基于单片晶控变换的低失真度振荡系统的利记博彩app
【专利摘要】本发明公开了基于单片晶控变换的低失真度振荡系统，主要由信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路组成，其特征在于：在信号放大电路的输入端还设置有信号变换电路；所述信号变换电路由转换芯片K，变压器T1，串接在变压器T1副边同名端与非同名端之间的电容C1，与电容C1相并联的电容C2，集电极与转换芯片K的OSC1管脚相连接、发射极经电阻R1后与转换芯片K的OSC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的OSC2管脚相连的三极管VT1，一端与三极管VT1的基极相连接、另一端则与转换芯片K的VCC管脚相连的电容C3组成；本发明可以使振荡系统适用于很宽的频率范围，从而扩大了振荡系统的应用场合。
【专利说明】
基于单片晶控变换的低失真度振荡系统
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种系统，具体是指基于单片晶控变换的低失真度振荡系统。
【背景技术】
[0002]随着电子技术的不断发展，振荡器作为产生重复电子讯号(通常是正弦波或方波)的电子元件应用越来越广泛。其种类很多，按振荡激励方式可分为自激振荡器、他激振荡器；按电路结构可分为阻容振荡器、电感电容振荡器、晶体振荡器、音叉振荡器等；按输出波形可分为正弦波、方波、锯齿波等振荡器。目前广泛用于电子工业、医疗、科学研究等方面。
[0003]然而目前的振荡器系统所适用的频率范围较小,这就使得振荡系统应用范围具有很大的局限性。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于解决目前的振荡系统所适用的频率范围较小的缺陷，提供一种基于单片晶控变换的低失真度振荡系统。
[0005]本发明的目的通过下述技术方案现实:基于单片晶控变换的低失真度振荡系统，主要由信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路组成。在信号放大电路的输入端还设置有信号变换电路；所述信号变换电路由转换芯片K，变压器Tl，串接在变压器Tl副边同名端与非同名端之间的电容Cl，与电容Cl相并联的电容C2，集电极与转换芯片K的OSCl管脚相连接、发射极经电阻Rl后与转换芯片K的0SC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的0SC2管脚相连的三极管VT1，一端与三极管VTl的基极相连接、另一端则与转换芯片K的VCC管脚相连的电容C3组成；所述三极管VTl的基极与外部电源相连接，转换芯片K的INl管脚与变压器Tl副边的非同名端相连接、其IN2管脚则与变压器Tl副边的同名端相连接、GND管脚与变压器Tl原边的非同名端相连、VCC管脚与三极管VTl的基极相连接、0UT2管脚和OUTl管脚均与信号放大电路相连。
[0006]进一步的，所述的信号放大电路由放大器P1，正极与转换芯片K的0UT2管脚相连接、负极经电阻R3后与正反馈电路以及选频电路相连的电容C4，一端与放大器Pl的反相输入端相连、另一端与电容C4的负极相连接的电阻R2,—端与放大器Pl的正相输入端相连、另一端接地的电阻R4，以及串接在放大器Pl的反相输入端与输出端之间的电阻R5组成；所述放大器Pl的反相输入端与转换芯片K的OUTl管脚相连接，其输出端则与正反馈电路相连。
[0007]所述的正反馈电路由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管Dl组成；场效应管Ql的漏极经电阻R6后与放大器Pl的输出端相连接、其源极则同时与电阻R3和选频电路相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管Dl的P极与场效应管Ql的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接。
[0008]所述的选频电路包括放大器P2，电容C5，电阻R8 ;放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管Dl的N极以及缓冲电路相连接、其正相输入端接地、反相输入端与场效应管Ql的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。
[0009]所述的缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C7，与电容C7相并联的电阻RlI，一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接的电阻R12，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R9，以及一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接的电阻R9组成。所述双栅极场效应管Q2的b栅极还二极管Dl的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器T2副边的同名端接地，电阻R9和电容C6的连接点接地。
[0010]本发明与现有技术相比具有以下优点及有益效果:
1、本发明与现有技术相比增加了信号变换电路，其可以使振荡系统适用于很宽的频率范围，从而扩大了振荡系统的应用场合。
[0011]2、本发明的转换芯片K成本低廉，而且具有很好的信噪比和三阶互调指标。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于此。
实施例
[0014]如图1所示，本发明的基于单片晶控变换的低失真度振荡系统，主要由信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路组成。为了使振荡系统适用于很宽的频率范围，扩大振荡系统的应用场合，因此在信号放大电路的输入端还设置有信号变换电路。
[0015]其中，信号变换电路由转换芯片K，变压器Tl，电容Cl，电容C2，电容C3，电阻R1，三极管VT1，基频石英晶体X组成。连接时，电容Cl串接在变压器Tl副边同名端与非同名端之间，电容C2则与电容Cl相并联，三极管VTl的集电极与转换芯片K的OSCl管脚相连接、发射极经电阻Rl后与转换芯片K的0SC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的0SC2管脚相连，电容C3的一端与三极管VTl的基极相连接、另一端则与转换芯片K的VCC管脚相连。同时，三极管VTl的基极与外部电源相连接，转换芯片K的INl管脚与变压器Tl副边的非同名端相连接、其IN2管脚则与变压器Tl副边的同名端相连接、GND管脚与变压器Tl原边的非同名端相连、VCC管脚与三极管VTl的基极相连接、0UT2管脚和OUTl管脚均与信号放大电路相连。为了更好的实现本发明，所述的转换芯片K优选为NE602，其使用方便并且具有很好的信噪比和三阶互调指标。
[0016]系统中设置有信号放大电路，其能对所输入的信号予以放大，保证输出的信号维持恒定的数值。该信号放大电路由放大器P1，正极与转换芯片K的0UT2管脚相连接、负极经电阻R3后与正反馈电路以及选频电路相连的电容C4，一端与放大器Pl的反相输入端相连、另一端与电容C4的负极相连接的电阻R2,—端与放大器Pl的正相输入端相连、另一端接地的电阻R4，以及串接在放大器Pl的反相输入端与输出端之间的电阻R5组成；所述放大器Pl的反相输入端与转换芯片K的OUTl管脚相连接，其输出端则与正反馈电路相连。
[0017]正反馈电路可以使输入端的反馈信号的相位相同，以保证系统振荡维持下去。其由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管Dl组成。连接时，场效应管Ql的漏极经电阻R6后与放大器Pl的输出端相连接、其源极则同时与电阻R3和选频电路相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管Dl的P极与场效应管Ql的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接。
[0018]而选频电路则可以对频率进行筛选，其只允许特定的频率通过，使振荡系统维持单一频率的输出。所述的选频电路包括放大器P2，电容C5，电阻R8。连接时，放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管Dl的N极以及缓冲电路相连接、其正相输入端接地、反相输入端与场效应管Ql的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。
[0019]同时，缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电容C6，电容C7组成。电容C7的正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地，电阻Rll与电容C7相并联，电阻R12的一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接，电阻R9的一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接，电阻R9的一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接。同时，所述双栅极场效应管Q2的b栅极还二极管Dl的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器T2副边的同名端接地、其副边非同名端则作为电路的输出端，电阻R9和电容C6的连接点接地。通过缓冲电路的作用可以有效的防止系统中的负载效应以及因负载变化而产生的频率漂移现像，从而实现振荡电路的低失真度。
[0020]如上所述，便可很好的实现本发明。
【权利要求】
1.基于单片晶控变换的低失真度振荡系统，主要由信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路组成，其特征在于:在信号放大电路的输入端还设置有信号变换电路；所述信号变换电路由转换芯片K，变压器T1，串接在变压器T1副边同名端与非同名端之间的电容C1，与电容C1相并联的电容C2，集电极与转换芯片K的0SC1管脚相连接、发射极经电阻R1后与转换芯片K的0SC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的0SC2管脚相连的三极管VT1，一端与三极管VT1的基极相连接、另一端则与转换芯片K的VCC管脚相连的电容C3组成；所述三极管VT1的基极与外部电源相连接，转换芯片K的IN1管脚与变压器T1副边的非同名端相连接、其IN2管脚则与变压器T1副边的同名端相连接、GND管脚与变压器T1原边的非同名端相连、VCC管脚与三极管VT1的基极相连接、0UT2管脚和0UT1管脚均与信号放大电路相连。
2.根据权利要求1所述的基于单片晶控变换的低失真度振荡系统，其特征在于:所述的信号放大电路由放大器P1，正极与转换芯片K的0UT2管脚相连接、负极经电阻R3后与正反馈电路以及选频电路相连的电容C4，一端与放大器P1的反相输入端相连、另一端与电容C4的负极相连接的电阻R2，一端与放大器P1的正相输入端相连、另一端接地的电阻R4，以及串接在放大器P1的反相输入端与输出端之间的电阻R5组成；所述放大器P1的反相输入端与转换芯片K的0UT1管脚相连接，其输出端则与正反馈电路相连。
3.根据权利要求2所述的基于单片晶控变换的低失真度振荡系统，其特征在于:所述的正反馈电路由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管D1组成；场效应管Q1的漏极经电阻R6后与放大器P1的输出端相连接、其源极则同时与电阻R3和选频电路相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管D1的P极与场效应管Q1的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接。
4.根据权利要求3所述的基于单片晶控变换的低失真度振荡系统，其特征在于:所述的选频电路包括放大器P2，电容C5，电阻R8 ;放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管D1的N极以及缓冲电路相连接、其正相输入端接地、反相输入端与场效应管Q1的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。
5.根据权利要求4所述的基于单片晶控变换的低失真度振荡系统，其特征在于:所述的缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C7，与电容C7相并联的电阻R11，一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接的电阻R12，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R9，以及一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接的电阻R9组成；所述双栅极场效应管Q2的b栅极还二极管D1的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器T2副边的同名端接地，电阻R9和电容C6的连接点接地。
【文档编号】H03B5/36GK104393840SQ201410662540
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年11月18日 优先权日:2014年11月18日
【发明者】车容俊 申请人:成都措普科技有限公司