高隔离度矩阵开关的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型公开了高隔离度矩阵开关，包括电感L2和至少两条第一电路；至少两条第一电路并联形成的电路与电感L2并联；所述第一电路包括电容C1、二极管V3、二极管V4、由二极管V1和电阻R1并联形成的第一支路，由电感L1与电容C2并联形成的第二支路，由二极管V2接地形成的第三支路；所述电容C1、第一支路、二极管V3和二极管V4通过微带线依次连接在一起；所述第二支路连接在电容C1与第一支路之间；所述第一支路与二极管V3之间的微带线上至少并联有一条第三支路。在微带线上设置的两只二极管及微带线上并联的几只二极管，能够有效地保证矩阵开关的隔离度。
【专利说明】高隔离度矩阵开关
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及开关领域，具体涉及高隔离度矩阵开关。
【背景技术】
[0002]矩阵开关和微波开关主要用来做信号切换，根据实际UUT的测量需求，灵活分配系统的测试资源。单刀多掷开关一般是在L波段采用串并联方式，经计算机仿真，当单刀多掷开关体积做得比较小时，按常规做法(即增加并联PIN管芯数量)隔离度只能达到60dB。
实用新型内容
[0003]针对现有技术中的上述不足，本实用新型提供的高隔离度矩阵开关在缩小体积后仍能保证开关的隔离度。
[0004]为了达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案为:提供一种高隔离度矩阵开关，其包括电感L2和至少两条第一电路；至少两条第一电路并联形成的电路与电感L2并联；所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、二极管V4、由二极管Vl和电阻Rl并联形成的第一支路，由电感LI与电容C2并联形成的第二支路，由二极管V2接地形成的第三支路；所述电容Cl、第一支路、二极管V3和二极管V4通过微带线依次连接在一起；所述第二支路连接在电容Cl与第一支路之间；所述第一支路与二极管V3之间的微带线上至少并联有一条第二支路。
[0005]设计时，优先所述第一电路的电容Cl左端的微带线上并联有一个功分器。
[0006]设计时，进一步优先所述功分器为一个电阻R2。
[0007]设计时，再进一步优先所述二极管V1、二极管V2、、二极管V3和二极管V4为高速开关二极管。
[0008]本实用新型的有益效果为:在微带线上串联的两只二极管及微带线上并联的几只二极管，能够有效地保证矩阵开关的隔离度。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型高隔离度矩阵开关一个实施例的电路图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】进行详细地描述:
[0011 ] 参考图1，图1为本实用新型高隔离度矩阵开关一个实施例的电路图，如图1所示，本实施例的高隔离度矩阵开关包括电感L2和五条第一电路；五条第一电路并联形成的电路与电感L2并联；所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、二极管V4、由二极管Vl和电阻Rl并联形成的第一支路，由电感LI与电容C2并联形成的第二支路，由二极管V2接地形成的第二支路。
[0012]所述电容Cl、第一支路、二极管V3和二极管V4通过微带线依次连接在一起；所述第二支路连接在电容Cl与第一支路之间；所述第一支路与二极管V3之间的微带线上至少并联有一条第二支路。
[0013]本实施例在微带线上串联的两只二极管及微带线上并联的几只二极管，能够有效地保证矩阵开关的隔离度。
[0014]在本实用新型的一个实施例中，矩阵开关放弃了常用的微带功分器加开关组成矩阵的模式，而是在第一电路的电容Cl左端的微带线上并联有一个功分器，这样减少了矩阵开关体积，避免了用电缆硬连接。
[0015]在本实用新型的一个实施例中，优先所述功分器为一个电阻R2。
[0016]在本实用新型的一个实施例中，二极管V1、二极管V2、、二极管V3和二极管V4为高速开关二极管。
[0017]在保证开关隔离度的情况下，本矩阵开关的体积可以做到46mmX47 mmX17 mm。
[0018]综上所述，本实用新型提供的矩阵开关具有体积小、高隔离(隔离度能够达到90dB以上)高速度《 200ns,而实际应用小于150ns就可以满足正常工作)等优点。
[0019]虽然结合附图对本实用新型的【具体实施方式】进行了详细地描述，但不应理解为对本专利的保护范围的限定。在权利要求书所描述的范围内，本领域技术人员不经创造性劳动即可做出的各种修改和变形仍属本专利的保护范围。
【权利要求】
1.一种高隔离度矩阵开关，其特征在于:包括电感L2和至少两条第一电路；至少两条第一电路并联形成的电路与电感L2并联；所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、二极管V4、由二极管Vl和电阻Rl并联形成的第一支路，由电感LI与电容C2并联形成的第二支路，由二极管V2接地形成的第三支路；所述电容Cl、第一支路、二极管V3和二极管V4通过微带线依次连接在一起；所述第二支路连接在电容Cl与第一支路之间；所述第一支路与二极管V3之间的微带线上至少并联有一条第三支路。
2.根据权利要求1所述的高隔离度矩阵开关，其特征在于:所述第一电路的电容Cl左端的微带线上并联有一个功分器。
3.根据权利要求2所述的高隔离度矩阵开关，其特征在于:所述功分器为一个电阻R2。
4.根据权利要求1-3任一所述的高隔离度矩阵开关，其特征在于:所述二极管V1、二极管V2、二极管V3和二极管V4为高速开关二极管。
5.根据权利要求4所述的高隔离度矩阵开关，其特征在于:所述矩阵开关包括五条第一电路。
6.根据权利要求5所述的高隔离度矩阵开关，其特征在于:所述矩阵开关的体积为46mmX47 mmX 1 7 mm。
【文档编号】H03K17/56GK204046554SQ201420149740
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年3月31日 优先权日:2014年3月31日
【发明者】周开斌, 毛艳 申请人:成都创新达微波电子有限公司