专利名称：偏转线圈的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及电视接收机和显示装置等采用彩色显像管的图像显示装置中所用的偏转线圈，尤其涉及对会聚误差进行校正的结构。
该自会聚方式的偏转线圈，一般是由上下一对水平偏转线圈和左右一对垂直偏转线圈构成，利用这些偏转线圈来形成枕形的水平偏转磁场和桶形的垂直偏转磁场，获得良好的会聚特性。
但是，实际大量生产的偏转线圈，由于偏转线圈的特性偏差等而产生会聚误差，所以把磁片粘贴到偏转线圈的适当位置上或者利用安装的校正电路来改变磁场，以此来校正该会聚误差。
图14(a)、图14(b)表示因垂直偏转磁场的偏差而产生的代表性会聚误差。
图14(a)表示所谓“Y轴的R(红)左倾倒”的会聚误差图形；并且，图14(b)表示所谓“Y轴的R(红)右倾倒”会聚误差图形。图中的实线表示R(红)的纵线的亮线；虚线表示B(兰)的纵线的亮线。
通常，这些会聚误差总称为YH交叉会聚误差。
为校正该YH交叉会聚误差而用的、过去的校正电路的一例示于图10。在该图中，在垂直偏转电路156的输出上串联连接了一对垂直偏转线圈112、113和校正电路115。
校正电路115是将串联连接第1、第2磁场校正线圈101、102，在该接点P上通过电阻器111而连接了3端子可变电阻器20的可动端子T1的电路。而且，使电子束向画面上侧偏转的情况下的垂直偏转电流的方向用实线的箭头S1表示；向画面下侧偏转的情况下的垂直偏转电流的方向用虚线的箭头S2表示。
在图16中表示安装了该校正电路115的偏转线圈。
磁场校正线圈101缠绕在U字形铁心114A上，如图16所示布置在偏转线圈颈部151c的水平轴(X轴)的上侧的Y轴上。
另一方面，磁场校正线圈102和磁场校正线圈101一样，被缠绕在U字形铁心114B上，在上述X轴的下侧的Y轴上布置成与铁心114A相对置。
在该结构中，使可变电阻器20的阻值变化，对YH交叉会聚误差进行校正。
因此，利用磁场校正线圈101、102来发生枕形磁场，向G(绿)提供加比R(红)和B(兰)束强的垂直偏转力，这样，对VCR变窄会聚误差进行校正。以下利用图10～图13来说明该校正。
图11～图13是从屏侧观看的概要断面图，其位置是在把图16所示的过去的偏转线圈安装在CRT54的颈部上的状态下布置了铁心114A，114B。图11(a)～图13(a)表示向画面的上侧偏转时；图11(b)～图13(b)表示向画面下侧偏转时。
图11(a)和图11(b)表示在3端子可变电阻器20的可动端子T1位于中心的情况下，电子束向画面上侧和下侧偏转时，磁场校正线圈101、102所产生的磁场M1、M2、以及因此使电子束受到的力及其方向。
图12(a)和图12(b)表示使3端子可变电阻器20的可动端子T1离开中心向图10的上方向(箭头16)移动的情况下的、电子束向画面上侧和下侧偏转时磁场校正线圈101、102所产生的磁场M1、M2、和因此使电子束受到的力及其方向。
图13(a)和图13(b)表示使3端子可变电阻器20的可动端子T1离开中心向图10的下方向(箭头17)移动的情况下的、电子束向画面上侧和下侧偏转时磁场校正线圈101、102所产生的磁场M1、M2、和因此使电子束受到的力及其方向。
在图11～图13中，磁场M1、M2的强度，为便于理解，分别用虚线和实线来表示其强弱程度，划分成2级标准。
在3端子可变电阻器20的可动端子T1位于中心的情况下，偏转电流无论向箭头S1、S2中的哪一方向流动，也都是第1、第2磁场校正线圈101、102内流过的电流相等。
所以，产生图11(a)、图11(b)所示的上下对称的枕形磁场M1、M2。
该磁场M1、M2把X方向的反向力分别加到R、B电子束上，这些力，强度相同，互相抵消，所以，R、B的电子束在X轴方向上没有变化。
因此，不进行YH交叉会聚误差校正，对中央的G电子束施加比R、B电子束强的Y轴方向的力，所以VCR变窄会聚误差被校正。
然后，当使3端子可变电阻器20的可动端子T1向图10的箭头16方向移动时，流入到第1磁场校正线圈101中的电流要比流入到第2磁场校正线圈102内的电流小。
所以，在此情况下的磁场，第1磁场校正线圈101侧的磁场M1变弱，成为图12(a)、图12(b)所示的上下非对称枕形磁场。
并且，在向画面上侧偏转时(参见图12(a))，各电子束向Y轴正方向偏转，同时R电子束向X轴的正方向(图的右方向)偏转，B电子束向X轴的负方向(图的左方向)偏转。
并且，在向画面下侧偏转时(参见图12(b))，各电子束向Y轴的负方向偏转，同时，R电子束向X轴的负方向偏转；B电子束向X轴的正方向偏转。
所以，利用这些偏转能校正图14(a)所示的R(红)左倾倒会聚误差。
但是，流入到第1磁场校正线圈101内的电流减小，所以出现的问题是上述枕形磁场变弱，产生图15(a)所示的显著的VCR变窄会聚误差。
另一方面，当使3端子可变电阻器20的可动端子T1向图10的箭头17方向移动时，流入到第2磁场校正线圈102内的电流要比流入到第1磁场校正线圈101的电流小。
所以，在此情况下的磁场，第2磁场校正线圈102侧的磁场M2变弱，成为图13(a)、图13(b)所示的上下非对称的枕形磁场。
然后，当向画面上侧偏转时(参见图13(a))，各电子束向Y轴的正方向偏转，同时R电子束向X轴的负方向(图的左方向)偏转；B电子束向X轴的正方向(图的右方向)偏转。
并且，当向画面下侧偏转时(参见图13(b))，各电子束向Y轴的负方向偏转，同时R电子束向X轴的正方向偏转；B电子束向X轴的负方向偏转。
所以，利用这些偏转，能校正图14(b)所示的R(红)右倾倒会聚误差。
但是，由于流入到第2磁场校正线圈102内的电流减小，所以，在此情况下，也出现这样的问题，即上述枕形磁场变弱，产生图15(a)所示的显著的VCR变窄会聚误差。
包括该VCR变窄会聚误差、以及图15(b)所示的G(绿)相对于R(红)和B(兰)向外侧偏移的VCR变宽会聚误差在内的VCR会聚误差，其偏移量希望在画面上部尽可能控制在土0.030mm以内。
如上所述，在图10所示的现有的电路中，通过移动3端子可变电阻器20的可动端子T1，能校正YH交叉会聚误差，同时，流入到磁场校正线圈101或磁场校正线圈102内的电流减小，枕形磁场变弱，所以出现的问题是VCR会聚误差校正量减小，其结果，发生的VCR变窄会聚误差很大，远远超过土0.030mm。
因此，本发明所要解决的问题是提供不发生VCR变窄会聚误差，能校 YH交叉会聚误差的偏转线圈。
为了解决上述问题，本发明作为解决问题的方法具有以下结构。即技术方案1的偏转线圈，具有圆筒状径部(51c)、和一对垂直偏转线圈(12，13)，其特征在于具有第1和第2铁心(14A、14B)，被布置成夹持上述颈部，并互相对置的状态；以及会聚校正电路(15A、15B、15C)，与上述垂直偏转线圈相连接，上述会聚校正电路具有第1～第4磁场校正线圈(1～4)；以及3端子可变电阻器(20)，其具有2个固定端子(T2、T3)和1个可动端子(T1)，上述第1磁场校正线圈(1)和上述第2磁场校正线圈(2)，互相串联连接，形成第1串联电路，上述第3磁场校正线圈(3)和上述第4磁场校正线圈(4)，分别与上述2个固定端子(T2、T3)进行串联连接，形成第2串联电路，上述第1串联电路与上述垂直偏转线圈(12、13)串联连接，上述第1串联电路和上述第2串联电路，并联进行连接，使上述第1磁场校正线圈(1)和上述第4磁场校正线圈(4)进行连接，上述可动端子(T1)被连接到上述第1磁场校正线圈(1)和上述第2磁场校正线圈(2)的连接点(P)上，上述第1和第3磁场校正线圈(1、3)缠绕到第1铁心(14A)上。
上述第2和第4磁场校正线圈(2、4)缠绕到第2铁心(14B)上。
技术方案2是技术方案1所述的偏转线圈，其特征在于上述会聚校正电路(15A、15C)具有连接在上述可动端子(T1)和上述连接点(P)之间的第1固定电阻器(11)。
技术方案3是技术方案1或2所述的偏转线圈，其特征在于上述会聚校正电路(15B、15C)具有分别串联连接在上述第3和第4磁场校正线圈(3、4)上的第2固定电阻器(5、6)。
技术方案4是技术方案1～3中的任一项所述的偏转线圈，其特征在于上述第3磁场校正线圈(1)的匝数对上述第1磁场校正线圈(3)的匝数的比率(RT1)、以及上述第4磁场校正线圈(2)的匝数对上述第2磁场校正线圈(4)的匝数的比率(RT2)均为0.5以上，而且1.5以下。
图2是表示本发明的偏转线圈的另一实施方式中的电路的电路图。
图3是表示本发明的偏转线圈的另一实施方式中的电路的电路图。
图4是表示本发明的偏转线圈的实施方式中的概要透视图。
图5是表示本发明的偏转线圈的另一实施方式中的概要透视图。
图6是表示本发明的偏转线圈的实施方式中的线匝比和校正量的变化的关系的曲线图。
图7是表示本发明的偏转线圈的实施方式中可动端子在第1位置的作用的概要断面图。
图8是表示本发明的偏转线圈的实施方式中可动端子在第2位置的作用的概要断面图。
图9是表示本发明的偏转线圈的实施方式中可动端子在第3位置的作用的概要断面图。
图10是表示以往的偏转线圈的电路之一例的电路图。
图11是表示以往的偏转线圈中的作用的概要断面图。
图12是表示以往的偏转线圈中的作用的概要断面图。
图13是表示以往的偏转线圈中的作用的概要断面图。
图14是说明YH交叉会聚误差的图。
图15是说明VCR会聚误差的图。
图16是表示过去的偏转线圈之一例的概要透视图。
图1是表示本发明的偏转线圈的实施方式的电路的电路图。
图2是表示本发明的偏转线圈的另一实施方式的电路的电路图。
图3是表示本发明的偏转线圈的另一实施方式的电路的电路图。
图4是表示本发明的偏转线圈的实施方式的概要透视图。
图5是表示本发明的偏转线圈的另一实施方式的电路的电路图。
图6是表示本发明的偏转线圈的实施方式中的绕线比和校正量的变化的关系的曲线图。
图7是表示本发明的偏转线圈的实施方式中的可动端子在第1位置的作用的概要断面图。
图8是表示本发明的偏转线圈的实施方式中的可动端子在第2位置的作用的概要断面图。
图9是表示本发明的偏转线圈的实施方式中的可动端子在第3位置的作用的概要断面图。
图14是说明YH交叉会聚误差的图。
图15是说明VCR会聚误差的图。
首先，利用图1，详细说明本发明的实施方式中的电路。
在垂直偏转电路56的输出上串联连接一对垂直偏转线圈12、13和校正电路15A。
该校正电路15A的结构是把串联连接的第1磁场校正线圈1和第2磁场校正线圈2和串联连接的第4磁场校正线圈4、3端子可变电阻器20的固定端子T2、T3和第3的磁场校正线圈3，作为连接第1磁场校正线圈1和第4磁场校正线圈4的并联电路，把3端子可变电阻器20的可动端子T1通过电阻器11连接到第1、第2磁场校正线圈1、2的连接点P上。
在该图1中，对使电子束向画面上侧偏转的情况下的垂直偏转电流的方向用实线的箭头S1表示；并且，对向画面下侧偏转的情况下的垂直偏转电流的方向用虚线的箭头S2表示。
以下利用图4，详细说明安装了该校正电路15A的本发明的偏转线圈的概要。
在图4中，偏转线圈，例如通过对一对半圆环形分离骨架51进行组合，形成大致的漏斗状，其一头是大径侧，另一头是小径侧，两头上分别具有法兰盘51a、51b。
在分离骨架51的内侧上安装马鞍形水平偏转线圈(未图示)；在外侧上安装马鞍形的垂直偏转线圈12、13(未图示)。
在垂直偏转线圈12、13的外侧，安装由铁氧体形成的铁心(未图示)，再者，在其外侧上，在分离骨架51的基板安装臂51d上安装了其上装有垂直偏转线圈56、3端子可变电阻器20和电阻器11的电路基板53。
而且，分离骨架51通常由变性聚苯醚(变性PPE)、聚丙烯(PP)等热塑性树脂构成。
在小径侧的法兰盘51b的中央部分上，形成一种由多个舌片构成的圆筒状颈部51c并使其与法兰盘51b形成一个整体，在未图示的CRT54的管轴(Z轴)方向上向外突出。
该偏转线圈称为马鞍、马鞍(SS)型线图，其概要结构如上所述。
并且，通过用嵌合在颈部51c上的带箍(未图示)进行紧固，把偏转线圈安装到CRT54的颈部上。
以下详细说明颈部51c附近的详细情况。
在小径侧法兰盘51b的颈部51c一侧的表面附近，安装一对铁心14A、14B，并使其在偏转线圈的上下方向(Y轴方向)上互相对置，并把颈部51c夹在其间。该安装采用法兰盘51b上所配备的安装装置(未图示)，但也可采用其他装置来进行安装。
该铁心14A、14B形成U字形状，其一对脚部14Ac、14Bc从基体部14Ab、14Bb的两端向基体部的直线方向延伸，它利用厚度0.5mm的硅钢片冲压件形成。
在一个铁心14Ab的基体部14Ab上缠绕第1磁场校正线圈1，其上边再缠绕第3磁场校正线圈3。
在另一个铁心14B的基体部14Bb上，缠绕第2磁场校正线圈2，其上边再缠绕第4磁场校正线圈4。
第1磁场校正线圈1和第3磁场校正线圈3缠绕成互相产生同方向的磁场，同样，第2磁场校正线圈和第4磁场校正线圈缠绕成互相产生同方向的磁场。
在铁心14A、14B上缠绕的顺序，也可以先缠绕第3、第4磁场校正线圈3、4。并且，也可以同时缠绕第1、第3磁场校正线圈1、3，同样，也可以同时缠绕第2、第4磁场校正线圈2、4。
各个线圈的末端引出线通过端子55而连接到电路基板53的电路上。
以下利用图1和图7～图9，详细说明该构成中的校正电路15A的作用。
图7是从屏一侧观看的概要断面图，观看的位置是在把实施方式的偏转线圈安装到CRT54的颈部的状态下布置了铁心14A、14B的位置，图7(a)～图9(a)表示向画面上侧偏转时；图7(b)～图9(b)表示向画面下侧偏转时。
图7(a)和图7)(b)表示，在3端子可变电阻器20可动端子T1位于中心的情况下，电子束向画面上侧和下侧偏转时第1～第4磁场校正线圈1～4所产生的磁场M1、M2、以及因此使电子束承受的力以及其方向。
图8(a)和图8(b)表示，使3端子可变电阻器20的可动端子T1从中心向图1中的上方向(箭头16)移动的情况下，电子束向画面上侧和下侧偏转时第1～第4磁场校正线圈1～4所产生的磁场M1、M2、以及因此使电子束承受的力及其方向。
图9(a)和图9(b)表示，使3端子可变电阻器20的可动端子T1从中心向图1中的下方向(箭头17)移动的情况下，电子束向画面上侧和下侧偏转时第1～第4磁场校正线圈1～4所产生的磁场、以及因此使电子束承受的力及其方向。
在图7～图9中，磁场M1、M2的强度，为了便于理解，划分成弱、标准、强这3个级别，分别用虚线、实线、粗线表示。
在3端子可变电阻器20的可动端子T1位于中心的情况下，偏转电流无论是向箭头S1、S2中的那一方向流动，也都是流入到第1、第2磁场校正线圈1、2中的电流相等。
所以，产生如图7(a)、图7(b)所示的上下对称的枕形磁场M1、M2。
该磁场M1、M2，例如在图7(a)所示的向画面上侧偏转时，磁场M1向R电子束施加X轴的负方向的力，磁场M2施加正方向的力。磁场M1向B电子束施加X轴的正方向的力，磁场M2施加负方向的力。
然后，施加到各个电子束上的这些X轴方向的力，强度相同，互相抵消，所以R、B电子束在X轴方向上无变化。
向画面下侧偏转时正负方向相反，作用相同。
因此，对YH交叉会聚误差不进行校正，但对中央的G电子束施加比R、B电子束强的Y轴方向的力，所以，对VCR变窄会聚误差进行校正。
然后，当使3端子可变电阻器20的可动端子T1向图1的箭头16的方向(图的上方向)移动时，流入到第1磁场校正线圈1内的电流小于流入到第2磁场校正线圈2内的电流。该减小的部分的电流流入到第4磁场校正线圈4内。
所以，在此情况下的磁场M1、M2变成上下非对称枕形磁场，如图8(a)、图8(b)所示，第1磁场校正线圈1侧的磁场M1较弱；第2磁场校正线圈2侧的磁场M2较强。总的枕形磁场强度没有变化，VCR变窄会聚误差的校正效果没有减小。
然后，向画面下侧偏转时(参见图8(a))，各电子束向Y轴的正方向偏转，同时，R电子束向X轴的正方向(图中的右方向)偏转；B电子束向X轴的负方向(图中的左方向)偏转。
再者，当向画面下侧偏转时(参见图8(b))，各个电子束向Y轴的负方向偏转，同时，R电子束向X轴的负方向偏转，B电子束向X轴的正方向偏转。
所以，利用这些偏转，能校正图14(a)所示的R(红)向左倾倒会聚误差。
另一方面，当使3端子可变电阻器20的可动端子T11向图1的箭头17方向(图的下方向)移动时，流入到第2磁场校正线圈2内的电流小于流入到第1磁场校正线圈1内的电流。该减小的部分的电流流入到第3磁场校正线圈3内。
所以，在此情况下的磁场M1、M2，第2磁场校正线圈2侧的磁场M2较弱；第1磁场校正线圈1侧的磁场M1较强，如图9(a)、图9(b)所示，形成上下非对称的枕形磁场。但总的枕形磁场的强度没有变化，VCR变窄会聚误差的校正效果不会减小。
并且，当向画面上侧偏转时(参见图9(a))，各电子束向Y轴的正方向偏转，同时B电子束向X轴的负方向(图的左方向)偏转；B电子束向X轴的正方向(图的右方向)偏转。
并且，当向画面下侧偏转时，(参见图9(b))，各电子束向Y轴的负方向偏转，同时，R电子束向X轴的正方向偏转；B电子束向X轴的负方向偏转。
所以，利用这些偏转，能校正图14(b)所示的R(红)向右倾倒会聚误差。
如上所述，若采用本发明，则即使调整YH交叉会聚误差，也不会产生新的VCR变窄会聚误差。
但是，校正电路并非仅限于上述校正电路15A，例如也可以采用图2所示的另一种校正电路15B。
该校正电路15B是对上述校正电路15A，去掉电阻器11，把电阻器5、6分别串联连接到第4、第3磁场校正线圈4、3上。
并且，也可使用图3所示的另一校正电路15C。
该校正电路15C是对上述校正电路15A，把电阻器5、6分别串联连接到第4、第3磁场校正线圈4、3上。
这些校正电路15B、15C，在第3、第4磁场校正线圈3、4的电阻值小于第1、第2磁场校正线圈1、2的电阻值的情况下，对流入到第3、第4磁场校正线圈3、4内的过剩电流进行优化，所以是有效的结构。以上说明的校正电路15A～15C内，使用的电阻器数量少的校正电路15A，价格最低，是优选的结构。
在以上说明的结构中，可以看出当第1、第2磁场校正线圈1、2和第3、第4磁场校正线圈3、4的匝数的比率发生变化时，YH交叉会聚误差校正时的VCR会聚误差的校正量发生变化。
具体来说，可以看出当使第3、第4的磁场校正线圈3、4的匝数比率少于第1、第2磁场校正线圈1、2的匝数时，校正效果减弱，变成图15(a)所示的VCR变窄会聚误差，当使该匝数比率增加时，校正效果增强，变成图15(b)所示的VCR变宽会聚误差。
因此，发明人进一步锐意研究实验的结果，发现第3磁场校正线圈3对第1磁场校正线圈1的匝数比RT1、以及第4磁场校正线圈4对第2磁场校正线圈4的匝数比RT2，均设定在0.5以上而且1.5以下的范围内，这样，能充分控制YH交叉会聚误差校正时的VCR会聚误差校正量的变化，不产生新的VCR会聚误差，能很好地校正YH交叉会聚误差。
图6表示VCR会聚误差的校正量变化与匝数比RT1、RT2的关系。在该图中，横坐标是匝数比RT1、RT2，纵坐标是VCR会聚误差校正量的变化。
供实验用的校正电路是图1所示的校正电路14A，各个零件的参数如下。
3端子可变电阻器2020Ω电阻器112.7Ω第1、第2磁场校正线圈1、2线径0.30mm第3、第4磁场校正线圈3、4线径0.30mm实验是在校正电路14A中，把第1、第2磁场校正线圈1、2的匝数固定为65匝，在这同一匝数的情况下对第3、第4磁场校正线圈3、4的匝数进行各种变化，使其为120、100、80、65、55、45、35、25、15、5匝，分别对VCR会聚误差校正量进行测量。
其结果可以看出如图6所示，随着匝数比的提高，VCR会聚误差从负侧(窄侧)向正侧(宽侧)大体上沿直线增加。
并且，如上所述，在画面上的VCR会聚误差校正中，可以看出为了确实获得希望的变化量范围-0.030～+0.030mm，把匝数比RT1、RT2设定为0.5以上而且1.5以下即可。
本发明的实施方式并非仅限于上述结构。
例如，上述实施方式的结构是把第1磁场校正线圈1和第3磁场校正线圈3缠绕在铁心14A上；把第2磁场校正线圈2和第4磁场校正线圈4缠绕在铁心14B上，但也可以把各个磁场校正线圈分别独立地缠绕在铁心上。
具体来说，如图5所示，把第1～第4磁场校正线圈1～4分别缠绕在铁心14A1、14B1、14A2、14B2上，把铁心14A1和铁心14A2、以及铁心14B1和铁心14B2分别并排地布置在Z轴方向上，同时把铁心14A1和铁心14B1、以及铁心14A2和铁心14B2分别布置在颈部51c的两侧并使其互相对置。并且，铁心14A1、14A2或铁心14B1、14B2并排布置的顺序并非限于此。
在以上说明的实施方式中，在校正电路15A中，当电阻器11的电阻值减小时，流入到第3、第4磁场校正线圈3、4内的电流增大，YH交叉会聚误差校正量增大；当电阻值增大时，流入到第3、第4磁场校正线圈3、4内的电流减小，YH交叉变窄会聚误差校正量减少。
所以，通过调整电阻器11的电阻值，即可改变YH交叉会聚误差校正量，在需要任意校正量的情况下，也可以把电阻器11改为电位器。
另一方面，在校正电路15B或15C中，若电阻器5、6或电阻器5、6、11、的阻值较小，则流入到第3、第4磁场校正线圈3、4内的电流增大，YH交叉会聚误差校正量增大；若阻值较大，则流入到第3、第4磁场校正线圈3、4内的电流减小，YH交叉会聚误差校正量减小。
所以，通过调整电阻器5、6或5、6、11的阻值，即可改变YH交叉会聚误差校正量，在需要任意校正量的情况下，也可以把电阻器5、6或5、6、11改为电位器。
偏转线圈不限于SS型，也可以是马鞍、环形(ST)型的偏转线圈。分离骨架51也可不是一对半环状，而是形成一个整体；另外，也可以单独构成小径侧法兰盘51b和颈部51c。
并且，即使这些例子以外，也能在不脱离本发明的主要条件的范围内，进行更改。发明的效果如上所述，若采用本发明，可获得不产生VCR变窄会聚误差，能校正YH交叉会聚误差的效果。
权利要求
1.一种偏转线圈，其具有圆筒状径部、和一对垂直偏转线圈，其特征在于具有第1和第2铁心，被布置成夹持上述颈部，并互相对置的状态；以及会聚校正电路，与上述垂直偏转线圈相连接，上述会聚校正电路具有第1～第4磁场校正线圈；以及3端子可变电阻器，其具有2个固定端子和1个可动端子，上述第1磁场校正线圈和上述第2磁场校正线圈串联连接，形成第1串联电路，上述第3磁场校正线圈和上述第4磁场校正线圈，分别与上述2个固定端子进行串联连接，形成第2串联电路，上述第1串联电路与上述垂直偏转线圈串联连接，上述第1串联电路和上述第2串联电路并联连接，以使上述第1磁场校正线圈和上述第4磁场校正线圈进行连接，上述可动端子被连接到上述第1磁场校正线圈和上述第2磁场校正线圈的连接点上，上述第1和第3磁场校正线圈缠绕到第1铁心上。上述第2和第4磁场校正线圈缠绕到第2铁心上。
2.如权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于上述会聚校正电路具有连接在上述可动端子和上述连接点之间的第1固定电阻器。
3.如权利要求1或2所述的偏转线圈，其特征在于上述会聚校正电路具有与上述第3和第4磁场校正线圈分别串联连接的第2固定电阻器。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的偏转线圈，其特征在于上述第3磁场校正线圈的匝数上述对上述第1磁场校正线圈匝数的比率、以及上述第4磁场校正线圈的匝数对上述第2磁场校正线圈的匝数的比率均为0.5以上，而且1.5以下。
全文摘要
本发明提供一种不产生VCR变窄会聚误差，能进行YH交叉会聚误差校正的偏转线圈。校正电路15A由第1～第4磁场校正线圈1～4和3端子可变电阻器20构成，把第1、第2磁场校正线圈1、2的串联电路、以及在2个固定端子上分别连接了第4、第3磁场校正线圈4、3的串联电路，并联进行连接，把可动端子T1连接到第1、第2磁场校正线圈1、2的接连点P上，另一方面，把垂直偏转线圈12、13和第1、第2磁场校正线圈1、2进行串联连接，同时，把第1、第3磁场校正线圈1、3缠绕在第1铁心14A上；把第2、第4磁场校正线圈2、4缠绕到第2铁心12B上；把第1、第2铁心14A、14B布置在管颈部51c的两侧并形成对置状态。
文档编号H04N9/28GK1469418SQ0314254
公开日2004年1月21日 申请日期2003年6月17日 优先权日2002年6月28日
发明者横塚克久, 浅山学, 横 克久 申请人:日本胜利株式会社