一种电路板无残胶开孔镀铜工艺的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路板领域，特别是涉及一种电路板无残胶开孔镀铜工艺。
【背景技术】
[0002]电路板的表面和背面都设置有铜箔，上下的铜箔之间设置玻璃纤维布进行支撑和隔离，为了提高玻璃纤维布与铜箔的结构强度，分别设置胶水进行连接固定。
[0003]在电路板上开孔镀铜的工艺对电路板的性能至关重要，尤其是镭射至填孔制程间的工艺，由于残胶的问题，造成电路板产品的大量报废，客户投诉上升，需要改良。
【发明内容】
[0004]本发明主要解决的技术问题是提供一种电路板无残胶开孔镀铜工艺，清除开孔后的残胶，提高镀层的质量。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种电路板无残胶开孔镀铜工艺，包括以下步骤:
A、UV镭射盲孔:采用YAG的激光器，在电路板上表面直接镭射出盲孔，电路板包括上表面铜箔、下表面铜箔以及设置在上表面铜箔和下表面铜箔之间的玻璃纤维布，玻璃纤维布的上表面和下表面分别设置有胶水，激光镭射洞穿上表面铜箔和玻璃纤维布并到达下表面铜箔的上表面，使用下表面铜箔直接吸收能量，达到气化铜箔的效果，控制能量大小，保证下表面铜箔不被击穿；
B、CNC钻孔:采用机械钻孔机在电路板的通孔位置，钻出通孔；
C、电浆除胶:采用电浆工序作业，氧气、氮气和四氟化炭在真空电极刺激下电子分解成离子与电路板盲孔和通孔中的胶产生撞击，除去通孔及盲孔内的胶水；
D、高锰酸钾除胶:把电路板置于高锰酸钾槽液中10~18min，在高锰酸钾槽液中高锰酸钾与氢氧化钠混合的药水中反应，产生强氧化效果将电浆未除去的残留胶体除去，确保盲孔内下表面铜箔的洁净；
E、填孔:最后通过电镀填孔，在通孔和盲孔内镀铜，由于盲孔底部无残胶留下，确保盲孔的孔壁以及盲孔底部下表面铜箔的上表面分别有均匀的镀层。
[0006]在本发明一个较佳实施例中，所述高锰酸钾槽液中含有高锰酸钾、氢氧化钠和锰酸钾，所述高锰酸钾的浓度为45~55g/L，所述氢氧化钠的浓度为35~45g/L，所述锰酸钾的浓度不大于25g/L。
[0007]在本发明一个较佳实施例中，所述下表面铜箔的上表面经过棕化处理以提高光波的吸收。
[0008]在本发明一个较佳实施例中，所述高锰酸钾槽液的温度为70~80°C。
[0009]在本发明一个较佳实施例中，所述高锰酸钾除胶步骤中在高锰酸钾槽液中充气和振动以提升除胶效果。
[0010]本发明的有益效果是:本发明指出的一种电路板无残胶开孔镀铜工艺，分别利用电浆除胶和高锰酸钾除胶，彻底清除盲孔和通孔内的残胶，特别是盲孔底部残胶，提高了镀层的均匀性和牢度，确保电路板的性能。
【具体实施方式】
[0011]下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0012]本发明实施例包括:
实施例1:
一种电路板无残胶开孔镀铜工艺，包括以下步骤:
A、UV镭射盲孔:采用YAG的激光器，在电路板上表面直接镭射出盲孔，电路板包括上表面铜箔、下表面铜箔以及设置在上表面铜箔和下表面铜箔之间的玻璃纤维布，玻璃纤维布的上表面和下表面分别设置有胶水，所述下表面铜箔的上表面经过棕化处理以提高光波的吸收，激光镭射洞穿上表面铜箔和玻璃纤维布并到达下表面铜箔的上表面，使用下表面铜箔直接吸收能量，达到气化铜箔的效果，控制能量大小，保证下表面铜箔不被击穿；
B、CNC钻孔:采用机械钻孔机在电路板的通孔位置，钻出通孔；
C、电浆除胶:采用电浆工序作业，氧气、氮气和四氟化炭在真空电极刺激下电子分解成离子与电路板盲孔和通孔中的胶产生撞击，除去通孔及盲孔内的胶水；
D、高锰酸钾除胶:把电路板置于高锰酸钾槽液中15min，所述高锰酸钾槽液的温度为75°C，在高锰酸钾槽液中高锰酸钾与氢氧化钠混合的药水中反应，所述高锰酸钾槽液中含有高锰酸钾、氢氧化钠和锰酸钾，所述高锰酸钾的浓度为50g/L，所述氢氧化钠的浓度为40/L，所述锰酸钾的浓度20g/L，产生强氧化效果将电浆未除去的残留胶体除去，确保盲孔内下表面铜箔的洁净，高锰酸钾槽液中充气和振动以提升除胶效果；
E、填孔:最后通过电镀填孔，在通孔和盲孔内镀铜，由于盲孔底部无残胶留下，确保盲孔的孔壁以及盲孔底部下表面铜箔的上表面分别有均匀的镀层。
[0013]实施例2:
一种电路板无残胶开孔镀铜工艺，包括以下步骤:
A、UV镭射盲孔:采用YAG的激光器，在电路板上表面直接镭射出盲孔，电路板包括上表面铜箔、下表面铜箔以及设置在上表面铜箔和下表面铜箔之间的玻璃纤维布，玻璃纤维布的上表面和下表面分别设置有胶水，所述下表面铜箔的上表面经过棕化处理以提高光波的吸收，激光镭射洞穿上表面铜箔和玻璃纤维布并到达下表面铜箔的上表面，使用下表面铜箔直接吸收能量，达到气化铜箔的效果，控制能量大小，保证下表面铜箔不被击穿；
B、CNC钻孔:采用机械钻孔机在电路板的通孔位置，钻出通孔；
C、电浆除胶:采用电浆工序作业，氧气、氮气和四氟化炭在真空电极刺激下电子分解成离子与电路板盲孔和通孔中的胶产生撞击，除去通孔及盲孔内的胶水；
D、高锰酸钾除胶:把电路板置于高锰酸钾槽液中18min，所述高锰酸钾槽液的温度为70°C，在高锰酸钾槽液中高锰酸钾与氢氧化钠混合的药水中反应，所述高锰酸钾槽液中含有高锰酸钾、氢氧化钠和锰酸钾，所述高锰酸钾的浓度为46g/L，所述氢氧化钠的浓度为36g/L，所述锰酸钾的浓度15g/L，产生强氧化效果将电浆未除去的残留胶体除去，确保盲孔内下表面铜箔的洁净，高锰酸钾槽液中充气和振动以提升除胶效果；
E、填孔:最后通过电镀填孔，在通孔和盲孔内镀铜，由于盲孔底部无残胶留下，确保盲孔的孔壁以及盲孔底部下表面铜箔的上表面分别有均匀的镀层。
[0014]综上所述，本发明指出的一种电路板无残胶开孔镀铜工艺，物理和化学双重除胶，彻底清除通孔和盲孔中的残留胶水，提高电镀填孔的效果，确保电路板的导电性能，综合性能提升，有利于提尚客户满意度。
[0015]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种电路板无残胶开孔镀铜工艺，对电路板进行开孔和镀铜填孔，其特征在于，包括以下步骤: A、UV镭射盲孔:采用YAG的激光器，在电路板上表面直接镭射出盲孔，电路板包括上表面铜箔、下表面铜箔以及设置在上表面铜箔和下表面铜箔之间的玻璃纤维布，玻璃纤维布的上表面和下表面分别设置有胶水，激光镭射洞穿上表面铜箔和玻璃纤维布并到达下表面铜箔的上表面，使用下表面铜箔直接吸收能量，达到气化铜箔的效果，控制能量大小，保证下表面铜箔不被击穿； B、CNC钻孔:采用机械钻孔机在电路板的通孔位置，钻出通孔； C、电浆除胶:采用电浆工序作业，氧气、氮气和四氟化炭在真空电极刺激下电子分解成离子与电路板盲孔和通孔中的胶产生撞击，除去通孔及盲孔内的胶水； D、高锰酸钾除胶:把电路板置于高锰酸钾槽液中10~18min，在高锰酸钾槽液中高锰酸钾与氢氧化钠混合的药水中反应，产生强氧化效果将电浆未除去的残留胶体除去，确保盲孔内下表面铜箔的洁净； E、填孔:最后通过电镀填孔，在通孔和盲孔内镀铜，由于盲孔底部无残胶留下，确保盲孔的孔壁以及盲孔底部下表面铜箔的上表面分别有均匀的镀层。2.根据权利要求1所述的电路板无残胶开孔镀铜工艺，其特征在于，所述高锰酸钾槽液中含有高锰酸钾、氢氧化钠和锰酸钾，所述高锰酸钾的浓度为45~55g/L，所述氢氧化钠的浓度为35~45g/L，所述锰酸钾的浓度不大于25g/L。3.根据权利要求1所述的电路板无残胶开孔镀铜工艺，其特征在于，所述下表面铜箔的上表面经过棕化处理以提高光波的吸收。4.根据权利要求1所述的电路板无残胶开孔镀铜工艺，其特征在于，所述高锰酸钾槽液的温度为70~80°C。5.根据权利要求1所述的电路板无残胶开孔镀铜工艺，其特征在于，所述高锰酸钾除胶步骤中在高锰酸钾槽液中充气和振动以提升除胶效果。
【专利摘要】本发明公开了一种电路板无残胶开孔镀铜工艺，包括以下步骤：UV镭射盲孔、CNC钻孔、电浆除胶、高锰酸钾除胶和填孔，通过电镀填孔，在通孔和盲孔内镀铜，由于盲孔底部无残胶留下，确保盲孔的孔壁以及盲孔底部下表面铜箔的上表面分别有均匀的镀层。通过上述方式，本发明所述的电路板无残胶开孔镀铜工艺，分别利用电浆除胶和高锰酸钾除胶，彻底清除盲孔和通孔内的残胶，特别是盲孔底部残胶，提高了镀层的均匀性和牢度，确保电路板的性能。
【IPC分类】H05K3/42, H05K3/26
【公开号】CN105307410
【申请号】CN201510698225
【发明人】徐法治
【申请人】苏州福莱盈电子有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年10月26日