线性发光二极管驱动器及其控制方法
【专利摘要】本发明提供一种线性发光二极管驱动器及其控制方法，该线性发光二极管驱动器包括一晶体管具有输入端供连接发光二极管，该晶体管导通时该发光二极管被点亮。该线性发光二极管驱动器还包括一保护电路根据该晶体管的控制端的电压及该晶体管的输出端的电压其中至少一个来判断是否发生瞬间高电压变化并触发保护功能。
【专利说明】
线性发光二极管驱动器及其控制方法
技术领域
[0001]本发明是有关一种线性发光二极管(LED)驱动器，特别是关于一种可防止因瞬间电压变化过大而造成电路异常或不稳定的线性LED驱动器及其控制方法。【背景技术】
[0002]目前的LED驱动器可以分为隔离式(isolated)及非隔离式(non-1solated)，其中隔离式LED驱动器需要变压器来分隔一次侧及二次侧，因此成本较为昂贵，而非隔离式LED 驱动器由于无需变压器，因此成本较低，但是非隔离式LED驱动器在遇到瞬间高电压变化时，可能会引发电路异常或不稳定的问题。
[0003]图1显示传统的非隔离式的线性LED驱动器10,其包括桥式整流器12用以整流交流电压Vac产生直流电压VIN给LED，以及集成电路14控制所要点亮的LED。在集成电路14 中，开关18、20、22及24各自经接脚Sl、S2、S3及S4与LED串联，控制器16控制开关18、 20、22及24的切换以决定要点亮的LED。导致线性LED驱动器10发生瞬间高电压变化的情况有很多，例如雷击、系统的静电放电、多次快速开关交流电源或三端双向硅控(Tr1de Alternating Current ;TRIAC)调光等。
[0004]以TRIAC调光为例，图2A显示传统的TRIAC调光器，其包括电阻R1、电阻R2、电容 C1、双向触发二极管26以及三端双向硅控开关28,其中电阻R1为可变电阻。三端双向硅控开关28 —开始为关闭(off)状态，因此交流电压Vac并未输入负载，电阻R1及R2根据交流电压Vac产生电流对电容C1充电，当电容C1上的电压达到双向触发二极管26的转折电压时，双向触发二极管26导通进而使三端双向硅控开关28导通。当三端双向硅控开关 28导通时，交流电压Vac输入负载而且电容C1开始放电，三端双向硅控开关28会维持导通状态直至交流电压为零或通过三端双向硅控开关28的电流II小于一临界值。简单的说， TRIAC调光器会将交流电压Vac转换为具有一导通角的交流切相电压Vtr。而交流切相电压Vtr再经图1中的桥式整流器12整流后将产生如图2B中波形30所示的直流电压VIN。 从图2B的波形30可知，TRIAC调光产生的直流电压VIN会瞬间从0V的电压冲上一高压， 造成瞬间高电压变化。
[0005]图3是图1中开关18的示意图，由于交流电压Vac是高电压，因此开关18必需是高压元件，一般可以使用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor ;M0SFET)或绝缘概双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor ;IGBT)。图4是直流电压VIN发生瞬间高电压变化时电压的波形图，其中波形 32是接脚S1的电压，波形34是开关18的控制端电压。参照图1、图3及图4,开关18的输入端182连接至接脚S1，开关18的控制端184连接控制器16,开关18的输出端连接至接地端，当输入电压VIN发生瞬间高电压变化时，接脚S1上的电压快速上升，如图4的波形32 所示，此时将产生一大电流对开关18的输入端及控制端之间的寄生电容Cdgl充电，进而导致开关18的控制端的电压快速上升，如图4的波形34所示，当开关18的控制端的电压超过一临界值Vth时，可能造成不稳定，甚至造成开关18烧毁。在一些应用中，开关18的输出端上还可能连接一些低压电路，当接脚S1上的电压快速上升时，将产生一大电流通过开关18,造成开关18的输出端上的电压快速上升，导致连接开关18的输出端的低压电路无法承受瞬间高电压变化而损毁。
[0006]美国专利公开号US 2010/0253245公开一种解决瞬间高电压变化的方式，其是在 LED驱动器及LED之间增加一种类似过电压保护电路的电流限制电路，该电流限制电路是检测LED上的电压来控制与LED串联的开关。然而，该过电流限制电路是使用必须外挂在集成电路外面的大元件，因此具有较大的寄生电容，这导致该电流限制电路的反应较慢。此夕卜，美国专利公开号US 2010/0253245的方式也只能解决电击所造成的瞬间高电压变化， 无法解决系统的静电放电、多次快速开关交流电源或三端双向娃控(Tr1de Alternating Current ;TRIAC)调光等造成的瞬间高电压变化。
【发明内容】
[0007]本发明的目的之一，在于提供一种可防止因瞬间电压变化过大而造成电路异常或不稳定的线性LED驱动器及其控制方法。
[0008]本发明的目的之一，在于提供一种能够解决各种情况造成的瞬间高电压变化的线性LED驱动器及其控制方法。
[0009]本发明的目的之一，在于提供一种对瞬间高电压变化快速反应的线性LED驱动器及其控制方法。
[0010]根据本发明，一种线性发光二极管驱动器，包括一晶体管、一电流源及一保护电路。该晶体管具有一输入端供连接发光二极管，当该晶体管导通时，该发光二极管被点亮。 该电流源连接该晶体管的输出端，用以调节通过该发光二极管的电流。该保护电路连接该晶体管，用以限制该晶体管的控制端的电压及该晶体管的输出端的电压其中至少一个的最大值，以避免该线性发光二极管驱动器因该晶体管的输入端的瞬间电压变化而发生异常或不稳定。其中该保护电路可以与该晶体管整合在同一集成电路中，故该保护电路的寄生电容较小，反应较快。
[0011]根据本发明，一种线性发光二极管驱动器的控制方法，该线性发光二极管驱动器包含一晶体管具有一与发光二极管连接的输入端、一控制端及一输出端，该控制方法包括: 导通一晶体管以点亮发光二极管；以及限制该晶体管的控制端的电压及该晶体管的输出端的电压其中至少一个的最大值，以避免该线性发光二极管驱动器因该晶体管的输入端的瞬间电压变化而发生异常或不稳定。
[0012]本发明是通过限制该晶体管的控制端的电压及该晶体管的输出端的电压其中至少一个的最大值来达成瞬间高电压变化的保护，即本案是检测该晶体管的控制端的电压及该晶体管的输出端的电压其中至少一个，因此不论是何种情况引发瞬间高电压变化，本案都能确实检测并达成保护。【附图说明】
[0013]图1显示传统的非隔离式的线性LED驱动器；
[0014]图2A显示传统的TRIAC调光器；
[0015]图2B显示图2A中的交流切相电压Vtr经整流后的直流电压VIN波形；
[0016]图3是图1中开关的示意图；
[0017]图4显示直流电压VIN发生瞬间高电压变化时图3中开关上的电压波形；
[0018]图5显示本发明的第一实施例；
[0019]图6显示图5中箝制电路的另一实施例；
[0020]图7显示本发明的第二实施例；
[0021]图8显示本发明的第三实施例；
[0022]图9显示图8中箝制电路的另一实施例；
[0023]图10显示本发明的第四实施例；以及
[0024]图11显示图10的电路发生瞬间高电压变化时的电压波形图。
[0025]符号说明:
[0026]10线性LED驱动器
[0027]12桥式整流器
[0028]14集成电路
[0029]16控制器
[0030]18开关
[0031]20开关
[0032]22开关[0〇33]24开关
[0034]26双向触发二极管
[0035]28三端双向硅控开关
[0036]30波形
[0037]32波形
[0038]34波形
[0039]36晶体管
[0040]362输入端
[0041]364控制端
[0042]366输出端
[0043]38晶体管
[0044]382输入端
[0045]384控制端
[0046]386输出端
[0047]40电流源
[0048]42晶体管
[0049]44晶体管
[0050]46保护电路
[0051]48箝制电路
[0052]50运算放大器
[0053]52开关
[0054]54稽纳二极管
[0055]56箝制电路
[0056]58开关
[0057]60开关
[0058]62运算放大器
[0059]64箝制电路
[0060]66箝制电路
[0061]68稽纳二极管
[0062]70稽纳二极管
[0063]72开关
[0064]74运算放大器
[0065]76开关
[0066]78运算放大器
[0067]80接脚S1的电压波形
[0068]82波形
[0069]84波形【具体实施方式】
[0070]图5显示本发明的第一实施例，在图5中仅揭示线性LED驱动器10中的集成电路14,线性LED驱动器10的其余部分请参照图1。在集成电路14中，晶体管36的输入端 362经接脚S1连接LED，当晶体管36导通时，与晶体管36串联的LED将被点亮。晶体管 38的输入端382经接脚S2连接LED，当晶体管38导通时，与晶体管38串联的LED将被点亮。晶体管36及38为高压元件，且可以是M0SFET或IGBT。晶体管36及38的输出端366 及386连接电流源40,电流源40用以调节通过LED的电流使其等于预设的电流Iref，以控制LED的亮度。当晶体管36及38的输出端的电流Isl及Is2之和小于电流源40的电流 Iref时，晶体管36及38的输出端的电压Vs下降，因而使通过晶体管42及44的电流Ibl 及Ib2下降，导致晶体管36及38的输出端364及384的电压上升，进而使电流Isl及Is2 上升。相反的，当电流Isl及Is2之和大于电流源40的电流Iref时，电压Vs上升使电流 Ibl及Ib2上升，导致晶体管36及38的输出端364及384的电压下降，进而使电流Isl及 Is2下降。保护电路46连接晶体管36及38以限制晶体管36及38上的电压最大值，以避免该线性LED驱动器10因晶体管36或38的输入端362或382的瞬间电压变化而发生异常或不稳定。保护电路46包括一箝制电路48连接晶体管36及38的输出端366及386,以限制晶体管36及38的输出端366及386的最大电压。在此实施例中，箝制电路48为一主动式电路，其包括一运算放大器50及一开关52,其中开关52连接在该晶体管的输出端及一接地端之间，运算放大器50的正输入端连接晶体管36及38的输出端366及386,运算放大器50的负输入端接收一临界值Vrefl，运算放大器50的输出端连接开关52的控制端。当接脚S1或S2上的电压发生瞬间高电压变化时，晶体管36及38的输出端366及386上的电流Isl及Is2上升使晶体管36及38的输出端366及386的电压Vs上升，在电压Vs大于临界值Vref2时，运算放大器50控制开关52导通以形成一放电路径以对电压Vs放电， 进而限制晶体管36及38的输出端366及386的最大电压。
[0071]图6显示图5中箝制电路48的另一实施例，在此实施例中，箝制电路48为一被动式电路，其包括一稽纳二极管(Zener d1de) 54用以限制晶体管36及38的输出端366及 386的最大电压，稽纳二极管54的阳极连接一接地端，而稽纳二极管的阴极连接晶体管36 及38的输出端366及386。当接脚S1或S2上的电压发生瞬间高电压变化时，晶体管36及 38的输出端366及386的电压Vs上升，在电压Vs大于一临界值(即稽纳二极管54的击穿电压)时，稽纳二极管54导通以形成一放电路径对电压Vs放电，进而限制晶体管36及38 的输出端366及386的最大电压。
[0072]在图5及图6的实施例中，晶体管36及38是共用一个电流源40及一个箝制电路 48,但在其他实施例中，晶体管36及38也可以各自配置不同的电流源40及箝制电路48。
[0073]图7显示本发明的第二实施例，其与图5的电路同样包括晶体管36、38、42及44以及电流源40,但图7的保护电路46包括一箝制电路56连接晶体管36及38的控制端364 及384以及晶体管36及38的输出端366及386,箝制电路56检测晶体管36及38的输出端366及386的电压Vs，在电压Vs大于一临界值Vref2时，关闭晶体管36及38以限制晶体管36及38的输出端366及386的最大电压。在图7的实施例中，箝制电路56为一主动式电路，其包括开关58及60以及运算放大器62,其中开关58连接在晶体管36的控制端 364及接地端之间，开关60连接在晶体管38的控制端384及接地端之间，运算放大器62的正输入端连接晶体管36及38的输出端366及386,运算放大器62的负输入端接收一临界值Vref2,运算放大器62的输出端连接开关58及60的控制端。当接脚S1或S2上的电压发生瞬间高电压变化时，晶体管36及38的输出端366及386的电压Vs上升，在电压Vs大于临界值Vref2时，运算放大器62导通开关58及60以关闭晶体管36及38,进而限制晶体管36及38的输出端366及386的最大电压。在图7的实施例中，晶体管36及38是共用一个电流源40及一个运算放大器62,但在其他实施例中，晶体管36及38也可以各自配置不同的电流源40及运算放大器62。此外，箝制电路56也可以是由被动元件组成的被动式电路。
[0074]图8显示本发明的第三实施例，其与图5的电路同样包括晶体管36、38、42及44 以及电流源40,但图7的保护电路46包括箝制电路64及66分别连接晶体管36及38的控制端364及384,以限制晶体管36及38的控制端364及384的最大电压。在图8的实施例中，箝制电路64及66皆为被动式电路。箝制电路64包括一稽纳二极管68用以限制晶体管36的控制端364的最大电压，稽纳二极管68的阳极连接接地端，稽纳二极管的阴极连接晶体管36的控制端364。箝制电路66包括一稽纳二极管70用以限制晶体管38的控制端 384的最大电压，稽纳二极管70的阳极连接接地端，稽纳二极管的阴极连接晶体管38的控制端384。当接脚S1及S2上的电压发生瞬间高电压变化时，将产生电流Icpl及Icp2分别晶体管36的输入端362及控制端364之间的寄生电容Cdgl以及晶体管38的输入端382 及控制端384之间的寄生电容Cdg2充电，进而导致晶体管36及38的控制端364及366的电压Vgl及Vg2快速上升。在电压Vgl大于临界值(即稽纳二极管68的击穿电压)时，稽纳二极管68导通以形成放电路径供放电晶体管36的控制端364的电压Vgl，以限制晶体管 36的控制端364的最大电压。同样的，在电压Vg2大于临界值(即稽纳二极管70的击穿电压)时，稽纳二极管70导通以形成放电路径供放电晶体管38的控制端384的电压Vg2,以限制晶体管38的控制端384的最大电压。
[0075]图9显示图8中箝制电路64及66的另一实施例，在此实施例中，箝制电路64及 66为主动式电路。在图9中，箝制电路64包括开关72及运算放大器74,其中开关72连接在晶体管36的控制端364及接地端之间，运算放大器74的正输入端连接晶体管36的控制端364,运算放大器74的负输入端接收临界值Vref3,运算放大器74的输出端连接开关72 的控制端。在该晶体管的控制端的电压大于一临界值时，导通该开关以限制该晶体管的控制端的最大电压。箝制电路66包括开关76及运算放大器78,其中开关76连接在晶体管 38的控制端384及接地端之间，运算放大器78的正输入端连接晶体管38的控制端384， 运算放大器78的负输入端接收临界值Vref3,运算放大器78的输出端连接开关76的控制端。当接脚S1及S2上的电压发生瞬间高电压变化时，将产生电流Icpl及Icp2分别晶体管36的输入端362及控制端364之间的寄生电容Cdgl以及晶体管38的输入端382及控制端384之间的寄生电容Cdg2充电，进而导致晶体管36及38的控制端364及366的电压 Vgl及Vg2快速上升，在电压Vgl大于临界值Vref3时，运算放大器74导通开关72以限制晶体管36的控制端364的最大电压。同样的，在电压Vg2大于临界值Vref3时，运算放大器78导通开关76以限制晶体管38的控制端384的最大电压。
[0076]图10显示本发明的第四实施例，其与图5的电路同样包括晶体管36、38、42及44 以及电流源40,但图10的保护电路46包括箝制电路48、56、64及66。图10的箝制电路48 的架构及操作与图5的箝制电路48相同，图10的箝制电路56的架构及操作与图7的箝制电路56相同，图10的箝制电路64及66的架构及操作与图8的箝制电路64及66相同。在其他实施例中，图10的箝制电路48及56也可以使用被动式电路，图10的箝制电路64及 66也可以使用主动式电路。
[0077]图11显示图10的电路发生瞬间高电压变化时的电压波形图，其中波形80是接脚 S1的电压，波形82是晶体管36的控制端364的电压Vgl，波形84是晶体管36的输出端366 的电压Vs。参照图10及图11，当发生瞬间高电压变化使接脚S1的电压快速上升时，如图 11的时间tl所示，电压Vgl及Vs都开始上升，在时间t2时，电压Vgl已达到箝制电路64 中的稽纳二极管68的击穿电压，故稽纳二极管68导通以限制电压Vgl的最大值，以防止线性LED驱动器出现不稳定或烧毁，此时电压Vs仍持续上升。当电压Vs大于临界值Vrefl 时，箝制电路48的开关52被导通以对电压Vs放电，但由于接脚S1的电压仍在剧烈变化， 因此晶体管36的输出端366仍持续产生大电流Isl，箝制电路48无法完全将电流Isl泄放至接地端，导致电压Vs仍持续上升。在电压Vs达到临界值Vref2时，箝制电路56中的开关58被导通以使晶体管36关闭，所以晶体管36的输出端366不再输出电流Isl，随着箝制电路48持续放电，电压Vs开始下降。当电压Vs低于临界值Vref2时，箝制电路56中的开关58被关闭，故晶体管36的控制端364的电压Vgl开始上升，此时电压Vgl还不足以导通晶体管36,所以电压Vs仍持续下降。当晶体管36再次被导通后，若接脚S1的电压仍在剧烈变化，如时间t4所示，电压Vs将再次上升。之后反复前述操作，直到接脚S1的电压稳定后，电压Vs将稳定在正常操作范围。
【主权项】
1.一种线性发光二极管驱动器，其特征在于，包括:一晶体管，具有一输入端供连接发光二极管，其中在该晶体管导通时，该发光二极管被 点壳；一电流源，连接该晶体管的输出端，用以调节通过该发光二极管的电流；以及一保护电路，连接该晶体管，用以限制该晶体管的控制端的电压及该晶体管的输出端 的电压其中至少一个的最大值，以避免该线性发光二极管驱动器因该晶体管的输入端的瞬 间电压变化而发生异常或不稳定。2.如权利要求1所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该保护电路包括一箝制 电路连接该晶体管的输出端，以限制该晶体管的输出端的最大电压。3.如权利要求2所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该箝制电路包括:一开关，连接在该晶体管的输出端及一接地端之间；以及一运算放大器，连接该晶体管的输出端及该开关，在该晶体管的输出端的电压大于一 临界值时，导通该开关以限制该晶体管的输出端的最大电压。4.如权利要求2所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该箝制电路包括一稽纳 二极管用以限制该晶体管的输出端的最大电压，该稽纳二极管的阳极连接一接地端，该稽 纳二极管的阴极连接该晶体管的输出端。5.如权利要求1所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该保护电路包括一箝制 电路连接该晶体管的控制端及该晶体管的输出端，检测该晶体管的输出端的电压，在该晶 体管的输出端的电压大于一临界值时，关闭该晶体管以限制该晶体管的输出端的最大电压。6.如权利要求5所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该箝制电路包括:一开关，连接在该晶体管的控制端及一接地端之间；以及一运算放大器，连接该晶体管的输出端及该开关，在该晶体管的输出端的电压大于该 临界值时，导通该开关以关闭该晶体管。7.如权利要求1所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该保护电路包括一箝制 电路连接该晶体管的控制端，以限制该晶体管的控制端的最大电压。8.如权利要求7所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该箝制电路包括一稽纳 二极管用以限制该晶体管的控制端的最大电压，该稽纳二极管的阳极连接一接地端，该稽 纳二极管的阴极连接该晶体管的控制端。9.如权利要求7所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该箝制电路包括:一开关，连接在该晶体管的控制端及一接地端之间；以及一运算放大器，连接该晶体管的控制端及该开关，在该晶体管的控制端的电压大于一 临界值时，导通该开关以限制该晶体管的控制端的最大电压。10.如权利要求1所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该保护电路包括:一第一箝制电路，连接该晶体管的输出端，以限制该晶体管的输出端的最大电压；一第二箝制电路，连接该晶体管的控制端及该晶体管的输出端，检测该晶体管的输出 端的电压，在该晶体管的输出端的电压大于一临界值时，关闭该晶体管以限制该晶体管的 输出端的最大电压；以及一第三箝制电路，连接该晶体管的控制端，以限制该晶体管的控制端的最大电压。11.如权利要求10所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该第一箝制电路包括:一开关，连接在该晶体管的输出端及一接地端之间；以及一运算放大器，连接该晶体管的输出端及该开关，在该晶体管的输出端的电压大于一 第二临界值时，导通该开关以限制该晶体管的输出端的最大电压。12.如权利要求10所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该第一箝制电路包括 一稽纳二极管用以限制该晶体管的输出端的最大电压，该稽纳二极管的阳极连接一接地 端，该稽纳二极管的阴极连接该晶体管的输出端。13.如权利要求10所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该第二箝制电路包括:一开关，连接在该晶体管的控制端及一接地端之间；以及一运算放大器，连接该晶体管的输出端及该开关，在该晶体管的输出端的电压大于该 临界值时，导通该开关以关闭该晶体管。14.如权利要求10所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该第三箝制电路包括 一稽纳二极管用以限制该晶体管的控制端的最大电压，该稽纳二极管的阳极连接一接地 端，该稽纳二极管的阴极连接该晶体管的控制端。15.如权利要求10所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该第三箝制电路包括:一开关，连接在该晶体管的控制端及一接地端之间；以及一运算放大器，连接该晶体管的控制端及该开关，在该晶体管的控制端的电压大于一 临界值时，导通该开关以限制该晶体管的控制端的最大电压。16.如权利要求1所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该晶体管是高压元件。17.如权利要求1所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该晶体管是金属氧化物 半导体场效应晶体管。18.如权利要求1所述的线性发光二极管驱动器，其特征在于，该晶体管是绝缘栅双极 晶体管。19.一种线性发光二极管驱动器的控制方法，其特征在于，该线性发光二极管驱动器包 含一晶体管具有一与发光二极管连接的输入端、一控制端及一输出端，该控制方法包括下 列步骤:导通该晶体管以点亮该发光二极管；以及限制该晶体管的控制端的电压及该晶体管的输出端的电压其中至少一个的最大值，以 避免该线性发光二极管驱动器因该晶体管的输入端的瞬间电压变化而发生异常或不稳定。20.如权利要求19所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管上的电压最大值的 步骤包括限制该晶体管的输出端的最大电压。21.如权利要求20所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管的输出端的最大电 压的步骤包括在该晶体管的输出端的电压大于一临界值时，形成一放电路径供放电该晶体 管的输出端的电压，以限制该晶体管的输出端的最大电压。22.如权利要求20所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管的输出端的最大电 压的步骤包括在该晶体管的输出端的电压大于一临界值时，关闭该晶体管以限制该晶体管 的输出端的最大电压。23.如权利要求19所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管上的电压最大值的 步骤包括限制该晶体管的控制端的最大电压。24.如权利要求23所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管的控制端的最大电 压的步骤包括在该晶体管的控制端的电压大于一临界值时，形成一放电路径供放电该晶体 管的控制端的电压，以限制该晶体管的控制端的最大电压。25.如权利要求19所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管上的电压最大值的 步骤包括:限制该晶体管的输出端的最大电压；以及限制该晶体管的控制端的最大电压。26.如权利要求25所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管的输出端的最大电 压的步骤包括在该晶体管的输出端的电压大于一临界值时，形成一放电路径供放电该晶体 管的输出端的电压，以限制该晶体管的输出端的最大电压。27.如权利要求25所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管的输出端的最大电 压的步骤包括在该晶体管的输出端的电压大于一临界值时，关闭该晶体管以限制该晶体管 的输出端的最大电压。28.如权利要求25所述的控制方法，其特征在于，该限制该晶体管的控制端的最大电 压的步骤包括在该晶体管的控制端的电压大于一临界值时，形成一放电路径供放电该晶体 管的控制端的电压，以限制该晶体管的控制端的最大电压。
【文档编号】H05B37/02GK105992439SQ201510087261
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月25日
【发明人】潘均宏, 饶东铮, 李惟, 李一惟, 陈曜洲
【申请人】立锜科技股份有限公司