电平转换电路的利记博彩app
【专利摘要】电平转换电路。本发明提供不会进行误动作的电平转换电路。该电平转换电路将对输入端子输入的第一电源端子的第一电源电压的信号转换为第二电源端子的第二电源电压的信号而向输出端子输出，具备检测第一电源电压小于规定电压的情况的控制电路，通过控制电路的检测信号将电平转换电路的输出端子的电压固定为第二电源电压或接地电压。
【专利说明】电平转换电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及安装在半导体装置上的电平转换电路。
【背景技术】
[0002]对现有的电平转换电路进行说明。图2是示出现有的电平转换电路的电路图。
[0003]当输入电压VIN为高电平时(成为第一电源电压VDDl时)，通过反相器51，NMOS晶体管52的栅极电压成为接地电压VSS。从而，NMOS晶体管52截止。另外，NMOS晶体管53导通，输出电压VOUT成为低电平(成为接地电压VSS)。此时，PMOS晶体管54导通，内部节点NI的电压成为第二电源电压VDD2，PMOS晶体管55截止。
[0004]另外，当输入电压VIN成为低电平时(成为接地电压VSS时)，通过反相器51，NMOS晶体管52的栅极电压成为第一电源电压VDD1。从而，NMOS晶体管52导通，内部节点NI的电压成为接地电压VSS，PMOS晶体管55导通，输出电压VOUT成为高电平(成为第二电源电压VDD2)。此时，NMOS晶体管53截止(例如，参照专利文献I)。
[0005]专利文献1:日本特开2012-134690号公报
[0006]但是，在专利文献I所公开的技术中，当第一电源电压VDDl低于电路的最低工作电源电压时，电平转换电路进行误动作，导致输出电压VOUT不稳定。
【发明内容】
[0007]本发明鉴于上述课题，提供不会进行误动作的电平转换电路。
[0008]本发明为了解决上述课题，采用这样的电平转换电路:将对输入端子输入的第一电源端子的第一电源电压的信号转换为第二电源端子的第二电源电压的信号而向输出端子输出，具备检测第一电源电压小于规定电压的情况的控制电路，通过控制电路的检测信号将电平转换电路的输出端子的电压固定为第二电源电压或接地电压。
[0009]发明的效果
[0010]根据本发明，当第一电源电压低于最低工作电源电压时，电平转换电路的输出电压被强制性地固定为第二电源电压或接地电压，所以电平转换电路不会进行误动作。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是示出本实施方式的电平转换电路的电路图。
[0012]图2是示出现有的电平转换电路的电路图。
[0013]标号说明
[0014]10信号处理电路；20控制电路；22电流源；VDD1?VDD2电源电压；VSS接地电压；VIN输入电压；V0UT输出电压。
【具体实施方式】
[0015]以下，参照附图来说明本发明的实施方式。[0016]首先，说明电平转换电路的结构。图1是示出电平转换电路的电路图。这里，第一电源端子的电压是第一电源电压VDDl，第二电源端子的电压是第二电源电压VDD2，接地端子的电压是接地电压VSS。电平转换电路将所输入的第一电源电压VDDl的信号转换为第二电源电压VDD2的信号而输出。
[0017]电平转换电路具备信号处理电路10以及控制电路20。信号处理电路10具备反相器1UNM0S晶体管12?13、PM0S晶体管14?15以及开关16?17。控制电路20具备NMOS晶体管21、电流源22以及反相器23。
[0018]在电平转换电路中，信号处理电路10的输入端子是电平转换电路的输入端子。信号处理电路10的输出端子是电平转换电路的输出端子。信号处理电路10与控制电路20的第一控制信号端子相互连接。信号处理电路10与控制电路20的第二控制信号端子相互连接。
[0019]在信号处理电路10中，反相器11的输入端子与信号处理电路10的输入端子以及NMOS晶体管13的栅极连接，输出端子与NMOS晶体管12的栅极连接，电源端子与第一电源端子连接，接地端子与接地端子连接。NMOS晶体管12的源极与接地端子连接，漏极与内部节点NI连接。NMOS晶体管13的源极与接地端子连接，漏极与内部节点N2连接。开关16设置在内部节点NI与接地端子之间。开关17设置在信号处理电路10的输出端子与内部节点N2之间。PMOS晶体管14的栅极与信号处理电路10的输出端子连接，源极与第二电源端子连接，漏极与内部节点NI连接。PMOS晶体管15的栅极与内部节点NI连接，源极与第二电源端子连接，漏极与信号处理电路10的输出端子连接。开关16由信号处理电路10的第一控制信号端子的信号来控制。开关17由信号处理电路10的第二控制信号端子的信号来控制。
[0020]在控制电路20中，NMOS晶体管21的栅极与第一电源端子连接，源极与接地端子连接，漏极与内部节点N3连接。电流源22设置在第二电源端子与内部节点N3之间。反相器23的输入端子与内部节点N3以及控制电路20的第一控制信号端子连接，输出端子与控制电路20的第二控制信号端子连接，电源端子与第二电源端子连接，接地端子与接地端子连接。
[0021]这里，NMOS晶体管21以及电流源22构成电压检测电路。电压检测电路的输入端子是NMOS晶体管21的栅极，输出端子是内部节点N3。电压检测电路检测第一电源电压VDDl成为最低工作电源电压与规定电压的合计电压的情况。此外，该电压是电压检测电路的阈值电压，是比电平转换电路无法实际地工作的电源电压(最低工作电源电压)高出规定电压的电压。根据半导体装置的规格来适当地调整该规定电压。具体地说，通过适当地调整NMOS晶体管21的阈值电压以及尺寸和电流源22的电流量，来调整电压检测电路的阈值电压。
[0022]接着，说明第一电源电压VDDl低于最低工作电源电压时的电平转换电路的工作。
[0023]此时,第一电源电压VDDl低于电压检测电路的阈值电压。于是,NMOS晶体管21截止。内部节点N3的电压被电流源22上拉，成为第二电源电压VDD2。即，第一控制信号成为第二电源电压VDD2。开关16例如是NMOS晶体管，当栅极电压为第二电源电压VDD2时，开关16接通，因此，内部节点NI的电压成为接地电压VSS。由此，PMOS晶体管15导通，输出电压VOUT被强制性地固定为第二电源电压VDD2。由此，当第一电源电压VDDl低于最低工作电源电压时，电平转换电路的输出电压VOUT被强制性地固定为第二电源电压VDD2，所以电平转换电路不会进行误动作。
[0024]因为内部节点N3的电压为第二电源电压VDD2，所以通过反相器23，第二控制信号成为接地电压VSS。开关17例如是NMOS晶体管，栅极电压为接地电压VSS，因此开关17关断。
[0025]这样，当第一电源电压VDDl低于电压检测电路的阈值电压时，电平转换电路的输出电压VOUT被强制性地固定为第二电源电压VDD2。
[0026]接着，说明第一电源电压VDDl高于最低工作电源电压与规定电压的合计电压时的电平转换电路的工作。
[0027]此时，第一电源电压VDDl高于电压检测电路的阈值电压。于是，NMOS晶体管21导通。内部节点N3的电压成为接地电压VSS。即，因为第一控制信号成为接地电压VSS，所以开关16关断。另外，通过反相器23，第二控制信号成为第二电源电压VDD2，所以开关17接通。
[0028]这里，当输入电压VIN成为高电平时(成为第一电源电压VDDl时)，通过反相器11，NMOS晶体管12的栅极电压成为接地电压VSS。于是，NMOS晶体管12截止。另外，NMOS晶体管13导通，输出电压VOUT成为低电平(成为接地电压VSS)。此时，PMOS晶体管14导通，内部节点NI的电压成为第二电源电压VDD2，PMOS晶体管15截止。
[0029]另外，当输入电压VIN成为低电平时(成为接地电压VSS时)，通过反相器11，NMOS晶体管12的栅极电压成为第一电源电压VDD1。于是，NMOS晶体管12导通，内部节点NI的电压成为接地电压VSS，PMOS晶体管15导通，输出电压VOUT成为高电平(成为第二电源电压VDD2)。此时，NMOS晶体管13截止。
[0030]这样，当第一电源电压VDDl高于电压检测电路的阈值电压时，电平转换电路的输出电压VOUT由输入电压VIN决定。
[0031]此外，电流源22在实现上拉功能的范围内没有限定。例如，也可以是电阻元件。
[0032]另外，可调换针对开关16以及开关17的控制信号，另外，可调换电平转换电路的输出端子和内部节点NI。
[0033]另外，虽然NMOS晶体管21的栅极与第一电源端子直接连接，但也可以经由电阻分压电路进行连接。
【权利要求】
1.一种电平转换电路,其将对输入端子输入的第一电源端子的第一电源电压的信号转换为第二电源端子的第二电源电压的信号而向输出端子输出，其特征在于， 该电平转换电路具备检测所述第一电源电压小于规定电压的情况的控制电路， 通过所述控制电路的检测信号，将所述电平转换电路的输出端子的电压固定为所述第二电源电压或接地电压。
2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，该电平转换电路具备: 第一 NMOS晶体管,其在对所述输入端子输入的信号是第一电源电压时,使所述输出端子的电压成为所述第二电源电压； 第一开关，其与所述第一 NMOS晶体管并联连接； 第二 NMOS晶体管,其在对所述输入端子输入的信号是第一电源电压时,使所述输出端子的电压成为所述接地电压；以及 第二开关，其连接在所述第二 NMOS晶体管与所述输出端子之间， 通过所述控制电路的检测信号，控制所述第一开关和所述第二开关。
3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于， 所述控制电路具备: NMOS晶体管，其栅极与所述第一电源端子连接，源极与接地端子连接，漏极与所述控制电路的第一输出端子连接； 电阻元件，其设置在所述第二电源端子与所述控制电路的第一输出端子之间；以及 反相器，其设置在所述NMOS晶体管的漏极与第二输出端子之间， 所述控制电路利用所述第一输出端子的信号控制所述第一开关，利用所述第二输出端子的信号控制所述第二开关。
4.一种电平转换电路，其安装在半导体装置上，其特征在于， 该电平转换电路具备信号处理电路和控制电路， 所述信号处理电路具有: 第一 NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，漏极与第一内部节点连接； 第二 NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，漏极与第二内部节点连接； 第一反相器，其输入端子与所述信号处理电路的输入端子以及所述第二 NMOS晶体管的栅极连接，输出端子与所述第一 NMOS晶体管的栅极连接，电源端子与第一电源端子连接； 第一开关，其设置在所述第一内部节点与接地端子之间，由所述信号处理电路的第一控制信号端子的信号控制， 第二开关，其设置在所述信号处理电路的输出端子与所述第二内部节点之间，由所述信号处理电路的第二控制信号端子的信号控制， 第一 PMOS晶体管，其栅极与所述信号处理电路的输出端子连接，源极与第二电源端子连接，漏极与所述第一内部节点连接；以及 第二 PMOS晶体管，其栅极与所述第一内部节点连接，源极与所述第二电源端子连接，漏极与所述信号处理电路的输出端子连接， 所述控制电路具有: 电压检测电路，其输入端子与所述第一电源端子连接，检测第一电源电压成为最低工作电源电压与规定电压的合计电压的情况；以及 第二反相器，其输入端子与所述电压检测电路的输出端子以及所述第一控制信号端子连接，输出端子与所述第二控制信号端子连接，电源端子与所述第二电源端子连接。
5.根据权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于， 所述电压检测电路具备: 第三NMOS晶体管，其栅极与所述第一电源端子连接，源极与接地端子连接，漏极与所述电压检测电路的输出端子连接；以及 电阻元件，其设置在所述第二电源端子与所述电压检测电路的输出端子之间。
6.根据权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于， 所述电压检测电路的阈值电压被调整为所述合计电压。
【文档编号】H03K19/0185GK103997334SQ201410056621
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年2月19日 优先权日:2013年2月20日
【发明者】高田幸辅, 五十岚敦史 申请人:精工电子有限公司