专利名称：利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变的校正装置的利记博彩app
技术领域：
本项发明涉及偏转线圈，更为详细的说，是有关对于需要可变性VCR(垂直中心扫描)特性的产品，回避现有的附着磁性构件的方式而通过可变电阻调整彗形象差自由线组中的电流强度，从而更易于控制VCR的可变性的在偏转线圈利用可变电阻校正会聚失调以及几何畸变的装置。
图2和图3为一般的鞍-鞍形偏转线圈示意图。如图中所示，在圆锥型的线圈绝缘体11的屏幕部的内表面上下两侧安装马鞍状的水平偏转线组12a，12b，而外表面的左右两侧安装马鞍状的垂直偏转线组13a，13b。如图6中所示，上述鞍形线组按左上侧13a-1、左下侧13a-2、右上侧13b-1、右下侧13b-2顺序依次相互串联。
为了增强上述垂直偏转线组13a，13b的磁场，在线圈绝缘体11屏幕部的外表面安装有圆筒型的铁氧体磁芯14，同时，线圈绝缘体11的颈部的外柱面周围安装彗形象差自由线组15，用于校正由垂直偏转线组13a，13b所产生的彗形象差。
图4以及图5为普通鞍-环形偏转线圈的示意图。如图中所示，圆锥型的线圈绝缘体11的屏幕部的内表面的上下两侧安装水平偏转线组12，而外表面的安装圆筒型的铁氧体磁芯14，而铁氧体磁芯14的上下两侧缠绕环型的垂直偏转线组16。
同时，线圈绝缘体11的颈部的外柱面周围增设彗形象差自由线组15，用于校正由垂直偏转线组16所产生的彗形象差。从结构上看，上述垂直偏转线组16缠绕在铁氧体磁芯14的上下部。
这时，在图2和图3中的鞍-鞍形偏转线圈中，根据上述左侧垂直偏转线组13a以及右侧垂直偏转线组13b间的相对散度和/或相对电流强度的大小，左侧及右侧的磁场产生差距，而画面上由此产生会聚失调和几何畸变(以下缩写为G/D)现象。
同样，在图4和图5中的鞍-环形偏转线圈中，对于X-Y轴，根据缠绕在左上侧以及下左侧的垂直偏转线组16a以及缠绕在右上侧及下右侧的垂直偏转线组16b的相对散度和/或相对电流强度的大小，左侧及右侧的磁场产生差距，而画面上由此产生会聚失调和几何畸变(G/D)现象。
上述会聚失调可分为YV会聚失调和YHC会聚失调。YV会聚失调是指，图7以及图9中所示的画面上的Y轴的上下两侧，红色横线R偏离蓝色横线B时的垂直会聚失调；YHC会聚失调是指图10中所示的竖线R和竖线B相互交叉的水平会聚失调。上述G/D是指图6a和图13中所示的画面非正常的状态，图11和图13所示为梯形畸变示意图。
图14是图2和图3中所示的普通鞍-鞍形偏转线圈的YV会聚失调的校正电路图。如图中所示，左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b相互串联。由2个固定电阻21a，21b以及可变电阻22组成的分流电路与左右侧的垂直偏转线圈13a，13b相互并联。
图14中的普通YV会聚失调校正电路可调整可变电阻22的电阻值，并由此调节左侧垂直偏转线圈13a以及右侧垂直偏转线圈13b中的相对电流强度，从而调整左右侧的磁场，将图7或图9中的会聚失调校正为图8中的R线和B线相一致。
同时，图15是图4和图5中所示的普通鞍-环形偏转线圈的YV会聚失调的校正电路图。如图中所示，左上侧垂直偏转线圈16a-1和下左侧垂直偏转线圈16b-1，右上侧垂直偏转线圈16a-2和右下侧垂直偏转线圈16b-2依次串联。由2个固定电阻21a，21b以及可变电阻22组成的分流电路相对于缠绕在左上、左下侧的垂直偏转线圈16a-1，16b-1以及缠绕在右上、右下侧的垂直偏转线圈16a-2，16b-2相并联。
图15中的普通YV会聚失调校正电路与图14中的普通YV会聚失调校正电路相同，可调整可变电阻22的电阻值，并由此调节缠绕在左上/下的左侧垂直偏转线圈16a-1，16b-1以及缠绕在右上/下的右侧垂直偏转线圈16a-2，16b-2中的相对电流强度，从而调整左右侧的磁场，将图7或图9中的会聚失调校正为图8中的R线和B线相一致。
但在鞍-鞍形或鞍-环形偏转线圈中，当利用上述可变电阻22校正YV会聚失调时，由于位于左侧的垂直偏转线圈13a或16a以及位于右侧的垂直偏转线圈13b或16b中的相对电流强度的变化，会聚帧面以及几何畸变帧面同时改变，因此，即使YV会聚失调已校正，但有时会发生新的几何畸变。
而且有时由于偏转线圈的卷线产生的左侧及右侧垂直偏转线圈的散度之差而产生几何畸变。也就是说，由于上述线圈的卷线不均匀以及机械组装引起的散度之差，使缠绕于X-Y轴的1-4象限上的线圈形成完全对称的磁场是非常困难的。因此，如图5中所示，即使由不均匀的散度导致的会聚失调被完全校正，也可能发生图11或图13中的几何畸变。另外，即使如图12中所示，几何畸变被完全校正，也可能发生图7或图9中所示的会聚失调。所以，图14以及图15所示的普通YV会聚失调校正电路存在无法同时校正会聚失调和几何畸变的问题。
另一方面，电视专用的普通偏转线圈在显示动态像的电视画面特征上，几何畸变的问题没有被突出化，所以利用图14以及图15中的电路优先调整会聚，其次再校正几何畸变。但最近个人电脑的显示器需要显示高清晰度的静态图像，因此需要更为精密地校正会聚特性以及几何畸变特性的偏转线圈。
为满足这种需求，最近发明了如图17中所示的技术。其中，左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b相互串联，并且线圈13a和13b分别安装于线圈绝缘体的屏幕部外周边的左右两侧。
上述左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b与差分式分流电路部40形成并联电路。此差分式分流电路部40包括依次串联的第1固定电阻R1和第1可变电阻VR1以及第2固定电阻R2，且上述第1可变电阻VR1的可动电极和第1及第2垂直偏转线圈的交点相接触。
上述差分式分流电路部40控制左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b中的相对电流强度，从而被称为起校正几何畸变(G/D)作用的畸变校正部。
第1至第6的彗形象差自由线组51-56与上述左侧及右侧垂直偏转线圈13a，13b相互串联。同时，如图18以及图19中所示，这些彗形象差自由线组51-56以E字形磁性构件58为介质依次缠绕在线圈绝缘体颈部外柱面的左上侧、右上侧、左下侧、右下侧、左中侧以及右中侧，且相互电连接，从而形成彗形象差校正用的6极磁场。
但是，上述现有技术在体现会聚失调的VCR特征上存在失聚问题。细言之，VCR就是Y轴的上、下两端中，“红”，“蓝”的中心和“绿”中心之间的垂直方向的会聚失调。
由于VCR的初始值预先用于卷线线圈的设计以及特征调整，只是考虑了偏转线圈DY的特性，电子管的VCR始终毫无变化。但在产品的生产活动过程中，由于各种参数(如线圈的分布变化、元件的分布等)不断变化，初期的VCR值将有所出入。
因此，为了补偿VCR特性，形成了各种方法。其中之一是通过在偏转线圈DY的上、下、左、右侧各附着磁性构件(由强磁性铁镍合金材质5*15*0.5t，5*20*0.5t制成)调整VCR量(大约±0.04mm)，从而调整VCR特性。
但附着磁性构件的方法存在着下列弊端，此工程必须在偏转线圈工程完成时才能实施，因此需要第2次工程及如磁性构件和粘结剂等额外元件。
为达到上述目的，本项发明即利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置以下列几项为其特征；它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制左侧及右侧垂直偏转线圈中的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的几何畸变的畸变校正部；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；控制彗形象差自由线组中，位于上侧的彗形象差自由线组以及下侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整上侧及下侧的相对磁场，从而校正画面上的水平会聚失调的第2会聚校正部；以及由与上述彗形象差自由线组相并联的可变电阻，连接于左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与可变电阻可动电极间的固定电阻所组成的VCR会聚失调校正部。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的附加性特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一特征在于包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及由与上述彗形象差自由线组相并联的可变电阻，连接于左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与可变电阻可动电极间的固定电阻所组成的VCR会聚失调校正部。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一附加性特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一特征在于包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制左侧及右侧垂直偏转线圈中的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的几何畸变的畸变校正部；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及由与上述彗形象差自由线组相并联的可变电阻，连接于左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与可变电阻可动电极间的固定电阻所组成的VCR会聚失调校正部。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一附加性特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一特征在于包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；缠绕在上述铁氧体磁芯且相互电连接，以在上、下侧形成垂直偏转磁场的左侧的上/下垂直偏转线圈和右侧的上/下垂直偏转线圈；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及由与上述彗形象差自由线组相并联的可变电阻，连接于左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与可变电阻可动电极间的固定电阻所组成的VCR会聚失调校正部。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一附加性特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一特征在于包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制左侧及右侧垂直偏转线圈中的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的几何畸变的畸变校正部；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；控制彗形象差自由线组中，位于上侧的彗形象差自由线组以及下侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整上侧及下侧的相对磁场，从而校正画面上的水平会聚失调的第2会聚校正部；以及包括其一端连接于右侧垂直偏转线圈和左侧彗形象差自由线组的连接交点的第1电流调整电阻，其一端连接于右侧彗形象差自由线组和电源供应端子的连接交点的第2电流调整电阻，以及其两端分别连接于第1电流调整电阻的另一端和第2电流调整电阻的另一端，左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与其可动电极相连的电流调整可变电阻的VCR会聚失调校正部。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一附加性特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一特征在于包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及包括其一端连接于右侧垂直偏转线圈和左侧彗形象差自由线组的连接交点的第1电流调整电阻，其一端连接于右侧彗形象差自由线组和电源供应端子的连接交点的第2电流调整电阻，以及其两端分别连接于第1电流调整电阻的另一端和第2电流调整电阻的另一端，左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与其可动电极相连的电流调整可变电阻的VCR会聚失调校正部。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一附加性特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一特征在于包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制左侧及右侧垂直偏转线圈中的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的几何畸变的畸变校正部；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及包括其一端连接于右侧垂直偏转线圈和左侧彗形象差自由线组的连接交点的第1电流调整电阻，其一端连接于右侧彗形象差自由线组和电源供应端子的连接交点的第2电流调整电阻，以及其两端分别连接于第1电流调整电阻的另一端和第2电流调整电阻的另一端，左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与其可动电极相连的电流调整可变电阻的VCR会聚失调校正部。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一附加性特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一特征在于包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；缠绕在上述铁氧体磁芯且相互电连接，以在上、下侧形成垂直偏转磁场的左侧的上/下垂直偏转线圈和右侧的上/下垂直偏转线圈；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及包括其一端连接于右侧垂直偏转线圈和左侧彗形象差自由线组的连接交点的第1电流调整电阻，其一端连接于右侧彗形象差自由线组和电源供应端子的连接交点的第2电流调整电阻，以及其两端分别连接于第1电流调整电阻的另一端和第2电流调整电阻的另一端，左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与其可动电极相连的电流调整可变电阻的VCR会聚失调校正部。
为达到上述目的，利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一附加性特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
图1为偏转线圈安装在普通阴极射线管中的图面；图2为一般的鞍-鞍形偏转线圈的纵断面图；图3为图2的横断面图；图4为一般的鞍-环形偏转线圈的纵断面图；图5为图4的横断面图；图6为表示图2及图3的垂直偏转线圈的电路连接关系的电路图；图7至图9是为了说明画面上的YV会聚失调帧面的图面；图10为表示画面上的YHC会聚失调帧面的图面；图11至图13是为了说明画面上的几何畸变帧面的图面；图14为一般的鞍-鞍形偏转线圈的YV会聚失调校正电路图；图15为一般的鞍-环形偏转线圈的YV会聚失调校正电路图；图16是为了说明由偏转线圈引起的电子束轨道和偏转程度之间的关系的图面；图17为本发明实例中的鞍-鞍形偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的电路图；图18以及图19为本发明中的彗形象差自由线组的结构示意图；图20是为了说明本发明的技术构思的实施例图面；图21为本发明中的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的实施例图面；图22为本发明中的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的另一实施例图面；图23为图21中的彗形象差自由线组的结构示意图；图24为图21中的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的实验数据表；图25为图22中的彗形象差自由线组的结构示意图；图26为本发明的实施例中，将图22中的实施例运用于鞍-环形偏转线圈的预示图。
最佳实施方式以下是有关本项发明中的偏转线圈的最佳实例的详细说明。通过参照附图及下列说明，会更加透彻地了解本发明的上述目的和众多优点。
首先，我们来看以下本发明中的技术构思，现有技术为克服会聚失调而使用磁性构件的理由在于偏转线圈所形成的磁场强度随着磁性构件增加而改变，电子束的折向角也会改变，从而校正会聚失调。
同时，现有技术为校正偏转线圈所产生的会聚失调而附加彗形象差自由线组的原因在于通过改变产生磁场的偏转线圈中的电流强度，从而达到改变磁场的目的。
本项发明的出发点也在于改变彗形象差自由线组中的电流强度，从而改变偏转线圈所产生的磁场。
图20是为了说明本发明的技术构思的实施例图面。如图中所示，左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b相互串联，且分别安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面的左侧及右侧。
差分式分流电路部40与上述左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b相并联。此差分式分流电路部40由依次串联的第1固定电阻R1和第1可变电阻VR1以及第2固定电阻R2所组成，且上述第1可变电阻VR1的可动电极和第1及第2垂直偏转线圈的交点相接触。
上述差分式分流电路部40控制左侧垂直偏转线圈13a和右侧垂直偏转线圈13b中的相对电流强度，从而起到校正画面几何畸变(G/D)的作用，故而称为畸变校正部40。
第1至第6的彗形象差自由线组51-56与上述左侧及右侧垂直偏转线圈13a，13b相互串联。同时，如图18以及图19中所示，这些彗形象差自由线组51-56以E字形磁性构件58为介质依次缠绕在线圈绝缘体颈部外柱面的左上侧、右上侧、左下侧、右下侧、左中侧以及右中侧，且依次相互电连接，形成彗形象差校正用的6极磁场。
上述结构与一般装置的结构相同，本发明中的技术是在上述结构的基础上，具备其一端连接于右侧垂直偏转线圈13b和第1彗形象差自由线组51的交点，另一端连接于第4彗形象差自由线组54和第5彗形象差自由线组55的交点上的第1电流调整电阻CR1；以及一端连接于第4彗形象差自由线组54和第5彗形象差自由线组55的交点，另一端连接于第6彗形象差自由线组56和电源供应端子的交点上的第2电流调整电阻CR2。
所以上述垂直偏转线圈13a，13b所产生的磁场一般是如图3中箭头所示的桶形，因此，向上侧或下侧偏转时，比起红色R电子束和蓝色B电子束，相对离磁场相对远的绿G电子束的敏感度降低，由此绿G电子束生产会聚失调的彗形象差。这时，为了提高绿电子束的敏感度并使其与红色及蓝色电子束会聚，特使用图18及图19中所示的彗形象差自由线组51-56，以产生虚线箭头所示的枕形磁场，消除上述垂直偏转线圈13a，13b产生的桶形磁场，从而达到提高绿电子束的敏感度的目的。
这时，所有彗形象差自由线组51-56的卷线方向最好一致，也可以使上侧彗形象差自由线组51，52以及下侧彗形象差自由线组53，54的卷线方向相同，中间的彗形象差自由线组55，56的卷线方向与之相反。在前一种卷线方法中，如果中间的彗形象差自由线组55或56的磁场增强，会减弱上侧彗形象差自由线组51或52以及下侧彗形象差自由线组53或54的磁场强度，导致其功能减弱。例如，增强左中侧彗形象差自由线组55的磁场时，左上侧以及左下侧的彗形象差自由线组51，53的磁场强度减弱，而右上侧以及右下侧彗形象差自由线组52，54的磁场相对增强。后一种卷线方法的磁场原理与前一种卷线方法相反。
作为参考，图18为向下偏转时的彗形象差自由线组的电流方向及磁场方向示意图，图19为向上偏转时的彗形象差自由线组的电流方向及磁场方向示意图。从图中可见，向下偏转时和向上偏转时的电流及磁场方向是相反的。
再观察图20，YHC会聚失调校正部60与上述第1至第4彗形象差自由线组51-54相互并联。YHC会聚失调校正部60具有控制第1和第2彗形象差自由线组51，52以及第3和第4彗形象差自由线组53，54中的相对电流强度，校正画面上的会聚失调的作用。它由并联连接于第1至第4彗形象差自由线组51-54的第2可变电阻VR2和跨接于第2彗形象差自由线组52和第3彗形象差自由线组53的交点以及第2可变电阻VR2的可动电极之间的第3固定电阻R3组成。
同时，YV会聚失调校正部70与上述第5以及第6彗形象差自由线组55，56相互并联。YV会聚失调校正部70具有控制第5彗形象差自由线组55以及第6和彗形象差自由线组56中的相对电流强度，校正画面上的垂直会聚失调YV的作用。它由并联连接于第5以及第6彗形象差自由线组55，56的第3可变电阻VR3和跨接于第5彗形象差自由线组55和第6彗形象差自由线组56的交点以及第3可变电阻VR3的可动电极之间的第4固定电阻R4组成。
本发明同时具备相互并联的上侧水平偏转线圈12a和下侧水平偏转线圈12b以及为调整上侧水平偏转线圈12a和下侧水平偏转线圈12b的相对磁场的平衡线圈B/C。
这时，根据第1电流调整电阻CR1和第2电流调整电阻CR2的大小，第1至第6彗形象差自由线组51-56所产生的枕形磁场强度会有所变动，且上述第1电流调整电阻CR1和第2电流调整电阻CR2的大小可根据画面的会聚失调状态灵活变动。
因此，尽管利用第1电流调整电阻CR1和第2电流调整电阻CR2，上述VCR会聚失调的问题可得到彻底解决，但在事实上，附图20的实例中说明了操作人员在完成了第1至第3的可变电阻的操作后，再增加第1电流调整电阻CR1和第2电流调整电阻CR2的方式，因此在工作效率方面与现有附加磁性构件的方式相比，几乎看不出改善效果。
因此，本发明中采用了图21中所示的利用可变电阻的方式。
图21为本发明中的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的结构图。通常，其结构与图17中所示的现有普通结构相似，但与之的区别之处在于具备并联连接于第1至第6彗形象差自由线组51-56的电流调整用可变电阻VRc，第4彗形象差自由线组54和第5彗形象差自由线组55的交点与电流调整用可变电阻VRc的可动电极相连接。
除了上述过程，其技术通常使用现有技术或图20中所示的技术。在进行图20中的工程时，以调整电流调整用可变电阻VRc的电阻值来代替增加第1电流调整电阻CR1和第2电流调整电阻CR2的过程，从而达到校正VCR会聚失调的目的。
图22为本发明的另一实施例的图面，它结合了图20和图21的技术构思。在此实例中为确保更加精确的校正值，在具备只能保证大致的VCR校正值的电流调整电阻后，再通过电流调整用可变电阻VRc进行进一步的校正。
图22中所示实例中，其连接结构与图17中所示的现有普通结构不同，具备其一端连接于右侧垂直偏转线圈13b和第1彗形象差自由线组51的交点的第1电流调整电阻CR1；其一端连接于第6彗形象差自由线组56和电源供应端子的交点的第2电流调整电阻CR2；以及其一端连接于第1电流调整电阻CR1的另一端，另一端连接于第2电流调整电阻CR2的另一端的电流调整用可变电阻VRc。第4彗形象差自由线组54和第5彗形象差自由线组55的交点与电流调整用可变电阻VRc的可动电极相连接。
具有上述结构的本发明的实例中，以下以图21中所示的实例为标准进行说明。
以下是有关本发明的实例中各构成元件的详细说明。
电阻R1、R2的电阻值约为80-120Ohm，电阻R3电阻值约为2.0-2.4Ohm，电阻R4的电阻值约为0.3-0.7Ohm，第1可变电阻VR1的电阻值约为80-120Ohm，第2可变电阻VR2的电阻值约为18-22Ohm，第3可变电阻VR3的电阻值约为18-22Ohm。
根据本发明上述具体实例，假设图11以及图13中的畸变校正部40对几何畸变(G/D)的最高校正值为(a+b)/2，那么(a+b)/2大约等于1mm，约为现有最高校正值的2倍。假设图7以及图9中的会聚失调校正部70对会聚失调的最高校正值为(c+d)/2，那么(c+d)/2大约等于0.8mm，这时几何畸变几乎不存在。
同时，上述电流调整用可变电阻VRc的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
接着说明有关本发明中的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置的运作原理。
假设右侧垂直偏转线圈13b所产生的右侧磁场比左侧垂直偏转线圈13a产生的左侧磁场强，而发生图11中所示的几何畸变时，通过调整第1可变电阻VR1的电阻值增强左侧垂直偏转线圈13a中的电流而相对增强左侧偏转磁场，随之，上述右侧垂直偏转线圈13b所产生的右侧磁场和左侧垂直偏转线圈13a产生的左侧磁场强度相同，从而完成对图12中所示的几何畸变的校正。
另一方面，假设左侧垂直偏转线圈13a所产生的左侧磁场比右侧垂直偏转线圈13b产生的右侧磁场强，而发生图13中所示的几何畸变时，与上述过程相似，通过调整第1可变电阻VR1的电阻值增强右侧垂直偏转线圈13a中的电流而相对增强右侧偏转磁场，随之，上述左侧垂直偏转线圈13a所产生的左侧磁场和右侧垂直偏转线圈13b产生的右侧磁场强度相同，从而完成对图12中所示的几何畸变的校正。
因此，利用第1可变电阻VR1校正几何畸变，利用第2可变电阻VR2相对调整第1及第2彗形象差自由线组51，52中的电流强度以及第3及第4彗形象差自由线组53，54中的电流强度，从而完成对图10中所示的YHC会聚失调的校正。图10是第1及第2彗形象差自由线组51，52中的电流强度相对较大而上侧的偏转磁场较强的情况，当利用上述第1可变电阻VR1增强第3及第4彗形象差自由线组53，54中的电流强度时，使得上侧偏转磁场和下侧偏转磁场的强度相同，从而校正YHC会聚失调。与此相反，当下侧偏转磁场较强时，利用第2可变电阻VR2校正YHC会聚失调。
如上所述，利用第1可变电阻VR1以及第2可变电阻VR2校正几何畸变及会聚失调，接着利用第3可变电阻VR3相应调整第5彗形象差自由线组55中的电流强度以及第6彗形象差自由线组56中的电流强度，完成对图7以及图9中所示的YV会聚失调的校正。
如图7中所示，当右侧磁场较强时会产生YV会聚失调，此时可通过相应增强左侧磁场进行校正。这时，通常是通过调整第3可变电阻VR3的电阻值增强第6彗形象差自由线组56中的电流强度而增强磁场。
这时，如果上述第1至第6的彗形象差自由线组51-56的卷线方向一致，被增强的第6彗形象差自由线组56的磁场会使右上侧的第2彗形象差自由线组52以及右下侧的第4彗形象差自由线组54的磁场减弱。随之，右侧磁场减弱，左侧磁场相对增强，左右两侧磁场强度相同，从而实现对图8中所示的YV会聚失调的校正。
如图9中所示，当左侧磁场较强时会产生YV会聚失调，此时可通过相对增强右侧磁场进行校正。这时，通常是通过调整第3可变电阻VR3的电阻值增强第5彗形象差自由线组55中的电流强度而增强相对侧的磁场。
这时，如果上述第1至第6的彗形象差自由线组51-56的卷线方向一致，那么E字型磁性构件上形成如图23中所示的6极磁场，被增强的第5彗形象差自由线组55的磁场会使左上侧的第1彗形象差自由线组51以及左下侧的第3彗形象差自由线组53的磁场减弱。随之，左侧磁场减弱，右侧磁场相对增强，左右两侧磁场强度相同，从而实现对图8中所示的YV会聚失调的校正。
如上所述，校正会聚失调之后，VCR会聚失调是通过图23中所示的调整电流调整用可变电阻VRc来校正的。当需要变窄VCR以校正VCR会聚失调时，即由于绿电子束位于红色、蓝色电子束的外侧而需要缩减绿电子束与绿色、蓝色电子束之间的间隔时，调整上述电流调整用可变电阻VRc的电阻值，使第1至第4彗形象差自由线组51-54中的电流强度大于第5及第6彗形象差自由线组55，56中的电流强度，从而消除会聚失调。
相反，当需要加宽VCR以校正VCR会聚失调时，即由于绿电子束位于红色、蓝色电子束的内侧而需要加宽绿电子束与红色、蓝色电子束之间的间隔时，调整上述电流调整用可变电阻VRc的电阻值，使第1至第4彗形象差自由线组51-54中的电流强度小于第5及第6彗形象差自由线组55，56中的电流强度，从而解除会聚失调。
调整电流调整用可变电阻VRc的电阻值所得到的VCR会聚失调的改善效果可通过确认图24中的特性变化数据进一步加深认识。
但，如图24中所示，使用本发明而能够得到VCR会聚失调的改善效果的适用角度范围限定在逆时针方向或顺时针方向的70度之内。
但为了满标度范围使用可变电阻VRc，可适当增加图26中所示的CR1，CR2的阻值。
图25是图22中所示实例中的彗形象差自由线组的结构图。
图26是本发明的另一实施例中，鞍-环形偏转线圈的会聚失调及几何畸变校正装置的电路图，这里只对图22中未说明过的垂直偏转线圈电路进行说明。
在图26中，左上侧垂直偏转线圈16a-1和左下侧垂直偏转线圈16b-1，右上侧垂直偏转线圈16a-2和右下侧垂直偏转线圈16b-2依次串联，相对于缠绕在左上/左下侧的垂直偏转线圈16a-1，16b-1以及缠绕在右上/右下侧的垂直偏转线圈16a-2，16b-2，由2个固定电阻R1，R2以及可变电阻VR1组成的几何畸变校正部40相互并联。
图26的几何畸变校正部40的结构与图22中的几何畸变校正部40相同。换言之，同样是通过调整可变电阻VR1的电阻值而调整缠绕在左上/左下侧的垂直偏转线圈16a-1，16b-1以及缠绕在右上/右下侧的垂直偏转线圈16a-2，16b-2中的电流强度，由此调整左右侧的相对磁场，从而将图11或图13中的几何畸变校正为图12中的形态。
以上是通过图21和22说明了鞍-鞍形偏转线圈的实施例，鞍-环形偏转线圈的实施例是通过图26解释的。可在实际上，鞍-环形偏转线圈的实施例与鞍-鞍形偏转线圈的实施例相似，同样适用于两种情况。
综上所述，本发明中的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正电路是对于需要可变性VCR特性的产品，回避现有的附着磁性构件的方式而通过可变电阻调整彗形象差自由线组中的电流强度，从而使VCR的可变性更加容易实现。
本发明对特定的实施例及其附图进行了说明，但只要具备本行业基本常识的人士都能够看出，在不超过本权利要求书内的发明构思及其领域的范围内，可对本发明进行多种改善及变化。
权利要求
1.一种利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变的校正装置，其特征在于它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制左侧及右侧垂直偏转线圈中的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的几何畸变的畸变校正部；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；控制彗形象差自由线组中，位于上侧的彗形象差自由线组以及下侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整上侧及下侧的相对磁场，从而校正画面上的水平会聚失调的第2会聚校正部；以及由与上述彗形象差自由线组相并联的可变电阻，连接于左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与可变电阻可动电极间的固定电阻所组成的VCR会聚失调校正部。
2.根据权利要求1所述的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变的校正装置，其特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
3.一种利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及由与上述彗形象差自由线组相并联的可变电阻，连接于左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与可变电阻可动电极间的固定电阻所组成的VCR会聚失调校正部。
4.根据权利要求3所述的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
5.一种利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制左侧及右侧垂直偏转线圈中的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的几何畸变的畸变校正部；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及由与上述彗形象差自由线组相并联的可变电阻，连接于左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与可变电阻可动电极间的固定电阻所组成的VCR会聚失调校正部。
6.根据权利要求5所述的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
7.一种利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；缠绕在上述铁氧体磁芯且相互电连接，以在上、下侧形成垂直偏转磁场的左侧的上/下垂直偏转线圈和右侧的上/下垂直偏转线圈；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及由与上述彗形象差自由线组相并联的可变电阻，连接于左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与可变电阻可动电极间的固定电阻所组成的VCR会聚失调校正部。
8.根据权利要求7所述的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
9.一种利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制左侧及右侧垂直偏转线圈中的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的几何畸变的畸变校正部；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；控制彗形象差自由线组中，位于上侧的彗形象差自由线组以及下侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整上侧及下侧的相对磁场，从而校正画面上的水平会聚失调的第2会聚校正部；以及包括其一端连接于右侧垂直偏转线圈和左侧彗形象差自由线组的连接交点的第1电流调整电阻，其一端连接于右侧彗形象差自由线组和电源供应端子的连接交点的第2电流调整电阻，以及其两端分别连接于第1电流调整电阻的另一端和第2电流调整电阻的另一端，左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与其可动电极相连的电流调整可变电阻的VCR会聚失调校正部。
10.根据权利要求9所述的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
11.一种利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及包括其一端连接于右侧垂直偏转线圈和左侧彗形象差自由线组的连接交点的第1电流调整电阻，其一端连接于右侧彗形象差自由线组和电源供应端子的连接交点的第2电流调整电阻，以及其两端分别连接于第1电流调整电阻的另一端和第2电流调整电阻的另一端，左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与其可动电极相连的电流调整可变电阻的VCR会聚失调校正部。
12.根据权利要求11所述的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
13.一种利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的外表面左侧及右侧且相互电连接的左侧垂直偏转线圈和右侧垂直偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制左侧及右侧垂直偏转线圈中的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的几何畸变的畸变校正部；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及包括其一端连接于右侧垂直偏转线圈和左侧彗形象差自由线组的连接交点的第1电流调整电阻，其一端连接于右侧彗形象差自由线组和电源供应端子的连接交点的第2电流调整电阻，以及其两端分别连接于第1电流调整电阻的另一端和第2电流调整电阻的另一端，左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与其可动电极相连的电流调整可变电阻的VCR会聚失调校正部。
14.根据权利要求13所述的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
15.一种利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于它包括具有颈部和屏幕部的圆锥形的线圈绝缘体；分别安装于线圈绝缘体的屏幕部的内表面上侧及下侧且相互电连接的上侧水平偏转线圈和下侧水平偏转线圈；为增强上述垂直偏转线圈的磁场而安装于线圈绝缘体的屏幕部外表面上的圆锥形铁氧体磁芯；缠绕在上述铁氧体磁芯且相互电连接，以在上、下侧形成垂直偏转磁场的左侧的上/下垂直偏转线圈和右侧的上/下垂直偏转线圈；安装于线圈绝缘体的颈部并与上述垂直偏转线圈电连接而生成枕形磁场，由此减弱由左侧及右侧垂直偏转线圈引起的桶形磁场的彗形象差自由线组；控制彗形象差自由线组中，位于左中侧的彗形象差自由线组以及右中侧的彗形象差自由线组的相对电流强度而调整左侧及右侧的相对磁场，从而校正画面上的垂直会聚失调的第1会聚校正部；以及包括其一端连接于右侧垂直偏转线圈和左侧彗形象差自由线组的连接交点的第1电流调整电阻，其一端连接于右侧彗形象差自由线组和电源供应端子的连接交点的第2电流调整电阻，以及其两端分别连接于第1电流调整电阻的另一端和第2电流调整电阻的另一端，左侧及右侧的彗形象差自由线组的共同交点与其可动电极相连的电流调整可变电阻的VCR会聚失调校正部。
16.根据权利要求15所述的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置，其特征在于组成上述VCR会聚失调校正部的电流调整用可变电阻的电阻值范围在5Ω-10Ω之内。
全文摘要
本项发明涉及偏转线圈，提供有关对于需要可变性VCR特性的产品，回避现有的附着磁性构件的方式而通过可变电阻调整彗形象差自由线组中的电流强度，从而使VCR的可变性更加容易实现的利用可变电阻的偏转线圈的会聚失调以及几何畸变校正装置。
文档编号H04N9/28GK1399301SQ0113107
公开日2003年2月26日 申请日期2001年9月19日 优先权日2001年7月25日
发明者林承用, 崔焕硕, 朴振荣 申请人:三星电机株式会社