一种注入增强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器的制造方法
【专利摘要】本发明属于射频集成电路领域，具体为一种注入增强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器电路。该电路由谐波发生器、旁路电流源和注入锁定振荡器组成。谐波发生器由一对NMOS管构成，利用MOS管的非线性特性，输入频率为的基频信号，产生三次谐波信号3注入振荡器；旁路电流源由一对PMOS管构成，其栅端偏置于合适的直流电压，作为直流电流源，对振荡器进行合适的分流，提高了谐波注入效率；注入锁定振荡器由一对交叉耦合晶体管、电感、电容、数字控制电容阵列组成，其中心频率在3附近。本发明提高了谐波注入效率，在基本不增加功耗的情况下，相较于传统的注入锁定三倍频器，极大地扩展了锁定范围。
【专利说明】一种注入增强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器
【技术领域】
[0001] 本发明属于集成电路【技术领域】，具体涉及一种应用于射频频率综合器的注入增 强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器（Injection Locked Frequency Tripler, ILFT)。 【背景技术】
【权利要求】
1. 一种注入增强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器，其特征在于由谐波发生 器、旁路电流源和注入锁定振荡器三部分组成；其中： 所述的谐波发生器由一对NMOS管（Ml和M2)组成，利用一对NMOS管（Ml和M2)的非线 性特性，输入频率为的基频信号产生频率为3 6)的三次谐波信号； 所述的旁路电流源，由一对PMOS管（M3和M4)组成，其栅端输入有两种方式：第一种， 栅端偏置于合适的直流电压，旁路电流源作为直流电流源，对振荡器进行分流；第二种，在 栅端加上一个合适的直流电压的同时，输入频率为《的基频信号，利用一对PMOS管（M3和 M4)的非线性，产生频率为3w的三次谐波信号在漏端口注入到注入锁定振荡器； 所述的注入锁定振荡器包括：一对交叉耦合晶体管（M5和M6)、一个电感（L1)、两个电 容（Cl、C2)和数字控制电容阵列（DCCA)，其中，一对交叉耦合晶体管（M5和M6)组成负阻， 抵消谐振腔中的阻抗部分，电感（LI)和两个电容（Cl、C2)组成一个片上电感电容谐振腔； 一对交叉耦合管（M5和M6)、数字控制电容阵列（DCCA)、片上电感电容谐振腔并联连 接；谐波发生器的一对NMOS管（Ml和M2)、旁路电流源的一对PMOS管（M3和M4)的漏端连 接到一对交叉耦合管（M5和M6)的源端，谐波发生器的一对NMOS管（Ml和M2)的源端连接 到地电位，旁路电流源的漏端连接到电源电压。
【文档编号】H03B19/00GK104333329SQ201410501392
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年9月26日 优先权日:2014年9月26日
【发明者】李巍, 王炜 申请人:复旦大学