一种故障检测电路及内置该故障检测电路的复合开关的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型提供了一种故障检测电路及内置该故障检测电路的复合开关，所述故障检测电路通过将故障检测电路接入火线和出线，并在火线和出线与故障检测电路中的光电耦合器U1中的发光器形成回路后，通过光电耦合器U1过滤可控硅和磁保持继电器的工作状态信号，再通过NPN型三极管将所述信号放大并经芯片HEF4010B反相处理后通过示波器显示可控硅和磁保持继电器的工作状态信号，能够使用户通过波形图实时直观的获取可控硅和磁保持继电器的工作状态，便于用户及时发现问题并采取相应的保护措施，将损失降至最低。
【专利说明】一种故障检测电路及内置该故障检测电路的复合开关
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种故障检测电路及一种复合开关。具体地说涉及一种故障检测 电路及内置该故障检测电路的复合开关。
【背景技术】
[0002] 磁保持继电器是近几年发展起来的一种新型继电器，也是一种自动开关。和其他 电磁继电器一样，对电路起着自动接通和切断作用。所不同的是，磁保持继电器的常闭或常 开状态完全是依赖永久磁钢的作用，其开关状态的转换是靠一定宽度的脉冲信号触发而完 成的。当继电器的触点需要开或合状态时，只需要用正（反）直流脉冲电压激励线圈，继电 器在瞬间就可以完成开与合的状态转换。通常触点处于保持状态时，线圈不需要继续通电， 仅靠永久磁铁的磁力就能维持继电器的状态不变。
[0003] 可控硅是可控硅整流元件的简称，亦称为晶闸管，主要用在开关方面，能够使器件 从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。通过给可控硅的控制极外 加正向触发脉冲即可使其导通，并且如果可控硅阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动 直流电压，那么，在电压过零时，已导通的可控硅会自行关断。
[0004] 目前，在低压配电网中，输电线路一般采用三相四线制，其中三条线路分别代表 A，B，C三个相线，另一条是中性线N(如果该回路电源侧的中性点接地，则中性线也称为零 线）。在进入用户的单个相线中，通过该相线中的火线和出线来形成回路，若断开该相线中 的火线和出线间的连接，则该单个相线被断开，与该相线相连的用户无电流流过。
[0005] 为了降低配电网投切过程中的能耗，一般通过复合开关（复合开关中包含三组并 联运行的可控硅和磁保持继电器）来控制配电网中各个相线的通断，具体实现方法如下： 将三个相线对应的火线分别与其对应组的可控硅和磁保持继电器的一个公共端相连，将三 个相线对应的出线分别与其对应组的可控硅和磁保持继电器的另一个公共端相连，通过控 制复合开关中的可控硅和磁保持继电器的通断，来控制其对应相线的通断。
[0006] 因此，复合开关在接通和断开的瞬间具有可控硅开关过零投切的优点，而在正常 接通期间又具有磁保持继电器无功耗的优点，其实现方法是：投入时是在电压过零瞬间可 控硅先过零触发，然后再将磁保持继电器吸合导通；而切除时是先将磁保持继电器断开，之 后可控硅延时过零断开，从而实现电流过零切除，使得复合开关具有无冲击、低功耗、高寿 命等显著优点。因此，为了确保复合开关过零投切的工作特性，其关键器件可控硅及磁保持 继电器的可靠工作就显得特别重要，而现有技术中，缺乏能够对可控硅及磁保持继电器工 作状态进行检测的有效方式，导致可控硅及磁保持继电器发生故障时也不能及时提醒用户 采取相应的措施，使得复合开关丧失了过零投切的特性，降低了其使用寿命，造成了能源的 浪费。 实用新型内容
[0007] 为此，本实用新型所要解决的技术问题在于现有技术中，缺乏能够对可控硅及磁 保持继电器工作状态进行检测的有效方式，导致可控硅及磁保持继电器发生故障时也不能 及时提醒用户采取相应的措施，从而提供一种能够对可控硅及磁保持继电器工作状态进行 检测的故障检测电路及内置该故障检测电路的复合开关。
[0008] 为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案如下：
[0009] 本实用新型提供了一种故障检测电路，用于检测复合开关中每组并联运行的可控 硅和磁保持继电器的工作状态，其包括电阻R4、R6、RIO、R13、R18、R20、光电耦合器Ul、NPN 型三极管Q1、二极管D4、电容C11以及芯片HEF40106B ;
[0010] 所述芯片HEF40106B有14个引脚；
[0011] 所述电阻R10的一端与所述可控硅和所述磁保持继电器与火线相接的公共端相 连，所述电阻R10的另一端与所述电阻R13的一端相连，所述电阻R13的另一端与所述光电 耦合器U1的发光源的一端相连，所述光电耦合器U1的发光源的另一端与出线相接，所述光 电耦合器U1的受光器的一端接地，另一端同时与所述电阻R4的一端和所述电阻R18的一 端相连，所述电阻R18的另一端同时与电源VDD和所述电阻R20的一端相连，所述电阻R4的 另一端与所述NPN型三极管Q1的基极相连，所述电阻R20的另一端同时与所述电阻R6的 一端，所述二极管D4的阴极以及所述NPN型三极管Q1的集电极相连，所述NPN型三极管Q1 的发射极接地，所述电阻R6的另一端、所述二极管D4的阳极以及所述电容C11的一端相交 后与所述芯片HEF40106B的引脚1相连，所述电容C11的另一端接地，所述芯片HEF40106B 的引脚2与不波器的第一输入端相连。
[0012] 本实用新型还提供了一种内置所述故障检测电路的复合开关，所述复合开关中的 一组并联运行的可控硅和磁保持继电器，与可控硅驱动电路、磁保持继电器控制电路以及 所述故障检测电路相连；
[0013] 所述可控硅驱动电路，与所述可控硅的控制端相连，用于触发可控硅；
[0014] 所述磁保持继电器控制电路，与所述磁保持继电器的线圈两端相连，用于控制磁 保持继电器的通断；
[0015] 所述故障检测电路，与所述可控硅和所述磁保持继电器的两个公共端相连，用于 在所述可控硅驱动电路和所述磁保持继电器控制电路动作后，对所述可控硅和所述磁保持 继电器的工作状态进行检测。
[0016] 本实用新型所述的复合开关，所述可控硅驱动电路包括芯片HEF4011BT、开关S7、 电阻R30、R35、R36、NPN型三极管Q8、Q9、PNP型三极管Q13、电容C8、共模电感T1以及二极 管D1 ;
[0017] 所述芯片HEF4011BT包括14个引脚，内置四个与非门电路；
[0018] 所述电阻R35的一端接地，另一端同时接所述开关S7的一端、示波器的第二输入 端以及所述芯片HEF4011BT的引脚2 ;所述开关S7的另一端接电源VDD ;
[0019] 所述芯片HEF4011BT的引脚1接7KHZ脉冲信号，引脚3接所述电阻R36的一端； 所述电阻R36的另一端接所述NPN型三极管Q8的基极；所述NPN型三极管Q8的发射极与 所述PNP型三极管Q13的集电极相连后接地；所述NPN型三极管Q8的集电极同时与所述 NPN型三极管Q9的基极、所述PNP型三极管Q13的基极以及所述电阻R30的一端相连；所 述电阻R30的另一端同时与12V电压和所述NPN型三极管Q9的集电极相连；所述NPN型三 极管Q9的发射极、所述PNP型三极管Q13的发射极以及所述电容C8的一端相连；所述电容 C8的另一端接所述共模电感T1的输入端，所述共模电感T1的输出端与所述二极管D1的阳 极相连，所述二极管D1的阴极与所述可控硅的控制端相连。
[0020] 本实用新型所述的复合开关，所述磁保持继电器控制电路包括开关SI、S2、芯片 ULN2003A 以及继电器 HFD27/012-S ;
[0021] 所述芯片ULN2003A包括16个引脚；所述开关S1的一端接电源VDD，其另一端接 所述芯片ULN2003A的引脚2 ;
[0022] 所述开关S2的一端接电源VDD，另一端同时接所述示波器的第三输入端和所述芯 片ULN2003A的引脚3 ;
[0023] 所述继电器HFD27/012-S的一个线圈脚接所述芯片ULN2003A的引脚15,所述继电 器HFD27/012-S的另一个线圈脚接12V电压，所述继电器HFD27/012-S的一个常闭触点与 所述芯片ULN2003A的引脚14相连，另一个常闭触点接12V电压，所述继电器HFD27/012-S 的两个常开触点与所述磁保持继电器的线圈两端相连。
[0024] 本实用新型所述的复合开关，所述复合开关中每一组并联运行的可控硅和磁保持 继电器均连接有所述可控硅驱动电路、所述磁保持继电器控制电路以及所述故障检测电 路。
[0025] 本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0026] (1)本实用新型所述的故障检测电路，通过将故障检测电路接入火线L1和出线 C1，并在火线L1和出线C1与故障检测电路中的光电耦合器U1中的发光器形成回路后，通 过光电耦合器U1过滤可控硅和磁保持继电器的工作状态信号，再通过NPN型三极管将所述 信号放大并经芯片HEF4010B反相处理后通过示波器显示可控硅和磁保持继电器的工作状 态信号，能够使用户通过波形图实时直观的获取可控硅和磁保持继电器的工作状态，便于 用户及时发现问题并采取相应的保护措施，将损失降至最低。
[0027] (2)本实用新型还提供了一种内置所述故障检测电路的复合开关，通过可控硅驱 动电路驱动复合开关中的可控硅，通过磁保持继电器控制电路控制磁保持继电器的通断， 以此来实现复合开关的合闸或者分闸，并在可控硅驱动电路和磁保持继电器控制电路动作 后，通过故障检测电路对复合开关中的可控硅和磁保持继电器的工作状态进行检测。因此， 本实用新型所述的内置所述故障检测电路的复合开关，在进行复合开关的合闸或者分闸操 作后，即可及时获取可控硅和磁保持继电器的工作状态，并对其工作状态实时进行查看，在 复合开关中的可控硅和磁保持继电器发生故障时，能够及时发现问题并采取相应的保护措 施，延长了复合开关的使用寿命，降低了能耗。
[0028] (3)本实用新型所述复合开关，其可控硅驱动电路通过控制开关S7的通断，即可 精确控制可控硅的通断，进而能够精确的控制复合开关的合闸或者分闸。另，因为开关S7 的一端与示波器的第二输入端相连，因此，用户可以非常直观的看到可控硅驱动电路的动 作信号，为后期通过示波器观测可控硅和磁保持继电器的工作状态奠定了良好的比对基 础。
[0029] (4)本实用新型所述复合开关，其磁保持继电器控制电路通过控制开关S1的通断 以及闪动开关S2,即可改变磁保持继电器线圈两端电压的极性，进而精确的控制磁保持继 电器的置位和复位，进而能够精确的控制复合开关的合闸或者分闸。另，开关S2的另一端 与示波器的第三输入端相连，因此，用户可以很直观的通过示波器观看到磁保持继电器控 制电路的动作信号，为后期通过示波器观测可控硅和磁保持继电器的工作状态奠定了良好 的比对基础。
[0030] (5)本实用新型所述复合开关，所述复合开关中每一组并联运行的可控制和磁保 持继电器均连接有所述可控硅驱动电路、所述磁保持继电器控制电路以及所述故障检测电 路，因此，本实用新型所述的复合开关，能够对配电网中每一相线所连接的并联运行的可控 硅和磁保持继电器的工作状态进行检测，检测范围非常全面，检测结果也更为准确。
【专利附图】
【附图说明】
[0031] 为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施 例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中
[0032] 图1是本实用新型所述故障检测电路的电路原理图；
[0033] 图2是本实用新型所述复合开关的结构框图；
[0034] 图3是本实用新型所述复合开关的可控硅驱动电路的电路原理图；
[0035] 图4是本实用新型所述复合开关的磁保持继电器控制电路中开关S1、S2的电路连 接示意图；
[0036] 图5是本实用新型所述复合开关的磁保持继电器控制电路中芯片ULN2003A的引 脚电路连接示意图；
[0037] 图6是本实用新型所述复合开关的磁保持继电器控制电路中继电器HFD27/012-S 的电路连接示意图。
[0038] 图中附图标记表示为：1-可控硅驱动电路，2-磁保持继电器控制电路，3-故障检 测电路。
【具体实施方式】
[0039] 实施例1
[0040] 本实施例提供了一种故障检测电路，用于检测复合开关中每组并联运行的可控硅 和磁保持继电器的工作状态，如图1所示，其包括电阻R4、R6、RIO、R13、R18、R20、光电耦合 器Ul、NPN型三极管Q1、二极管D4、电容C11以及芯片HEF40106B。
[0041] 所述芯片HEF40106B有14个引脚。
[0042] 所述电阻R10的一端与所述可控硅和所述磁保持继电器与火线相接的公共端相 连，所述电阻R10的另一端与所述电阻R13的一端相连，所述电阻R13的另一端与所述光电 耦合器U1的发光源的一端相连，所述光电耦合器U1的发光源的另一端与出线相接，所述光 电耦合器U1的受光器的一端接地，另一端同时与所述电阻R4的一端和所述电阻R18的一 端相连，所述电阻R18的另一端同时与电源VDD和所述电阻R20的一端相连，所述电阻R4的 另一端与所述NPN型三极管Q1的基极相连，所述电阻R20的另一端同时与所述电阻R6的 一端，所述二极管D4的阴极以及所述NPN型三极管Q1的集电极相连，所述NPN型三极管Q1 的发射极接地，所述电阻R6的另一端、所述二极管D4的阳极以及所述电容C11的一端相交 后与所述芯片HEF40106B的引脚1相连，所述电容C11的另一端接地，所述芯片HEF40106B 的引脚2与不波器的第一输入端相连。
[0043] 本实施例所述故障检测电路，在具体应用过程中，因为当复合开关合闸时，需先导 通可控硅XI，然后再将磁保持继电器K1吸合导通（置位），此后，可控硅XI过零点截止（火 线输入的为交流电，在过零点时，可控硅会由导通变为截止，若可控硅的控制端无触发的脉 冲信号，则可控硅会一直截止），此时，若可控硅XI和磁保持继电器K1正常工作，则火线 L1、磁保持继电器K1以及出线C1即可形成回路，无电流流过所述故障检测电路中的光电耦 合器U1的发光源，因此使得其受光器截止，因为所述受光器的一端接地，则另一端，也即与 电阻R18和电阻R4相接的一端也为低电平，又因为NPN型三极管Q1的基极与电阻R3的另 一端相连，则NPN型三极管Q1的基极也为低电平，NPN型三极管Q1截止，则电流通过电阻 R20和电阻R6流入芯片HEF40106B的引脚1，此时，所述引脚1 一直为低电平，又因为芯片 HEF40106B的引脚1和引脚2间构成非门，因此，其引脚2在可控硅XI和磁保持继电器K1 接通时，一直输出高电平，过零信号消失，因此，当复合开关合闸后，若示波器中有过零信号 出现，则说明可控硅和磁保持继电器工作状态不正常。
[0044] 又因为当复合开关分闸时，需先导通可控硅XI，然后再断开磁保持继电器K1 (复 位），此后，可控硅XI也会过零点截止，此时，若可控硅XI和磁保持继电器K1正常工作的 话，则在复合开关分闸后都应截止，则只有火线L1，电阻RIO、R18、光电耦合器U1的发光源 以及出线C1才能形成回路，因此，光电耦合器U1能够将采集的所述回路中的信号通过所述 芯片HEF40106B的引脚2传输至示波器，过零信号出现。因此，当复合开关分闸后，若示波 器中没有过零信号，则说明可控硅和磁保持继电器工作状态不正常。
[0045] 综上所述，本实施例所述的故障检测电路，通过将故障检测电路接入火线L1和出 线C1，并在火线L1和出线C1与故障检测电路中的光电耦合器U1中的发光器形成回路后， 通过光电耦合器U1过滤可控硅和磁保持继电器的工作状态信号，再通过NPN型三极管将所 述信号放大并经芯片HEF4010B反相处理后通过示波器显示可控硅和磁保持继电器的工作 状态信号，能够使用户通过波形图实时直观的获取可控硅和磁保持继电器的工作状态，便 于用户及时发现问题并采取相应的保护措施，将损失降至最低。
[0046] 实施例2
[0047] 本实施例提供了一种内置实施例1所述故障检测电路的复合开关，如图2所示，所 述复合开关中的一组并联运行的可控硅和磁保持继电器，与可控硅驱动电路1、磁保持继电 器控制电路2以及所述故障检测电路3相连。
[0048] 所述可控硅驱动电路1，与所述可控硅的控制端相连，用于触发可控硅。
[0049] 所述磁保持继电器控制电路2,与所述磁保持继电器的线圈两端相连，用于控制磁 保持继电器的通断。
[0050] 所述故障检测电路3,与所述可控硅和所述磁保持继电器的两个公共端相连，用于 在所述可控硅驱动电路1和所述磁保持继电器控制电路2动作后，对所述可控硅和所述磁 保持继电器的工作状态进行检测。
[0051] 本实施例所述复合开关，通过可控硅驱动电路1驱动复合开关中的可控硅，通过 磁保持继电器控制电路2控制磁保持继电器的通断，以此来实现复合开关的合闸或者分 闸，并在可控硅驱动电路1和磁保持继电器控制电路2动作后，通过故障检测电路对复合开 关中的可控硅和磁保持继电器的工作状态进行检测。因此，本实施例所述的内置所述故障 检测电路的复合开关，在进行复合开关的合闸或者分闸操作后，即可及时获取可控硅和磁 保持继电器的工作状态，并对其工作状态实时进行查看，在复合开关中的可控硅和磁保持 继电器发生故障时，能够及时发现问题并采取相应的保护措施，延长了复合开关的使用寿 命，降低了能耗。
[0052] 作为一种优选的实施方式，本实施例所述的复合开关，如图3所示，所述可控硅驱 动电路1包括芯片HEF4011BT、开关S7、电阻R30、R35、R36、NPN型三极管Q8、Q9、PNP型三 极管Q13、电容C8、共模电感T1以及二极管D1。
[0053] 所述芯片HEF4011BT包括14个引脚，内置四个与非门电路。
[0054] 所述电阻R35的一端接地，另一端同时接所述开关S7的一端、示波器的第二输入 端以及所述芯片HEF4011BT的引脚2 ;所述开关S7的另一端接电源VDD。
[0055] 所述芯片HEF4011BT的引脚1接7KHZ脉冲信号，引脚3接所述电阻R36的一端； 所述电阻R36的另一端接所述NPN型三极管Q8的基极；所述NPN型三极管Q8的发射极与 所述PNP型三极管Q13的集电极相连后接地；所述NPN型三极管Q8的集电极同时与所述 NPN型三极管Q9的基极、所述PNP型三极管Q13的基极以及所述电阻R30的一端相连；所 述电阻R30的另一端同时与12V电压和所述NPN型三极管Q9的集电极相连；所述NPN型三 极管Q9的发射极、所述PNP型三极管Q13的发射极以及所述电容C8的一端相连；所述电容 C8的另一端接所述共模电感T1的输入端，所述共模电感T1的输出端与所述二极管D1的阳 极相连，所述二极管D1的阴极与所述可控硅的控制端相连。
[0056] 本实施例所述复合开关，在具体应用过程中，所述可控硅驱动电路1，因为开关S7 的一端接电源VDD，另一端接芯片HEF4011BT的引脚2,而芯片HEF4011BT的引脚1接7KHZ 脉冲信号，因此，当按下开关S7后，引脚2处为高电平，引脚1处为脉冲电压，又因为芯片 HEF4011BT的引脚1、引脚2和引脚3构成与非门，此时引脚3处输出的也为脉冲信号，进而 使得NPN型三极管Q8在导通和截止状态间不断转换，而当NPN型三极管Q8导通时，NPN型 三极管Q9和PNP型三极管Q13的基极均为低电平，此时NPN型三极管Q9截止，电容C8与 共模电感T1的输入端相连的一端为低电平；当NPN型三极管Q8截止时，NPN型三极管Q9 和PNP型三极管Q13的基极均为高电平，此时NPN型三极管Q9导通，而PNP型三极管Q13 截止，电容C8与共模电感T1的输入端相连的一端为高电平，此时，经共模电感T1过滤后， 复合开关可控硅的控制端收到的即为可以触发可控硅的脉冲信号。
[0057] 当断开开关S7后，引脚2处一直处于低电平状态，依据与非门的特性，所以此时引 脚3处将会一直处于高电平状态，则NPN型三极管Q8 -直处于导通状态，因此，共模电感T1 的输入端将会一直输入低电平，导致复合开关可控硅的控制端收不到脉冲信号，自然无法 在可控硅过零截止后再重新出发可控硅了。
[0058] 因此，本实施例所述复合开关，其可控硅驱动电路1通过控制开关S7的通断，即 可精确控制可控硅的通断，进而能够精确的控制复合开关的合闸或者分闸。另，因为开关 S7的一端与示波器的第二输入端相连，因此，用户可以非常直观的看到可控硅驱动电路的 动作信号，为后期通过示波器观测可控硅和磁保持继电器的工作状态奠定了良好的比对基 础。
[0059] 作为一种优选的实施方式，本实施例所述的复合开关，如图4、图5、图6所示，所述 磁保持继电器控制电路2包括开关SI、S2、芯片ULN2003A以及继电器HFD27/012-S。
[0060] 所述芯片ULN2003A包括16个引脚；所述开关S1的一端接电源VDD，其另一端接 所述芯片ULN2003A的引脚2。
[0061] 所述开关S2的一端接电源VDD，另一端同时接所述示波器的第三输入端和所述芯 片ULN2003A的引脚3。
[0062] 所述继电器HFD27/012-S的一个线圈脚接所述芯片ULN2003A的引脚15,所述继电 器HFD27/012-S的另一个线圈脚接12V电压，所述继电器HFD27/012-S的一个常闭触点与 所述芯片ULN2003A的引脚14相连，另一个常闭触点接12V电压，所述继电器HFD27/012-S 的两个常开触点与所述磁保持继电器的线圈两端相连。
[0063] 本实施例所述复合开关，在具体应该过程中，所述磁保持继电器控制电路2,在置 位（导通）磁保持继电器的过程中，先导通可控硅（为了实现过零投切），再打开开关S1， 此时，芯片ULN2003A的引脚2处为低电平，因为芯片ULN2003A的引脚2和引脚15间为非 门，因此芯片ULN2003A的引脚15输出高电平（12V)，继电器HFD27/012-S不动作，使得磁保 持继电器的线圈a端与继电器HFD27/012-S中与12V电压相连的那个常闭触点相接触，也 即磁保持继电器的线圈a端接12V电压，磁保持继电器的线圈b端与继电器HFD27/012-S 中与芯片ULN2003A的引脚14相连的那个常闭触点相接触，此时，若闭合开关S2,则芯片 ULN2003A的引脚3为高电平，因为芯片ULN2003A的引脚3和引脚14间为非门，因此芯片 ULN2003A的引脚14输出低电平，也即磁保持继电器的线圈b端为低电平，因此磁保持继电 器正接，使得磁保持继电器置位（导通）（此后，即使断开开关S2，磁保持继电器也会继续保 持导通状态）。
[0064] 在复位磁保持继电器的过程中，因为之前可控硅已过零点截止，此时需要先按 下开关S7,通过可控硅驱动电路输出脉冲信号至可控硅控制端，导通可控硅（为了实 现过零投切），之后再闭合开关S1，此时，芯片ULN2003A的引脚15输出低电平，继电器 HFD27/012-S动作，使得磁保持继电器的线圈b端与继电器HFD27/012-S中与12V电压相 连的那个常闭触点相接触，也即磁保持继电器的线圈b端接12V电压，磁保持继电器的线圈 a端与继电器HFD27/012-S中与芯片ULN2003A的引脚14相连的那个常闭触点相接触，此 时，若闭合开关S2,则芯片ULN2003A的引脚3为高电平，因为芯片ULN2003A的引脚3和引 脚14间为非门，因此芯片ULN2003A的引脚14输出低电平，也即磁保持继电器的线圈a端 为低电平，因此磁保持继电器反接，使得磁保持继电器复位（截止）。
[0065] 因此，本实施例所述复合开关，其磁保持继电器控制电路通过控制开关S1的通断 以及闪动开关S2,即可改变磁保持继电器线圈两端电压的极性，进而精确的控制磁保持继 电器的置位和复位，进而能够精确的控制复合开关的合闸或者分闸。另，开关S2的另一端 与示波器的第三输入端相连，因此，用户可以很直观的通过示波器观看到磁保持继电器控 制电路的动作信号，为后期通过示波器观测可控硅和磁保持继电器的工作状态奠定了良好 的比对基础。
[0066] 作为一种优选的实施方式，本实施例所述的复合开关，所述复合开关中每一组并 联运行的可控硅和磁保持继电器均连接有所述可控硅驱动电路1、所述磁保持继电器控制 电路2以及所述故障检测电路3。
[〇〇67] 因此，本实施例所述的复合开关，能够对配电网中每一相线所连接的并联运行的 可控硅和磁保持继电器的工作状态进行检测，检测范围非常全面，检测结果也更为准确。 [〇〇68] 显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对 于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或 变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或 变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。
【权利要求】
1. 一种故障检测电路，用于检测复合开关中每组并联运行的可控硅和磁保持继电器的 工作状态，其特征在于，其包括电阻R4、R6、RIO、R13、R18、R20、光电耦合器Ul、NPN型三极 管Q1、二极管D4、电容C11以及芯片HEF40106B ; 所述芯片HEF40106B有14个引脚； 所述电阻R10的一端与所述可控硅和所述磁保持继电器与火线相接的公共端相连，所 述电阻R10的另一端与所述电阻R13的一端相连，所述电阻R13的另一端与所述光电耦合 器U1的发光源的一端相连，所述光电耦合器U1的发光源的另一端与出线相接，所述光电耦 合器U1的受光器的一端接地，另一端同时与所述电阻R4的一端和所述电阻R18的一端相 连，所述电阻R18的另一端同时与电源VDD和所述电阻R20的一端相连，所述电阻R4的另 一端与所述NPN型三极管Q1的基极相连，所述电阻R20的另一端同时与所述电阻R6的一 端，所述二极管D4的阴极以及所述NPN型三极管Q1的集电极相连，所述NPN型三极管Q1 的发射极接地，所述电阻R6的另一端、所述二极管D4的阳极以及所述电容C11的一端相交 后与所述芯片HEF40106B的引脚1相连，所述电容C11的另一端接地，所述芯片HEF40106B 的引脚2与不波器的第一输入端相连。
2. -种内置权利要求1所述故障检测电路的复合开关，其特征在于，所述复合开关中 的一组并联运行的可控硅和磁保持继电器，与可控硅驱动电路（1)、磁保持继电器控制电路 (2)以及所述故障检测电路（3)相连； 所述可控硅驱动电路（1)，与所述可控硅的控制端相连，用于触发可控硅； 所述磁保持继电器控制电路（2)，与所述磁保持继电器的线圈两端相连，用于控制磁保 持继电器的通断； 所述故障检测电路（3)，与所述可控硅和所述磁保持继电器的两个公共端相连，用于在 所述可控硅驱动电路（1)和所述磁保持继电器控制电路（2)动作后，对所述可控硅和所述 磁保持继电器的工作状态进行检测。
3. 根据权利要求2所述的复合开关，其特征在于，所述可控硅驱动电路（1)包括芯片 HEF4011BT、开关 S7、电阻 R30、R35、R36、NPN 型三极管 Q8、Q9、PNP 型三极管 Q13、电容 C8、 共模电感T1以及二极管D1 ; 所述芯片HEF4011BT包括14个引脚，内置四个与非门电路； 所述电阻R35的一端接地，另一端同时接所述开关S7的一端、示波器的第二输入端以 及所述芯片HEF4011BT的引脚2 ;所述开关S7的另一端接电源VDD ; 所述芯片HEF4011BT的引脚1接7KHZ脉冲信号，引脚3接所述电阻R36的一端；所述 电阻R36的另一端接所述NPN型三极管Q8的基极；所述NPN型三极管Q8的发射极与所述 PNP型三极管Q13的集电极相连后接地；所述NPN型三极管Q8的集电极同时与所述NPN型 三极管Q9的基极、所述PNP型三极管Q13的基极以及所述电阻R30的一端相连；所述电阻 R30的另一端同时与12V电压和所述NPN型三极管Q9的集电极相连；所述NPN型三极管Q9 的发射极、所述PNP型三极管Q13的发射极以及所述电容C8的一端相连；所述电容C8的 另一端接所述共模电感T1的输入端，所述共模电感T1的输出端与所述二极管D1的阳极相 连，所述二极管D1的阴极与所述可控硅的控制端相连。
4. 根据权利要求2或3所述的复合开关，其特征在于，所述磁保持继电器控制电路（2) 包括开关SI、S2、芯片ULN2003A以及继电器HFD27/012-S ; 所述芯片ULN2003A包括16个引脚；所述开关S1的一端接电源VDD，其另一端接所述 芯片ULN2003A的引脚2 ; 所述开关S2的一端接电源VDD，另一端同时接所述示波器的第三输入端和所述芯片 ULN2003A 的引脚 3 ; 所述继电器HFD27/012-S的一个线圈脚接所述芯片ULN2003A的引脚15,所述继电器 HFD27/012-S的另一个线圈脚接12V电压，所述继电器HFD27/012-S的一个常闭触点与所述 芯片ULN2003A的引脚14相连，另一个常闭触点接12V电压，所述继电器HFD27/012-S的两 个常开触点与所述磁保持继电器的线圈两端相连。
5.根据权利要求4所述的复合开关，其特征在于，所述复合开关中每一组并联运行 的可控硅和磁保持继电器均连接有所述可控硅驱动电路（1)、所述磁保持继电器控制电路 (2)以及所述故障检测电路（3)。
【文档编号】H03K17/22GK203894386SQ201420336800
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年6月23日 优先权日:2014年6月23日
【发明者】高旭祥, 李柏, 李铭超, 黄子超 申请人:浙江人民电器有限公司