Led光电模组及其驱动芯片的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型公开一种LED光电模组及其驱动芯片。该LED驱动芯片，用于驱动LED光源，包括:电源装置，过温保护点调节单元和过温保护单元以及负反馈运放单元，该电源装置为该LED驱动芯片提供稳定的电源，该过温保护点调节单元用于调节该LED驱动芯片的过温保护点，该过温保护单元用于依据该过温保护点，对该LED驱动芯片进行过温保护，该负反馈运放单元用于该LED驱动芯片输出恒定的电流驱动该LED光源，该LED驱动芯片安装在一LED光电模组的基板上。本实用新型的LED光电模组及其驱动芯片具有防止LED驱动芯片因温度过高导致的烧毁，有效延长了LED光源装置的使用寿命，以及成本低廉的有益效果。
【专利说明】
LED光电模组及其驱动芯片
技术领域
[0001]本实用新型涉及LED光源的驱动技术领域，特别是涉及一种LED光电模组及其LED驱动芯片。
【背景技术】
[0002]LED光源因具有绿色环保、使用寿命长、节能、性能稳定、光效高以及体积小等优点，目前已广泛应用至各种照明领域，如室内照明、汽车、消费性电子产品。
[0003]目前，随着LED技术的迅速发展，LED光源已经广泛应用到大功率照明设备上。而目前的大功率照明上需要LED颗数较多，有的多达上百颗。近来一种LED光电模组被广泛使用，该LED光电模组包括基板和在该基板上设置的LED驱动电路和LED灯，该LED驱动电路包括LED驱动芯片和必要的其它电路元件。该LED光电模组既可以独立用于照明，也可安装到LED照明设备的底座上，与灯罩等组装即可，无需过多的考虑LED的电路设计等，生产组装方便。然而由于LED光源中热量占较大比例，当LED驱动芯片工作时间过长时，会处于过热或者温度过高的状态，严重者烧坏LED驱动芯片，大大缩短了 LED照明设备的使用寿命。
[0004]因此，有必要提出一种新的方案，解决上述问题。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型正是基于以上一个或多个问题，提供一种LED驱动芯片及其过温调节电路，用以解决现有技术中LED驱动芯片温度过高导致LED驱动芯片烧毁，影响LED光源使用寿命的问题。
[0006]本实用新型提供一种LED驱动芯片，用于驱动LED光源，包括:电源装置，过温保护点调节单元和过温保护单元以及负反馈运放单元，所述电源装置为所述LED驱动芯片提供稳定的电源，所述过温保护点调节单元用于调节所述LED驱动芯片的过温保护点，所述过温保护单元用于依据所述过温保护点，对所述LED驱动芯片进行过温保护，所述负反馈运放单元用于所述LED驱动芯片输出恒定的电流驱动所述LED光源，所述LED驱动芯片安装在一 LED光电模组的基板上。
[0007]较佳地，所述LED驱动芯片还包括:恒功率单元，用于保证所述LED驱动芯片在恒定功率下工作。
[0008]较佳地，所述电源装置包括:电源单元，偏置电压单元及带隙基准电源单元，所述电源单元为所述偏置电压单元和所述带隙基准电源单元供电;所述偏置电压单元为所述过温保护点调节单元和过温保护单元以及负反馈运放单元提供工作所需的偏置电压;所述带隙基准电压单元用于向所述过温保护点调节单元和过温保护单元以及负反馈运放单元提供基准工作电压。
[0009]较佳地，所述过温保护单元，包括:基准电流输入单元、电阻调节单元、比较单元、负温度系数电压产生单元以及线性电流输出调节单元，所述基准电流输入单元与所述电阻调节单元产生一个大小可调节的基准电压;所述负温度系数电压产生单元随所述LED驱动芯片的温度升高产生一个大小降低的负温度系数电压;所述比较单元用于比较所述负温度系数电压与所述基准电压的大小以控制所述负温度系数电压的输出；所述线性电流输出调节单元依据所述负温度系数电压产生单元的电压变化，调节所输出的线性电流大小来控制所述LED驱动芯片的工作电流。
[0010]较佳地，所述过温保护单元还包括:开关控制单元，所述开关控制单元用于依据所述比较单元比较所述负温度系数电压与所述基准电压后的比较信号，开启或关闭所述LED驱动芯片;缓冲电容单元，所述缓冲电容单元一端连接到所述比较单元的输入端，另一端连接到所述比较单元的输出端;偏置电流产生单元，用于为所述过温保护单元提供偏置电流。
[0011]较佳地，所述负反馈运放单元包括:负反馈运放模块和防过冲模块，所述负反馈运放模块保证所述LED驱动芯片输出的电压稳定，所述防过冲模块用于防止瞬时电压过大而烧毁所述LED驱动芯片。
[0012]较佳地，所述负反馈运放模块的电路具体为:自电源流入电流到第七十场效应管和第七十一场效应管，所述第七十场效应管的源极和第七十一场效应管的源极相连，一第一偏置电压连接到第七十场效应管的栅极和第七十一场效应管的栅极，第七十场效应管的漏极连接到第七十三场效应管的源极和第七十二场效应管的源极;一参考电压端连接第七十二场效应管的栅极和第七十四场效应管的栅极，第七十四场效应管的源极和漏极相连后接地;第七十三场效应管的漏极连接第七十五场效应管的栅极和漏极以及第七十六场效应管的栅极，第七十五场效应管的源极和第七十六场效应管的源极相连后接地;第七十二场效应管的漏极连接到第七十七场效应管的源极和漏极，且第七十七场效应管的源极和漏极相连接，第七十七场效应管的栅极经第三十五电阻后连接到第七十一场效应管的漏极和第七十八场效应管的漏极;第七十八场效应管的源极接地，且栅极连接第七十七场效应管的漏极;第七十一场效应管的漏极和第七十九场效应管的漏极与负反馈运放单元的输出端相连接。
[0013]较佳地，所述过温保护点调节单元包括:运放模块、电流镜模块、电流放大模块、可变电阻单元，所述运放模块用于提供带载电压，保证在多个负载或者负载较大时提供稳定的电压，所述电流镜模块对所述运放模块输出的电流提供一个镜像电流，所述电流放大模块用于将所述镜像电流按预设倍数进行放大，所述可变电阻单元用于设置过温保护点大小。
[0014]较佳地，所述电流镜模块包括:第三十场效应管和第三十一场效应管，其中，所述第三十场效应管的源极和第三十一场效应管的源极与电源相连，所述第三十场效应管的栅极、漏极和第三十一场效应管的栅极与所述电流放大模块相连，所述第三十一场效应管的漏极输出过温保护电流。
[0015]本实用新型还提供一种LED光电模组，所述LED光电模组包括基板，设于所述基板上的LED光源和LED驱动电路，所述LED驱动电路包括LED驱动芯片，其中，所述LED驱动芯片为如前任一项所述的LED驱动芯片。
[0016]本实用新型的LED光电模组及其驱动芯片具有防止LED驱动芯片因温度过高导致的烧毁，有效延长了 LED光源装置的使用寿命，以及成本低廉的有益效果。
【附图说明】
[0017]图1是本实用新型较佳实施例的LED光电模组的LED驱动芯片的结构示意图。
[0018]图2是图1所示的电源装置的结构示意图。
[0019]图3是图2中的电源单元的电路结构示意图。
[0020]图4是图1所示的过温保护点调节单元的结构示意图。
[0021]图5是图4所示的过温保护点调节单元的电路结构示意图。
[0022]图6是图1所示的过温保护单元的结构示意图。
[0023]图7是图6所示的过温保护单元的电路结构示意图。
[0024]图8是图1所示的负反馈运放单元的结构示意图。
[0025 ]图9是图8所示负反馈运放单元的电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细说明。需要说明的是，如果不冲突，本实用新型实施例以及实施例中的各个特征可以相互结合，均在本实用新型的保护范围之内。
[0027]实施例1
[0028]请参见图1，图1是本实用新型较佳实施例的LED光电模组的LED驱动芯片的结构示意图。如图1所示，本实用新型的LED光电模组属于LED光源装置的一个重要组成部分，LED光源装置在该LED光电模组的基础上还包括底座和灯罩等。该LED光电模组包括LED驱动芯片，其用于驱动LED光源，主要包括:电源装置21，过温保护点调节单元24和过温保护单元23以及负反馈运放单元25，所述电源装置21为所述LED驱动芯片提供稳定的电源，所述过温保护点调节单元24用于调节所述LED驱动芯片的过温保护点，所述过温保护单元23用于依据所述过温保护点，对所述LED驱动芯片进行过温保护，所述负反馈运放单元25用于所述LED驱动芯片输出恒定的电流驱动所述LED光源。该LED驱动芯片安装在LED光电模组的基板上。
[0029]本实用新型通过设置过温保护点调节单元24和过温保护单元23以及负反馈运放单元25，使得LED驱动芯片不会因温度过高导致LED驱动芯片烧毁，有效延长了 LED光源装置的使用寿命，且结构简单，成本低廉。
[0030]进一步地，所述LED驱动芯片还包括:恒功率单元22，用于保证所述LED驱动芯片在恒定功率下工作。通过设置恒功率单元22，本实用新型可以很好地保证LED驱动芯片处于恒定功率下工作，减少电路因电压或电流急剧变化从而导致的功率突然增大或减小，影响LED光源使用寿命的问题。
[0031 ]请参见图2，图2是图1所示的电源装置的结构示意图。如图2所示，在一个具体的实施例中，所述电源装置21包括:电源单元212，偏置电压单元211及带隙基准电源单元213，所述电源单元212为所述偏置电压单元211和所述带隙基准电源单元213供电；所述偏置电压单元211为所述过温保护点调节单元24和过温保护单元23以及负反馈运放单元25提供工作所需的偏置电压;所述带隙基准电压单元213用于向所述过温保护点调节单元24和过温保护单元23以及负反馈运放单元25提供基准工作电压。
[0032]请参见图3，图3是图2中的电源单元的电路结构示意图。如图3所示，电源单元的电路如下:电源电压Dl流入耐高压的J型-场效应管M44的漏极，J型-场效应管M44的源极分别连接到用作静电保护的场效应管M45的漏极、第一电源晶体管Q3的集电极以及电源电阻R5的一端。J型-场效应管M44的栅极分别连接到第二电源晶体管Q2的集电极和基极、第一电源晶体管Q3的基极以及电源电阻R5的另一端。第二电源晶体管Q2的发射极连接齐纳二极管Dl后连接接地端GND。第一电源晶体管Q3的发射极输出电源电压VCC。用作静电保护的场效应管M45的源极和栅极相连后接地。
[0033]请参见图4和图5，图4是图1所示的过温保护点调节单元的结构示意图，图5是图4所示的过温保护点调节单元的电路结构示意图。如图4和图5所示，过温保护点调节单元24包括运放模块241、电流镜模块242、电流放大模块243、可变电阻单元245，运放模块241提供带载电压，保证在多个负载或者负载较大时提供稳定的电压，电流镜模块242对运放模块241输出的电流提供一个镜像电流，这个镜像电流可以依据需要按比例设置。电流放大模块243将镜像电流按预设倍数进行放大，可变电阻单元245用于设置过温保护点，如电阻变大，过温保护点越高，也就说LED驱动芯片工作在更高的温度范围内。通过设置过温保护点，可以依据LED光源的实际情况，控制过温保护单元适时开启过温保护。
[0034]进一步地，过温保护点调节单元24还包括零点补偿电容模块246，该零点补偿电容模块246用于反馈回路中，相位域度不够时，防止电路自激。
[0035]进一步地，过温保护点调节单元24还包括防静电模块244，用于防止电路产生静电损害。
[0036I请参见图5，该过温保护点调节单元24的电路结构具体如下:
[0037]运放模块241包括运放输入子模块、运放输出子模块、运放调节电阻。具体地，在运放输入子模块中，偏置电压单元211的第一偏置电压提供端VPBl与第二十六场效应管M26的栅极、第二十七场效应管M27的栅极连接，第二十六场效应管M26的源极与电源VCC连接，第二十六场效应管M26的漏极与第三十九场效应管M39的漏极连接，第三十九场效应管M39的栅极与偏置电压单元211的第二偏置电压提供端VPB2连接，第三十九场效应管M39的源极与第四十三场效应管M43的漏极连接，第四十三场效应管M43的栅极连接第三十九场效应管M39的漏极，第四十三场效应管M43的源极与第四十一场效应管M41的源极、第四十二场效应管M42的源极连接。第二十七场效应管M27的源极连接电源VCC，第二十七场效应管M27的漏极连接第三十四场效应管M34的源极和第三十五场效应管M35的源极。第三十四场效应管M34的栅极与带隙基准电源单元213的输出端Vbg连接，第三十四场效应管M34的漏极连接第四i^一场效应管M41的漏极和第三十六场效应管M36的源极，第三十六场效应管M36的栅极与第二偏置电压提供端VPB2相连，第四^^一场效应管M41的栅极连接到第三十九场效应管M39的漏极。第三十五场效应管M35的漏极连接第三十七场效应管M37的源极和第四十二场效应管的漏极。在运放输出子模块中，电源VCC输入第二十八场效应管M28的源极和第二十九场效应管M29的源极，而第二十八场效应管M28的栅极和第二十九场效应管M29的栅极连接到运放输入子模块的第三十六场效应管M36的漏极，第二十八场效应管M28的漏极与第三十二场效应管M32的源极相连接，第二十九场效应管M29的漏极与第三十三场效应管M33的源极相连接。第三十二场效应管M32的漏极连接到运放输入子模块的第三十六场效应管M36的漏极，第三十三场效应管M33的漏极连接到运放输入子模块的第三十七场效应管M37的漏极。第三十七场效应管M37的源极与第四十二场效应管M42的漏极相连。
[0038]零点电容补偿模块246包括第四十场效应管M40的栅极连接到运放模块241的第三十七场效应管M37的漏极和第三十八场效应管M38的栅极，第四十场效应管M40的源极和漏极相连后接地。
[0039]电流镜模块242包括:第三十场效应管M30和第三^^一场效应管M31。其中，第三十场效应管M30的源极和第三^^一场效应管M31的源极与电源VCC相连，第三十场效应管M30的栅极、漏极和第三i^一场效应管M31的栅极与电流放大模块243的第三十八场效应管M38的漏极相连，第三i^一场效应管M31的漏极输出过温保护电流10UT-RTH。
[0040]电流放大模块243包括:第三十八场效应管M38，第三十八场效应管M38的漏极连接电流镜模块242的输出端，栅极连接运放模块241的第三十七场效应管M37的漏极，源极连接可变电阻单元245。
[0041 ] 可变电阻单元245包括:至少一个可变电阻RTH，通过改变可变电阻RTH的阻值，调节过温保护点，从而保护LED驱动芯片工作在适当的温度范围内。进一步地，还包括串联电阻R8和电阻R9。
[0042]防静电模块244包括电阻R7。
[0043]与电阻R7串联的调节电阻R6用于使带隙基准电源单元213的电压与电源单元212的电压相等，即Vbg = VCC。
[0044]请参见图6与图7，图6是图1所示的过温保护单元的结构示意图；图7是图6所示的过温保护单元的电路结构示意图。如图6和图7所示，本实用新型的较佳实施例的LED驱动芯片的过温保护单元(或者过温调节电路)，用于调节LED驱动芯片工作时的温度。该过温保护单元包括:基准电流输入单元11、电阻调节单元12、比较单元18、负温度系数电压产生单元17以及线性电流输出调节单元16，所述基准电流输入单元11与所述电阻调节单元12产生一个大小可调节的基准电压，其中，电阻调节单元12依据温度变化，调节电阻值大小，或者依据实际需要对电阻进行调节，这样可改变基准电压的大小。所述负温度系数电压产生单元17随所述LED驱动芯片的温度升高产生一个大小降低的负温度系数电压。其中，负温度系数电压是指电压的变化与LED驱动芯片温度变化是负相关的，随着温度的升高，负温度系数电压产生单元17产生的电压值减小。所述比较单元18用于比较所述负温度系数电压与所述基准电压的大小以控制所述负温度系数电压的输出。所述线性电流输出调节单元16依据所述负温度系数电压产生单元17的电压变化，调节所输出的线性电流大小来控制所述LED驱动芯片的工作电流。
[0045]本实用新型通过上述的结构设计，不仅可以调节基准电压大小来灵活改变过温保护点，利用简单的比较单元来实现电压输出控制，既简化了电路结构，降低了成本，又防止LED驱动芯片因温度过高导致LED驱动芯片烧毁，从而延长了 LED光源装置的使用寿命。
[0046]进一步地，所述过温保护单元还包括:开关控制单元15，所述开关控制单元15用于依据所述比较单元18比较所述负温度系数电压与所述基准电压后的比较信号，开启或关闭所述LED驱动芯片。具体来说，比较单元18用于比较所述负温度系数电压与所述基准电压的大小，当比较出所述负温度系数电压比所述基准电压大时，则负温度系数电压产生单元17继续输出电压至所述线性电流输出调节单元16，然后经线性电流输出调节单元16为LED驱动芯片提供工作电流，此时开关控制单元15处于开启状态；当比较出所述负温度系数电压等于或小于所述基准电压时，说明LED驱动芯片的温度过高，已经超过了预设的温度，开关控制单元16关闭LED驱动芯片。
[0047]在一个变形的实施例中，LED光源装置使用较长时间后，光效变差，为保证发光亮度，通常会通过增加电流来提高亮度，然此时，LED驱动芯片产生的热量升高会较快，这就需要适当通过电阻调节单元来调节基准电压，将基准电压提高，以便开关控制单元16提前一个时间关闭LED驱动芯片，防止LED驱动芯片被烧坏，延长LED光源装置的使用寿命。
[0048]进一步地，所述过温保护单元还包括:缓冲电容单元14，所述缓冲电容单元14 一端连接到所述比较单元18的输入端，所述缓冲电容单元14的另一端连接到所述比较单元18的输出端。该缓冲电容单元18用于使输出到线性电流输出调节单元16的电流稳定，滤除掉杂波，减缓LED驱动芯片的关闭，避免对LED光源装置造成影响。
[0049]进一步地，所述过温保护单元包括:偏置电流产生单元13，用于为所述过温保护单元提供偏置电流，为整个过温保护单元提供工作电源。
[0050]请参见图7，本实用新型较佳实施例的过温保护单元的具体结构如下:
[0051]从10TP2端(过温保护单元输入端)开始，自10TP2端提供一个恒定的偏置电流给串联的电阻Rl、R2、R3、R4，电阻Rl的一端接地，其中电阻Rl与温度点调节电阻1UT RTH并联，通过改变该温度点调节电阻1UT RTH的阻值，来改变10TP2端与电阻R4之间输出的电压，这个电压作为过温保护单元的基准电压。其中，电阻Rl、R2、R3和R4以及该温度点调节电阻1UT RTH组成本实用新型的电阻调节单元12。基准电压的一路输出到一延迟单元，所述延迟单元包括若干个串联的场效应管，具体地，在本实用新型的较佳实施例中，为串联的第一场效应管Ml、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4，实际中，可以依据需要来设置场效应管的数量。该延迟单元用于在温度突然升高时，推迟开关控制单元15执行关闭操作的时间。该延迟单元连接到电容单元，该电容单元包括并联的若干个场效应管，具体地，在本实用新型的较佳实施例中，为并联的第五场效应管M5、第六场效应管M6、第七场效应管M7、第八场效应管M8和第九场效应管M9，经第九场效应管M9后接地。该电容单元可滤除杂波，使所述过温保护单元的电流稳定。在本实用新型较佳实施例中，缓冲电容单元14包括延迟单元和电容单元。
[0052]基准电压的另一路输出到比较单元18的一个输入端，而比较单元8的另一端连接负温度系数电压产生单元17，这里比较单元18主要包括第十四场效应管M14和第十五场效应管M15，基准电压经第十四场效应管M14源极后流入第十七场效应管M17的漏极和栅极和第十八场效应管M18的栅极，而第十七场效应管M17的源极接地，以及负温度系数电压产生单元17的电压信号连接到第十五场效应管M15的栅极。而第十五场效应管M15的源极连接到第i^一场效应管Mll的漏极，漏极与第十八场效应管M18的漏极相连。第十七场效应管M17的源极和第十八场效应管M18的源极接地。第十五场效应管M15的漏极与第十八场效应管M18的漏极之间分出一支路分别连接到第十九场效应管M19的栅极和第九场效应管M9的栅极以及第二十场效应管M20的栅极。第二十场效应管M20的漏极连接OTR端，源极接地，这里的OTR端用作输出线性电流，以调节LED驱动电路的电流大小。第十九场效应管M19的漏极连接到第十二场效应管M12的漏极，源极接地。第十二场效应管M12的栅极连接到偏置电压VPB1，源极分别连接第十场效应管MlO的漏极和源极以及电源VCC，第十场效应管MlO的栅极连接到偏置电压VPBI。第十三场效应管Ml 3的源极连接电源VCC，栅极连接偏置电压VPBI，漏极连接第十六场效应管M16的漏极。第十六场效应管M16的栅极连接第十二场效应管M12的漏极，漏极连接到第二十一场效应管M21源极。第二十一场效应管M21的栅极连接到第十三场效应管M13的漏极，漏极连接到第二十三场效应管M23的源极。第二十三场效应管M23的栅极连接到第十三场效应管M13的漏极，漏极连接到第二十四场效应管M24的栅极和第二十五场效应管M25的栅极。第二十二场效应管M22的源极连接到电源VCC，栅极连接到第十三场效应管M13的漏极，漏极连接到第二十四场效应管M24的栅极和第二十五场效应管M25的栅极。第二十四场效应管M24的源极连接到电源VCC，漏极连接到第二十五场效应管M25的漏极，第二十五场效应管M25的源极与第二十三场效应管M23的源极一道连接至第二 ^^一场效应管M21的漏极。第二十四场效应管M24的漏极与第二十五场效应管M25的漏极连接到OTP-H端(即过温保护单元的高电平输出端)。当OTP-H端输出高电平时，则关闭LED驱动电路，以防止LED驱动芯片因继续工作过热而烧毁。
[0053]上述过温保护单元中，所述比较单元包括:第十四场效应管M14、第十五场效应管M15和第十七场效应管M17以及第十八场效应管M18，其中，所述第十四场效应管M14的栅极输入所述基准电压，所述第十四场效应管M14的源极连接到电源，所述第十四场效应管M14的漏极连接到所述第十七场效应管M17的栅极与漏极，以及所述第十八场效应管M18的栅极，所述第十五场效应管M15的栅极输入所述负温度系数电压，源极连接到所述电源，漏极连接到所述第十八场效应管M18的漏极。所述第十七场效应管M17的源极与所述第十八场效应管M18的源极接地。
[0054]所述开关控制单元包括:第十六场效应管M16、第二十一场效应管M21、第二十二场效应管M22、第二十三场效应管M23、第二十四场效应管M24和第二十五场效应管M25，其中，所述第十六场效应管M16的栅极受到所述比较单元的输出信号控制，所述第十六场效应管M16的源极与所述第二十一场效应管M21的源极和漏极相连，所述第十六场效应管M16的漏极分别连接所述第二十一场效应管M21的栅极、所述第二十二场效应管M22的栅极以及所述第二十三场效应管M23的栅极;所述第二十二场效应管M22的源极连接所述电源，所述第二十二场效应管M22的漏极分别连接所述第二十三场效应管M23的栅极的漏极、所述第二十四场效应管M24的栅极和所述第二十五场效应管M25的栅极;所述第二十三场效应管M23的源极分别连接所述第二十五场效应管M25的源极和所述第二十一场效应管M21的漏极;所述第二十四场效应管M24的漏极和所述第二十五场效应管M25的漏极连接，并输出开关控制信号。
[0055]所述缓冲电容单元包括:延迟单元和电容单元，所述延迟单元用于在LED驱动芯片温度突然升高时，推迟所述开关控制单元执行关闭操作的时间；所述电容单元用于滤除杂波，使所述过温保护单元的电流稳定。
[0056]所述线性电流输出调节单元包括第二十场效应管M20，所述第二十场效应管M20的源极接地，栅极连接到所述比较单元的输出端，漏极输出线性电流。
[0057]本实用新型通过简单的多个场效应管之间的连接即可实现LED驱动芯片的过温调节，结构简单，成本低廉。
[0058]请参见图8与图9，图8是图1所示的负反馈运放单元的结构示意图；图9是图8所示负反馈运放单元的电路结构示意图。如图8和图9所示，该负反馈运放单元包括:参考电压端VREFl和片选信号端CS_R以及输出端GATE，同时，该负反馈运放单元还具有电源VCC，接地GND，防过冲信号端STl、过温保护端0ΤΡ_Η(高电平有效)以及第一偏置电压VPBl。输出端GATE连接到第九十一场效应管M91栅极，输出的电流经第九十一场效应管M91进行放大后至漏极Dl输出，第九十一场效应管M91的源极CS通过电阻连接到片选信号端CS_R。
[0059]进一步地，在图9所示的具体电路实施例中，该负反馈运放单元主要包括:负反馈运放模块和防过冲模块，所述负反馈运放模块保证所述LED驱动芯片输出的电压稳定，所述防过冲模块用于防止瞬时电压过大而烧毁所述LED驱动芯片。该负反馈运放模块的具体电路为:自电源VCC流入电流到第七十场效应管M70和第七^^一场效应管M71，第七十场效应管M70的源极和第七^^一场效应管M71的源极相连，第一偏置电压VPBl连接到第七十场效应管M70的栅极和第七^^一场效应管M71的栅极，第七十场效应管M70的漏极连接到第七十三场效应管M73的源极和第七十二场效应管M72的源极。参考电压端VREF连接第七十二场效应管M72的栅极和第七十四场效应管M74的栅极，第七十四场效应管M74的源极和漏极相连后接地。第七十三场效应管M73的漏极连接第七十五场效应管M75的栅极和漏极以及第七十六场效应管M76的栅极，第七十五场效应管M75的源极和第七十六场效应管M76的源极相连后接地。第七十二场效应管M72的漏极连接到第七十七场效应管M77的源极和漏极，且第七十七场效应管M77的源极和漏极相连接，第七十七场效应管M77的栅极经第三十五电阻R35后连接到第七i^一场效应管M71的漏极和第七十八场效应管M78的漏极。第七十八场效应管M78的源极接地，栅极连接第七十七场效应管M77的漏极。第七十一场效应管M71的漏极还与负反馈运放单元的输出端GATE相连接，负反馈运放单元的输出端GATE还分别连接第七十九场效应管M79的漏极和第八^^一场效应管M81的漏极。第七十九场效应管M79的栅极连接到过温保护电路，源极接地。第八十一场效应管M81的源极连接电源VCC，栅极连接防过冲信号端STl，漏极连接第八十二场效应管M82的栅极和第八十三场效应管M83的漏极，第八十二场效应管M82的源极和漏极连接后经电阻R36接地，而第八十三场效应管M83的栅极与第八十二场效应管M82的源极相连，第八十三场效应管M83的源极接地。其中，第八^^一场效应管M81、第八十二场效应管M82、第八十三场效应管M83和电阻R36构成本实用新型的防过冲模块。
[0060]本实用新型的负反馈运放单元具有结构简单，成本低廉的有益效果。
[0061]以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种LED驱动芯片，用于驱动LED光源，其特征在于，包括:电源装置，过温保护点调节单元和过温保护单元以及负反馈运放单元，所述电源装置为所述LED驱动芯片提供稳定的电源，所述过温保护点调节单元用于调节所述LED驱动芯片的过温保护点，所述过温保护单元用于依据所述过温保护点，对所述LED驱动芯片进行过温保护，所述负反馈运放单元用于所述LED驱动芯片输出恒定的电流驱动所述LED光源，所述LED驱动芯片安装在一 LED光电模组的基板上。2.如权利要求1所述的LED驱动芯片，其特征在于，所述LED驱动芯片还包括:恒功率单元，用于保证所述LED驱动芯片在恒定功率下工作。3.如权利要求1所述的LED驱动芯片，其特征在于，所述电源装置包括:电源单元，偏置电压单元及带隙基准电源单元，所述电源单元为所述偏置电压单元和所述带隙基准电源单元供电;所述偏置电压单元为所述过温保护点调节单元和过温保护单元以及负反馈运放单元提供工作所需的偏置电压;所述带隙基准电压单元用于向所述过温保护点调节单元和过温保护单元以及负反馈运放单元提供基准工作电压。4.如权利要求1所述的LED驱动芯片，其特征在于，所述过温保护单元，包括:基准电流输入单元、电阻调节单元、比较单元、负温度系数电压产生单元以及线性电流输出调节单元，所述基准电流输入单元与所述电阻调节单元产生一个大小可调节的基准电压;所述负温度系数电压产生单元随所述LED驱动芯片的温度升高产生一个大小降低的负温度系数电压;所述比较单元用于比较所述负温度系数电压与所述基准电压的大小以控制所述负温度系数电压的输出；所述线性电流输出调节单元依据所述负温度系数电压产生单元的电压变化，调节所输出的线性电流大小来控制所述LED驱动芯片的工作电流。5.如权利要求4所述的LED驱动芯片，其特征在于，所述过温保护单元还包括:开关控制单元，所述开关控制单元用于依据所述比较单元比较所述负温度系数电压与所述基准电压后的比较信号，开启或关闭所述LED驱动芯片;缓冲电容单元，所述缓冲电容单元一端连接到所述比较单元的输入端，另一端连接到所述比较单元的输出端;偏置电流产生单元，用于为所述过温保护单元提供偏置电流。6.如权利要求1所述的LED驱动芯片，其特征在于，所述负反馈运放单元包括:负反馈运放模块和防过冲模块，所述负反馈运放模块保证所述LED驱动芯片输出的电压稳定，所述防过冲模块用于防止瞬时电压过大而烧毁所述LED驱动芯片。7.如权利要求6所述的LED驱动芯片，其特征在于，所述负反馈运放模块的电路具体为:自电源流入电流到第七十场效应管和第七十一场效应管，所述第七十场效应管的源极和第七十一场效应管的源极相连，一第一偏置电压连接到第七十场效应管的栅极和第七十一场效应管的栅极，第七十场效应管的漏极连接到第七十三场效应管的源极和第七十二场效应管的源极;一参考电压端连接第七十二场效应管的栅极和第七十四场效应管的栅极，第七十四场效应管的源极和漏极相连后接地;第七十三场效应管的漏极连接第七十五场效应管的栅极和漏极以及第七十六场效应管的栅极，第七十五场效应管的源极和第七十六场效应管的源极相连后接地;第七十二场效应管的漏极连接到第七十七场效应管的源极和漏极，且第七十七场效应管的源极和漏极相连接，第七十七场效应管的栅极经第三十五电阻后连接到第七十一场效应管的漏极和第七十八场效应管的漏极;第七十八场效应管的源极接地，且栅极连接第七十七场效应管的漏极;第七十一场效应管的漏极和第七十九场效应管的漏极与负反馈运放单元的输出端相连接。8.如权利要求1所述的LED驱动芯片，其特征在于，所述过温保护点调节单元包括:运放模块、电流镜模块、电流放大模块、可变电阻单元，所述运放模块用于提供带载电压，保证在多个负载或者负载较大时提供稳定的电压，所述电流镜模块对所述运放模块输出的电流提供一个镜像电流，所述电流放大模块用于将所述镜像电流按预设倍数进行放大，所述可变电阻单元用于设置过温保护点大小。9.如权利要求8所述的LED驱动芯片，其特征在于，所述电流镜模块包括:第三十场效应管和第三^ 场效应管，其中，所述第三十场效应管的源极和第三^ 场效应管的源极与电源相连，所述第三十场效应管的栅极、漏极和第三十一场效应管的栅极与所述电流放大模块相连，所述第三十一场效应管的漏极输出过温保护电流。10.一种LED光电模组，所述LED光电模组包括基板，设于所述基板上的LED光源和LED驱动电路，所述LED驱动电路包括LED驱动芯片，其特征在于，所述LED驱动芯片为如权利要求1至9任一项所述的LED驱动芯片。
【文档编号】H05B33/08GK205430665SQ201521032877
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年12月11日
【发明人】王泽宇, 张伟珊, 焦飞华, 古道雄
【申请人】古道雄