用于弯曲对象的表面处理设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明总体涉及一种表面处理设备，更具体地说，涉及一种用于弯曲对象的表面处理设备，其使用大气压等离子体并且可均匀地和可靠地处理弯曲对象的表面。
【背景技术】
[0002]通常，在诸如玻璃或膜的另一物质附着至对象之前或者在执行针对对象的另一处理之前常使用用于对象的表面处理。具体地说，广泛使用利用大气压等离子体的表面处理方法，这是因为表面处理的成本可降低、在表面处理过程中不产生环境污染材料以及可获得最可靠的表面处理效果。
[0003]利用大气压等离子体的表面处理是一种可满意地处理目标对象的表面的技术，其处理方式是，大气压等离子体产生装置产生等离子体，并仅越过设置在等离子体产生装置下方的目标对象的暴露表面。
[0004]然而，虽然利用大气压等离子体的常规表面处理设备通过水平地移动目标对象或者表面处理设备本身可均匀地处理平坦的对象，但是存在难以均匀地处理弯曲对象的表面的问题。
[0005]此外，如果弯曲对象的曲率相对大或弯曲对象的弯曲凹陷相对深，则由利用大气压等离子体的表面处理设备产生的大量的等离子体不会均匀地到达目标对象的表面。在这种情况下，几乎不可能处理目标对象的表面。
【发明内容】
[0006]因此，鉴于在现有技术中出现的以上问题，提出本发明，并且本发明的一个目的是提供一种用于弯曲对象的表面处理设备，其使用大气压等离子体，并可均匀和可靠地处理弯曲对象的表面。
[0007]为了实现以上目的，本发明提供了一种用于弯曲对象的表面处理设备，该设备包括:高电压电极单元，其包括沿着向下凸的弯曲表面布置的多个杆形高电压电极，所述弯曲表面的曲率对应于待处理的弯曲对象的曲率；壳体，其在与高电压电极单元间隔开的位置覆盖高电压电极单元的上部；等离子体发射单元，其设置在壳体下部以下并接地，等离子体发射单元形成包围高电压电极单元的向下凸的弯曲表面，并放射状地发射已穿过高电压电极单元的等离子体；反应气体供应单元，其安装在壳体中，反应气体供应单元将反应气体供应至其中设置有高电压电极单元的空间中；以及冷却单元，其设置在壳体的中心部分中，冷却单元被构造为按照冷却剂循环通过冷却单元的方式使壳体和高电压电极单元冷却。
[0008]杆形高电压电极的每一个可包括:高电压电极体，其设置在杆形高电压电极的中心位置；以及外部介电对象，其设置成围绕高电压电极体的外表面，外部介电对象由具有预定厚度的陶瓷材料制成。
[0009]等离子体发射单元可以可拆卸的方式结合至壳体的下部，并具有按照规则间隔排列的多个等离子体发射孔。
[0010]表面处理设备还可包括设置在等离子体发射单元的下方的支承夹具。支承夹具的弯曲表面可对应于等离子体发射单元的弯曲表面，从而支承夹具与等离子体发射单元的下表面以恒定距离间隔开，其中待处理的弯曲对象布置在支承夹具上。
[0011]表面处理设备还可包括水平传送装置，其用于沿着对应于支承夹具的纵向的方向水平地传送表面处理设备。
【附图说明】
[0012]从以下结合附图的详细描述中，本发明的以上和其它目的、特点和优点将变得更加清楚地理解，其中:
[0013]图1是示出根据本发明的实施例的用于弯曲对象的表面处理设备的剖视图；
[0014]图2是示出根据本发明的实施例的表面处理设备的操作的示图；以及
[0015]图3是示出根据本发明的实施例的表面处理设备的结构的透视图。
【具体实施方式】
[0016]下文中，将参照附图详细地描述本发明的实施例。
[0017]如图1所示，根据本发明的实施例的用于弯曲对象的表面处理设备I包括高电压电极单元20、壳体10、等离子体发射单元30、反应气体供应单元50和冷却单元60。
[0018]如图1所示，高电压电极单元20包括沿着向下凸的弯曲表面布置的多个杆形高电压电极20a至20g，所述弯曲表面的曲率对应于待处理的弯曲对象S的曲率。也就是说，不是包括单个高电压电极的高电压电极单元20以多个高电压电极按照与待处理的弯曲对象的曲率相同的曲率布置的方式构造。
[0019]优选地，具有上述布置方式的高电压电极20a至20g的每一个包括具有圆形截面的杆形高电压电极，如图1所示。这样，因为各个高电压电极包括杆形高电压电极，所以即使高电压电极以各种曲率布置，也可以相同密度发射大气压等离子体。各个高电压电极的直径和高电压电极的数量可以各种方式改变。
[0020]在该实施例中，如图1所示，杆形高电压电极20a至20g的每一个优选地包括:高电压电极体22a，布置在高电压电极的中心位置；和外部介电质24a，由具有预定厚度的陶瓷制成，并布置围绕高电压电极体22a的外表面。在大气压等离子体处理工艺中，将高电压功率施加至高电压电极体以进行等离子体处理。
[0021]参照图1，壳体10是在与高电压电极单元20间隔开预定距离的位置覆盖高电压电极单元20的上部的元件。详细地说，壳体10形成根据该实施例的弯曲对象表面处理设备I的整体形状，并提供其中安装其它元件的空间。
[0022]如图1和图3所示，等离子体发射单元30设置在壳体10的下部以下并形成包围高电压电极单元20的向下凸的弯曲表面。此外，等离子体发射单元30接地，并构造为放射状地发射已穿过高电压电极单元20的等离子体。换句话说，等离子体发射单元30是一种发射大气压等离子体的元件，并且其具有朝着待处理的弯曲对象S凸出的弯曲表面，并具有与弯曲对象S的曲率相同的曲率。
[0023]为此，如图1和图3所示，等离子体发射单元30在其整个表面上具有按照规则间隔布置的多个等离子体发射孔34。在该实施例中，如图1所示，等离子体发射单元30的曲率与弯曲对象S的曲率相同，从而等离子体发射单元30与弯曲对象S之间的距离在整个区域上是不变的，因此使得弯曲对象S的均匀表面处理成为可能。
[0024]同时，在该实施例中，如图1所示，等离子体发射单元30可分离地构造，以使得其可以可拆卸的方