专利名称：基极接地晶体管放大器的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种基极接地晶体管放大器，特别是涉及一种具有显著地改进了的噪声系数(NF)的基极接地晶体管放大器。
根据放大器晶体管的接地形式而将大多数放大器大致地分成下述三种类型发射极接地放大器、基极接地放大器、和集电极接地(发射极-跟随器)放大器。这三种不同类型的放大器呈现不同的工作特性并根据应用而被适当地使用。
图5所示的电路构型表示了在三种已知的放大器类型中的发射极接地放大器结构的一个例子；图中示出了作为该发射极接地放大器的-发射极接地差分晶体管放大器的结构例子。
图5中所示的发射极接地差分晶体管放大器包括有一对差动连接的晶体管对31和32、晶体管对31和32的负载电阻33和34、构成一电流镜电路(恒电流电路)的晶体管对35和36、一恒电流源37、一信号输入端38、一信号输出端39、和一工作电源40被差动连接的晶体管对31和32的基极被连接到信号输入端38，其集电极被连接到集电极负载电阻33的一端和集电极负载电阻34的一端并且还被连接到信号输出端39，并且其发射极被共同地连接到构成该电流镜电路的晶体管35的集电极。集电极负载电阻33的另一端和集电极负载电阻34的另一端被共同地连接到该工作电源40。在该电流镜电路中，晶体管35和36的基极被共同地连接并且恒流源37的一终端被连接到被共同连接的基极上。晶体管35和36的发射极通过电阻被接地。该恒流源37的另一终端被直接接地。
在上述的电路构型中，每当恒定电流从恒流源37提供给电流镜电路时，流经晶体管36的该电流值是根据该恒定电流的值而设定。而且，该电流镜的作用使得流经晶体管35的电流值下降。因为晶体管35的集电极是连接到晶体管对31和32共同连接的发射极，所以流经晶体管35的下降电流被分开流经晶体管对31和32，因而导致一工作偏置电流被加到晶体管对31和32。在该所描述的电路中，加在信号输入端38上的一对称放大高频信号被提供到晶体管对31和32之间并且在它被提供到信号输出端39作为一被放大的对称高频信号输出之前通过晶体管对31和32进行差分放大。如果一非对称信号加到该放大器或自该放大器输出，则将一已知的非对称-对称变换器(未示出)或一对称-非对称变换器(未示出)连接到该信号输入端38或信号输出端39。
图6是基极接地差分晶体管放大器结构的第一个例子的电路构型，它是基于图5中所示的发射极接地差分晶体管放大器并且将其中的共发射极用共基极来替代。
这样一种基极接地差分晶体管放大器使用了低输入阻抗、高输出阻抗、并且响应于该基极接地晶体管放大器所特有的大输入而有很好的失真特性；它已经由本发明的发明者们先于本发明而设计出来了。
在图6中，标号41和42指明了一对被差动连接的晶体管；标号43和44指明了晶体管对41和42的发射极电阻；和标号45指明了一基极偏置电源。其余的组成元件与图5中所给出的相同标号是相同的。
晶体管对41和42的发射极被连接到信号输入端38；基极被连接到该基极偏置电源46；和集电极被连接到该集电极负载电阻33的一端和集电极负载电阻34的一端并且还被连接到信号输出端39。构成电流镜电路(恒流电路)的晶体管35的集电极通过发射极电阻43和44而被连接到晶体管41和42的发射极。该电路构型的其余部分是与图5所示的差分放大器的其余部分相同的。该发射极电阻43和44的阻值的设置使得流经晶体管35的电流是对称流入晶体管对41和42并被耦合到晶体管对41和42的发射极而不减小加到该发射极的对称信号。
如同已经所述的，除了在晶体管对41和42中该信号放大由共发射极放大变为共基极放大之外，根据第一例子的基极接地差分晶体管放大器的工作与图5所示的发射极接地差分晶体管放大器的工作是相同的。这里，将省略对第一例子中的基极接地差分晶体管放大器的工作的说明。
图7示出了该基极接地晶体管差分放大器结构的第二个例子的电路构型图，该电路除了具有共基极而不是共发射极的特点之外均类似于如图5所示的发射极接地差分晶体管放大器。
为了利用上述基极接地晶体管放大器的优良的特性，该第二个例子已先于本发明而由本发明的发明人等设计出来了。
在图7中，标号46表明一第二晶体管和标号47表明一第三晶体管，它们构成了该电流镜电路(恒电流电路)。其它的与图5和图6中所示相同的部件元件被标以相同的标号。
该电流镜电路是由第一晶体管36和第二及第三晶体管46和47所构成，第二及第三晶体管的基极共同与第一晶体管的基极相连。第二晶体管46的集电极通过发射极电阻43被连接到晶体管41的发射极；第三晶体管47的集电极通过发射极电阻44被连接到晶体管42的发射极。该电路构型的其余部分与图6所示的第一个例子中的基极接地差分放大器的其余部分是相同的。
除了该电流镜电路的构型之外，按照该第二个例子的基极接地差分晶体管放大器的工作是与图6所示的基极接地差分晶体管放大器相同的。这里，省略了对第二个例子中的基极接地差分晶体管放大器的工作的说明。
一晶体管放大器的噪声系数(NF)通常是与由用于该放大器的晶体管或电阻所产生的噪声电压有关的。更详细地说，只要当电流流经该晶体管或电阻时，能量被消耗并出现一噪声电压。这就导致了该放大器的NF恶化。
在图5中所示的该已知发射极接地差分晶体管放大器中，由该恒流电路的晶体管35所产生的噪声电压以相同相位加到晶体管对31和32的发射极并以相同相位自其集电极输出。因此，在该集电极之间没有噪声电压出现。
但是，在根据图6所示的第一个例子的基极接地差分晶体管放大器中，由该恒流电路的晶体管35所产生的噪声电压被以相同相位加到晶体管对41和42的发射极。因此，如像在图5中所示的已知发射极接地差分晶体管放大器的情况一样，虽然相应于来自晶体管35的噪声电压的一噪声电压并不出现在该集电极之间，但是基于自与晶体管对41和42相连的发射极电阻43和44所产生的噪声电压的一噪声电压则出现在晶体管对41和42的集电极之间。更详细地说，在发射极电阻43和44中分别出现的由热噪声所引起的噪声电压没有建立在各自的发射极电阻中所出现的噪声电压所遵守的相位关系。这就是说，通过晶体管对41和42所放大的噪声电压不是同相位的。因此，甚至当该平衡-非平衡转换类型或平衡-非平衡转换类型高频变换器连接到该信号输出端39时，该噪声电压也不可能被抵消或被防止。
同样，在图7中所示的根据第二例子的基极接地差分晶体管放大器，它也不可能防止由该恒流电路的晶体管46和47所产生的噪声电压和自晶体管对41和42的集电极之间所出现的由发射极电阻43和44所产生的噪声电压。换句话说，由该恒流电路的晶体管46和47所引起的噪声电压和由发射极电阻43和44所引起的噪声电压均是各自不相关的并且在该噪声电压之中不存在所建立的相位关系。为此，甚至当该平衡-非平衡转换类型高频变换器加到该信号输出端39时该噪声电压也不可能被抵消或被防止。
本发明所提出的观点有助于解决上述问题，本发明的目的是提供一种能够几乎完全抵消在一恒流电路的一晶体管中所产生的噪声电压从而实现一极低噪声系数的基极接地晶体管放大器。
为此目的，根据本发明所提供的一种基极接地晶体管放大器包括有一晶体管对，其中该基极在高频上被接地，该发射极接收信号，和其集电极送出放大的信号；在该晶体管对的发射极之间被串接并且具有几乎相同电感值的一第一线圈和一第二线圈；和一恒流电路，该电路连接到第一和第二线圈的结点并使—工作偏置电流流经该晶体管对。
根据上述装置，在构成该恒流电路的一晶体管中所产生的噪声电压通过第一和第二线圈从该第一和第二线圈的结点提供给该晶体管对的发射极。因为该第一和第二线圈的电感量几乎是相同的，所以被提供给该晶体管对的发射极的噪声电压是相同的。因而，即使提供给该发射极的噪声电压是经该晶体管对而被放大并且该噪声电压是在其集电极上所产生的，但由于该噪声电压是同相的所以它们并不在该集电极间出现。
进一步根据上述的装置，被连接到该晶体管对的发射极的发射极电阻中没有DC电流流过。因此，由一发射极电阻所产生的噪声电压不加到该晶体管的发射极并且在该晶体管对的集电极两端没有这种噪声电压出现，这样就能实现提供一极低的噪声系数。
图1是表明根据本发明的一基极接地晶体管放大器的第一实施例的结构的一电路构型图；图2是表明根据该实施例在该基极接地晶体管放大器中的噪声系数的一特性图；图3是表明根据本发明的一基极接地晶体管放大器的第二实施例的结构的一电路构型图；图4是表明根据本发明的一基极接地晶体管放大器的第三实施例的结构的一电路构型图；图5是表明一已知的发射极接地差分晶体管放大器的结构的一个例子的一电路构型图；图6是表明先于根据本发明的基极接地晶体管放大器所作出的基极接地差分晶体管放大器结构的第一个例子的一电路构型图；和图7是表明先于根据本发明的基极接地晶体管放大器所作出的基极接地差分晶体管放大器结构的第二个例子的一电路构型图。
下面结合附图将对本发明的实施例作详细的说明。
图1是表明根据本发明的一基极接地晶体管放大器的第一实施例结构的一电路构型图。
图1中所示的该基板接地晶体管放大器包括有一对放大晶体管1和2、一对缓冲晶体管3和4、第一和第二集电极负载电阻5和6、构成一电流镜电路(恒流电路)的第一和第二晶体管7和8、一恒流源9、一用于连接非对称一对称转换的输入高频变换器10、一初级绕组10p、一次级绕组10s、一中心抽头10t、一半绕组10h1和10h2、一用于连接对称一非对称转换的输出高频变换器11、一初级绕组11p、一次级绕组11s、第一和第二基极偏置电源12和13、一工作电源14、一信号输入端15、一信号输出端16、第一和第二旁路电容17和18、以及第一和第二耦合电容19和20。
该放大晶体管对1和2的发射极被连接到信号输入端15，基极被共同连接到第一基极偏置电源12的一端和第一旁路电容17的一端，集电极被连接到缓冲晶体管对3和4的发射极。该缓冲晶体管对3和4的基极被共同连接到第二基极偏置电源13的一端和第二旁路电容18的一端。晶体管3的集电极被连接到第一集电极负载电阻5的一端和第一耦合电容19的一端。晶体管4的集电极被连接到第二集电极负载电阻6的一端和第二耦合电容20的一端。晶体管对1和2由具有相对大的发射极的晶体管所构成，反之缓冲晶体管对3和4由具有相对小的发射极的晶体管所构成。对于该电流镜电路共同被连接的是第一和第二晶体管7和8的基极，并且与共同被连接的基极相连接的是第二晶体管8的集电极和恒流源9的一端。在该输入高频变换器10中，该初级绕组10p的一端被连接到一非平衡信号输入端21和它的其余的一端与地相连。第二绕组10s的二端被连接到信号输入端15，其中心抽头10t被连接到该电流镜电路的第一晶体管7的集电极。在输出高频变换器11中，初级绕组11p的两端被连接到第一耦合电容19的另一端和第二耦合电容20的另一端；次级绕组11s的一端被连接到一非平衡信号输出端22和它的另一端被接地。第一和第二集电极电阻5和6的另一端被接到工作电源14的一端。恒流源9的另一端、第一和第二基极偏置电源12和13的另一端、以及工作电源14的另一端均接地。
下面将说明具有上述构型的第一实施例的基极接地晶体管放大器的工作。
当一恒定电流从该恒流源9被提供给电流镜电路时，流经第二晶体管8的电流值根椐该恒定电流的值而被设定并且流经第一晶体管7的下降电流也由该电流镜性能而设定。流经第一晶体管7的下降电流使得该电流从工作电源14流向第一集电极电阻5、缓冲晶体管3的集电极/发射极通路、放大晶体管1的集电极/发射极通路、和次级绕组10s的一半绕组10h1并且该电流还从工作电源14流向第二集电极电阻6、缓冲晶体管4的集电极/发射极通路、放大晶体管2的集电极/发射极通路、和次级绕组10s的一半绕组10h2、流经与第一晶体管7的集电极相连的输入高频变换器10的次级绕组10s的中心抽头10t。这就使得该工作偏置电流被加到放大晶体管对1和2以及晶体管对3和4。
当一非对称高频信号被提供给该非对称信号输入端21时，随着这样一种工作电流的设置，在该对称高频信号通过信号输入端15被提供给放大晶体管对1和2的发射极之前，该非对称高频信号通过输入高频变换器10被转换成一对称高频信号。随后，该对称高频信号经被接成基极接地模式的晶体管对1和2而被放大，并且在被放大的信号被提供给所跟随的缓冲晶体管3和4的发射极之前被送出到其集电极。被放大的对称高频信号通过被接成基极接地模式的缓冲晶体管对3和4被进一步放大并被提供给其集电极并且通过第一和第二耦合电容19和20而加到高频变换器11。在非对称高频信号被提供给该非对称信号输出端22之前，被放大的对称高频信号通过高频变换器11被转换回非对称高频信号。
在这样的高频信号放大期间，由该电流镜电路的第一晶体管7所产生的噪声电压被自该第一晶体管7的集电极提供给该输入高频变换器10的次级绕组10s的中心抽头10t；基于该晶体管7的噪声电压的噪声电流流经该次级绕组10s的两个一半绕组10h1和10h2。由于该两个一半绕组10h1和10h2的匝数相同并且其电感值也因而相同，所以流经该两个一半绕组10h1和10h2的噪声电流使得在该输入高频变换器10的次级绕组10s的两端呈现出同相噪声电压。因而，来自该晶体管7的噪声电压以同相位的形式加到晶体管对1和2的发射极。该噪声电压通过晶体管对1和2及缓冲晶体管对3和4而被放大并到达缓冲晶体管对3和4而被放大并到达缓冲晶体管对3和4的集电极；但是，由于在该缓冲晶体管3的集电极上所出现的噪声电压是与在缓冲晶体管4的集电极上所出现的噪声电压同相的，因而在它们的集电极两端并不呈现噪声电压。所以，当通过该缓冲晶体管对的集电极给出一对称信号时，该噪声电压被抵消而使在该输出端没有噪声电压出现。为了取出一非对称模式的信号而在该非对称信号输出端22不会引起一噪声电压的出现，该信号将通过如图1所示以对称—非对称转换模式连接的输出高频变换10而被取出。
在该第一实施例中，晶体管对1和2的发射极通过输入高频变换器10的次级绕组10s而被连接到晶体管7的集电极。在这种情况中，由于在次级绕组10s没有消耗功率并且没有消耗功率的发射极电阻与晶体管对1和2的发射极相连，所以不产生噪声电压。为此，在由该第一实施例的基极接地差分晶体管放大中可以降低NF。根据图6中的第一个例子或图7中的第二个例子的该基极接地差分晶体管放大器不能得到这个噪声控制效果；仅仅该第一实施例的基极接地差分晶体管放大器提供了这种效果。
参见图2中所示的特性曲线，该第一实施例的基极接地晶体管放大器的NF由特性曲线a指明。为了比较的目的，图7所示的第二个例子的基极接地晶体管差分放大器的NF由特性曲线b指明。
在图2中纵坐标轴表明了该NF而横坐标轴表明了信号源阻抗(Rs)。曲线a表示了第一实施例的基极接地晶体管放大器的特性而曲线上表示了第二例子的基极接地晶体管差分放大器的特性。
理论上指出一放大器的NF通常主要取决于信号源阻抗Rs、放大器的输入阻抗(Zin)和放大器的等效噪声电阻(Rn)。该第一实施例的基极接地晶体管放大器将不直接与图5所示的已知发射极接地晶体管差分放大器或图6所示的第一个例子的基极接地晶体管差分放大器进行比较，这是因为它们的放大器输入阻抗(Zin)、放大器等效噪声电阻(Rn)以及其它的系数是不相同的缘故。
尽管如此，该第一实施例的基极接地晶体管放大器和图7所示第二个例子的基极接地晶体管差分放大器之间的比较仍有如下的说明。如图2所示，在该第一实施例的基极接地晶体管放大器和根据第二个例子的基极接地晶体管差分放大器之间当该信号源阴抗(Rs)为数十欧姆(Ω)或较小时所观察到的NF没有明显的改善；但是，当该信号源阻抗(Rs)超过数十欧姆(Ω)时根据该第二个例子的基极接地晶体管差分放大器的NF则有引人注目的改善。
如上所述，在该第一实施例中放大晶体管对1和2是相对地大。根据晶体管的一般规则，大晶体管中的噪声比小晶体管中的噪声要小，所以放大晶体管1和2中的噪声要小些，因而能用一小的NF进行放大。
另一方面，使用相对大的放大晶体管1和2与放大晶体管1和2的原来的连接电容相比较伴随有相对大的集电极寄生电容。将该集电极负载电阻5和6直接连接到具有大的集电极寄生电容的该放大晶体管的集电极则会产生取决于集电极负载电阻5和6的大的时间常数和大的集电极寄生电容，这就使实现具有好的高频特性的放大特性产生了困难。
该第一实施例除了放大晶体管1和2之外还包括有相对小的缓冲晶体管3和4；该相对小的晶体管3和4相应地提供了相对小的集电极电容。这就能得到一由集电极负载5和6以及集电极寄生电容所确定的小的时间常数值。在这种情况中，放大晶体管1和2的集电极被耦合到缓冲晶体管3和4的发射极，通常会导致相对小的发射极阻抗，这就允许实施具有好的频率特性的放大。
因此，根据该第一实施例，放大晶体管对1和2的发射极仅接收来自构成该恒流电路的晶体管7的噪声信号并且其噪声电压在放大晶体管1和2的集电极之间被抵消并且该噪声电压在输出端很难出现。结果，该噪声可以被控制到足够低的电平并且可以实施具有好的高频特性的放大。
该第一实施例涉及其中缓冲晶体管对3和4被连接到放大晶体管对1和2的输出端的例子。但是，本发明不限于具有这种构型的例子；它还可以被应用于其中使用了相对小的放大晶体管对的情况。另外，当可获得相对小的集电极寄生电容特性或频率特性的变坏可以允许在一定程度或在其它类似情况时，则如果可能的话缓冲晶体管对3和4可以省略并且放大晶体管对1和2可以连接到集电极负载电阻5和6。
另外，在该第一实施例中，在该非平衡高频信号从该非平衡信号输出端22输出之前，该平衡高频信号通过输出高频变换器11被转换成非平衡高频信号。但是，本发明并不仅限于这种构型，它还可以应用一种不同的构型中，在这种构型中该输出高频变换器11被省略掉，并且该平衡高频信号被加到信号输出端16，以便该平衡高频信号可通过该信号输出端16而输出。
此外，该第一实施例使用了用于该输入高频变换器10的非平衡—平衡变换器和用于该输出高频变换器11的平衡—平衡变换器。但是，本发明并不被限制于这样一种构型；它还可以应用一种不同的构型，在这种构型中该平衡—非平衡变换器被使用于该输入高频变换器10和/或输出高频变换器11。
为了使基极接地晶体管对的电流工作点稳定而克服该晶体管的基极/发射极电压和电流特性的变化，可以在该基极接地晶体管对的发射极和输入高频变换器的次级绕组之间插入一小电阻值的电阻作为一镇流电阻。这种电阻不象在图6中所示的需要提供相对大电阻值的电阻43和44，而不需要具有一大的电阻值。但是，在这种情况中，需要注意的事实是虽然由于较小的电阻值而使所产生的噪声可以降低到一较低值但该噪声仍轻微地增加。
图3是表示根据本发明的基极接地晶体管放大器的第二实施例结构的电路构型图。该第二实施例使用了第一和第二线圈来代替该输入高频变换器10。
在图3中，标号23表明了该第一线圈，标号24表明了其电感值和第一线圈23相同的第二线圈、和标号25表明了第一线圈23和第二线圈24的结节。另外与图1中的组成元件相同的组成元件被赋予相同的标号。
该第二实施例与第一实施例的不同仅是第二实施例提供了第一和第二线圈23和24，而第一实施例提供了包括有中心抽头10t的次级绕组10s的输入高频变换器10。在该第二实施例和第一实施例之间不存在有其它的结构不同之处；因此，对第二实施例的结构的说明将不再给出。
第二实施例的工作和优点与上述第一实施例几乎相同；因此，不进一步对其工作和优点进行说明。但是，应注意的是，由于第二实施例不需要输入高频变换器10，所以第二实施例增加了一个优点是根据第二实施例的基极接地差分晶体管放大器的成本要低于根据第一实施例的基极接地差分晶体管放大器的成本。
一单个的中心抽头型线圈可代替该第一线圈23、第二线圈24、和结点25。当使用这种中心抽头类型线圈时，在第一线圈23和第二线圈24之间的互连被增强了。其结果，正象第一实施例那样，来自构成该恒流电路的晶体管7的噪声可以较好的对称加到基极接地晶体管1和2的发射极，使得噪声可以出现在该信号输出端16两端并且使信号输出端16的平衡更好。换句话说，虽然该线圈结构稍为更复杂一点，但使用该中心抽头型线圈可以得到更好的NF特性。
图4是表明根据本发明的基极接地晶体管放大器的第三实施例结构的电路构型图；它示出的例子中一电容与第一线圈23和第二线圈24并联连接。
在图4中，标号26表明一电容和标号27表明一并联谐振电路。其它与图1所示的组成元件相同的组成元件被赋予相同的标号。
在结构上，第三实施例与第二实施例不同之处仅是在第三实施例中提供了一由串联连接的第一线圈23和第二线圈24和与上述线圈并联连接的电容26所构成的并联谐振电路。在第三实施例和第二实施例之间不存在有其它的结构上的不同之处；因而不再进一步说明第三实施例的结构。
第三实施例的工作和优点与上述第二实施例几乎是相同的；因而不再进一步对它的工作和优点进行说明。但是，应注意的是，第三实施例提供了第二实施例所不具备的如下优点设置了由第一和第二线圈23和24以及电容26所构成的并联谐振电路27的谐振频率使得它等效于加到晶体管对1和2的发射极的信号的频率使得仅仅该信号元件被有效地加到晶体管对1和2的发射极上成为可能，因此，在该晶体管对1和2中得到了较高的放大效率。
在这种情况中，一平衡信号可以被加到该并联谐振电路27的两端或一非平衡信号可被提供给该并联谐振电路27的一端，而其另一端接地。
因而，如上所述，根据本发明，由构成该恒流电路的晶体管7所产生的噪声电压通过第一和第二线圈23和24被加到晶体管对1和2的发射极，随后在它自其集电极输出之前通过晶体管1和2被放大。但是，加到该发射极的噪声电压具有同相的关系并且输出到各自的集电极的噪声电压还带有同相的关系；因此，在晶体管对1和2的两端不出现噪声电压。因而在该基极接地差分晶体管放大器中存在有可实现NF引人注目地降低的优点。
进一步根据本发明，因为不存在有通过发射极电阻而使DC电流流入晶体管对1和2的发射极，所以由这样一个发射极电阻所产生的噪声电压不会加到晶体管对1和2的发射极。这个构思还导致了在一基极接地差分晶体管放大器中具有可实现NF显著降低的优点。
在这种情况中，提供了具有串联连接的第一和第二线圈23和24的晶体管对1和2的发射极排除了高成本非平衡—平衡转换型高频变换器10的必要。这就提供了一个在其中可实现低成本基极接地晶体管放大器的优点。作为另外的增加的优点，通过减少不必要的信号使得仅仅一所需的信号可被加到晶体管对1和2各自的发射极而保证了有效的放大。
权利要求
1.一种基极接地晶体管放大器，包括一晶体管对，其中其基极在高频下接地，其发射极接收信号，和其集电极送出放大的信号；被串联连接在所述晶体管对之间的其电感值几乎相同的一第一线圈和一第二线圈；和被接到所述第一和第二线圈的结点并导致一工作偏置电流流经所述晶体管对的一恒流电路。
2.根据权利要求1所述的一种基极接地晶体管放大器，其中所述第一和第二线圈被串联连接提供一装备有用于一高频变换器的一中心抽头的次级绕组，所述恒流电路与所述中心抽头相连接，并且一被加到所述高频变换器的初级绕组的信号被提供给所述晶体管对的发射极。
3.根据权利要求2所述的一种基极接地晶体管放大器，其中所述高频变换器被连接用于非平衡—平衡转换。
4.根据权利要求1所述的一种基极接地晶体管放大器，其中一电容被并联连接到被串联连接的所述第一和第二线圈，并且被串联连接的所述第一和第二线圈和所述电容构成一并联谐振电路。
5.根据权利要求4所述的一种基极接地晶体管放大器，其中所述信号仅被加到所述晶体管对的一个晶体管的发射极。
6.根据权利要求4或5所述的一种基极接地晶体管放大器，其中所述并联谐振电路的构型使得它具有与所述的信号频率几乎一致的谐振频率。
7.根据权利要求1所述的一种基极接地晶体管放大器，其中其基极在一高频上接地的缓冲晶体管对的发射极被连接到所述晶体管对的集电极并且通过所述晶体管对的集电极将该信号送出。
8.根据权利要求7所述的一种基极接地晶体管放大器，其中平衡信号通过所述缓冲晶体管对的集电极被送出。
9.根据权利要求7所述的一种基极接地晶体管放大器，其中非平衡信号是通过所述缓冲晶体管对的集电极被送出。
10.根据权利要求9所述的一种基极接地晶体管放大器，其中所述缓冲晶体管对通过一连接到其集电极的一非平衡—平衡转换型高频变换器发出信号。
全文摘要
一种能抵消在恒流电路的晶体管中产生的噪声电压以提供极低的噪声系数的基极接地晶体管放大器，包括一晶体管对，其基极在高频上接地，集电极被耦合到信号输出端；一高频变换器，包括被连接到信号输入端的初级绕组和由中心抽头等分的次级绕组；一恒流电路，它被连接到次级绕组的中心抽头并使偏置电流流经晶体管对。在此情况下，通过次级绕组在晶体管中所产生的噪声电压被送到晶体管对的发射极；因而无噪声电压出现。
文档编号H03F1/26GK1127443SQ9511683
公开日1996年7月24日 申请日期1995年9月18日 优先权日1994年9月19日
发明者冈崎三也, 远藤武文, 渡边一雄 申请人:阿尔卑斯电气株式会社, 株式会社日立制作所