专利名称：图像摄取装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及具有光电变换功能的图像摄取装置。
背景技术：
图11是表示在以往的单镜头反光照相机中使用的多点测距用自动聚焦传感器电路的一例的方框图。该自动聚焦传感器是本专利发明人等在(日本)图像信息媒体学会技术报告Vol.25，No28，PP.1～6，Mar.2001发表的传感器。该图中，900是半导体芯片(半导体基板)，901是AF传感器电路块，902是模拟电路块，903是数字电路块。
为了能够进行7点测距(中心为交叉测距)，AF电路块901由8个线列传感器电路1A(1B)～8A(8B)构成。模拟电路块902由用于控制各线列传感器电路的累积时间的AGC电路1～8、放大输出来自AF传感器电路块902的信号的信号放大电路902A、生成基准电位的带隙电路(基准电位生成电路)902B、生成在传感器电路和模拟电路中需要的电压的中间电位生成电路902C构成。
数字电路块903由用于进行与微机的通信的输入输出通信电路(I/O)、用于生成传感器的驱动脉冲的时序发生电路(T/G)、用于选择各种模拟信号的多路转换器电路(MPX)构成。由于单镜头反光照相机要求高速自动聚焦，故在AF传感器中，通过并列驱动8个线列传感器电路和AGC电路来实现高速动作。
但是，在上述以往的自动聚焦传感器中，同时驱动各个电路将导致动作时的电流消耗增大。虽然在单镜头反光照相机中可以搭载大电流容量的电池而不构成过多问题，但在只能搭载小电流容量的电池的小型照相机中则存在照相机的电池寿命显著变短这类的问题。
此外，由于小型照相机中的AE和AF与单镜头反光照相机的TTL方式不同，是外测方式的AE和AF，故存在因所使用的摄像透镜的变倍区域而使不需要的AF电路(AF传感器的测距点位于摄像区域外)动作的问题。
发明内容
本发明的目的是降低电力消耗。
为了达到上述目的，本发明提供一种图像摄取装置，包括具有光电变换区域，且为进行焦点调整而使用的第1光电变换电路；具有光电变换区域，且为进行曝光量调整而使用的第2光电变换电路；以及进行控制使得独立地向上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路供电的控制电路；上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路形成在同一半导体基板上。
此外，本发明提供一种图像摄取装置，包括分别包含光电变换区域的第1、第2光电变换电路；以及根据用于放大、缩小要摄取的被摄物体像的变倍透镜的动作，切换不向上述第1光电变换电路供电地、向第2光电变换电路供电的模式，和同时向上述第1以及第2光电变换电路供电的模式的控制电路。
此外，本发明提供一种图像摄取装置，包括分别包含光电变换区域和对数压缩电路的第1、第2光电变换电路；以上述第1、第2光电变换电路为中心设置在其一侧的、分别具有多个光电变换区域和读出上述多个光电变换区域的峰值信号的读出电路的第3、第4光电变换电路；以上述第1、第2光电变换电路为中心设置在其另外一侧的、分别具有多个光电变换区域和读出上述多个光电变换区域的峰值信号的读出电路的第5、第6光电变换电路；以及进行控制使得不向上述第1、3、5光电变换电路供电地、向上述第2、4、6光电变换电路供电的控制电路；上述第1～6光电变换电路形成在同一半导体基板上。
此外，本发明提供一种图像摄取装置，包括分别包含光电变换区域和对数压缩电路的第1光电变换电路；以上述第1光电变换电路为中心设置在其一侧的、具有多个光电变换区域和读出上述多个光电变换区域的峰值信号的读出电路的第2光电变换电路；以及进行控制使得独立地向上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路供电的控制电路；上述第1、第2光电变换电路形成在同一半导体基板上。
图1是表示本发明的测光测距用固体摄像装置的第1实施形式的构成的方框图；图2是本发明的第1实施形式的平面配置图；图3是表示第1实施形式的AF传感器电路的电路图；图4A～4D是说明第1实施形式的AF传感器电路的动作、非动作的图；图5是表示第1实施形式的AE传感器电路的电路图；图6A～6C是表示第1实施形式的AGC电路的图；图7A～7C是说明第1实施形式的摄像时的变倍区域与进行动作的AE电路和AF电路的关系的图；图8是表示本发明的第2实施形式的构成的方框图；图9是本发明的第2实施形式的平面配置图；图10是表示使用了本发明的测光测距用固体摄像装置的图像摄取装置的一个实施形式的框图；图11是表示以往例的多点测距用自动聚焦传感器的图。
具体实施例方式
下面，参照图面详细地对本发明的实施形式进行说明。
第1实施形式图1是表示本发明的测光测距用固体摄像装置的第1实施形式的构成的方框图，图2第1实施形式的固体摄像装置的平面配置图。本实施形式的测光测距用固体摄像装置除了测距功能外(用于调整焦点的功能)还搭载了测光功能(用于调整曝光量的功能)。图中，100是半导体芯片(半导体基板)，101是具有光电变换区域且用于进行焦点调整的AF电路块，103、104是具有光电变换区域且用于进行曝光量调整的AE电路块，105是模拟电路块，106是数字电路块。各个块集成在半导体芯片100上。
AF电路块101由7组水平线列传感器电路102构成。其如图1所示的那样，由以水平线列传感器L1A、L1B为一组，以下同样地分别以L2A和L2B、L3A和L3B、L4A和L4B、L5A和L5B、L6A和L6B、L7A和L7B为一组的共7组水平线列传感器构成。
AF电路块101如图2所示的那样，配置在近似长方形状的半导体芯片100的两侧，图1的一个水平线列传感器对应着图2的一个AF传感器电路102。即，图1的水平线列传感器L1A～L7A分别对应图2中左侧的7个AF传感器电路102，图1的水平线列传感器L1B～L7B分别对应图2中右侧的7个AF传感器电路102。各个AF传感器电路102包含有光电二极管，图2的左右的A1～A7就是该光电二极管。
图1中作为一个块示出了AE传感器光电二极管区域103和AE电路块104，如图2所示的那样，AE传感器光电二极管区域103被配置在半导体芯片100的中央部，AE电路块104被配置在其旁边。如图2所示的那样，AE传感器光电二极管区域103被分割成16个区域，由7个点测光用光电二极管S1～S7、4个广角测光用光电二极管W1～W4、4个标准测光用光电二极管M1～M4、1个望远测光用光电二极管T构成。
这里，如图1所示那样，AE电路块104包含有AE电路S1～S7、AE电路W1～W4、AE电路M1～M4、AE电路T，它们均为电流电压对数变换型的AE电路。此外，在这些电路中，AE电路S1～S7分别对应于图2的AE传感器光电二极管区域103的光电二极管S1～S7，AE电路W1～W4分别对应于光电二极管W1～W4，AE电路M1～M4分别对应于光电二极管M1～M4，AE电路T对应于光电二极管T。另外，AE电路块104还包含着Is(二极管反向电流)补偿电路104a、信号放大电路104b。
如图2所示那样，模拟电路块105配置在AE传感器光电二极管区域103的旁边，由用于控制各个AF传感器电路102的累积时间的AGC电路1～7、生成基准电位的带隙电路(基准电位生成电路)105a、用于生成中间电位的中间电位生成电路105b、用于放大来自AF线列传感器的输出的信号放大电路105c构成。
如图2所示那样，数字电路块106配置在模拟电路块105的旁边，由用于进行与微机(没有图示)的通信的输入输出通信电路(I/O)、AF电路、AE电路、用于生成AGC电路的驱动脉冲的时序发生电路(T/G)、用于选择各种模拟信号的多路转换器电路(MPX)构成。如详细后述的那样，各AF电路、AE电路、AGC电路基于微机的控制，利用来自T/G电路的控制信号控制动作、非动作。
图3是图1的AF传感器电路102的具体的电路图。该图中，1是进行光电变换的PN结光电二极管，2是将PN结光电二极管的电位复位到VRES的复位用MOS晶体管，3是用于放大在PN结光电二极管产生的电荷的差动放大电路，4是用于存储差动放大电路的输出电压的MOS电容，5是存储器开关用MOS晶体管，6是用于进行保持在MOS电容4的电荷的放大读出的源极跟随器电路。这里，通过将源极跟随器电路6的输出反馈到差动放大电路3，可以抑制输出电压的偏置偏差和增益降低。
7是箝位电容，8是用于输入箝位电容的MOS开关，由7和8构成箝位电路。9～12是开关用MOS晶体管，13是最小值检测用差动放大器(最小值检测电路)，14是最大值检测用差动放大器(最大值检测电路)，各个差动放大器构成电压跟随电路。15是最小值输出用MOS开关，16是最大值输出用MOS开关，17是或门，18、19是恒流用MOS晶体管，20是扫描电路。在最小值检测电路14中，最后级使用NMOS的源极跟随电路，在最大值检测电路15中，最后级使用PMOS的源极跟随电路。21是输出来自像素的AF信号的通用输出线。
在本电路构成中，通过在最小值检测电路14和最大值检测电路15的前级设置反馈型的噪声箝位电路，可以去除在光电二极管上产生的复位噪声和在传感器放大器、最大值检测电路、最小值检测电路产生的FPN。
此外，通过在最后输出级逐个像素地设置源极跟随器形式的电压跟随电路，在最大值输出时，使各电压跟随器的输出级的恒流源关断，共同连接到连接于恒流源的输出线，可以得到图像信号的最小值。另外，通过在AF图像信号输出时，使各电压跟随器的输出级的恒流源接通，可以依次将各电压跟随电路连接到输出线，得到串行的图像信号。利用该动作，由于可兼用最大值检测电路和AF图像信号输出电路，故可以实现芯片的小型化。
图4A～4D表示AF传感器电路的像素部的差动放大电路、源极跟随电路、最大值检测电路的差动放大电路、最小值检测电路的差动放大电路的具体电路图。图4A是像素部的差动放大电路(对应图3的差动放大电路3)、图4B是源极跟随电路6、图4C是最小值检测电路13、图4D是最大值检测电路14的电路。
此外，在图4A～4D中给出了各个电路的具体的电路。哪一个电路都使用了MOS晶体管，在图4A～4D的各个电路中，41～46是作为恒流源的MOS晶体管。在本实施形式中，当AF传感器电路动作时，通过将使该MOS晶体管在线性区域使动作的信号外加到栅极上，可以作为恒流源使用。另外，在AF传感器电路不动作时，通过将该MOS晶体管截止的信号外加到栅极上，可以关断偏置电流。
具体地，外加在该栅极上的控制信号，通过来自微机的通信由T/G电路生成，图1所示的控制信号AFON1～AFON7和控制信号AF2ON1～AF2ON7被分别提供给各自对应的AF电路。在使AF电路为动作状态时，如前述的那样，通过将使之在线性区域动作的控制信号(中间电平信号)外加到构成恒流源的MOS晶体管41～46的栅极上，形成动作状态。
另一方面，在使AF电路为非动作状态时，如前述的那样，通过将使之截止的控制信号(AFON1～7时为VDD电平(电源电平信号)，AF2ON1～7时为GND电平信号)外加到该MOS晶体管41～46的栅极上，形成非动作状态。这里，控制信号AF2ON1～AF2ON7提供给图4A～图4D的所有的电路，控制信号AFON1～AFON7则只提供给图4C的电路。
图5表示对数变换型AE电路(包括光电二极管)的具体例。其对应于包含图1的AE电路S1～S7的全部的AE电路。图中500是PN结光电二极管，501是作为用于进行对数压缩的非线性元件的PN结光电二极管，502是CMOS构成的差动放大电路。此外，在图5中，一并示出了差动放大电路502的具体的电路。差动放大电路502使用MOS晶体管构成，其中47、48为作为恒流源的PMOS晶体管。
通过控制该MOS晶体管47、48，可以控制AE电路的动作、非动作。具体地，如图1所示那样，基于微机的控制，来自T/G电路的控制信号AEON1～7、AEONT、AEONW、AEONM被分别提供给各自对应的AE电路。控制信号AEON1～7分别对应于AE电路S1～S7，控制信号AEONT对应于AE电路T，控制信号AEONW对应4个AE电路W1～W4，控制信号AEONM对应于4个AE电路M1～M4。
这里，在AE电路的非动作时，通过对MOS晶体管47、48的栅极外加VDD电平(电源电平)的控制信号，使MOS晶体管47、48关断，通过关断差动放大电路502的偏置电流而使AE电路为非动作。此外，在AE电路的动作时，通过将使MOS晶体管47、48在线性区域动作的控制信号(中间电平信号)外加到其栅极上，使AE电路成为动作状态。
图6A表示AGC电路的具体的电路图。图中61是电压缓冲电路，62是比较器电路。如图1所示那样，AGC电路对应AF电路块101的AF电路102设置，AGC电路1～7分别对应于水平线列传感器L1A和L1B的组～L7A和L7B的组设置。
在各AGC电路中，在用电压缓冲电路61阻抗变换了来自各自对应的AF电路的最大值信号后，用比较器电路62进行与比较电压VBB的比较。进而，在来自AF电路的最大值信号超过了VBB处，反转比较器电路62的输出，结束AF电路内的光电二极管的累积。
图6B表示电压缓冲电路61，图6C表示比较器电路62的具体的电路。63、64是电压缓冲电路61的恒流用MOS晶体管，65是比较器电路62的恒流用MOS晶体管。AGC电路通过来自T/G电路的控制信号AGCON1～AGCON7控制动作、非动作，如图1所示那样，控制信号AGCON1～AGCON7分别对应于AGC电路1～7。
在AGC电路的动作时，通过对恒流用MOS晶体管63～65的栅极外加来自T/G电路的中间电平的控制信号，使之作为恒流源动作。另一方面，在AGC电路的非动作时，通过对恒流用MOS晶体管63～65的栅极外加来自T/G电路的VDD电平(电源电平)的控制信号，使之成为电流关断状态。可以对应于AF电路的动作、非动作控制AGC电路的动作、非动作，仅使对应进行动作的AF电路的AGC电路动作，降低了电流消耗。
如以上这样，利用作为控制电路的T/G电路，可以独立地偏置控制AF电路和AE电路。此外，利用作为控制电路的T/G电路，还可以独立地偏置控制AF电路、AE电路以及AGC电路。
下面，对实际摄影中的变倍区域(广角区域、标准区域、望远区域)与进行动作的AF传感器电路和AE传感器电路的关系进行说明。表1表示变倍区域与进行动作的AF传感器电路的关系，表2表示变倍区域与进行动作的AE传感器电路的关系。此外，图7A～图7C表示变倍区域与动作的AF传感器电路、AE传感器电路的关系。图7A表示广角区域摄影时进行动作的传感器，图7B表示标准区域摄影时进行动作的传感器，图7C表示望远区域摄影时进行动作的传感器。这里，表1、表2中○的电路为偏置ON的电路，在图7A～图7C中用斜线表示的光电二极管区域为偏置ON的电路。
表1
表2
首先，在图7A的广角区域摄影时，如表2所示那样，使所有的AE传感器(S1～S7、W1～W4、M1～M4、T共16个)动作进行测光，如表1所示那样，使所有的AF传感器(L1～L7共7个)动作进行测距。这里，所谓的L1～L7指的是图1所示的水平线列传感器L1A和L1B～水平线列传感器L7A和L7B的各个组。
在图7B的标准区域摄影时，只使S1～S6、M1～M4、T的AE传感器(10个区域)和L2～L6的AF传感器(5个)动作进行测光和测距。其他的AF传感器和AE传感器为非动作状态。这里，AF传感器L2～L6指的是图1所示的水平线列传感器L2A和L2B～水平线列传感器L6A和L6B的各个组。
在图7C的望远区域摄影时，只使S3～S5、T的AE传感器(4个区域)和L3～L5的AF传感器(3个)动作进行测光和测距。其他的AF传感器和AE传感器为非动作状态。此外，同样地，AF传感器L3～L5指的是图1所示的水平线列传感器L3A和L3B～水平线列传感器L5A和L5B的各个组。此点在下面的实施形式中也是一样的。
这些变倍区域的AF传感器的选择，如用图4说明过的那样，基于微机的控制由来自T/G电路的控制信号进行。例如，在广角区域摄影时，通过对所有的AF传感器电路外加使构成恒流源的MOS晶体管线性动作的信号(中间电平信号)，使所有的AF电路动作并进行测距。
此外，AE传感器的选择也如用图5说明过的那样，通过来自T/G电路的控制信号进行。例如，在广角区域摄影时，如前述的那样，通过对所有的AE传感器电路外加使构成恒流源的MOS晶体管线性动作的信号(中间电平信号)，使所有的AE电路动作并进行测光。另外，如用图6说明过的那样，利用来自T/G电路的控制信号进行AGC电路的选择，可以只使对应进行动作的AF电路的AGC电路动作而使对应非动作的AF电路的AGC电路为非动作。在广角区域摄影时，由于所有的AF电路均动作，故使所有的AGC电路动作。
这样，在本实施形式中，通过在多个AF电路和AE电路中只使需要的AF电路和AE电路为动作状态，对其他的AF电路和AE电路，关断恒流源使之成为非动作状态，可以大幅度地降低电流消耗。此外，由于可以降低电流消耗，故可以搭载于小型照相机，实现低电力消耗的自动聚焦用固体摄像装置。这里，本发明不只是使用CMOS传感器，也可以应用于例如CCD、BASIS、SIT、CMD、AMI等情况。
第2实施形式图8是表示本发明的测光测距用固体摄像装置的第2实施形式的图，图9是其平面配置图。本实施形式中，AE传感器的分割数少于第1实施形式。即，AE传感器由整体测光用AE电路W和7个点测光用AE电路S1～S7构成。图9所示的AE传感器光电二极管区域103中的W对应于整体测光用AE电路W的光电二极管，S1～S7分别对应于点测光用AE电路S1～S7的光电二极管。其他的构成与图1的第1实施形式相同。
表3表示第2实施形式中的摄像透镜的变倍区域(广角区域、标准区域、望远区域)与进行动作的AF传感器电路和AE传感器的关系。
表3
首先，在广角区域摄影时，使所有的AE传感器(8个区域)和AF传感器(7个)动作进行测光和测距。在标准区域摄影时，只使S2～S6、W的AE传感器(6个区域)和L2～L6的AF传感器(5个)动作进行测光和测距。在望远区域摄影时，只使S3～S5、W的AE传感器(4个区域)和L3～L5的AF传感器(3个)动作进行测光和测距。与图1的第1实施形式同样地，AF传感器、AE传感器的动作、非动作的选择利用来自T/G电路的控制信号进行。此外，还与第1实施形式同样地，对应于AF传感器电路的动作、非动作进行AGC电路的选择动作。
这样，在本实施形式中，与图1的第1实施形式同样地，通过在多个AF电路和AE电路中只使需要的AF电路和AE电路成为动作状态，对其他的AF电路和AE电路关断恒流源使之成为非动作状态，可以大幅度地降低电流消耗。此外，可以通过减少AE传感器的个数简化构成，还可以进一步降低电力消耗。
第3实施形式下面，对本发明的第3实施形式进行说明。第3实施形式与第1实施形式相比，对于摄影透镜的变倍区域(广角区域、标准区域、望远区域)，其进行动作的AF传感器和AE传感器不同。装置的构成与第1实施形式是一样的。表4给出变倍区域和进行动作的AF传感器的关系，表5给出变倍区域和进行动作的AE传感器的关系。
表4
表5
首先，在广角区域摄影时，使用L1、L4、L7的AF传感器，使用S1、S4、S7以及W1～W4、M1～M4、T的AE传感器。在标准区域摄影时，使用L2、L4、L6的AF传感器，使用S2、S4、S6、M1～M4、T的AE传感器。在望远区域摄影时，使用L3～L5的AF传感器，使用S3～S5、T的AE传感器。与第1实施形式同样地，AF传感器、AE传感器的动作、非动作的选择利用来自T/G电路的控制信号进行。此外，还与第1实施形式同样地，对应于AF传感器电路的动作、非动作进行AGC电路的选择动作。
在本实施形式中，其特征在于只使用具有7个块的AF传感器电路内的3个块，由此可以总是进行3点测距。由此，减少了广角摄影时的测距点数，电流消耗可以较第1实施形式更低。此外，通过在AE传感器中不使用其全部而使用其一部分，也可以降低电流消耗。因而，通过在不需要过多测距点数的普及型级别的小型照相机中使用本实施形式，可以实现长电池寿命的小型照相机。
在上述的第1～第3实施形式中，除了在非动作状态中完全截止电流的做法外，也可以采用在非动作状态中供给较动作状态少的量的电流的构成。
第4实施形式下面，对使用了具有在第1～第3实施形式说明过的测光电路块、测距电路块的固体摄像装置的图像摄取装置进行说明。图10是表示用于说明第4实施形式的在透镜快门数字小型照相机(图像摄取装置)中使用了固体摄像元件时的一个实施形式的框图。该图中，201是兼做透镜的保护和主开关的保护挡板，202是将被摄物体的光学图像成像在固体摄像元件204上的透镜，203是用于改变通过了透镜202的光通量的光阑，204是用于将被透镜202成像了的被摄物体作为图像信号取入的固体摄像元件。
此外，205是在第1～第3实施形式说明过的测光测距用固体摄像装置。这里，例如，假设使用的是图1的实施形式的装置。206是模拟-数字变换从固体摄像元件204或固体摄像装置205输出的图像信号、测光信号、测距信号的A/D变换器，208是对从A/D变换器207输出的图像数据进行各种校正或压缩数据的信号处理部，209是对固体摄像元件204、摄像信号处理电路206、A/D变换器207、信号处理部208等输出各种时序信号的时序发生部，210是控制各种计算和照相机整体的整体控制·计算部，211是用于临时保存图像数据的存储部。
进而，212是用于在记录介质上进行记录或者读出的接口部，213是用于进行图像数据的记录或者读出的半导体存储器等可装卸的记录介质，214是用于与外部计算机等进行通信的接口部。
下面，对这样的透镜快门数字小型照相机的摄影时的动作进行说明。如果保护挡板201被打开，则主电源被接通，接着，控制系统的电源被接通，进而，A/D变换器207等摄像系统电路的电源被接通。
在整体控制·计算部210，以从固体摄像装置205的AF电路块输出的信号为基础利用三角测距法进行到达被摄物体的距离的计算。此后，计算出透镜202的伸出量，驱动透镜202到达规定的位置使之对焦。
然后，为了控制曝光量，在用A/D变换器207变换了从固体摄像装置205的AE传感器输出的信号后，将之输入到信号处理部208，并在整体控制·计算部210以该数据为基础进行曝光的计算。进而，根据进行了该测光的结果判断亮度，依照该结果，整体控制·计算部210调节光阑203和快门速度。
此后，在达到了曝光条件后，开始在固体摄像元件204上的正式曝光。如果曝光结束，则用A/D变换器207A-D变换从固体摄像元件204输出的图像信号，通过信号处理部208由整体控制·计算部210将之写入存储部211。然后，利用整体控制·计算部210通过记录介质控制I/F部212，在可装卸的记录介质213上记录蓄积在存储部211上的数据。此外，也可以通过外部I/F部214直接输入到计算机等中。这里，不但可以在数字小型照相机中使用本发明的测光测距用固体摄像装置，而且也可以在银盐照相机等中使用。另外，在单镜头反光照相机中使用也可以获得同样的效果。
如以上所说明的这样，通过只使多个测光电路和多个测距电路中需要的测光电路和测距电路动作，而使不需要的测光电路和测距电路为非动作，可以大幅度地降低电流消耗，实现低电力消耗的测光测距用固体摄像装置。此外，通过依照测距电路的动作、非动作控制累积时间控制电路的动作、非动作，可以进一步降低消耗电流。
因而，上面说明过的测光测距用固体摄像装置可以较好地适用于小型照相机，能够实现可多点测距的自动聚焦小型照相机。此外，可以较以往实现电池寿命更长、使用随意性更好的自动聚焦小型照相机。
权利要求
1.一种图像摄取装置，包括具有光电变换区域，且为进行焦点调整而使用的第1光电变换电路；具有光电变换区域，且为进行曝光量调整而使用的第2光电变换电路；以及进行控制使得独立地向上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路供电的控制电路；上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路形成在同一半导体基板上。
2.根据权利要求1所述的图像摄取装置，其特征在于上述的第1、第2光电变换电路分别包含遮断电流的电流遮断电路，上述控制电路控制上述电流遮断电路。
3.根据权利要求2所述的图像摄取装置，其特征在于上述电流遮断电路是差动放大电路的一部分。
4.根据权利要求1所述的图像摄取装置，其特征在于进一步具有用于控制包含在上述第1光电变换电路中的光电变换区域的电荷累积时间的累积时间控制电路，上述累积时间控制电路与上述第1光电变换电路以及上述第2光电变换电路形成在同一半导体基板上，上述控制电路进行控制使得独立地向上述第1光电变换电路、上述第2光电变换电路、上述累积时间控制电路供电。
5.根据权利要求1所述的图像摄取装置，其特征在于进一步具有摄取被摄物体像的摄像元件，和基于来自上述第1光电变换电路的信号进行焦点调整、基于来自上述第2光电变换电路的信号进行曝光量调整的调整电路。
6.一种图像摄取装置，包括分别包含光电变换区域的第1、第2光电变换电路；以及根据用于放大、缩小要摄取的被摄物体像的变倍透镜的动作，切换不向上述第1光电变换电路供电地、向第2光电变换电路供电的模式，和同时向上述第1以及第2光电变换电路供电的模式的控制电路。
7.根据权利要求6所述的图像摄取装置，其特征在于上述的第1、第2光电变换电路分别包含遮断电流的电流遮断电路，上述控制电路控制上述电流遮断电路。
8.根据权利要求7所述的图像摄取装置，其特征在于上述电流遮断电路是差动放大电路的一部分。
9.根据权利要求6所述的图像摄取装置，其特征在于进一步具有摄取被摄物体像的摄像元件，和基于来自上述第1光电变换电路的信号进行焦点调整、基于来自上述第2光电变换电路的信号进行曝光量调整的调整电路。
10.一种图像摄取装置，包括分别包含光电变换区域和对数压缩电路的第1、第2光电变换电路；以上述第1、第2光电变换电路为中心设置在其一侧的、分别具有多个光电变换区域和读出上述多个光电变换区域的峰值信号的读出电路的第3、第4光电变换电路；以上述第1、第2光电变换电路为中心设置在其另外一侧的、分别具有多个光电变换区域和读出上述多个光电变换区域的峰值信号的读出电路的第5、第6光电变换电路；以及进行控制使得不向上述第1、3、5光电变换电路供电地、向上述第2、4、6光电变换电路供电的控制电路；上述第1～6光电变换电路形成在同一半导体基板上。
11.根据权利要求10所述的图像摄取装置，其特征在于上述第1～6光电变换电路分别包含遮断电流的电流遮断电路，上述控制电路控制上述电流遮断电路。
12.根据权利要求11所述的图像摄取装置，其特征在于上述电流遮断电路是差动放大电路的一部分。
13.根据权利要求10所述的图像摄取装置，其特征在于进一步具有摄取被摄物体像的摄像元件，和基于来自上述第1、第2光电变换电路的信号进行焦点调整、基于来自上述第3～6光电变换电路的信号进行曝光量调整的调整电路。
14.一种图像摄取装置，包括分别包含光电变换区域和对数压缩电路的第1光电变换电路；以上述第1光电变换电路为中心设置在其一侧的、具有多个光电变换区域和读出上述多个光电变换区域的峰值信号的读出电路的第2光电变换电路；以及进行控制使得独立地向上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路供电的控制电路；上述第1、第2光电变换电路形成在同一半导体基板上。
15.根据权利要求14所述的图像摄取装置，其特征在于上述第1、2光电变换电路分别包含遮断电流的电流遮断电路，上述控制电路控制上述电流遮断电路。
16.根据权利要求15所述的图像摄取装置，其特征在于上述电流遮断电路是差动放大电路的一部分。
17.根据权利要求14所述的图像摄取装置，其特征在于进一步具有摄取被摄物体像的摄像元件，和基于来自上述第1光电变换电路的信号进行焦点调整、基于来自上述第2光电变换电路的信号进行曝光量调整的调整电路。
全文摘要
一种图像摄取装置，包括具有光电变换区域且为进行焦点调整而使用的第1光电变换电路；具有光电变换区域且为进行曝光量调整而使用的第2光电变换电路；以及进行控制使得独立地向上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路供电的控制电路；上述第1光电变换电路和上述第2光电变换电路形成在同一半导体基板上。
文档编号H04N5/232GK1435721SQ03102099
公开日2003年8月13日 申请日期2003年1月29日 优先权日2002年1月31日
发明者高桥秀和, 齐藤和宏 申请人:佳能株式会社