一种用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，属于电子电器技术领域。
【背景技术】
[0002]众所周知，在发射机或高频加热装置中均需要使用高频功率放大器，而高频功率放大器在使用过程中都希望输出功率越大越好，放大后的信号失真度越小越好，在实际工作中事与愿为，当输出功率大到一定值时，功率输出越大，信号失真也越大，如何减小高频放大器的失真度是摆在电器技术人员面前的技术难题，随着电子技术的飞速发展，放大器电路设计的任务也越来越重，广大电器技术人员正努力研发和实验，积极争取早日制造出输出功率大、失真度小的高频功率放大器，以满足电子工业飞速发展发展的需要。
【发明内容】
[0003]为克服现有电子设计产品调试方法的上述缺陷，本实用新型提供一种用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，用以满足广大电器技术人员的工作需要，适应电子工业飞速发展发展的新形势。
[0004]为解决其技术问题，本设计人在长期的实际中，通过研究和多次试验，最后找到一种能用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，该放大器包括一个晶体三极管、一个高频变压器、一个谐振回路电容器、两个旁路电容器和两个直流电源，它的特点是:晶体三极管的发射极接地即电源的负极，在晶体三极管的基极与地之间串接有交流信号源和一个直流偏置电源，且该偏置电源两端并联有对交流信号短路的旁路电容器，在晶体三极管的集电极与地之间串接有高频变压器的初级和集电极直流电源，在高频变压器初级线圈两端并联有一个谐振电容器，在集电极直流电源两端也并联有一个旁路电容器，高频变压器的次级为信号输出端，该次级线圈两端还并联有负载电阻。
[0005]与现有技术相比，本实用新型有如下特点和进步:
[0006]1、本实用新型的晶体三极管基极连接有决定工作点的低压偏置直流电源，使其在无输入信号时晶体三极管不通导，用以降低使用成本；
[0007]2、在晶体三极管的集电极与集电极直流电源之间串接有谐振变压器的初级，通过所述初级两端并联的谐振电容器，使晶体三极管输出的信号得到谐振后，再通过升压比大的次级进一步放大，能得到最大的功率输出，只要选择合适的晶体三极管和元件参数，就可以既得到最大的输出功率，有得到失真最先的输出信号。
[0008]3、本高频放大器通过测试和实验，证明该光高频放大器能够适应发射机或高频加热装置的工作任务，可用于发射机或高频加热装置作高频放大器。
【附图说明】
[0009]图1是本适用新型的电路原理图。
[0010]其中:Ui为信号源，Ql为晶体三极管，Tl为高频变压器，Cl为旁路电容器，C2为另一旁路电容器，C3为谐振电容器，Vl为基极偏置直流电源，V2为集电极直流电源，RL为负载电阻。
【具体实施方式】
[0011]下面结合实施例对本实用新型进一步说明:
[0012]参照附图，设计出的用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，包括晶体三极管Ql、高频变压器Tl、谐振电容器C3、两个旁路电容器Cl、C2和基极偏置直流电源Vl、集电极直流电源V2的两个直流电源；其中:所述高频变压器的标称值为TlN=I ;LE=le-05H; LM=0.0005H; RP=RS=O ;所述晶体三极管Ql的型号采用2N2222或3DG6，它的发射极接地即电源的负极，在该晶体三极管的基极与地之间串接有标称值为270mV/2MHz的交流信号源Ui和一个0.2V的直流偏置电源VI，且该偏置电源两端并联有对交流信号短路的旁路电容器Cl，在晶体三极管的集电极与地之间串接有高频变压器Tl的初级和12V的集电极直流电源V2，在高频变压器Tl初级线圈两端并联有一个值为13pF的谐振电容器C3，在集电极直流电源两端也并联有一个旁路电容器C2，两旁路电容器Cl和C2的值均为0.1uF,高频变压器的次级为信号输出端，该次级线圈两端还并联有阻值为1kQ的负载电阻RL。
【主权项】
1.一种用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，包括一个晶体三极管、一个高频变压器、一个谐振回路电容器、两个旁路电容器和两个直流电源，其特征是:所述晶体三极管的发射极接地即电源的负极，在晶体三极管的基极与地之间串接有交流信号源和一个基极偏置直流电源，且该直流偏置电源两端并联有对交流信号短路的旁路电容器，在晶体三极管的集电极与地之间串接有高频变压器的初级和集电极直流电源，在高频变压器初级线圈两端并联有一个谐振电容器，在集电极直流电源两端也并联有一个旁路电容器，高频变压器的次级为信号输出端，该次级线圈两端还并联有负载电阻。2.根据权利要求1所述的一种用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，其特征是:所述高频变压器的标称值为TlN=I ;LE=le-05H; LM=0.0005H; RP=RS=O03.根据权利要求1所述的一种能用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，其特征是:所述晶体三极管Ql的型号采用2N2222或3DG6。4.根据权利要求1所述的一种用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，其特征是:所述晶体三极管的基极偏置直流电源Vl为0.2伏。5.根据权利要求1所述的一种用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，其特征是:所述晶体三极管的集电极的集电极直流电源V2为12V。
【专利摘要】一种用于发射机或高频加热装置的高频功率放大器，包括：晶体三极管、高频变压器、谐振电容器、旁路电容器和直流电源，其中：所述晶体三极管的发射极接地即电源的负极，在晶体三极管的基极与地之间串接有交流信号源和一个直流偏置电源，且该直流偏置电源两端并联有对交流信号短路的旁路电容器，在晶体三极管的集电极与地之间串接有高频变压器的初级和集电极直流电源，在高频变压器初级线圈两端并联有一个谐振电容器，在集电极直流电源两端也并联有一个旁路电容器，高频变压器的次级为信号输出端，该次级线圈两端还并联有负载电阻。本放大器结构简单，晶体三极管在无信号输入时不导通，因输出端连接有谐振电容和升压变压器，因此平时功耗小，输出功率大。
【IPC分类】H03F3/189, H03F3/20
【公开号】CN204906324
【申请号】CN201520690146
【发明人】乔闹生
【申请人】湖南文理学院
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年11月6日