抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的cmos电平转换电路的利记博彩app
【专利摘要】本发明公开一种抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，其包括反相单元和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括：四个PMOS管，可与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个NMOS管，以及可与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管。亚阈值的初始信号经过反相器得到反相信号，将初始信号及其反相信号作为输入，经过电平转换单元能够实现从亚阈值到超阈值的电平转换，并且具有抗单粒子效应的效果。本发明可在传统电平转换器基础上进行改造，防止单粒子效应导致的输出错误。
【专利说明】
抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路
技术领域
[0001]本发明涉及单粒子效应抑制技术领域，特别是一种抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路。
【背景技术】
[0002]为了降低电子系统的功耗，很多芯片的工作电压变得越来越低。比如，处理器I/O电压正从1.8V降低到1.5V，而内核能够在低于IV的电压下工作。甚至于，处理器的内核中也存在多种电压域。电压降低方面的发展不均带来了系统设计者必须解决的关键性难题一如何在信号电平之间进行可靠的转换。
[0003]有些芯片能实现较高的逻辑电平至较低逻辑电平的转换，也有一些芯片能够将较低的逻辑电平转换成较高的逻辑电平。当这些逻辑转换芯片应用于空间环境中时，空间辐射高能粒子(如重离子、质子等)会穿透到电路的内部，电离产生额外的电子空穴对，从而被敏感节点吸收，并改变原来的电平。这种效应被称为单粒子效应(SEE)，可能会引起系统错误，造成严重的故障。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题为:提出一种抗单粒子效应单元的从亚阈值到超阈值的电平转换器，其可避免电路中某节点发生单粒子效应时，导致输出错误的情形。
[0005 ]本发明采取的技术方案具体为:一种抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，包括反相单元，和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，其中:反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；
抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括:四个PMOS管，定义为第一PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管;与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个匪OS管，定义为第一匪OS管、第二匪OS管、第三匪OS管和第四匪OS管；以及与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管，定义为第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管；
四个PMOS管的源极分别连接电源；第一PMOS管的漏极连接第五匪OS管的漏极、第二PMOS管的栅极，和第四PMOS管的栅极，并作为第一输出节点；第二 PMOS管的漏极连接第六WOS管的漏极、第五匪OS管的栅极，和第七WOS管的栅极，并作为第二输出节点；第三PMOS管的漏极连接第七NMOS管的漏极、第六NMOS管的栅极，和第八NMOS管的栅极，并作为第三输出节点；第四PMOS管的漏极连接第八匪OS管的漏极、第一 PMOS管的栅极，和第三PMOS管的栅极，并作为第四输出节点；第五匪OS管、第六NMOS管、第七匪OS管和第八匪OS管的源极分别接地；
第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的源极分别接地，漏极分别对应连接第一输出节点、第二输出节点、第三输出节点和第四输出节点;第一NMOS管和第三NMOS管的栅极分别连接反相单元的信号输出端，第二 NMOS管和第四NMOS管的栅极分别连接反相单元的信号输入端。
[0006]本发明在应用时，亚阈值的初始信号经过反相器得到反相信号，将初始信号及其反相信号作为输入，经过电平转换单元即能够实现从亚阈值到超阈值的电平转换，并且具有抗单粒子效应的效果。
[0007]进一步的，本发明的反相单元包括一个PMOS管和一个NMOS管，PMOS管的源极连接电源，漏极连接NMOS管的漏极，并作为反相单元的信号输出端;NMOS管的源极接地;PMOS管的栅极与NMOS管的栅极相连，并作为反相单元的信号输入端。
[0008]本发明的有益效果为:通过对传统的电平转换器进行电路改造，使得其电平转换单元能够进行单粒子效应的辨识，实现抗单粒子效应的目的，避免电路中某节点受辐射而发生翻转，导致输出错误。本发明电路运行可靠，结构简单成本低。
【附图说明】
[0009]
图1所示为本发明一种实施例的反相单元电路结构示意图；
图2所示为电平转换单元部分电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]以下结合附图和具体实施例进一步描述。
[0011 ]结合图1和图2，本发明抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，包括反相单元，和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，其中:
反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；
抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括:四个PMOS管，定义为第一PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管;可与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个NMOS管，定义为第一匪OS管、第二匪OS管、第三匪OS管和第四匪OS管；以及可与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管，定义为第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管；
四个PMOS管的源极分别连接电源；第一PMOS管的漏极连接第五匪OS管的漏极、第二PMOS管的栅极，和第四PMOS管的栅极，并作为第一输出节点；第二 PMOS管的漏极连接第六WOS管的漏极、第五匪OS管的栅极，和第七WOS管的栅极，并作为第二输出节点；第三PMOS管的漏极连接第七NMOS管的漏极、第六NMOS管的栅极，和第八NMOS管的栅极，并作为第三输出节点；第四PMOS管的漏极连接第八匪OS管的漏极、第一 PMOS管的栅极，和第三PMOS管的栅极，并作为第四输出节点；第五匪OS管、第六NMOS管、第七匪OS管和第八匪OS管的源极分别接地；
第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的源极分别接地，漏极分别对应连接第一输出节点、第二输出节点、第三输出节点和第四输出节点;第一NMOS管和第三NMOS管的栅极分别连接反相单元的信号输出端，第二 NMOS管和第四NMOS管的栅极分别连接反相单元的信号输入端。
[0012]在应用时，亚阈值的初始信号经过反相器得到反相信号，将初始信号及其反相信号作为输入，经过电平转换单元即能够实现从亚阈值到超阈值的电平转换，并且具有抗单粒子效应的效果。
实施例
[0013]如图1，本实施例中，反相单元包括一个PMOS管MP1和一个NMOS管MN1,MP^源极连接电源，漏极连接MN1的漏极，并作为反相单元的信号输出端Vsub---—b JN1的源极接地;MP^栅极与MN1的栅极相连，并作为反相单元的信号输入端Vsub。
[0014]如图2，具有抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元由4个PMOS管MPx1、MPx2、MPx3、MPx4，和 8 个匪 OS 管 MNx1、MNx2、MNx3、MNx4、MNxs、MNx6、MNx7、MNx8 组成，其中 MPx1、ΜΡχ2、MPx3、ΜΡχ4和 MNx1、MNx2、MNx3、ΜΝχ4构成电平转换模块，MPx1、MPx2、MPx3、ΜΡχ4 和 MNx5、MNx6、MNx7、MNx8构成抗单粒子效应模块。
[0015]MPx1、ΜΡχ2、ΜΡχ3、ΜΡχ4的源极与电源Vqh相连，漏极分别与MNxs、ΜΝχθ、ΜΝχ7、MNxs的漏极相连于A、B、C_0UT、D节点，即第一输出节点、第二输出节点、第三输出节点和第四输出节点；MNx5、MNx6、MNx7、MNx8的源极接地，MPxdPMPx3的栅极接D节点，ΜΡχ2和MPx4的栅极接A节点，ΜΝχ5和ΜΝΧ7的栅极接B节点，MNx6和MNx8的栅极接^。!^节点、ΜΝχ2、ΜΝχ3、ΜΝχ4的源极接地，MNx1的漏极接A节点，其栅极接Vsub---—b，ΜΝχ^漏极接B节点，其栅极接Vsub-，MNx3的漏极接(:_0171节点，其栅极接Vsub---—b，ΜΝχ4的漏极接D节点，其栅极接Vsub---。
[0016]电路在运行时，当Vsub…为亚阈值的I时，经过反相器，输出Vsub---—b为0，Vsub…和Vsub一_—b作为电平转换单元的输入，此时，MNx5截止，MNx6导通，MNX7截止，MNx8导通，A节点为超阈值的I，B节点为O，C_0UT节点输出为超阈值的I，D节点为O。由此，实现了 Vsub---为亚阈值的1到(:_01]1'节点输出为超阈值的I的电平转换。倘若发生单粒子效应，假设C_0UT节点受到粒子碰撞发生翻转，从而从超阈值的I翻转为O，则MNx6截止，MNx8截止，错误不会发生传递，而D节点为0，因此MPx3导通，C_0UT节点的错误O仍会被拉回超阈值的I，从而实现了抗单粒子效应的效果。
[0017]当Vsub---为O时，经过反相器，输出Vsub---—b为亚阈值的l，Vsub—和Vsub---—b作为电平转换单元的输入，此时，MNx5导通，MNx6截止，MNx7导通，MNx8截止，A节点为O，B节点为超阈值的I，C_0UT节点输出为O，D节点为超阈值的I。倘若发生单粒子效应，假设B节点受到粒子碰撞发生翻转，从而从超阈值的I翻转为O，则MNx5截止，MNx7截止，错误不会发生传递，而A节点为0，因此MPx2导通，B节点的错误O仍会被拉回超阈值的1，从而实现了抗单粒子效应的效果。
[0018]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，包括反相单元，和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，其中: 反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号； 抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括:四个PMOS管，定义为第一PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管;与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个匪OS管，定义为第一匪OS管、第二匪OS管、第三匪OS管和第四匪OS管；以及与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管，定义为第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管； 四个PMOS管的源极分别连接电源；第一PMOS管的漏极连接第五NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极，和第四PMOS管的栅极，并作为第一输出节点；第二 PMOS管的漏极连接第六WOS管的漏极、第五匪OS管的栅极，和第七WOS管的栅极，并作为第二输出节点；第三PMOS管的漏极连接第七NMOS管的漏极、第六NMOS管的栅极，和第八NMOS管的栅极，并作为第三输出节点；第四PMOS管的漏极连接第八匪OS管的漏极、第一 PMOS管的栅极，和第三PMOS管的栅极，并作为第四输出节点；第五匪OS管、第六NMOS管、第七匪OS管和第八匪OS管的源极分别接地； 第一 NMOS管、第二匪OS管、第三匪OS管和第四NMOS管的源极分别接地，漏极分别对应连接第一输出节点、第二输出节点、第三输出节点和第四输出节点;第一NMOS管和第三NMOS管的栅极分别连接反相单元的信号输出端，第二 NMOS管和第四NMOS管的栅极分别连接反相单元的信号输入端。2.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，其特征是，反相单元包括一个PMOS管和一个NMOS管，PMOS管的源极连接电源，漏极连接NMOS管的漏极，并作为反相单元的信号输出端;NMOS管的源极接地;PMOS管的栅极与NMOS管的栅极相连，并作为反相单元的信号输入端。
【文档编号】H03K19/003GK105871366SQ201610201862
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月5日
【发明人】王海滨, 戴茜茜, 张学武, 李庆武, 刘小锋, 孙洪文, 华迪
【申请人】河海大学常州校区