专利名称：饱和电抗器的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及在CRT(阴极射线管)显示装置的偏转线圈中适用的、构成会聚不良修正电路或枕形失真修正电路的饱和电抗器。
图13中示出用来说明发生在画面的四角部的垂直方向会聚不良(以下称为‘PQv’)的示意图。如图13中所示所谓PQv是指CRT的屏幕或画面200的上下端部的横线R、B在画面200的左右方向(横向)中央交叉地沿垂直方向错位(倾斜)状态的会聚不良。另外，横线R、B由排齐电子枪的两侧电子束在画面200上描绘。
已经公知，为了修正这种横线交叉的会聚不良，使偏转线圈发生的水平偏转磁场的中心沿垂直方向平行移动就可以了。一般来说，由于偏转线圈包括上下一对水平偏转线圈，所以通过改变流过各个水平偏转线圈的电流的分流比可以实现上述磁场的平行移动。此时，由于对PQv来说在画面200的上下，横线R、B的上下关系相反，所以有必要与垂直方向的周期(以下称为‘垂直周期’)同步地动态控制上述分流比。<PQv修正电路的构成>
作为用来修正PQv的现有技术，用饱和电抗器的方法广泛地被利用。图14中示出用来说明现有技术的PQv修正电路之一例的电路图。
如图14中所示，在现有技术的PQv修正电路中水平偏转电流IH流过端子P1、P2间的水平偏转电流路径。在端子P1、P2间水平偏转线圈LH1，水平修正线圈L2P、L1P按该顺序串联连接，构成第1电流路径。同样，在端子P1、P2间水平偏转线圈LH2，水平修正线圈L4P、L3P按该顺序串联连接，构成第2电流路径。也就是说，在端子P1、P2间并联连接着第1电流路径和第2电流路径。
此外，在现有技术的PQv修正电路中垂直偏转电流IV流过端子P3、P4间的垂直偏转电流路径。在端子P3与中间端子P11之间设有垂直偏转线圈LV。再者，因为垂直偏转线圈LV可以考虑多个线圈和多个电阻器组合电路等种种构成，故为了方便起见用方框示出。在中间端子P11与端子P4之间垂直修正线圈L5P和电阻器R1彼此并联地连接着。
现有技术的PQv修正电路中所用的饱和电抗器101P由水平修正线圈L1P～L4P，垂直修正线圈L5P，铁心1P～5P和磁铁6P、7P来构成。水平修正线圈L1P缠绕在铁心1P上，同样水平修正线圈L2P～L4P缠绕在铁心2P～4P上。此外垂直修正线圈L5P缠绕在铁心5P上。水平修正线圈L1P、L2P绕线方向和配置方向设定成在水平偏转电流IH流过的场合发生彼此相反的磁场。关于水平修正线圈L3P、L4P的绕线方向和配置方向也是同样的。此外，磁铁6P、7P设在铁心1P～5P的集合体的左右两侧，配置成各自发生的磁场彼此反向(在图14的例子中使6P、7P的S极朝向1P～5P的集合体)。另外，现有技术的饱和电抗器101P在下文中还会进一步说明。<PQv修正电路的作用>
通过饱和电抗器的作用(下文述及)，上述PQv修正电路中在垂直偏转电流IV流过的场合(也就是偏转画面上下部的场合)，水平修正线圈L1P、L2P的合成电感与水平修正线圈L3P、L4P的合成电感中产生差异。例如在画面上部后者变大，在画面下部前者变大(也有相反的场合)。
因而，在画面上部由于比第2电流路径更多的电流流过第1电流路径，所以水平偏转磁场的中心向水平偏转线圈LH2一侧平行移动。相反，在画面下部由于比第1电流路径要多的电流流过第2电流路径，所以水平偏转磁场的中心向水平偏转线圈LH1一侧平行移动。这样一来使水平偏转磁场的中心在画面的上下沿相反方向平行移动，由此可以修正PQv。枕形失真修正电路<画面左右方向中间部的纵线的枕形失真>
图15中示出用来说明在画面的左右方向中间部产生的纵线的枕形失真(以下称为‘中间枕形失真’)的示意图。如图15中所示，所谓中间枕形失真是指在画面200的左右端部的纵线G1大体上为直线形的场合，画面的左右方向中间部的纵线G2枕形地失真的状态。再者，纵线G1、G2由排齐电子枪的中心电子束在画面200上描绘。
换句话说，中间枕形失真也可以说是相邻的纵线的间隔，也就是水平偏转的线性度(以下称为‘水平线性度’)在画面200的上下方向端部与上下方向中央部不同的状态。因而，通过与垂直周期同步地控制水平线性度，可以修正中间枕形失真。
可是，一般来说，在CRT显示装置中称为S字修正电路的水平线性度修正电路串联连接于水平偏转线圈。该电路通过调制水平偏转电流波形来抑制画面左右方向端部的纵线间隔变得大于左右方向中央部的纵线间隔。该抑制效果随着水平偏转线圈的电感的加大而减小，随着水平偏转线圈的电感的减小而加大。因而，通过使水平偏转线圈的电感与垂直周期同步地变化，可以修正中间枕形失真。<中间枕形失真修正电路的构成>
图16中示出用来说明现有技术的中间枕形失真修正电路之一例的电路图。如图16中所示，在现有技术的中间枕形失真修正电路中，水平偏转电流IH流过端子P1、P2间的水平偏转电流路径。水平偏转线圈LH1、LH2彼此并联连接于端子P1与中间端子P12之间。水平修正线圈L2P、L1P、L3P、L4P按该顺序串联连接于中间端子P12与端子P2之间。
此外，在现有技术的中间枕形失真修正电路中，垂直偏转电流IV流过端子P3、P4间的垂直偏转电流路径。该垂直偏转电流路径的构成与上述PQv修正电路的垂直偏转电流路径相同。
此外，现有技术的中间枕形失真修正电路中所用的饱和电抗器101P的构成与上述PQv修正电路的那些相同。
也就是说，中间枕形失真修正电路与PQv修正电路除了水平偏转线圈和水平修正线圈的连接形态不同(是串联还是并联)而外，是相同的电路构成。<中间枕形失真修正电路的作用>
通过饱和电抗器的作用(下文述及)，在上述中间枕形失真修正电路中，水平修正线圈L1P～L4P的合成电感在垂直偏转电流IV流过的场合(也就是在画面的上下部分)是加大，另一方面在垂直偏转电流IV不流动的场合(也就是在画面上下方向的中央部)减小。
因而，由于在画面上下端部S字修正效果减小，所以画面左右方向端部的纵线间隔加大。相反，由于在画面上下方向中央部S字修正效果加大，所以画面左右方向端部的纵线间隔减小。结果，中间枕形失真被修正。现有的饱和电抗器<现有技术的饱和电抗器的构成>
图17中示出上述现有技术的饱和电抗器101P的示意外观图(侧视图和俯视图)。另外，图17中所示的结构在日本专利特开2000-173497号公报中公开。
在现有技术的饱和电抗器101P中，水平修正线圈L1P～L4P缠绕在线轱辘形的铁心1P～4P上，垂直修正线圈L5P缠绕在线轱辘形的铁心5P上。而且，铁心1P、2P的一个端面挨着铁心5P的一个端面，铁心3P、4P的一个端面挨着铁心5P的另一个端面。
此外，单一的磁铁6P的一个端面(S极)同时挨着铁心1P、2P两者的另一个端面，单一的磁铁7P的一个端面(N极)同时挨着铁心4P、5P两者的另一个端面。磁铁6P、7P发生的磁场彼此反向(在图17的例子中两个磁铁6P、7P的S极朝向铁心1P～5P的集合体)。
此时，如图17的左图(侧视图)中所示，作为磁铁6P使用完全覆盖两个铁心1P、2P那样程度的大型磁铁。具体地说，两个铁心1P、2P和磁铁6P的端面制成圆形，两个铁心1P、2P的直径之和相当于磁铁的直径。关于磁铁7P也与磁铁6P是同样的。
进而，如图17的侧视图中所示，现有技术的饱和电抗器101P有断面为半圆弧的磁性屏蔽板24P和保持框25P，磁性屏蔽板24P覆盖饱和电抗器101P外周的至少一部分。而且，也有没有磁性屏蔽板24P的结构的饱和电抗器。<现有的饱和电抗器的作用>
图18中示出用来说明现有技术的饱和电抗器101P的各铁心1P～5P的饱和/非饱和状态的示意图。
图18表示以水平偏转电流IH为横轴而以垂直偏转电流IV为纵轴的坐标平面，横轴对应于CRT画面的横向而纵轴对应于画面的纵向。图18中的9个标记(分别由5个矩形组成)表示向与各标记的图示位置相对应的画面上的位置进行偏转的场合饱和电抗器101P的各铁心1P～5P处于饱和状态还是非饱和状态。再者，用白的矩形表示处于非饱和状态的铁心而用黑的矩形表示处于饱和状态的铁心。
首先，在向画面中央偏转的场合(IH＝0，IV＝0)，铁心1P～4P因磁铁6P、7P发生的磁场(以下称为‘偏磁场’)而全都饱和。
在向画面左端或横轴左端偏转的场合(IH＝min，IV＝0)，水平修正线圈L2P、L4P发生的磁场与偏磁场反向。因此，铁心1P、3P为饱和状态，另一方面，铁心2P、4P的饱和解除。相反，在向画面右端或横轴右端偏转的场合(IH＝max，IV＝0)，铁心1P、3P的饱和解除，铁心2P、4P成为饱和状态。
在向画面上端或纵轴上端偏转的场合(IH＝0，IV＝max)，垂直修正线圈L5P发生的磁场与磁铁7P引起的偏磁场反向。因此，铁心3P、4P的饱和解除，铁心1P、2P成为饱和状态。相反，在向画面下端或纵轴下端偏转的场合(IH＝0，IV＝mim)，铁心1P、2P的饱和解除，铁心3P、4P成为饱和状态。
在向画面四角部(左上、右上、左下和右下)偏转的场合，各铁心1P～5P的状态由水平修正线圈L1P～L4P，垂直修正线圈L5P和磁铁6P、7P发生的各磁场强度的平衡来决定。一般来说，上述各磁场的强度往往设定成如图18中所示，在向左上和右上偏转的场合铁心1P～5P成为与向上端偏转的场合相同的状态，而在向左下和右下偏转的场合铁心1P～5P成为与向下端偏转的场合相同的状态。
由于缠绕在饱和的铁心上的线圈的电感减小，所以在向画面上部(IV＞0)偏转的场合，水平修正线圈L1P、L2P的电感成为小于水平修正线圈L3P、L4P的电感。因而，在图14的PQv修正电路那样的电路构成中，比第2电流路径(线圈LH2、L4P、L3P串联连接的路径)要大的电流流过第1电流路径(线圈LH1、L2P、L1P串联连接的路径)。相反，Z在向画面下部(IV＜0)偏转的场合，比第1电流路径要大的电流流过第2电流路径。此外，在向画面上下方向中央部(IV＝0)偏转的场合，两路径的分流比相等。这样一来，流过水平偏转线圈LH1、LH2的电流的分流比以垂直周期(上下反对称地)变化。
与此相反，在图16的中间枕形失真修正电路那样的电路构成中，在向画面上下部(IV＞0，IV＜0)偏转的场合，因为两个铁心的饱和解除，故水平修正线圈L1P～L4P的合成电感加大。与此相反，在向画面中央部(IV＝0)偏转的场合，由于仅有左右端两个铁心的饱和解除，所以平均地说合成电感比画面上下部减小。因而，水平修正线圈L1P～L4P的合成电感以垂直周期(上下对称地)变化。
在现有技术的饱和电抗器中101P，如上所述作为磁铁6P全部覆盖两个铁心1P、2P双方程度地用大型磁铁。因此，在磁铁6P的断面(S极)当中未被铁心1P、2P覆盖的部分(参照图17中打阴影线的部分)的磁场不能有效地利用，也就是说可以认为磁铁6P的磁场的利用率低。因而，产生为了在铁心1P、2P中给出想要的磁场用更强力的磁铁作磁铁6P的必要性，结果成本提高。
进而，在现有技术的饱和电抗器101P中，来自磁铁6P未被上述铁心1P、2P覆盖的部分和另一方的端面(N极)的磁场的泄漏影响到CRT的电子束的轨迹，使会聚不良发生。
再者，关于磁铁7P也存在着与磁铁6P同样的问题。
发明概述本发明正是鉴于这样的问题而提出的，其目的在于提供一种与现有技术的饱和电抗器101P相比能够有效地(效率高地)供给偏磁场，且来自磁极的漏磁场低，成本也低的饱和电抗器。
本发明第1方面的饱和电抗器，包括带铁心的垂直修正线圈，配置成与上述垂直修正线圈磁性耦合的四个带铁心的水平修正线圈，向上述四个水平修正线圈当中的两个施加偏磁场用的包括极性彼此不同的两个磁极的第1偏磁场供给部，以及向上述四个水平修正线圈当中的其余两个施加偏磁场用的包括极性彼此不同的两个磁极的第2偏磁场供给部。
本发明第2方面中的饱和电抗器，是在权利要求1中所述的饱和电抗器中，上述第1和/或第2偏磁场供给部包括有上述两个磁极当中的第1磁极的第1磁铁，和有上述两个磁极当中的第2磁极的第2磁铁，上述第1磁铁有与上述第1磁极极性相反的第3磁极，上述第2磁铁有与上述第2磁极极性相反的第4磁极，上述第1和/或第2偏磁场供给部还包括把上述第1磁铁的上述第3磁极与上述第2磁铁的上述第4磁极磁性耦合的闭合磁构件。
本发明第3方面中的饱和电抗器，是在本发明第2方面中的饱和电抗器中，上述闭合磁构件包括电磁钢构件。
本发明第4方面中的饱和电抗器，是在本发明第2方面或本发明第3方面中的饱和电抗器中，上述闭合磁构件具有弹簧弹性。
本发明第5方面中的饱和电抗器，是在本发明第1方面至本发明第4方面中的饱和电抗器中，上述第1和/或第2偏磁场供给部包括具有上述两个磁极的单一的第3磁铁。
图2是用来说明根据第1实施例的饱和电抗器中的偏磁场的示意图。
图3是用来说明根据第1实施例的饱和电抗器的各铁心的饱和/非饱和状态的示意图。
图4是用来说明根据第1实施例的饱和电抗器中的磁场的示意图。
图5是用来说明根据第1实施例的饱和电抗器中的磁场的示意图。
图6是用来说明根据第1实施例的饱和电抗器中的磁场的示意图。
图7是用来说明根据第1实施例的饱和电抗器中的磁场的示意图。
图8是用来说明根据第1实施例的饱和电抗器中的磁场的示意图。
图9是用来说明根据第1实施例的饱和电抗器中的磁场的示意图。
图10是根据第1实施例的另一个饱和电抗器的示意外观图。
图11是根据第2实施例的饱和电抗器的示意外观图。
图12是根据第3实施例的饱和电抗器的示意外观图。
图13是用来说明垂直方向会聚不良(PQv)的示意图。
图14是用来说明现有技术的PQv修正电路的电路图。
图15是用来说明中间枕形失真(枕形失真)的示意图。
图16是用来说明现有技术的中间枕形失真修正电路的电路图。
图17是现有技术的饱和电抗器的示意外观图。
图18是用来说明现有技术的饱和电抗器的各铁心的饱和/非饱和状态的示意图。
图中，1～5铁心，10第1偏磁场供给部，11、21第1磁铁，12、22第2磁铁，13、23U字形磁铁(第3磁铁)，14、15、24、25闭合磁构件，20第2偏磁场供给部，101～104饱和电抗器，Bm偏磁场，L1～L4水平修正线圈，L5垂直修正线圈。
实施发明的具体方式<第1实施例>
图1中示出根据第1实施例的饱和电抗器101的示意外观图(侧视图和俯视图)，图2中示出用来说明饱和电抗器101中的偏磁场(后述的磁铁11、12、21、22发生的磁场)Bm的示意图。
饱和电抗器101包括带铁心的垂直修正线圈L5，四个带铁心的水平修正线圈L1～L4，第1磁铁11、21，第2磁铁12、22，闭合磁构件14、24，以及保持架或壳体30。再者，为了避免图面的繁杂，保持架30仅在图1的右图(俯视图)中用虚线画出，此外在图2中省略了保持架30的图示。
详细地说，铁心1～5制成例如线轱辘形或鼓形，在铁心5上缠绕垂直修正线圈L5，此外在铁心1上缠绕水平修正线圈L1，同样在铁心2～4上分别缠绕水平修正线圈L2～L4。四个水平修正线圈L1～L4配置成与带铁心的垂直修正线圈L5磁性耦合。具体地说，铁心1、3的一个端面接触于铁心5的一个端面，铁心2、4的一个端面接触于铁心5的另一个端面。再者，铁心1～5的端面为例如圆形。
第1磁铁11使S极(或第1磁极)接触于铁心1的另一个端面地配置，第2磁铁12使N极(或第2磁极)接触于铁心3的另一个端面地配置。此时，从第2磁铁12的N极发出的偏磁场Bm形成依次通过铁心3、铁心5和铁心1进入第1磁铁11的S极这一闭合磁路(闭环)。
特别是，闭合磁构件14把第1磁铁11的N极(或第3磁极)与第2磁铁12的S极(或第4磁极)磁性耦合。具体地说，闭合磁构件14由磁性体组成的轭铁板来构成。此时，作为上述磁性体用例如硅钢板等廉价的电磁钢带来形成，由此可以低成本地提供闭合磁构件14、24，从而低成本地提供饱和电抗器101。
闭合磁构件14例如以带状构件为基材，具有把该带状构件的两端部翻折成大体上U字形的形状(例如装订纸后的处于弯曲状态的订书钉那样的形状)，由于这种形状，闭合磁构件14具有弹簧作用或弹簧弹性。而且，闭合磁构件14使上述弯曲的两端部分别接触于第1磁铁11的N极和第2磁铁12的S极地配置。由此，从第1磁铁11的N极发出的偏磁场Bm形成通过闭合磁构件14进入第2磁铁12的S极这一闭合磁路。
同样，第1磁铁21使S极(或第1磁极)接触于铁心4的另一个端面地配置，第2磁铁22使N极(或第2磁极)接触于铁心2的另一个端面地配置。此时，从第2磁铁22的N极发出的偏磁场Bm形成依次通过铁心2、铁心5和铁心4进入第1磁铁21的S极这一闭合磁路。
特别是，闭合磁构件24把第1磁铁21的N极(或第3磁极)与第2磁铁22的S极(或第4磁极)磁性耦合。闭合磁构件24具有与上述闭合磁构件14同样的材质·形状，使闭合磁构件24的两端部分别接触于第1磁铁21的N极和第2磁铁22的S极地配置。由此，从第1磁铁21的N极发出的偏磁场Bm形成通过闭合磁构件24进入第2磁铁22的S极这一闭合磁路。
这样一来在饱和电抗器101中，闭合磁构件14对着对面配置在铁心5的同一端面上的两个磁铁11、12设置，同样闭合磁构件24对着两个磁铁21、22设置。
再者，磁铁11、12、21、22的N极和S极的端面制成与铁心1～4的上述的另一个端面(对着磁铁11、12、21、22的端面)相同程度或小于它们的尺寸的圆形。此外，在图1的例子中磁铁11、22配置成不同极性的磁极经由铁心5对置，磁铁12、21同样地配置着。
在饱和电抗器101中，包含第1和第2磁铁11、12以及闭合磁构件14的构成相当于第1偏磁场供给部10，包含第1和第2磁铁21、22以及闭合磁构件24的构成相当于第2偏磁场供给部20。
保持架30是用例如绝缘材料制成的容器形状构件，如上所述配置的带铁心线圈L1～L5，磁铁11、12、21、22以及闭合磁构件14、24收容在保持架30的容器形状内。
如果用饱和电抗器101，则在四个水平修正线圈L1～L4的各个上设有磁极(N极或S极)。因此，与图17的现有技术的饱和电抗器101P不同，可以用与水平修正线圈L1～L4的端面相同程度或小于它们的尺寸的磁极。也就是说，可以以比现有技术的饱和电抗器101P更小型的磁铁构成四个磁极。
因而，可以有效地(效率高地)向铁心1～4，换句话说向水平修正线圈L1～L4供给偏磁场Bm。进而，可以减少来自磁极的泄漏磁场，结果可以减少起因于泄漏磁场的会聚不良而提高CRT的显示质量。进而，通过小型磁铁的运用可以降低成本。
此外，靠闭合磁构件14、24可以抑制来自第1磁铁11、21的N极和第2磁铁12、22的S极的磁场的泄漏。由此，可以减少起因于泄漏磁场的会聚不良而提高CRT的显示质量。
进而，如果用包含闭合磁构件14、24的上述闭合磁路(仅由磁性体组成)，则与没有闭合磁构件的现有技术的饱和电抗器101P这样磁路包含空气的场合相比，磁路阻力减小。因此，即使用磁力比未设闭合磁构件14、24的场合要弱些的磁铁作为磁铁11、12、21、22，也可以得到使水平修正线圈L1～L4的铁心1～5饱和的磁通密度。因而，通过这种弱磁铁的运用可以降低成本。
此外，闭合磁构件14、24靠弹簧弹性作为配置在保持架30内的铁心1～5等零件的压板发挥作用(靠与设在例如一般的各种机器上的干电池保持架的电极作为干电池压板发挥的同样的作用)。此时，靠闭合磁构件14、24的弹性变形，可以吸收保持架30内的每个零件的尺寸偏差(具体地说铁心1、3，铁心5和铁心2、4的排列方向(图1中的左右方向)上的偏差)，换句话说作为总体的累计偏差。由此，可以放宽例如铁心的尺寸偏差的管理或与该偏差相对应的分组等质量管理，提高制造效率或生产率。
再者，现有技术的饱和电抗器101P的磁性屏蔽24P(参照图17)不能在磁铁6P、7P之间形成闭合磁路。因而，磁性屏蔽24P不能实现闭合磁构件14、24那样的抑制泄漏磁场的效果。
且说，饱和电抗器101(以及后述的饱和电抗器102～104)能够取代现有技术的饱和电抗器101P运用于已述的图14的PQv修正电路和图16的中间枕形失真修正电路。具体地说，使水平修正线圈L1～L4和垂直修正线圈L5分别对应于现有技术的饱和电抗器101P的线圈L1P～L4P和线圈L5P，由此能够运用于上述电路。再者，比较图1和图17可以看出，饱和电抗器101与现有技术的饱和电抗器101P中水平修正线圈L1～L4和铁心1～4的配置位置不同。
在饱和电抗器101中，磁铁11、12、21、22向铁心1～4，从而向水平修正线圈L1～L4供给偏磁场Bm。此时，磁铁11、22(图1的俯视图中)形成同一方向的偏磁场Bm，另一方面，磁铁12、21形成与上述磁铁11、22相反方向的偏磁场Bm(参照图2)。此外，在饱和电抗器101中，线圈L1～L4的绕线方向或流过线圈L1～L4的电流的方向这样来设定，以便水平修正线圈L1、L4(图1的俯视图中)发生同一方向的磁场而且水平修正线圈L2、L3发生与上述线圈L1、L4相反方向的磁场。在这种构成·设定下，饱和电抗器101动作·作用如下。
这里，图3中示出用来说明饱和电抗器101的各铁心1～5的饱和/非饱和状态的示意图，图4～图9示出用来说明画面上的各位置上的饱和电抗器101中产生的磁场的示意图。再者，在图4～图9中省略了保持架30的图示。
图3表示以水平偏转电流IH为横轴并以垂直偏转电流IV为纵轴的坐标平面，横轴对应于CRT的屏幕或画面的横向而纵轴对应于画面的纵向。图3中的9个标记(分别由5个矩形组成)表示在电子束向与各标记的图示位置相对应的画面上的位置偏转的场合饱和电抗器101的各铁心1～5处于饱和状态还是非饱和状态。再者，用白色的矩形表示处于非饱和状态的铁心而用黑色的矩形表示处于饱和状态的铁心。
首先，在电子束向画面中央偏转的场合(IH＝0，IV＝0)，因为水平修正线圈L1～L4和垂直修正线圈L5的任何一个中都没有电流流过，故如图4中所示在铁心1～4中仅作用着磁铁11、12、21、22发生的偏磁场Bm。此时，铁心1～4全都饱和。
在向画面左端或横轴左端偏转的场合(IH＝min，IV＝0)，如图5中所示，水平修正线圈L1、L3发生的磁场Bh与磁铁11、12发生的偏磁场Bm为同一方向，反之水平修正线圈L2、L4发生的磁场Bh与磁铁22、21发生的偏磁场Bm为相反方向。因此，铁心1、3为饱和状态，反之铁心2、4的饱和解除(成为非饱和状态)。
反之，在向画面右端或横轴右端偏转的场合(IH＝max，IV＝0)，如图6中所示，水平修正线圈L1、L3发生的磁场Bh与磁铁11、12发生的偏磁场Bm为相反方向，反之水平修正线圈L2、L4发生的磁场Bh与磁铁22、21发生的偏磁场Bm为同一方向。因此，铁心1、3的饱和解除，铁心2、4成为饱和状态。
在向画面上端或纵轴上端偏转的场合(IH＝0，IV＝max)，如图7中所示，垂直修正线圈L5发生的磁场Bv与磁铁11、22发生的偏磁场Bm为同一方向，反之与磁铁12、21发生的偏磁场Bm为相反方向。因此，铁心3、4的饱和解除，铁心1、2成为饱和状态。
反之，在向画面下端或纵轴下端偏转的场合(IH＝0，IV＝min)，如图8中所示，垂直修正线圈L5发生的磁场Bv与磁铁11、22发生的偏磁场Bm为相反方向，与磁铁12、21发生的偏磁场Bm为同一方向。因此，铁心1、2的饱和解除，铁心3、4成为饱和状态。
向画面左上偏转的场合(IH＝min，IV＝max)可以看成是上述向画面左端和画面上端偏转的场合的两种状态的重合(参照图9)。在该场合，铁心1～4的饱和/非饱和状态由磁铁11、12、21、22，水平修正线圈L1～L4和垂直修正线圈L5发生的各磁场的强度的平衡来确定。
在饱和电抗器101中，各线圈L1～L5的匝数比这样来调整，以便水平修正线圈L1～L4发生的磁场Bh要比垂直修正线圈L5发生的磁场Bv弱些。更具体地说，上述匝数比被调整成在垂直修正线圈L5引起的磁场Bv起作用的场合可以忽视水平修正线圈L1～L4引起的磁场Bh的作用的程度。
因而，向画面左上偏转的场合的铁心1～5的状态可以看成是接近于向画面上端偏转的场合的状态。也就是说，铁心3、4的饱和解除，铁心1、2成为饱和状态。
此外，向画面右上偏转的场合(IH＝max，IV＝max)中铁心1～4的饱和/非饱和状态也与向画面上端和左上偏转的场合是同样的。
同样，向画面左下偏转的场合(IH＝min，IV＝min)和向画面右下偏转的场合(IH＝max，IV＝min)中铁心1～4的饱和/非饱和状态与向画面下端偏转的场合是同样的。也就是说，铁心1、2的饱和解除，铁心3、4成为饱和状态。
这样一来，如果比较图1和图17可以看出(但是，铁心1～4的配置位置不同)，饱和电抗器101的铁心1～4的饱和/非饱和状态与现有技术的饱和电抗器101P的那些是相同的。
可是，在图1的饱和电抗器101中，也可以经由铁心5把四个磁铁11、12、21、22配置成同一极性的磁极对置。例如，也可以使饱和电抗器101的各磁铁21、22的磁极翻转(参照图1和后述的图10)。
此时，在像这样使磁极翻转的饱和电抗器101中供给到水平修正线圈L2、L3的偏磁场成为同一方向。此外，如上所述，绕线方向等设定成水平修正线圈L2、L3发生同一方向的磁场。因此，在如上所述变型的饱和电抗器101中，电路上可以把水平修正线圈L2、L3作为等效元件来利用。
鉴于这一点，图10的示意外观图(侧视图和俯视图)中所示的饱和电抗器102能够取代现有技术的饱和电抗器101P运用于已述的图14的PQv修正电路和图16的中间枕形失真修正电路。饱和电抗器102相当于在如上所述变型的饱和电抗器101中把线圈L2作为线圈L4而把线圈L4作为线圈L2，进而把磁铁22作为磁铁21而把磁铁21作为磁铁22使用的构成。
即使这样构成，也可以得到与图1的饱和电抗器101同样的效果。<第2实施例>
图11中示出根据第2实施例的饱和电抗器103的示意外观图(侧视图和俯视图)。比较图11和图1可以看出，饱和电抗器103取代已述的饱和电抗器101的闭合磁构件14、24，备有闭合磁构件15、25。在饱和电抗器103中铁心1～5，线圈L1～L5和磁铁11、12、21、22以及保持架30的配置形态与饱和电抗器101是同样的。
详细地说，闭合磁构件15、25取为大体上U字形，起因于这种形状而具有弹簧作用或弹簧弹性。再者，闭合磁构件15、25由与已述的闭合磁构件14、24同样的材质制成。而且，闭合磁构件15用上述U字形的两腕部夹持第1磁铁11，铁心1、5、2以及第2磁铁22，同样闭合磁构件25用上述U字形的两腕部夹持第2磁铁12，铁心3、5、4以及第1磁铁21。也就是说，在饱和电抗器103中对于经由铁心5对置的两个磁铁11、22设置闭合磁构件15，同样对于两个磁铁12、21设置闭合磁构件25。
因而，在饱和电抗器103中，第1磁铁11的N极与第2磁铁22的S极靠闭合磁构件15磁性耦合，第1磁铁21的N极与第2磁铁12的S极靠闭合磁构件25磁性耦合。
再者，在饱和电抗器103中，包含第1和第2磁铁11、22以及闭合磁构件15的构成相当于第1偏磁场供给部10，包含第1和第2磁铁21、12以及闭合磁构件25的构成相当于第2偏磁场供给部20。
如果用饱和电抗器103则可以得到与已述的饱和电抗器101同样的效果。特别是，闭合磁构件15、25具有比已述的闭合磁构件14、24更长的带状部分(闭合磁构件15、25形成的U字形的底部)。由于该长的带状部分容易变形，所以闭合磁构件15、25弹簧弹性更大。因而，更显著地得到起因于弹簧弹性的已述的效果。<第3实施例>
图12中示出根据第3实施例的饱和电抗器104的示意外观图(侧视图和俯视图)。比较图12和图1可以看出，饱和电抗器104取代已述的饱和电抗器101的磁铁11、12、21、22以及闭合磁构件14、24，备有有N极和S极两个磁极的单一的U字形磁铁(或第3磁铁)13、23。再者，在饱和电抗器104中铁心1～5，线圈L1～L5以及保持架30的配置形态与饱和电抗器101是同样的。
详细地说，U字形磁铁13使S极接触于铁心1的上述另一个端面而使N极接触于铁心3的上述另一个端面地配置。同样，U字形磁铁23使S极接触于铁心4的上述另一个端面而使N极接触于铁心2的上述另一个端面地配置。由此，U字形磁铁13、23向铁心1～4，从而向水平修正线圈L1～L4供给偏磁场Bm。
再者，在饱和电抗器104中，U字形磁铁13相当于第1偏磁场供给部10，包含U字形磁铁23的构成相当于第2偏磁场供给部20。
如果用饱和电抗器104，则由于与用已述的闭合磁构件14、15、24、25的饱和电抗器101～103相比减少了零件数和制造工序数，所以可以提高制造效率。
再者，也可以例如把饱和电抗器101的磁铁21、22以及闭合磁构件24变成U字形磁铁23，把闭合磁构件与U字形磁铁组合起来。
发明的效果如果用根据本发明第1方面的发明，则在四个水平修正线圈的每一个上设有磁极。因此，与例如对于两个水平修正线圈共同设有单一磁极的现有技术的饱和电抗器不同，可以用与水平修正线圈的端面相同程度的(或小于它们的)尺寸的磁极。也就是说，可以以比上述现有技术的饱和电抗器更小型的磁铁来构成四个磁极。因而，可以有效地(效率高地)供给偏磁场。进而，可以减少来自磁极的泄漏磁场，结果可以减少起因于该泄漏磁场的会聚不良而提高CRT的显示质量。进而，通过小型磁铁的运用可以降低成本。
如果用根据本发明第2方面的发明，则靠闭合磁构件可以抑制来自第1磁铁的第3磁极和第2磁铁的第4磁极的磁场的泄漏。因而，可以减少起因于该泄漏磁场的会聚不良而提高CRT的显示质量。
进而，由于与未设置闭合磁构件的场合相比，磁路阻力减小，所以即使用磁力比较弱的磁铁作为第1和第2磁铁也可以使水平修正线圈的铁心饱和。因而，通过弱磁铁的运用可以降低成本。
如果用根据本发明第3方面的发明，则可以用廉价的电磁钢构件低成本地提供闭合磁构件，从而提供饱和电抗器如果用根据本发明第4方面的发明，则在把饱和电抗器备有的带铁心垂直修正线圈等零件收容在保持架内的场合，可以靠闭合磁构件的弹性变形来吸收每个零件的尺寸偏差，换句话说作为总体的累计偏差。由此，可以放宽零件的质量管理，提高制造效率。进而，可以把闭合磁构件作为压板发挥作用。
如果用根据本发明第5方面的发明，则由于与用闭合磁构件的场合相比减少了零件数和制造工序数，所以可以提高制造效率。
权利要求
1.一种饱和电抗器，其特征在于包括带铁心的垂直修正线圈，配置成与上述垂直修正线圈磁性耦合的四个带铁心的水平修正线圈，向上述四个水平修正线圈中的两个施加偏磁场用的包括极性彼此不同的两个磁极的第1偏磁场供给部，以及向上述四个水平修正线圈当中的其余两个施加偏磁场用的包括极性彼此不同的两个磁极的第2偏磁场供给部。
2.根据权利要求1所述的饱和电抗器，其特征在于上述第1和/或第2偏磁场供给部包括具有上述两个磁极当中的第1磁极的第1磁铁、和具有上述两个磁极当中的第2磁极的第2磁铁，上述第1磁铁具有与上述第1磁极极性相反的第3磁极，上述第2磁铁具有与上述第2磁极极性相反的第4磁极，上述第1和/或第2偏磁场供给部还包括把上述第1磁铁的上述第3磁极与上述第2磁铁的上述第4磁极磁性耦合的闭合磁构件。
3.根据权利要求2所述的饱和电抗器，其特征在于上述闭合磁构件包括电磁钢构件。
4.根据权利要求2中所述的饱和电抗器，其特征在于上述闭合磁构件具有弹簧弹性。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的饱和电抗器，其特征在于上述第1和/或第2偏磁场供给部包括具有上述两个磁极的单一的第3磁铁。
全文摘要
提供一种能够高效率地供给偏磁场，且来自磁极的泄漏磁场低，成本也低的饱和电抗器。第1磁铁11的S极接触铁芯1，第2磁铁12的N极接触铁芯3。闭合磁构件14把第1磁铁11的N极与第2磁铁的S极磁性耦合而形成闭合磁路。闭合磁构件14由例如硅钢板等的电磁钢带制成，具有弹簧弹性。同样，对于铁芯2、4设置磁铁22、21，对于磁铁22、21设置闭合磁构件24。
文档编号H04N3/237GK1402298SQ0113936
公开日2003年3月12日 申请日期2001年11月21日 优先权日2001年8月24日
发明者宫本佳典, 重松晴夫, 野口正雄 申请人:三菱电机株式会社