形成用于印刷电路板的分段通孔的方法
【专利摘要】提供了用于形成具有一个或更多个分段通孔的印刷电路板(PCB)的新颖方法，包括当在PCB中形成分段通孔时，在镀敷工序之后去除催化剂的改进方法。在无电镀敷之后，利用诸如酸性溶液(其至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和卤素离子)的催化剂去除剂来去除镀敷抗蚀剂表面上的过多催化剂，或者该催化剂去除剂可以是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂，如碱性高锰酸盐化合物溶液或等离子体气体(包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种，或者这些气体中的至少两种的混合物)。在去除过多催化剂之后，接着向该贯穿孔应用电解镀敷，并且形成外层电路或信号迹线。即，蚀刻该芯体结构的导电箔/层上的路径。
【专利说明】形成用于印刷电路板的分段通孔的方法
[0001 ]优先权要求
[0002]本专利申请要求2013年12月17日提交的、题名为“Methods of FormingSegmented Vias for Printed Circuit Boards”的美国临时申请N0.61/917262的优先权，其特意通过引用并入于此。
技术领域
[0003]本公开涉及印刷电路板(PCB)，并且更具体地说，涉及在印刷电路板(PCB)中形成分段通孔(segmented via)的方法。
【背景技术】
[0004]消费者日益需要更快且更小的电子产品。随着新电子应用的上市，PCB的用途增长巨大。通过层压多个导电层与一个或更多个非导电层来形成PCB。随着PCB尺寸的缩小，其电气互连的相对复杂性也随之增长。
[0005]通孔结构在传统上被用于允许信号在PCB的层间行进。镀敷(plated)通孔结构是PCB内的镀敷孔，其充当用于传送电气信号的介质。例如，电气信号可以经由PCB的一个层上的迹线、经由镀敷通孔结构的导电材料行进，并接着进入PCB的不同层上的第二迹线中。
[0006]图1例示了具有贯穿镀敷抗蚀剂170形成的镀敷通孔结构130的PCB100PCB 100包括被电介质层120a_120e分隔的导电层I 1a-110e。镀敷通孔结构130镀敷有籽导电材料(seed conductive material) 190(即，催化剂)和另一导电材料覆层192。通过选择性地在用于制造PCB叠层的子复合结构中沉积镀敷抗蚀剂，将镀敷通孔130分割成多个电气隔离部分(130a和130b)。贯穿PCB叠层、贯穿导电层、电介质层并且贯穿镀敷抗蚀剂钻出贯穿孔(Through-hole)。
[0007]通孔130通过横贯通孔130的隔离部分130a，而允许电气信号160从第一导电层IlOa上的一条迹线140或组件安装焊盘而传送至PCB 100的第二导电层IlOb上的另一迹线150。类似的是，通孔130的隔离部分130b允许另一电气信号162传送至迹线180，而不干扰信号 160。
[0008]镀敷抗蚀剂170在导电层I 1d处限制沉积或者去活化(deactivate)催化材料190，并且阻止通孔结构130内的导电材料192。结果，通孔130被分割成电气隔离部分130a和130b。从而，电气信号160从第一导电材料IlOa行进至第二导电层110c，信号完整性不会经由因电气隔离部分130b所造成的干扰而劣化。
[0009]图2A和2B例示了用于形成具有一个或更多个分段通孔的PCB的方法。首先，形成第一芯体或子复合结构，其具有夹在第一导电层与第二导电层之间的第一电介质芯层(202)。可以蚀刻第一芯体或子复合结构的至少一个导电层，以形成通孔焊盘、反焊盘、以及/或者电迹线(204)。例如，这种蚀刻可以用于形成去往/来自要形成通孔的点的电气路径。接着，可以将第一镀敷抗蚀剂材料沉积在第一芯体或子复合结构的至少一个表面上(206)。
[0010]可选的是，形成第二芯体或子复合结构，其具有夹在第三导电层与第四导电层之间的第二电介质芯层(208)。可以蚀刻第二芯体或子复合结构的至少一个导电层，以形成通孔焊盘、反焊盘以及/或者电迹线(210)。例如，这种蚀刻可以用于形成去往/来自要形成通孔的点的电气路径。接着，可以将第二镀敷抗蚀剂材料沉积在第二芯体或子复合结构的至少一个表面上(212)。
[0011]接着，可以将第一芯体或子复合结构和第二芯体或子复合结构以其间具有至少一个电介质层的方式层压，形成PCB叠层(214)。贯穿PCB叠层、贯穿导电层、电介质层并且贯穿镀敷抗蚀剂钻出贯穿孔(216)。接下来，将诸如无电铜镀敷这样的籽化导电材料涂敷至所述一个或更多个贯穿孔(218)。
[0012]向所述一个或更多个贯穿孔应用电解镀敷(220)。接着，形成外层电路或信号迹线(222)。即，蚀刻该芯体结构的导电箔/层上的路径。
[0013]无电铜提供初始导电路径，以允许该叠层中的每一个贯穿孔的圆筒的附加电解镀铜。该籽化学(seed chemistry^催化剂)沉积在贯穿孔壁的表面上，而且尽管镀敷抗蚀剂被设计成防止铜沉积在镀敷抗蚀剂上，但一些催化剂仍可能沉积在镀敷抗蚀剂上。在镀敷之后仍保持在贯穿孔表面上的催化剂可以导致差的绝缘(高阻短路、电迀移)和厚重镀敷。从而，需要用于当在印刷电路板中形成分段通孔时，在镀敷工序之后去除催化剂的改进方法。
【发明内容】
[0014]下面呈现了一个或更多个实现的简化摘要，以便提供对一些实现的基本理解。该摘要不是所有设想实现的广泛概述，而是旨在既不标识所有实现的关键或重要要素，也不描绘任何或所有实现的范围。唯一目的是，按简化形式呈现一个或更多个实现的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的开始。
[0015]根据一个特征，提供了一种用于制造具有分段镀敷贯穿孔的印刷电路板的方法。该方法包括以下步骤:形成芯体或子复合结构;选择性地在所述芯体或子复合结构内的或者所述芯体或子复合结构外部的电介质层上沉积至少一种镀敷抗蚀剂;贯穿所述芯体或子复合结构和所述镀敷抗蚀剂形成一个或更多个贯穿孔；以及将催化材料涂敷至所述一个或更多个贯穿孔的内表面，所述内表面具有层压部分和镀敷抗蚀剂部分，其中仅所述层压部分涂覆有导电材料；向所述一个或更多个贯穿孔应用无电镀敷;利用催化剂去除剂将所述催化材料从所述镀敷抗蚀剂部分去除；向所述一个或更多个贯穿孔应用电解镀敷；以及在外部导电层上形成外层电路。
[0016]根据一个方面，所述催化材料是钯或钯衍生物，而所述催化剂去除剂是酸性溶液，并且其中，所述酸性溶液至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和齒素离子。
[0017]根据另一方面，所述催化剂去除剂是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂，而所述蚀刻剂是碱性高锰酸盐化合物溶液。所述蚀刻剂可以是等离子体气体，其中，所述等离子体气体包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种。
[0018]根据另一特征，提供了一种用于制造具有分段镀敷贯穿孔的印刷电路板的方法。该方法包括以下步骤:形成芯体或子复合结构;选择性地在所述芯体或子复合结构内的或者所述芯体或子复合结构外部的电介质层上沉积至少一种镀敷抗蚀剂;贯穿所述芯体或子复合结构和所述镀敷抗蚀剂形成贯穿孔;将催化材料涂敷至一个或更多个贯穿孔的内表面，所述内表面具有层压部分和镀敷抗蚀剂部分，其中仅层压表面要涂覆有导电材料;向所述一个或更多个贯穿孔应用金属镀敷;利用催化剂去除剂将所述催化材料从所述镀敷抗蚀剂部分去除；以及在第一芯体的导电层上形成外层电路。
[0019]根据一个方面，所述催化材料是钯或钯衍生物。
[0020]根据另一方面，所述催化剂去除剂是酸性溶液，并且其中，所述酸性溶液至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和齒素离子。
[0021]根据又一方面，所述催化剂去除剂是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂。
[0022]根据又一方面，所述蚀刻剂是碱性高锰酸盐化合物溶液。
[0023]根据又一方面，所述蚀刻剂是等离子体气体，并且其中，所述等离子体气体包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种。
[0024]根据又一特征，提供了一种用于制造具有分段镀敷贯穿孔的印刷电路板的方法。该方法包括以下步骤:形成芯体或子复合结构;选择性地在所述芯体或子复合结构内的或者所述芯体或子复合结构外部的电介质层上沉积至少一种镀敷抗蚀剂;贯穿所述芯体或子复合结构和所述镀敷抗蚀剂形成贯穿孔；以及将催化材料涂敷至所述一个或更多个贯穿孔的内表面，所述内表面具有层压部分和镀敷抗蚀剂部分，其中，层压表面要涂覆有导电材料，而所述镀敷抗蚀剂部分不要涂覆有导电材料；向所述一个或更多个贯穿孔应用金属镀敷;在第一芯体的导电层上形成外层电路；以及利用催化剂去除剂将所述催化材料从所述镀敷抗蚀剂部分和所述电介质材料表面去除。
[0025]根据一个方面，所述催化材料是钯或钯衍生物。
[0026]根据另一方面，所述催化剂去除剂是酸性溶液。
[0027]根据又一方面，所述酸性溶液至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和卤素离子。
[0028]根据又一方面，所述催化剂去除剂是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂。
[0029]根据又一方面，所述蚀刻剂碱性是高锰酸盐化合物溶液。
[0030]根据又一方面，所述蚀刻剂是等离子体气体，并且其中，所述等离子体气体包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种。
【附图说明】
[0031]图1例示了具有贯穿镀敷抗蚀剂形成的镀敷通孔结构的PCB。
[0032]图2(包括图2A和图2B)例示了用于形成具有一个或更多个分段通孔的PCB的方法。
[0033]图3例示了通常催化工序印刷电路板制造。
[0034]图4例示了PCB的表面上的过多催化剂颗粒的示例。
[0035]图5(包括图5A和图5B)例示了根据本发明一个方面的、用于形成具有一个或更多个分段通孔的PCB的方法。
[0036]图6(包括图6A和图6B)例示了根据本发明一个方面的、用于形成具有一个或更多个分段通孔的PCB的方法。
[0037]图7(包括图7A和图7B)例示了根据本发明一个方面的、用于形成具有一个或更多个分段通孔的PCB的方法。
[0038]图8例示了具有单一种镀敷抗蚀剂的PCB叠层的截面图。
[0039]图9例示了具有一种以上镀敷抗蚀剂的PCB叠层的截面图。
[0040]图10例示了印刷电路板中的、已经去活化残留催化剂的贯穿孔的截面图。
[0041]图11例示了图10的印刷电路板中的、去除了残留催化剂的贯穿孔的截面图。
【具体实施方式】
[0042]在本公开的下列详细描述中，阐述了许多具体细节，以便提供对本公开的详尽理解。然而，本公开可以在没有这些具体细节的情况下加以实践。在其它情况下，公知方法、过程以及/或者组件未加以详细描述，以使不多余地搞混本公开的多个方面。
[0043]本公开提供了用于在多层印刷电路板中形成分段通孔(或贯穿孔)的方法。多层PCB可以是芯片基板、母板、底板、背面板、中心板、柔性或刚性柔性电路。本公开不限于用于PCB。通孔结构可以是用于从一个导电层向另一导电层传送电气信号的镀敷贯穿孔(PTH:plated through hole)。镀敷通孔还可以是用于将电气组件电连接至PCB上的其它电气组件的组件安装孔。
[0044]概述
[0045]本公开提供了一种在镀敷工序之后利用新颖催化剂去除工序来制造印刷电路板的方法。在制造PCB的一个实施例中，形成芯体或子复合结构，并且可以选择性地在该芯体或子复合结构内的或者该芯体或子复合结构外部的电介质层上沉积至少一种镀敷抗蚀剂材料(或镀敷抗蚀剂)。接下来，贯穿该芯体或子复合结构和镀敷抗蚀剂形成一个或更多个贯穿孔;并且将催化材料涂敷至所述一个或更多个贯穿孔的内表面，该内表面具有层压部分和镀敷抗蚀剂部分，其中仅该层压部分涂覆有导电材料。接着，向所述一个或更多个贯穿孔应用无电镀敷，并且利用催化剂去除剂将该催化材料从镀敷抗蚀剂部分去除。在去除镀敷抗蚀剂之后，向所述一个或更多个贯穿孔应用电解镀敷，并且在外部导电层上形成外层电路。
[0046]印刷电路板制造中的通常催化工序
[0047]当要在用于形成镀敷贯穿孔的贯穿孔或者用于形成通孔的孔部分上执行无电铜镀敷时，通常在无电铜镀敷之前执行催化工序，以沉积钯(Pd)，其用作用于在无电镀敷中沉积的镀敷弓I发核(initiator nucIeus)。图3例示了在印刷电路板制造中利用的通常催化工序。在钻贯穿孔和基板之后，蚀刻抗蚀剂表面，以增加随后涂敷催化层和无电镀金属层至其的附着力。接下来，可以涂敷清洁剂(302)。该清洁剂例如可以是酸性或碱性清洁剂。接下来，可以涂敷催化剂(304)，接着将PCB漂洗(306)，以去除任何过多催化剂。图4例示了在PCB的表面上具有过多催化剂的PCB表面402(404)。如所示的，靠近PCB表面402的第一组催化剂颗粒(或催化剂)被吸收到PCB表面402中，并且吸收到贯穿孔中，而远离PCB表面402的第二组催化剂颗粒(或催化剂)未被吸收(406)。返回至图3，接着，使PCB的表面(包括贯穿孔表面和抗蚀剂表面)经受本领域已知的工序，其活化该表面，以接受导电材料(308)。接着，将PCB漂洗(310)，以去除过多催化剂406，如图4所示。接着处理PCB，以在朝着这种金属化活动的其那些表面(包括贯穿孔表面)上涂敷金属化层。
[0048]在形成PCB期间去除过多催化剂
[0049]图5A和5B例示了根据本公开一个方面的、用于形成具有一个或更多个分段通孔的PCB的方法。首先，可以形成第一芯体或子复合结构，其具有夹在第一导电层与第二导电层之间的第一电介质芯层(502)。可以蚀刻第一芯体或子复合结构的至少一个导电层，以形成通孔焊盘、反焊盘以及/或者电迹线(504)。例如，这种蚀刻可以用于形成去往/来自要形成通孔的点的电气路径。如果将镀敷抗蚀剂材料嵌入到芯体中，则可以将第一镀敷抗蚀剂材料沉积在第一芯体或子复合结构的至少一个表面上(506)。
[0050]可选的是，可以形成第二芯体或子复合结构，其具有夹在第三导电层与第四导电层之间的第二电介质芯层(508)。可以蚀刻第二芯体或子复合结构的至少一个导电层，以形成通孔焊盘、反焊盘以及/或者电迹线(510)。例如，这种蚀刻可以用于形成去往/来自要形成通孔的点的电气路径。接着，可以将第二镀敷抗蚀剂材料沉积在第二芯体或子复合结构的至少一个表面上(512)。形成附加芯体或子复合结构508-512的工序可以在需要时重复。
[0051]接着，可以将第一芯体或子复合结构和诸如第二芯体或子复合结构这样的任何可选附加对应复合结构以其间具有至少一个电介质层的方式层压，形成PCB叠层(514)。可以贯穿PCB叠层、贯穿导电层、电介质层并且贯穿镀敷抗蚀剂材料(或镀敷抗蚀剂)钻出一个或更多个贯穿孔(516)。接下来，可以将用于无电铜的籽化导电材料或催化材料(诸如钯催化剂)涂敷至所述一个或更多个贯穿孔(518)，并接着可以涂敷无电铜(520)。
[0052]在无电镀敷之后，可以去除镀敷抗蚀剂材料(或镀敷抗蚀剂)的表面上的过多催化剂(522)。该催化剂接着可以利用诸如酸性溶液(其至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和卤素离子)这样的催化剂去除剂来去除，或者该催化剂去除剂可以是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂，如碱性高锰酸盐化合物溶液或等离子体气体(包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种，或者这些气体中的至少两种的混合物)。在去除过多催化剂之后，接着，可以向所述一个或更多个贯穿孔应用电解镀敷(524)。接下来，可以接着在外部导电层上形成外层电路或信号迹线(526)。即，蚀刻该芯体结构的导电箔/层上的路径。
[0053]图6A和6B例示了根据本公开一个方面的、用于形成具有一个或更多个分段通孔的PCB的方法。首先，可以形成第一芯体或子复合结构，其具有夹在第一导电层与第二导电层之间的第一电介质芯层(602)。可以蚀刻第一芯体或子复合结构的至少一个导电层，以形成通孔焊盘、反焊盘、以及/或者电迹线(604)。例如，这种蚀刻可以用于形成去往/来自要形成通孔的点的电气路径。接着，可以将第一镀敷抗蚀剂材料(或镀敷抗蚀剂)沉积在第一芯体或子复合结构的至少一个表面上(606)。
[0054]可选的是，可以形成第二芯体或子复合结构，其具有夹在第三导电层与第四导电层之间的第二电介质芯层(608)。可以蚀刻第二芯体或子复合结构的至少一个导电层，以形成通孔焊盘、反焊盘、以及/或者电迹线(610)。例如，这种蚀刻可以用于形成去往/来自要形成通孔的点的电气路径。接着，可以将第二镀敷抗蚀剂材料(或镀敷抗蚀剂)沉积在第二芯体或子复合结构的至少一个表面上(612)。形成附加芯体或子复合结构的工序(608-612)可以在需要时重复。
[0055]接着，可以将第一芯体或子复合结构和诸如第二芯体或子复合结构的任何可选附加对应复合结构以其间具有至少一个电介质层的方式层压，形成PCB叠层(614)。可以将一个或更多个贯穿孔贯穿PCB叠层、贯穿导电层、电介质层并且贯穿镀敷抗蚀剂材料(或镀敷抗蚀剂)钻出(616)。接下来，可以将用于无电铜的籽化导电材料或催化材料(诸如钯催化剂)涂敷至所述一个或更多个贯穿孔(618)，并接着涂敷无电铜(620)。
[0056]接着，可以向所述一个或更多个贯穿孔应用电解镀敷(622)。在电解镀敷之后，可以去除镀敷抗蚀剂的表面上的过多催化剂(624)。该催化剂可以利用诸如酸性溶液(其至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和卤素离子)的催化剂清洁剂或去除剂来去除，或者该催化剂去除剂可以是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂，如碱性高锰酸盐化合物溶液或等离子体气体(包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种，或者这些气体中的至少两种的混合物)。在去除过多催化剂之后，可以接着形成外层电路或信号迹线(626)。即，蚀刻该芯体结构的导电箔/层上的路径。根据一个实施方式，该催化剂清洁工序可以在电路或迹线形成之后应用，以代替在电路或迹线形成之前的催化剂清洁。
[0057]图7A和7B例示了根据本公开一个方面的、用于形成具有一个或更多个分段通孔的PCB的方法。首先，可以形成第一芯体或子复合结构，其具有夹在第一导电层与第二导电层之间的第一电介质芯层(702)。可以蚀刻第一芯体或子复合结构的至少一个导电层，以形成通孔焊盘、反焊盘、以及/或者电迹线(704)。例如，这种蚀刻可以用于形成去往/来自要形成通孔的点的电气路径。接着，可以将第一镀敷抗蚀剂材料沉积在第一芯体或子复合结构的至少一个表面上(706)。
[0058]可选的是，可以形成第二芯体或子复合结构，其具有夹在第三导电层与第四导电层之间的第二电介质芯层(708)。可以蚀刻第二芯体或子复合结构的至少一个导电层，以形成通孔焊盘、反焊盘、以及/或者电迹线(710)。例如，这种蚀刻可以用于形成去往/来自要形成通孔的点的电气路径。接着，可以将第二镀敷抗蚀剂材料沉积在第二芯体或子复合结构的至少一个表面上(712)。形成附加芯体或子复合结构的工序(708-712)可以在需要时重复。
[0059]接着，可以将第一芯体或子复合结构和诸如第二芯体或子复合结构的任何可选附加对应复合结构以其间具有至少一个电介质层的方式层压，形成PCB叠层(714)。可以贯穿PCB叠层、贯穿导电层、电介质层并且贯穿镀敷抗蚀剂钻出一个或更多个贯穿孔(716)。接下来，可以将用于无电镀铜的籽化导电材料或催化材料(诸如钯催化剂)涂敷至所述一个或更多个贯穿孔(718)，并接着可以涂敷无电铜(720)。
[0060]接着，可以向所述一个或更多个贯穿孔应用电解镀敷(722)。在电解镀敷之后，可以去除镀敷抗蚀剂的表面上的过多催化剂(724)。可以接着形成外层电路或信号迹线(726)。即，蚀刻该芯体结构的导电箔/层上的路径。最后，该催化材料可以利用诸如酸性溶液(其至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和卤素离子)这样的催化剂去除剂来去除，或者该催化剂去除剂可以是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂，如碱性高锰酸盐化合物溶液或等离子体气体(包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种，或者这些气体中的至少两种的混合物)。
[0061]图8例示了具有单一镀敷抗蚀剂的PCB叠层的截面图，而图9例示了具有一种以上镀敷抗蚀剂的PCB叠层的截面图。
[0062]去活化了残留催化剂的贯穿孔的截面图
[0063]图10例示了印刷电路板中的、去活化残留催化剂的通孔的截面图。可以在形成印刷电路板期间使用该消减工序或添加工序，如本领域已知的。
[0064]如图10所示，贯穿孔1000的壁部可以由层压部分1002和镀敷抗蚀剂部分1004组成。该层压部分1002可以具有第一组催化剂颗粒(或催化剂或催化材料)1006，其针对诸如铜1008这样的导电材料沉积来活化。
[0065]位于镀敷抗蚀剂部分1004上的第二组催化剂颗粒(或催化剂)1010可以去活化(1012)。尽管可以将这些催化剂颗粒(或催化剂)1010去活化或者惰性化，但仍有催化剂在镀敷之后依然保持在所述表面上，其可以造成差的绝缘(高电势、迀移)和厚重镀敷。
[0066]去除了残留催化剂的贯穿孔的截面图
[0067]图11例示了图10的印刷电路板中的、去除了残留催化剂的贯穿孔的截面图。如上所述，可以在形成印刷电路板期间使用该消减工序或添加工序，如本领域已知的。
[0068]如图11所示，贯穿孔1000的壁部可以由层压部分1002和镀敷抗蚀剂部分1004组成。如上所述，该层压部分1002可以具有第一组催化剂颗粒(或催化剂)1006，其活化以接受诸如铜1008这样的导电材料。
[0069]位于镀敷抗蚀剂部分1004上的、图10所示的第二组催化剂颗粒(或催化剂)1010可以通过清洁来去除，以增强PCB 1014的绝缘。该催化剂可以利用诸如酸性溶液(其至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和卤素离子)的去除剂来去除。该催化剂去除剂可以是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂，如碱性高锰酸盐化合物溶液或等离子体气体(包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种)。
[0070]在前述说明书中，本发明的实施方式已经参照可以从实现至实现改变的许多具体细节进行了描述。本说明书和附图因此按例示性意义而非限制性意义来考虑。本发明旨在和所附权利要求书一样宽泛，包括其所有等同物。
[0071]本领域技术人员还应清楚，结合在此公开的实施例描述的各种例示性逻辑框、模块、电路、以及算法步骤可以被实现为电子硬件、计算机软件，或两者的组合。为清楚地例示硬件和软件的这种互换性，各种例示性组件、框、模块、电路、以及步骤已经从它们的功能方面进行了一般描述。这种功能是实现为硬件还是软件取决于施加至总体系统上的特定应用和设计约束。
[0072]虽然已经对特定示例性实施方式进行了描述，并且在附图中进行了示出，但应当明白，因为本领域普通技术人员可以想到各种其它修改例，所以这种实施例仅仅是例示性的，而非针对本宽泛发明的限制，并且本发明不限于所示和描述的具体构造和布置。
【主权项】
1.一种用于制造具有分段镀敷贯穿孔的印刷电路板的方法，该方法包括以下步骤: 形成芯体或子复合结构； 选择性地在所述芯体或子复合结构内的或者所述芯体或子复合结构外部的电介质层上沉积至少一种镀敷抗蚀剂； 贯穿所述芯体或子复合结构和所述镀敷抗蚀剂形成一个或更多个贯穿孔；以及将催化材料涂敷至所述一个或更多个贯穿孔的内表面，所述内表面具有层压部分和镀敷抗蚀剂部分，其中仅所述层压部分涂覆有导电材料； 向所述一个或更多个贯穿孔应用无电镀敷； 利用催化剂去除剂将所述催化材料从所述镀敷抗蚀剂部分去除； 向所述一个或更多个贯穿孔应用电解镀敷；以及 在外部导电层上形成外层电路。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述催化材料是钯或钯衍生物。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述催化剂去除剂是酸性溶液，并且其中，所述酸性溶液至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和齒素离子。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述催化剂去除剂是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻剂是碱性高锰酸盐化合物溶液。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述蚀刻剂是等离子体气体。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述等离子体气体包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种。8.—种用于制造具有分段镀敷贯穿孔的印刷电路板的方法，该方法包括以下步骤: 形成芯体或子复合结构； 选择性地在所述芯体或子复合结构内的或者所述芯体或子复合结构外部的电介质层上沉积至少一种镀敷抗蚀剂； 贯穿所述芯体或子复合结构和所述镀敷抗蚀剂形成贯穿孔； 将催化材料涂敷至一个或更多个贯穿孔的内表面，所述内表面具有层压部分和镀敷抗蚀剂部分，其中仅层压表面要涂覆有导电材料； 向所述一个或更多个贯穿孔应用金属镀敷； 利用催化剂去除剂将所述催化材料从所述镀敷抗蚀剂部分去除；以及 在第一芯体的导电层上形成外层电路。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述催化材料是钯或钯衍生物。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述催化剂去除剂是酸性溶液，并且其中，所述酸性溶液至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和齒素离子。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述催化剂去除剂是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述蚀刻剂是碱性高锰酸盐化合物溶液。13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述蚀刻剂是等离子体气体，并且其中，所述等离子体气体包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种。14.一种用于制造具有分段镀敷贯穿孔的印刷电路板的方法，该方法包括以下步骤: 形成芯体或子复合结构；选择性地在所述芯体或子复合结构内的或者所述芯体或子复合结构外部的电介质层上沉积至少一种镀敷抗蚀剂； 贯穿所述芯体或子复合结构和所述镀敷抗蚀剂形成贯穿孔；以及将催化材料涂敷至一个或更多个贯穿孔的内表面，所述内表面具有层压部分和镀敷抗蚀剂部分，其中，层压表面要涂覆有导电材料，而所述镀敷抗蚀剂部分不要涂覆有导电材料； 向所述一个或更多个贯穿孔应用金属镀敷； 在第一芯体的导电层上形成外层电路；以及 利用催化剂去除剂将所述催化材料从所述镀敷抗蚀剂部分和所述电介质材料表面去除。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述催化材料是钯或钯衍生物。16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述催化剂去除剂是酸性溶液。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述酸性溶液至少包括亚硝酸盐或亚硝酸根离子和齒素尚子。18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述催化剂去除剂是用于镀敷抗蚀剂的蚀刻剂。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述蚀刻剂是碱性高锰酸盐化合物溶液。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述蚀刻剂是等离子体气体，并且其中，所述等离子体气体包括氧气、氮气、氩气以及四氟甲烷中的至少一种。
【文档编号】H05K3/46GK105900538SQ201480073032
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2014年12月17日
【发明人】S·伊克塔尼, D·克斯滕
【申请人】桑米纳公司