与差分放大器22的晶体管Q5连接，并且低值电涌保护电阻器R506布置在它们之间。晶体管Q20是一个具有低电流增益和高电压增益的高压晶体管。晶体管Q20的基极通过电涌保护电阻器R25连接到直流电压源V1，这样晶体管Q20的发射极就不可能高于电压V1。该布置使得在晶体管Q5的集电极维持恒定电压，这样集电极就没有电压变化，该集电极可通过集电极到基极的“米勒”电容器连接，以在更高的频率下作为负反馈，以便晶体管Q5维持宽的带宽。
附图1a的晶体管Q1和Q20和它们的辅助元件一起构成了高压动态聚焦信号放大器17的一部分，用于放大组合动态聚焦信号。动态聚焦信号放大器17的负载主要是容性的，并且等于由放大的动态聚焦信号驱动的CRT中CT1、Cwire和电容器C602的并联组合。该并联电容器通过晶体管Q1充电，并通过晶体管Q20放电。在附图1a，NPN晶体管Q1的集电极通过二极管D501连接到接收电源电压V2，它的发射极通过电阻器R501和齐纳二极管D4连接到晶体管Q20的集电极。晶体管Q1的基极通过导线60连接到晶体管Q20的集电极。晶体管Q1的基极还通过电阻器R502连接到电容器C501和二极管D502的负极的连接处。电容器C501的另一端和齐纳二极管D503的负极连接到Q1偏置检测器32的输出端17o。与电容器C504并联的电阻器R2从接近输出端17o的位置向差分放大器22的输入端22i2提供负反馈。
在附图1a的动态聚焦信号放大器17中，晶体管Q5的集电极电流通过晶体管Q20的发射极到集电极路径，二极管D4，电容器C501，和二极管D502连接到动态聚焦放大器17的输出17o。由于从晶体管Q20到输出端17o的电流，电容器C501充电。充电一直持续到齐纳击穿或达到齐纳二极管D503的击穿电压，在该充电时间之后D503工作，以便保持电容器C501的电压恒定并且等于齐纳电压。Q20的集电极电流的一小部分流过电阻器R502。在晶体管Q20的集电极电流流过时，晶体管Q1维持OFF或不导通状态，这是因为齐纳二极管D4的电压降将晶体管Q1的基极-发射极结反相偏置。
当附图1a的晶体管Q20的集电极电流在动态聚焦信号放大器17的部分工作周期期间减小到零时，通过电容器C501的放电，晶体管Q1导通或提供导通，该电容器C501的放电是通过电阻器R502、基极-发射极结晶体管Q1、电阻器R501而回到电容器C501进行的。当Q1导通时，大量的Q1电流趋向于通过二极管D501、晶体管Q1的集电极到发射极路径、电阻器R501和前向偏置二极管D503从电源V2流向放大器输出端17o。产生于发射极电阻器R501的反馈电压防止了晶体管Q1的过电流损害，它将集电极电流限制在通过发射极电阻器R501的由二极管D4的齐纳电压(减去一个基极-发射极结电压)确定的值，这样当达到齐纳电压时，Q1工作在恒定电流。电容器C501储存了足够的电荷，以保持在整个放大器周期部分期间Q20截止时Q1导通，并且在Q1的集电极到发射极电压是低的时候还保持Q1导通。这就允许最大正放大器电压，以便非常接近电源V2的电压。连接在正的电源V2和输出端17o之间的电阻器R1，在开始时为电容器C501预充电，这样可以开始周期的AC泵送操作(pumping opertion)。与电阻器R502连接的二极管D501倾向于在高压或最高电压阳极端12U和聚焦端12F之间的显像管12的内部电弧发生时，保护晶体管Q1不受通过它的集电极到基极结的过电流的损害。
附图1a的放大器17可以认为是高压运算放大器，至少从它的输出端17o方面来看是这样。在此运算放大器中，电阻器R2和电容器C504从输出到输入提供反馈，并且电阻器R5，R11，和R12设置直流(DC)工作点。电阻器R17和电容器C24为水平速率动态聚焦信号设置动态或AC增益，而电阻器R301，R11和R12与电容器C301一起为垂直速率动态聚焦信号设置动态或AC增益。
产生于附图1a中Q1偏置探测器32的输出端口17o的放大组合垂直和水平动态偏置信号，可以看作是由低阻抗源产生的。该信号通过电涌限制电阻器R503从端口17o施加到束电流载荷传感聚焦跟踪电路34(“组合”电路34)的第一输入端口34i1上。第二输入端口34i2连接到显像管12的最高电压阳极端12U，用于接收该最高电压。束电流载荷传感聚焦跟踪或组合电路34的第二输出端口34o连接到聚焦控制模块26的输入端口26i1，并可能连接到与其他显像管相关的而不是与显像管12相关的聚焦控制，这些一起在模块36中示出。按照本发明的一个方面，通过允许高电压响应于束电流而变化来调节高电压源，可以节省成本。这样，就没有调节高电压源49。
如附图1a中的说明，电阻器R601与电容器C601并联，并且R601和C601的并联组合的一端连接到组合电路34的输入端口34i1的一端，R601和C601的并联组合的另一端连接到组合电路34的输出端口34o。组合电路34还包含电阻器R602和电容器C602的串联组合，该串联组合的一端连接到第二输入端口34i2，而串联组合的另一端连接到输出端口34o。
附图1a的束电流载荷聚焦传感跟踪电路34可以看作频率敏感组合器，它将应用于其第一输入端34i1的组合的垂直和水平动态聚焦信号和应用于其第二输入端34i2的高压元件相组合。产生的组合信号应用于聚焦控制模块26的输入端口26i1，用于聚焦电压的“静态”元件组合。
附图1a的聚焦控制26和束电流载荷传感聚焦跟踪电路34可以用具有以下值的元件制作。
R101 50 兆欧姆R102 80 兆欧姆R601 5.6 兆欧姆R602 940 千欧姆C101 1000微微法拉C601 470 微微法拉C602 2100微微法拉导线杂散电容器指定为Cwire，有10皮法的值，单显像管的聚焦电极的电容器CT1，如显像管12，大约25皮法。Q1偏置探测器32的输出阻抗和R503的阻抗因为比起影响结果的其他值来讲太小而被忽略。本领域的技术人员将会理解的是，连接在第二输入端口34i2和组合电路34的输出端34o之间的串联电容器C602只允许将被连接到输出端口34o的高压变化或改变(“下降”)。类似的，连接在聚焦控制模块26的输入端口26i1和电压分压器28的抽头28t之间的电容器C101的存在，防止了直流信号元件连接到抽头28t。电容器C101和R101和R102的并联组合组成了一个有大约5赫兹截止频率或中断频率的高通滤波器。
附图2是根据本发明一个方面的电视或视频显示设备的简化等效电路或示意图，其中红、绿和蓝阴极射线管或显像管被用于显示器。该红、绿和蓝显像管分别在模块12R，12G和12B中说明，它们的最高电压阳极端子分别记为12UR，12UG和12UB，它们的聚焦端子分别记为12FR，12FG和12FB。在附图2中相应于附图1中的那些元件用相同的参考数字表示。元件R101，R102和C101用附加字母R，G或B来分别标识与红、绿和蓝阴极射线管显示器相应的元件。在附图2，源V_DF代表应用于组合34的第一输入端口34i1的组合的垂直和水平动态聚焦信号源。
附图2的源V_HV代表高电压源或最高电压阳极电压源。电压源V_HV包括与初级绕组250p集成的变压器250。初级绕组250p的一端连接到调节源B+，另一端连接到代表开关水平输出晶体管的模块。变压器250还包括含有多个绕组的分布次级绕组，每个都指定为250s。变压器250的分布次级绕组一端接地。一组二极管(其中部分二极管表示为252)被布置在绕组次级部分250s之间，将产生于输出导线上(表示为209)的高电压进行整流。在变压器250的抽头250t产生“静态”聚焦电压。在本发明的一个实施例，抽头250t是相对于最高电压阳极电压的1/3抽头，这样在抽头250t产生的静态聚焦电压大约是在导线209上产生的高压的1/3，并保持在最高电压阳极电压的一个固定的百分比。
高电压或最高电压阳极电压V_HV通过导线209连接到组合电路34的端34i2，并分别连接到附图2的红、绿和蓝的显像管12R，12G和12B的最高电压阳极连接处12UR，12UG和12UB，这样组合器34和所有的阴极射线管都共用地从最高电压阳极电压源V_HV馈入。静态聚焦电压通过示为211的导线从抽头250，分别通过电阻电压分压器126R，126G和126B连接到红、绿和蓝聚焦端12FR，12FG和12FB。分压器126R包括串联电阻器R101R和分流电阻器R102R，它们之间有抽头126Rt。抽头126Rt连接到红显像管聚焦端12FR。电阻器R101R有50兆欧姆的阻值，电阻器R102R有80兆欧姆的阻值。类似的，分压器126G包括串联电阻器R101G和分流电阻器，它们之间有抽头126Gt。抽头126Gt连接到绿显像管聚焦端12FG。电阻器R101G有50兆欧姆的阻值，电阻器R102G有80兆欧姆的阻值。同样，分压器126B包括串联电阻器R101B和分流电阻器R102B，它们之间有抽头126Bt。抽头126Bt连接到蓝显像管聚焦端12FB。电阻器R101B有50兆欧姆的阻值，电阻器R102B有80兆欧姆的阻值。这样，每个红、绿和蓝显像管的聚焦端12FR，12FG和12FB“看到”它的静态聚焦电压，因为从大约30兆欧的阻抗处得到电源，就像附图1a中的布置一样。
附图2的组合器34的输出端34o通过分别连接电容器C101R，C101G和C101B而分别连接到每个红、绿和蓝聚焦端12FR，12FG和12FB。每一个电容器C101R，C101G和C101B都有1000pF的值。红、绿和蓝显像管的电容器分别指定为CT1R，CT1G和CT1B。
权利要求
1.一种波形发生器，包括周期输入校正信号源；电容器；第一半导体开关，耦合到所述电容器并响应于第一参考电平处的信号，以便在所述电容器上产生一个直流电压，该直流电压以根据所述第一参考电平确定的量来使得所述周期输入校正信号的电平偏移；周期开关控制信号源；和第二半导体开关，它响应于所述电平偏移的周期输入校正信号和所述周期开关控制信号，以产生周期输出动态校正信号，该周期输出动态校正信号其有与偏转频率相关的频率和由所述第二半导体开关的操作来控制的波形部分，所述波形部分出现在所述输出动态校正信号周期的一个相应部分期间，所述动态校正信号耦合到阴极射线管，用于改变所述阴极射线管的电子束的电子束通路路径中的场，以便提供动态校正。
2.根据权利要求1的波形发生器，其中所述第一半导体开关在依照所述第一参考电平确定的电平上建立所述动态输出校正信号的峰值电平。
3.根据权利要求2的波形发生器，其中所述动态输出校正信号的所述波形部分，是在所述动态输出校正信号的一个的迹线部分结束和一个紧接的迹线部分的开始之间发生。
4.根据权利要求1的波形发生器，其中所述第二半导体开关从所述动态校正信号中移除回扫时产生的所述周期输入校正信号的寄生部分。
5.根据权利要求1的波形发生器，其中所述第一半导体开关依照所述第一参考电平，将发生在迹线结束时的所述动态输出校正信号的峰值电平箝位到恒定电平。
6.根据权利要求5的波形发生器，其中所述动态输出校正信号的峰到峰幅值是可选的，并且其中所述动态校正信号的所述迹线部分的尾端被箝位到所述恒定电平，该恒定电平对于所述峰到峰幅值的不同选择是相同的。
7.根据权利要求1的波形发生器，其中所述动态输出校正信号在迹线期间以抛物线的方式变化。
8.根据权利要求1的波形发生器，其中所述第一半导体开关不包括晶体管。
9.根据权利要求1的波形发生器，其中所述第一半导体开关包括峰值整流器，所述第二半导体开关包括响应于回扫间隔指示信号的晶体管。
10.一种用于提供动态校正的波形发生器，包括电容器；一个具有与偏转频率相关的频率的周期输入信号源，它耦合到所述电容器第一端子；第一半导体开关，它响应于第一参考电平处的信号，并且耦合到所述电容器的第二端子，用于周期性地箝位在所述第二端子处产生的信号的峰值电平；周期开关控制信号源；和第二半导体开关，它响应于在第二参考电平处的信号和所述周期开关控制信号，以便周期性箝位根据所述第二参考电平在所述的第二端子处产生的所述信号，产生于所述第二端子处的所述信号被耦合到阴极射线管，用于改变所述阴极射线管的电子束的束路径中的场，以便提供动态校正。
11.根据权利要求10的波形发生器，其中所述第二半导体开关从在所述第二端子上产生的所述信号中移除出现在回扫期间的所述周期输入信号的寄生部分。
12.一种波形产生器，包括周期输入校正信号源；电容器；第一半导体开关，它耦合到所述电容器并响应于参考电平处的信号，以便在所述电容器上产生一个直流电压，该直流电压以根据所述第一参考电平确定的量来使得所述周期输入校正信号的电平偏移；放大器，具有响应于所述电平偏移的输入校正信号的输入端，用于将所述电平偏移的输入校正信号施加到所述放大器的输出端；周期开关控制信号源；和第二半导体开关，它响应于所述周期开关控制信号和所述电平偏移的输入校正信号，并且连到耦合到将所述第二半导体开关与所述电容器隔离开的所述放大器的所述输出端，以便产生周期输出动态校正信号，该周期输出动态校正信号具有第一部分，该第一部分在所述输入校正信号周期的第一部分期间根据所述周期输入校正信号而被控制；还具有第二部分，该第二部分在所述输入校正信号周期的第二部分期间根据所述第二半导体开关的操作而被控制，所述动态校正信号连到耦合到阴极射线管用于改变所述阴极射线管的电子束的波束正扫束路径中的场，以便提供动态校正。
全文摘要
一种用于提供动态校正的抛物线发生器，包括抛物线输入信号(18H)的电容器(C201)源，它以与水平偏转频率相关的频率耦合到电容器(C201)(Fig.1C)第一端子。二极管开关(D203)耦合到参考电平的电压和电容器(C201)的第二端子，以周期性地箝位在第二端子所产生信号的峰值电压。晶体管开关(Q401)响应于周期开关控制信号并且连接到电容器(C201)的第二端子，用于周期性的箝位来自回扫期间的第二端子所施加的信号，用于移除寄生抛物线电压部分，以产生动态校正信号。该动态校正信号耦合到阴极射线管，用于改变阴极射线管的电子束的波束正扫束路径中的场，以便提供动态校正。
文档编号H04N3/26GK1650390SQ03808747
公开日2005年8月3日 申请日期2003年4月21日 优先权日2002年4月19日
发明者J·B·乔治 申请人:汤姆森许可公司